專利名稱：使用超像素形式的傾斜鏡面的光構(gòu)圖裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光構(gòu)圖裝置及其使用方法。
背景技術(shù)：
構(gòu)圖裝置用于構(gòu)圖入射光。靜態(tài)構(gòu)圖裝置可以包括標(biāo)線片或掩模。動(dòng)態(tài)構(gòu)圖裝置可以包括通過(guò)接收模擬或數(shù)字信號(hào)產(chǎn)生圖形的單獨(dú)可控元件的陣列。這種動(dòng)態(tài)構(gòu)圖裝置有時(shí)被稱為無(wú)掩模系統(tǒng)。用于使用構(gòu)圖裝置的典型環(huán)境可以是但不限于光刻設(shè)備、投影儀、投影顯示設(shè)備等等。
最近，有時(shí)被稱為空間光調(diào)制器的單獨(dú)可控元件的陣列可以包括各種類型的微鏡面陣列。鏡面類型包括但不限于扁平傾斜鏡面、單相位階躍的(single phase-step)傾斜鏡面、活塞式鏡面或組合傾斜和活塞式的混合鏡面。當(dāng)通過(guò)微鏡面陣列對(duì)物體成像時(shí)，由每個(gè)鏡面反射的光的相位和強(qiáng)度是重要參數(shù)。在具有傾斜鏡面的單獨(dú)可控元件的常規(guī)陣列中，到達(dá)圖像平面的負(fù)性光(即，異相光)的最大量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于到達(dá)圖像平面的正性光(即，同相光)的最大量。例如，扁平傾斜鏡面可以實(shí)現(xiàn)100％正相強(qiáng)度和4.7％負(fù)相強(qiáng)度之間任何位置的強(qiáng)度調(diào)制或灰度級(jí)。這種有限的負(fù)相強(qiáng)度已經(jīng)證明在某些類型常規(guī)掩模的仿真中成為局限，例如相位偏移掩模。
提高強(qiáng)度調(diào)制或灰度級(jí)特性的一種方法是使用單相位階躍的傾斜鏡面，該鏡面例如具有λ/4的高度階躍和λ/2的相位階躍，其中λ是成像波長(zhǎng)。這種鏡面已經(jīng)由瑞典的微型激光系統(tǒng)發(fā)明。這種鏡面可以實(shí)現(xiàn)+50％和-50％之間任何位置的相位強(qiáng)度調(diào)制。用于提高強(qiáng)度調(diào)制特性的另一種方法是使用雙相位階躍的傾斜鏡面，如2004年11月24日提出的、名稱為“使用雙相位階躍元件的圖形發(fā)生器及其使用方法”的共同未決申請(qǐng)No.10/995,092(代理標(biāo)簽No.1857.3290000)中所公開(kāi)的，在此引入其內(nèi)容以作參考。
然而，一般來(lái)說(shuō)，傾斜鏡面的光刻性能對(duì)鏡面到鏡面的相位/高度誤差非常敏感。本發(fā)明人承擔(dān)的工作表明，通過(guò)1個(gè)總和的統(tǒng)計(jì)偏差(即，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差)，在65nm節(jié)點(diǎn)處的高度需求為1nm左右?，F(xiàn)行SLM技術(shù)不允許這種級(jí)別的鏡面高度控制。SLM技術(shù)的狀態(tài)呈現(xiàn)的誤差比所需要的至少大四倍。
由于這些和其他原因，需要其他替代的方案，以提高諸如傾斜鏡面的單獨(dú)可控元件陣列的強(qiáng)度和相位調(diào)制特性。例如，其將有益于獨(dú)立模擬任意灰度級(jí)和相位，以有效地仿真不同類型的光刻掩模，例如二元掩模、衰減相移掩模(AttPSM)、交替相移掩模(AltPSM)、CPL和旋渦式掩模。

發(fā)明內(nèi)容
光構(gòu)圖系統(tǒng)包括提供具有中心波長(zhǎng)(λ)的輻射束的照明系統(tǒng)。反射像素陣列構(gòu)圖該束，其中該陣列包括具有至少一個(gè)與第二傾斜鏡面邏輯耦合的第一傾斜鏡面的像素。在實(shí)施例中，第一和第二傾斜鏡面(i)基本彼此相鄰；且(ii)在高度上彼此偏移第一鏡面位移。最后，包括將構(gòu)圖束投射到目標(biāo)上的投影系統(tǒng)。在可選實(shí)施例中，反射像素陣列包括具有彼此邏輯耦合的第一至第四傾斜鏡面的像素。第一至第四傾斜鏡面(i)分別與參考平面在高度上偏移第一到第四鏡面位移，且(ii)分別以順時(shí)針?lè)较蚺帕性诨菊叫蔚膱D形中。也可以使用其他多個(gè)鏡面。
還描述了一種用于構(gòu)圖輻射束的方法。該方法包括通過(guò)反射像素陣列構(gòu)圖具有波長(zhǎng)(λ)的輻射束。該陣列包括至少具有邏輯耦合到第二傾斜鏡面的第一傾斜鏡面的超像素。第一和第二傾斜鏡面(i)在高度上彼此偏移第一鏡面位移，且(ii)基本彼此相鄰。然后將構(gòu)圖束投射到物體的目標(biāo)部分上。公開(kāi)了四個(gè)或更多鏡面的類似方法。
下面將參考附圖詳細(xì)描述本分明的其他實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)，以及本分明的結(jié)構(gòu)和各實(shí)施例的操作。


在此引入并形成說(shuō)明書一部分的附圖示出了本發(fā)明，并與描述一起進(jìn)一步用于解釋本發(fā)明的原理并且能夠使相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員制造并使用本發(fā)明。在附圖中，相同的參考數(shù)字表示同樣的或功能類似的元件。此外，在大多數(shù)附圖中，參考數(shù)字最左邊的阿拉伯?dāng)?shù)字表示該參考數(shù)字第一次出現(xiàn)的圖號(hào)。
圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。
圖2A和2B示出了扁平傾斜鏡面。
圖2C示出了扁平傾斜鏡面的振幅反射率和強(qiáng)度特性。
圖3A和3B示出了包括兩個(gè)矩形傾斜鏡面的超像素。
圖4A和4B示出了包括四個(gè)正方形傾斜鏡面且具有平衡傾斜角和鏡面位移的超像素。
圖4C示出了復(fù)雜方格圖案的超像素。
圖5示出了具有任意分布的相位誤差的超像素。
圖6示出了具有非平衡高度和傾斜角的超像素。
圖7A示出了單相位階躍的傾斜鏡面。
圖7B示出了包括四個(gè)單相位階躍傾斜鏡面的超像素。
圖8示出了如何根據(jù)特征位置在SLM中形成超像素。
現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明。
具體實(shí)施例方式
概述雖然在本文中可以作為具體參考在構(gòu)圖襯底的光刻系統(tǒng)中使用構(gòu)圖裝置，但應(yīng)當(dāng)明白在此描述的構(gòu)圖裝置可以具有其他應(yīng)用，例如在投影儀或投影系統(tǒng)中構(gòu)圖目標(biāo)或顯示裝置(例如，在投影電視系統(tǒng)中，等等)。因此，在整個(gè)說(shuō)明書中光刻系統(tǒng)和/或襯底的使用僅描述本發(fā)明的示例性使用照明系統(tǒng)、單獨(dú)可控元件的陣列和投影系統(tǒng)，將系統(tǒng)和方法用于構(gòu)圖光。照明系統(tǒng)提供輻射束。單獨(dú)可控元件(SLM)的陣列構(gòu)圖該束。投影系統(tǒng)將構(gòu)圖過(guò)的束投射到物體的目標(biāo)位置上。在各種示例中，物體可以是顯示裝置、半導(dǎo)體襯底或晶片、扁平面板顯示玻璃基板等，如下面更詳細(xì)的論述。
單獨(dú)可控元件的陣列可以包括各種類型的SLM。鏡面類型包括但不限于扁平的傾斜鏡面、單相位階躍傾斜鏡面、活塞式鏡面或傾斜和活塞式組合的混合鏡面。然而，如上所述，強(qiáng)度調(diào)制(例如，正性光和負(fù)性光的不同最大振幅)強(qiáng)行防止了這些陣列有效地仿真各種類型的掩模(例如，移相掩模)。而且，當(dāng)校正各種類型的SLM缺陷和誤差時(shí)，這些陣列通常效率低下。
在實(shí)施例中，單獨(dú)可控元件的陣列包括傾斜鏡面SLM。傾斜鏡面可以是扁平的傾斜鏡面或單相位階躍的傾斜鏡面。單獨(dú)可控傾斜鏡面可以在高度上彼此偏移，并且優(yōu)選地在兩個(gè)或更多個(gè)邏輯耦合的組中可編程選擇以形成超像素。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，將高度上偏移的傾斜鏡面組合到超像素中提高了強(qiáng)度調(diào)制特性，并增強(qiáng)了陣列的能力以模擬任意灰度級(jí)和相位。這些特性還可以校正各種類型的SLM缺陷或誤差。在實(shí)施例中，當(dāng)傾斜鏡面組(例如，2×2或4×4，等)邏輯耦合作為一個(gè)大像素執(zhí)行時(shí)，形成了超像素。通過(guò)可編程地選擇形成超像素的傾斜鏡面的傾斜角，多種相位和灰度級(jí)的組合是可能的。因此，可以根據(jù)所需要部件的位置可編程地選擇形成超像素的傾斜鏡面。
術(shù)語(yǔ)雖然在本文中可以作為具體參考在IC制造中使用光刻設(shè)備，但應(yīng)當(dāng)明白在此所述的光刻設(shè)備可以具有其他應(yīng)用，例如，制造DNA芯片、MEMS、MOEMS、集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和探測(cè)圖形、平板顯示器、薄膜磁頭、微觀和宏觀的射流元件，等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，在這種可選應(yīng)用的范圍內(nèi)，在此術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”的任何使用可以認(rèn)為分別與更通常的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。
在曝光之前或之后，例如可以在示蹤(track)(通常對(duì)襯底施加抗蝕劑層并顯影已曝光的抗蝕劑的工具)或計(jì)量或檢查工具中處理這里所稱的襯底。在可應(yīng)用時(shí)，這里的公開(kāi)可以應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具。此外，例如，為了制造多層IC，可以將襯底處理不只一次，因此這里使用的術(shù)語(yǔ)襯底還可以指已經(jīng)包括多個(gè)處理層的襯底。
如這里采用的術(shù)語(yǔ)“單獨(dú)可控元件的陣列”應(yīng)當(dāng)廣泛地解釋為可以用于提供具有已構(gòu)圖截面的入射輻射束的陣列，以便在襯底的目標(biāo)位置中制造期望的圖形。術(shù)語(yǔ)“光閥”和“空間光調(diào)制器”(SLM)也可以用于本范圍。上面和下面描述了這種構(gòu)圖裝置的例子。
在實(shí)施例中，單獨(dú)可控元件的陣列可以包括采用微鏡面矩陣排列的可編程鏡面陣列，例如通過(guò)施加合適的局部電場(chǎng)，或通過(guò)使用壓電傳動(dòng)裝置，可以相對(duì)于光軸單獨(dú)傾斜其中的每一個(gè)。典型微鏡面的尺寸約為8μm×8μm。微鏡面是矩陣可尋址的，以使尋址鏡面比未尋址鏡面更直接地反射入射輻射束。借此，根據(jù)矩陣可尋址鏡面的尋址圖形構(gòu)圖反射束。使用合適的電子裝置可以完成所需的矩陣尋址。
在一個(gè)示例中，在作為單個(gè)像素執(zhí)行的超像素中可以一起協(xié)調(diào)鏡面組。在該示例中，照明系統(tǒng)中的光學(xué)元件可以形成光束，以使每個(gè)束落到各鏡面組上。在實(shí)施例中，單獨(dú)可控元件的陣列可以包括一個(gè)或更多可編程鏡面陣列。
應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，在部件的預(yù)偏置中，使用光學(xué)鄰近校正部件、相位變化技術(shù)和多曝光技術(shù)，例如，在單獨(dú)可控元件陣列上“顯示”的圖形實(shí)質(zhì)上可以與最后傳輸?shù)揭r底層或襯底上的圖形不同。類似地，最后在襯底上產(chǎn)生的圖形可以與任何一個(gè)瞬間在單獨(dú)可控元件上形成的圖形不一致。在裝置中這可以是這種情況，其中在單獨(dú)可控元件陣列和/或襯底相對(duì)位置上的圖形改變期間，通過(guò)給定的時(shí)間段或給定的曝光數(shù)建立形成在襯底的每一部分上的最終圖形。
這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“束”包括所有類型的電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和遠(yuǎn)紫外線(EUV)輻射(例如，具有5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng))，以及粒子束，例如離子束或電子束。
在光刻環(huán)境中，例如，作為適合于使用曝光輻射，或諸如使用浸液或使用真空的其他因素，這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)當(dāng)廣泛地解釋為包括各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)、反射光學(xué)系統(tǒng)和反射折射光學(xué)系統(tǒng)。在此術(shù)語(yǔ)“透鏡”的任何使用可以認(rèn)為與更通常的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。
照明系統(tǒng)還可以包括各種類型的光學(xué)元件，包括用于引導(dǎo)、成形或控制輻射束的折射、反射和反射折射的光學(xué)元件，并且這些元件在下面還可以共同或單獨(dú)稱作“透鏡”。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙階)或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多掩模臺(tái))的類型。在這種“多階”機(jī)器中，可以并行使用另外的臺(tái)，或者在一個(gè)或更多臺(tái)上進(jìn)行預(yù)備步驟，而將一個(gè)或多個(gè)其他臺(tái)用于曝光。
光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中將襯底浸到具有相對(duì)高折射率的液體(例如水)中，以便填充在投影系統(tǒng)的末級(jí)元件和襯底之間的空間。還可以將浸液用于光刻設(shè)備中的其他空間，例如，襯底和投影系統(tǒng)的第一元件之間。浸漬技術(shù)用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。此外，設(shè)備可以被提供有液體處理單元，以允許液體和襯底的被輻射部分之間的相互作用。
用于構(gòu)圖裝置的示例性環(huán)境如上所述，雖然本分明的構(gòu)圖裝置可以用在很多不同環(huán)境中，但光刻環(huán)境將用于以下描述中。這僅僅為了說(shuō)明性目的。
光刻設(shè)備是一種在物體的目標(biāo)部分上施加期望圖形的機(jī)器。例如，光刻設(shè)備可以用于在生物技術(shù)環(huán)境中、在IC、平板顯示器、微米或納米射流元件和包括精細(xì)結(jié)構(gòu)的其他器件的制造中構(gòu)圖物體。在基于IC的光刻環(huán)境中，構(gòu)圖裝置用于產(chǎn)生與單層IC(或其他器件)相對(duì)應(yīng)的電路圖形，并且這種圖形可以在具有輻射敏感材料層(例如，抗蝕劑)的襯底(例如，硅晶片或玻璃板)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個(gè)或幾個(gè)管芯的部分)上成像。如上所述，取代掩模，在無(wú)掩模IC光刻中構(gòu)圖裝置可以包括產(chǎn)生電路圖形的單獨(dú)可控元件陣列。
通常，單個(gè)襯底將包括依次曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括步進(jìn)器和掃描器，在步進(jìn)器中通過(guò)在目標(biāo)部分上一次曝光整個(gè)圖形來(lái)輻射每個(gè)目標(biāo)部分，在掃描器中通過(guò)在給定方向(“掃描方向”)上掃描穿過(guò)束的圖形來(lái)輻射每個(gè)目標(biāo)部分，而同時(shí)掃描與該方向平行或反平行的襯底。這些概念將在下面更詳細(xì)地論述。
根據(jù)本分明的一個(gè)實(shí)施例，圖1示意性地示出了光刻投影設(shè)備100。設(shè)備100至少包括輻射系統(tǒng)102、構(gòu)圖裝置104(例如，靜態(tài)裝置或單獨(dú)可控元件陣列)、物體臺(tái)106(例如，襯底臺(tái))和投影系統(tǒng)(“透鏡”)108。
輻射系統(tǒng)102用于提供輻射束110，在本例中其還包括輻射源112。如上所述，輻射束可以包括各種包括UV和EUV的源。
單獨(dú)可控元件陣列104(例如，可編程鏡面陣列)用于構(gòu)圖束110。在一個(gè)示例中，單獨(dú)可控元件陣列104的位置相對(duì)于投影系統(tǒng)108是固定的。然而，在另一示例中，單獨(dú)可控元件陣列104連接到相對(duì)投影系統(tǒng)108設(shè)定其位置的定位裝置(未示出)。在所示的示例中，單獨(dú)可控元件陣列104中的每個(gè)元件是反射型的(例如，具有反射的單獨(dú)可控元件陣列)。
物體臺(tái)106被提供有用于保持物體114(例如，涂敷抗蝕劑的硅晶片、玻璃襯底等)的物體支座(未具體示出)。在一個(gè)示例中，襯底臺(tái)106連接到用于相對(duì)投影系統(tǒng)108精確定位襯底114的定位裝置116。
投影系統(tǒng)108(例如，石英和/或CaF2透鏡系統(tǒng)或包括由這種材料構(gòu)成的透鏡元件的反射折射系統(tǒng)、或鏡面系統(tǒng))用于將從分束器118接收的構(gòu)圖束投射到襯底114的目標(biāo)部分120(例如，一個(gè)或多個(gè)管芯)上。投影系統(tǒng)108可以在襯底114上投射單獨(dú)可控元件陣列104的圖像?？蛇x的，投影系統(tǒng)108可以投射次級(jí)源的圖像，對(duì)于該次級(jí)源來(lái)說(shuō)單獨(dú)可控元件陣列104的元件用作快門。投影系統(tǒng)108還可以包括微透鏡陣列(MLA)以形成次級(jí)源并將微型點(diǎn)投射到襯底114上。
源112(例如，準(zhǔn)分子激光器等)產(chǎn)生輻射束122。束122被直接饋送到照明系統(tǒng)(照明器)124中或者在經(jīng)過(guò)諸如束擴(kuò)展器126的調(diào)節(jié)裝置126之后被饋送到照明系統(tǒng)(照明器)124中。照明器124可以包括調(diào)節(jié)裝置128，該調(diào)節(jié)裝置128設(shè)定束122中的強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別稱作σ-外部和σ-內(nèi)部)。此外，照明器124可以包括各種其他部件，例如積分器130和聚光器132。借此，碰撞到單獨(dú)可控元件陣列104上的束110在其截面中具有期望的均勻性和強(qiáng)度分布。
在一個(gè)示例中，源112在光刻投影設(shè)備100的外殼內(nèi)(例如，作為通常情況，當(dāng)源112是汞燈時(shí))。在另一示例中，源112遠(yuǎn)離光刻投影設(shè)備100設(shè)置。在后一種示例中，將輻射束122引導(dǎo)到設(shè)備100中(例如，借助于合適的引導(dǎo)鏡面(未示出))。當(dāng)源112為準(zhǔn)分子激光器時(shí)，后一種情況是通常情況。應(yīng)該理解，這兩種情況都考慮在本分明的范圍內(nèi)。
在使用分束器118引導(dǎo)后，束110隨后與單獨(dú)可控元件陣列104相互作用。在所示的示例中，已經(jīng)通過(guò)單獨(dú)可控元件陣列104反射的束110通過(guò)投影系統(tǒng)108，其將束110聚焦到襯底114的目標(biāo)部分120上。
借助于定位裝置116和基板136上的、用于接收通過(guò)分束器140的干涉束138的任意干涉儀測(cè)量裝置134，精確移動(dòng)襯底臺(tái)106，以便在束110的路徑中定位不同的目標(biāo)部分120。
在一個(gè)示例中，用于單獨(dú)可控元件陣列104的定位裝置(未示出)可以用于精確校正單獨(dú)可控元件陣列104相對(duì)于束110的路徑的位置，例如在掃描期間。
在一個(gè)示例中，借助于長(zhǎng)沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(精定位)實(shí)現(xiàn)襯底臺(tái)106的移動(dòng)，其未在圖1中明確描述。類似的系統(tǒng)還可以用于定位單獨(dú)可控元件陣列104。將意識(shí)到，束110可選地/額外地是可移動(dòng)的，而襯底臺(tái)106和/或單獨(dú)可控元件陣列104可以具有固定位置以提供所需的相對(duì)移動(dòng)。
在另一示例中，襯底臺(tái)106是固定的，襯底114在襯底臺(tái)106上方是可移動(dòng)的。在這樣做時(shí)，襯底臺(tái)106在平坦的最上層表面上被提供有許多開(kāi)口。通過(guò)開(kāi)口提供氣體以提供氣墊，其支撐襯底114。這稱作氣浮裝置。使用一個(gè)或多個(gè)傳動(dòng)器(未示出)使襯底114在襯底臺(tái)106上方移動(dòng)，傳動(dòng)器相對(duì)于束110的路徑精確定位襯底114。在另一示例中，通過(guò)有選擇地開(kāi)始和停止通過(guò)開(kāi)口的氣體通道在襯底臺(tái)106上方移動(dòng)襯底114。
雖然在此將根據(jù)本分明的光刻設(shè)備100描述成用于曝光襯底上的抗蝕劑，但將意識(shí)到本分明不限于這種應(yīng)用，而且設(shè)備100可以用于投影在無(wú)抗蝕劑光刻中使用的構(gòu)圖束110，以及其他應(yīng)用。
可以以五種模式中的至少一種使用所述設(shè)備1001.步進(jìn)模式在單一曝光(即，單一“閃爍”)期間將單獨(dú)可控元件陣列104上的整個(gè)圖形投射到目標(biāo)部分120上。然后在x和/或y方向上將襯底臺(tái)106移動(dòng)到用于不同目標(biāo)部分120的不同位置以便通過(guò)構(gòu)圖束110輻射。
2.掃描模式基本上與步進(jìn)模式相同，只是給定的目標(biāo)部分120不在單一“閃爍”中曝光。相反地，在給定方向(例如，“掃描方向”，比如y方向)上以速度v移動(dòng)單獨(dú)可控元件陣列104，使得構(gòu)圖束110在單獨(dú)可控元件陣列104上方掃描。同時(shí)，襯底臺(tái)106在相同或相反方向上以速度V＝Mv同時(shí)移動(dòng)，其中M是投影系統(tǒng)108的放大率。借此，可以曝光相對(duì)大的目標(biāo)部分，而不必?fù)p害分辨率。
3.脈沖模式單獨(dú)可控元件陣列104基本保持固定，使用脈沖輻射系統(tǒng)102在襯底114的目標(biāo)部分120上投射整個(gè)圖形。襯底臺(tái)106以基本恒定的速度移動(dòng)，使構(gòu)圖束110掃描跨越襯底106的直線。作為需要，在輻射系統(tǒng)102的脈沖之間更新單獨(dú)可控元件陣列104上的圖形，并將脈沖定時(shí)以便在襯底114上的所需位置處曝光連續(xù)的目標(biāo)部分120。因此，構(gòu)圖束110可以掃描整個(gè)襯底114以曝光用于一條襯底114的全部圖形。重復(fù)該工藝直到逐線地曝光完整個(gè)襯底114。
4.連續(xù)脈沖模式基本上與脈沖模式相同，只是使用基本恒定的輻射系統(tǒng)102并在構(gòu)圖束110掃描整個(gè)襯底114并曝光它時(shí)更新單獨(dú)可控元件陣列104上的圖形。
5.像素柵格成像模式通過(guò)由對(duì)準(zhǔn)到陣列104上的光點(diǎn)發(fā)生器130所形成光點(diǎn)的連續(xù)曝光來(lái)實(shí)現(xiàn)形成在襯底114上的圖形。曝光的光點(diǎn)具有基本相同的形狀。在襯底114上，光點(diǎn)基本上印刷在柵格中。在一個(gè)示例中，光點(diǎn)尺寸大于被印刷的像素柵格的間距，但遠(yuǎn)小于曝光光點(diǎn)柵格。通過(guò)改變被印刷的光點(diǎn)的強(qiáng)度，完成圖形。在曝光閃爍之間，改變光點(diǎn)上的強(qiáng)度分布。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變形或者完全不同的使用模式。
可編程元件陣列中的示例性超像素如上所述，本發(fā)明的實(shí)施例包括提供輻射束的照明系統(tǒng)、用于構(gòu)圖輻射束的單獨(dú)可控元件陣列(例如，SLM芯片)和將構(gòu)圖束投射到目標(biāo)上的投射系統(tǒng)。單獨(dú)可控元件陣列優(yōu)選包括形成一個(gè)或更多“超像素”的多個(gè)單獨(dú)傾斜鏡面。當(dāng)至少兩個(gè)基本相鄰的傾斜鏡面彼此邏輯耦合并一起作為單個(gè)像素工作時(shí)形成超像素。超像素的兩個(gè)參數(shù)是本發(fā)明特別關(guān)心的。第一，可以可編程地選擇超像素中的單個(gè)傾斜鏡面的各傾斜角以便反射具有一定強(qiáng)度或灰度級(jí)的輻射束。第二，通過(guò)一定的鏡面位移可以使兩個(gè)相鄰的傾斜鏡面在高度上彼此偏移，以實(shí)現(xiàn)所需的相移。通過(guò)調(diào)整這兩個(gè)參數(shù)，根據(jù)本發(fā)明的超像素可以模擬所有已知類型掩模的灰度級(jí)和相位，包括二進(jìn)制、AttPSM、AltPSM、CPL和旋渦式掩模。此外，根據(jù)本發(fā)明的超像素還可以用于校正通過(guò)傾斜鏡面校準(zhǔn)方法無(wú)法糾正的相位誤差和其他SLM誤差。
圖2A和2B示出了基本正方形的扁平傾斜鏡面。傾斜鏡面205具有寬度(W)并且可以沿其軸210傾斜。傾斜鏡面205優(yōu)選為“相位型”傾斜鏡面。相位型傾斜鏡面通常以模擬模式操作，其中在鏡面完全打開(kāi)(即，最大反射強(qiáng)度)和完全關(guān)閉(即，零反射強(qiáng)度)之間存在許多狀態(tài)。不同的狀態(tài)對(duì)應(yīng)于不同的灰度級(jí)或強(qiáng)度，并通過(guò)傾斜角來(lái)控制。相位型傾斜鏡面可以與“偏轉(zhuǎn)型”傾斜鏡面對(duì)比，“偏轉(zhuǎn)型”傾斜鏡面將入射輻射束幾何地偏轉(zhuǎn)到一側(cè)，使其錯(cuò)過(guò)成像透鏡的孔徑。因此偏轉(zhuǎn)型傾斜鏡面以數(shù)字模式操作，其中它要么完全打開(kāi)，要么完全關(guān)閉。
如上所述，組成超像素的傾斜鏡面的一個(gè)重要參數(shù)是傾斜角。通過(guò)其傾斜角控制相位型鏡面的狀態(tài)。這種關(guān)系在圖2C中示出。通過(guò)線230表示振幅函數(shù)，而通過(guò)線240表示強(qiáng)度函數(shù)。最大振幅和強(qiáng)度的狀態(tài)在點(diǎn)220處示出，其中傾斜角為零。零傾斜角通常在鏡面靜止或不傾斜(例如，未在SLM陣列中尋址)時(shí)發(fā)生。當(dāng)鏡面傾斜時(shí)，振幅和強(qiáng)度減小到最小強(qiáng)度和零振幅的狀態(tài)，由傾斜角250表示。傾斜角250是零交叉傾斜角。對(duì)于正方形鏡面來(lái)說(shuō)，最小強(qiáng)度的點(diǎn)發(fā)生在傾斜為從鏡面的一側(cè)到另一側(cè)的入射輻射束的波長(zhǎng)(λ)的一半時(shí)。當(dāng)傾斜角經(jīng)過(guò)零交叉傾斜角增大時(shí)，復(fù)合振幅可以具有負(fù)號(hào)，而強(qiáng)度的大小持續(xù)為正。這種傾斜角可以稱為黑傾斜角。具有最大負(fù)振幅的黑傾斜角以傾斜角260表示。通過(guò)下式給出用于正方形扁平傾斜鏡面的平均振幅響應(yīng)A~=w2sinc(αα0)]]>α0=12λMw]]>(零交叉傾斜角)αnb≈1.4α0(最大負(fù)黑傾斜角)其中α是傾斜角，w是傾斜鏡面的1/2W，λ是入射輻射束的波長(zhǎng)，且M是(必須從發(fā)明人得到)。組成超像素的每個(gè)傾斜鏡面具有單獨(dú)可控的(即，可編程的)傾斜角。
如上所述，超像素的第二個(gè)重要參數(shù)是組成超像素的各個(gè)傾斜鏡面之間的高度偏移。個(gè)別地，高度上偏移的相鄰扁平微鏡具有純相位調(diào)制效應(yīng)。通常根據(jù)入射輻射束的波長(zhǎng)的一部分(例如，h＝1/4λ)來(lái)建立高度偏移(在此也稱作鏡面位移)。然而，在一些實(shí)施例中，可以故意利用小的高度偏移(例如，h＜1/8λ)以校正某些已知的SLM缺陷。
根據(jù)具體的高度偏移，相鄰的扁平微鏡可以在100％正相位強(qiáng)度和100％負(fù)相位強(qiáng)度之間的任意處實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度調(diào)制。鏡面高度和相位與下式相關(guān) 高度其中，是相位，λ是入射輻射束的波長(zhǎng)。入射光被鏡面反射，并由此光學(xué)路徑的偏移是高度的兩倍。因此，例如，1/4λ的鏡面位移等于相位改變?chǔ)?。?yīng)當(dāng)注意到，可以預(yù)先確定高度偏移(或鏡面位移)。也就是說(shuō)，根據(jù)SLM陣列所需要的相位特性，將高度偏移形成在單獨(dú)可控的傾斜鏡面陣列中。
圖3A和3B示出了由通過(guò)一定的鏡面位移彼此在高度上偏移的兩個(gè)邏輯耦合的矩形傾斜鏡面構(gòu)成的單一超像素。具體地，圖3A和3B示出了超像素，其中兩個(gè)矩形傾斜鏡面302和304基本彼此相鄰設(shè)置。傾斜鏡面302和304彼此邏輯耦合。換言之，對(duì)它們編程并尋址，以便用作SLM陣列內(nèi)的一個(gè)單元，并執(zhí)行單個(gè)像素的功能。此外，傾斜鏡面302和304彼此在高度上偏移入射輻射束的四分之一波長(zhǎng)(1/4λ)。應(yīng)當(dāng)注意到，四分之一波長(zhǎng)的偏移量是示例性的。其他示例性偏移量包括1/2λ、1/8λ，甚至更小的偏移量。
圖4A和4B示出了超像素400，其包括具有平衡鏡面位移和傾斜角的四個(gè)傾斜鏡面。超像素400具有四個(gè)邏輯耦合的傾斜鏡面402、404、406和408。鏡面402-408分別順時(shí)針布置在基本正方形的圖形中。此外，傾斜鏡面在高度上偏移于參考平面(未示出)，其中零高度偏移意味著鏡面與參考平面平齊。具體地，鏡面402和406具有零鏡面位移，并且邏輯耦合以使它們的傾斜角(α1)保持相等。鏡面404和408具有1/4λ的鏡面位移并且彼此邏輯耦合，以使它們的傾斜角(α2)保持相等。所有的四個(gè)傾斜鏡面401-408彼此邏輯耦合，以使它們用作SLM陣列內(nèi)的單個(gè)像素。這種超像素在此被認(rèn)為具有“平衡”鏡面位移和傾斜角，其中彼此斜對(duì)設(shè)置的鏡面具有基本相同的高度和傾斜特性。用于實(shí)際的方格圖案超像素400的平均振幅反射率響應(yīng)如下 其中，w是單個(gè)傾斜鏡面(例如傾斜鏡面406)的寬度，且α0是零交叉傾斜角。
這里可以實(shí)現(xiàn)相等的最大正振幅和負(fù)振幅。因此，實(shí)際的方格圖案超像素可以用于模擬AltPSM掩模。將實(shí)際的方格圖案超像素與等效的單個(gè)扁平傾斜鏡面(例如，傾斜鏡面205)相比，存在從100％至約37％的正強(qiáng)度減小，但負(fù)強(qiáng)度從4.7％增大到約負(fù)37％。這意味著具有單個(gè)鏡面的AltPSM模擬需要“扔掉”95％以上的可能被鏡面反射的光，而超像素400僅扔掉了67％的光。因此，使用包括扁平傾斜鏡面的超像素可以實(shí)現(xiàn)AltPSM。
圖4C示出了復(fù)雜方格圖案超像素410。與圖4A和4B中所示的超像素一樣，超像素410的鏡面位移和傾斜角是平衡的。超像素410也具有四個(gè)邏輯耦合的傾斜鏡面412、414、416和418。鏡面412-418分別順時(shí)針布置在基本正方形的圖形中。具體地，鏡面412和416具有負(fù)1/16λ的鏡面位移，并且邏輯耦合以使它們的傾斜角(α1)保持相等。鏡面414和418具有1/16λ的鏡面位移并且邏輯耦合，以使它們的傾斜角(α2)保持相等。用于圖4C所示的復(fù)雜方格圖案超像素的平均振幅反射率響應(yīng)如下 其中，w是單個(gè)傾斜鏡面(例如傾斜鏡面416)的寬度，且α0是零交叉傾斜角。如果相對(duì)于單個(gè)扁平傾斜鏡面的強(qiáng)度α1＝α2導(dǎo)致50％的強(qiáng)度降低，可以完成恒定相位處(在這種情況下相位＝0)的灰度換算(grayscaling)。另外，性能與超像素400一樣。
在更實(shí)際的情形中，除所設(shè)計(jì)的相位偏移外，超像素中的每個(gè)單個(gè)傾斜鏡面將具有相位誤差(Δi)，該相位誤差可能隨機(jī)分布在形成超像素的單獨(dú)可控傾斜鏡面SLM陣列上。這種超像素在圖5中示出，其表示具有相位誤差的復(fù)雜方格圖案超像素。具體地，圖5示出了具有四個(gè)傾斜鏡面的超像素500，其中鏡面位移是平衡的。對(duì)鏡面501、502、503和504來(lái)說(shuō)相位偏移分別表示為Δ1-Δ4，傾斜角分別表示為α1-α4。圖5的復(fù)雜方格圖案超像素的平均振幅反射率響應(yīng)如下 將鏡面集合成對(duì)(501，503)和(502，504)并且計(jì)算每對(duì)的補(bǔ)償振幅，α1＝α2時(shí)，得到對(duì)于α1＝α2
2w2sinc(α1α0)(cos(Δ3)cos(Δ1)+sin(Δ3)sin(Δ1)cos(Δ3)+sin(Δ3)+cos(Δ4)cos(Δ2)+sin(Δ4)sin(Δ2)cos(Δ4)+sin(Δ4))]]>由此，校正相位誤差得到了衰減的反射振幅。這種衰減是百分之幾，即使對(duì)于大約5度的相位誤差來(lái)說(shuō)。對(duì)于較大的相位誤差來(lái)說(shuō)，在光柵化(rasterization)期間必須考慮這種反射率的減小。
上述實(shí)施例已經(jīng)廣泛地示出了平衡的高度偏移(鏡面位移)和傾斜角。在可選實(shí)施例中，可以形成不平衡的超像素。圖6示出了這種不平衡的超像素600。在圖6的實(shí)施例中，超像素600被示出具有四個(gè)邏輯耦合的傾斜鏡面，分別標(biāo)識(shí)圍602，604，606和608。傾斜鏡面602具有零鏡面位移的傾斜角α1，傾斜鏡面604具有1/8λ的鏡面位移的傾斜角α2，傾斜鏡面606具有1/4λ鏡面位移的傾斜角α3，傾斜鏡面608具有3/8λ的鏡面位移的傾斜角α4。換言之，在本實(shí)施例中，鏡面位移形成螺旋形狀。這種不平衡的復(fù)雜螺旋狀超像素的平均振幅反射率響應(yīng)如下 為了產(chǎn)生純相位目標(biāo)性能，需要能夠改變固定振幅處的相位。并且，應(yīng)當(dāng)注意到，最大振幅與w2＝W2/4成比例，因此，最大強(qiáng)度是等效單一寬度活塞式鏡面的1/16th。對(duì)于本例來(lái)說(shuō)，這意味著模擬任意相位的能力達(dá)到了損失約94％反射率的成本。
當(dāng)傾斜角適當(dāng)設(shè)置時(shí)，相同的復(fù)雜螺旋狀超像素還可以用作灰度級(jí)器件。在這種情況時(shí)，可以保持相位恒定并改變超像素的灰度級(jí)。在這種情況下最大正和負(fù)強(qiáng)度約為由等效單一寬度扁平傾斜鏡面反射的最大強(qiáng)度的18％。與單一寬度扁平傾斜鏡面的95％損失相比，這種組合可以模擬具有約82％損失的AltPSM。
在又一可選實(shí)施例中，可以使用相位階躍的傾斜鏡面形成超像素。相位階躍鏡面具有在正和負(fù)兩種傾斜方向上能夠產(chǎn)生扁平鏡面的負(fù)70％到正70％振幅反射率的優(yōu)點(diǎn)，其中扁平傾斜鏡面具有從負(fù)20％到正100％范圍內(nèi)的振幅反射率。
圖7A示出了單相位階躍的傾斜鏡面。這種鏡面已經(jīng)由瑞典的Micronic Laser Systems，Box3141，18303 Taby所發(fā)明。示例性單相位階躍的傾斜鏡面可以具有λ/4的高度臺(tái)階和λ/2的相位階躍。如上所述，這種鏡面可以實(shí)現(xiàn)50％和負(fù)50％之間任意處的強(qiáng)度調(diào)制。圖7B示出了包括這種相位階躍鏡面的超像素。
如圖所示，超像素700在鏡面704和708具有1/8λ的鏡面位移時(shí)具有平衡的鏡面位移。超像素700能夠模擬所有掩模類型，包括任意相位的掩模類型，例如具有比上述具有扁平傾斜鏡面的螺旋狀超像素(即，超像素600)更大效率的旋渦式掩模。超像素700的強(qiáng)度效率在與兩個(gè)子像素對(duì)(例如，鏡面702，704)之一的自然相位相一致的相位的12.5％至恰好在這些相位之間的相位的25％之間的范圍內(nèi)。這可以與純活塞式鏡面的100％強(qiáng)度效率相對(duì)比。然而，強(qiáng)度效率仍然高于平衡的、1/8λ位移超像素的扁平鏡面的效率的9％。
在可選實(shí)施例中(未示出)，可以在相位階躍傾斜鏡面之間的平衡形式中故意強(qiáng)加小的鏡面位移(例如，h＜＜1/8λ)。這種高度偏移方案可以補(bǔ)償在SLM陣列中制造單個(gè)傾斜鏡面期間所發(fā)生的小的隨機(jī)高度變化的相位效應(yīng)的最小光損失。這種超像素的最大效率仍為約50％。
總之，超像素結(jié)構(gòu)中的相位階躍鏡面在需要穩(wěn)定的相位偏移時(shí)產(chǎn)生更高的強(qiáng)度效率，并且相比于使用扁平傾斜鏡面時(shí)，在超像素上產(chǎn)生更加對(duì)稱分散的強(qiáng)度。通過(guò)相位階躍鏡面，不再需要螺旋結(jié)構(gòu)(例如，超像素600)來(lái)尋址所有相位角度。而且，在負(fù)和正的相位檢測(cè)中通過(guò)由相位階躍鏡面所產(chǎn)生的對(duì)稱強(qiáng)度的優(yōu)點(diǎn)，超像素700的平衡鏡面結(jié)構(gòu)就足夠了。
如上所述，本分明人已經(jīng)揭示了將相對(duì)于彼此在高度上偏移的傾斜鏡面組合到超像素中提高了強(qiáng)度調(diào)制特性，并且平衡了陣列模擬任意灰度級(jí)和相位的能力。在實(shí)施例中，SLM芯片在可尋址陣列中可以具有上百萬(wàn)的傾斜微鏡。SLM圖形生成器將根據(jù)所需的反射率和相位特性并根據(jù)要成像的部件位置選擇合適的超像素結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)注意到，為了簡(jiǎn)明，上述實(shí)施例已經(jīng)包括了兩個(gè)或四個(gè)鏡面的超像素結(jié)構(gòu)。然而，根據(jù)所需要的像素特性，可以在SLM圖形生成器中可編程地選擇包括任意數(shù)量鏡面的超像素。
圖8示出了由單獨(dú)可控扁平傾斜鏡面(例如，801a和801b)組成的SLM陣列800的示范部分。構(gòu)造SLM陣列800的示范部分，使得單個(gè)傾斜鏡面在高度上彼此偏移。例如，傾斜鏡面801a可以具有距參考平面(未示出)為零的鏡面位移，而傾斜鏡面801b可以具有距參考平面為λ/4的鏡面位移。示范性傾斜鏡面在順時(shí)針圖形中排列，以便通過(guò)選擇或?qū)ぶ匪膫€(gè)相鄰鏡面可以形成平衡超像素(例如，超像素400)。這在圖8中通過(guò)在組成超像素(例如，超像素805)的四個(gè)鏡面上重疊的圓示出。圖8還示出了怎樣根據(jù)要在目標(biāo)上施加的部件的位置來(lái)選擇超像素。這種部件由圖形802a和802b示出。
以上已經(jīng)描述了本分明的多個(gè)實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，這些實(shí)施例僅以示例的方式存在，且不限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的本分明精神和范圍的情況下，可以在上述實(shí)施例的形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。因此，本分明的寬度和范圍應(yīng)不受任何上述示例性實(shí)施例的限制，而應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)以下權(quán)利要求及其等價(jià)來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種光構(gòu)圖系統(tǒng)，包括用于提供具有一定波長(zhǎng)(λ)的輻射束的照明系統(tǒng)；用于構(gòu)圖所述束的單獨(dú)可控元件陣列，其中所述陣列包括超像素，該超像素至少具有邏輯耦合到第二傾斜鏡面的第一傾斜鏡面，并且其中所述第一和第二傾斜鏡面(i)基本上彼此相鄰，且(ii)在高度上彼此偏移第一鏡面位移，以及用于將所述構(gòu)圖束投射到目標(biāo)上的投影系統(tǒng)。
2.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述第一鏡面位移為λ的一部分。
3.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述第一鏡面位移是從零、λ/4或λ/8構(gòu)成的組中選擇的。
4.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述第一和第二傾斜鏡面分別具有可編程的第一和第二傾斜角，由此使包括所述第一和第二傾斜鏡面的超像素反射具有選定灰度級(jí)和相位的輻射束。
5.權(quán)利要求4的系統(tǒng)，其中當(dāng)所述第一和第二傾斜鏡面處于靜止時(shí)，所述第一和第二傾斜鏡面處于最大反射率的位置。
6.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述傾斜鏡面的每一個(gè)為扁平傾斜鏡面。
7.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中所述傾斜鏡面的每一個(gè)為相位階躍鏡面。
8.權(quán)利要求7的系統(tǒng)，其中當(dāng)所述第一和第二傾斜鏡面靜止時(shí)，所述第一和第二傾斜鏡面處于最小反射率的位置。
9.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中根據(jù)將在所述目標(biāo)上構(gòu)圖的部件的位置，從多個(gè)這種傾斜鏡面之中選擇形成所述像素的所述第一和第二傾斜鏡面，以形成所述像素。
10.一種光構(gòu)圖系統(tǒng)，包括用于提供具有一定波長(zhǎng)(λ)的輻射束的照明系統(tǒng)；用于構(gòu)圖所述束的反射像素陣列，其中所述陣列包括像素，該像素具有彼此邏輯耦合的第一到第四傾斜鏡面，并且其中所述第一到第四傾斜鏡面(i)基本排列成正方形圖形，且(ii)相對(duì)參考平面在高度上分別偏移第一到第四鏡面位移；以及用于將所述構(gòu)圖束投射到目標(biāo)上的投影系統(tǒng)。
11.權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中所述鏡面位移是平衡的，使得所述第一鏡面位移基本等于所述第三鏡面位移，且所述第二鏡面位移基本等于所述第四鏡面位移。
12.權(quán)利要求11的系統(tǒng)，其中所述第一和第三鏡面位移為零，而所述第二和第四鏡面位移為λ/4。
13.權(quán)利要求11的系統(tǒng)，其中所述第一和第三鏡面位移為零，而所述第二和第四鏡面位移為λ/8。
14.權(quán)利要求12的系統(tǒng)，其中所述第一到第四鏡面位移為零。
15.權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中所述第一到第四鏡面位移彼此不同。
16.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中所述第一到第四鏡面位移小于λ/8。
17.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中所述第一鏡面位移為零，所述第二鏡面位移為λ/8，所述第三鏡面位移為λ/4，所述第四鏡面位移為3λ/8。
18.權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中所述第一到第四傾斜鏡面分別具有可編程的第一到第四傾斜角，由此使包括所述第一到第四傾斜鏡面的超像素反射具有選定灰度級(jí)和相位的輻射束。
19.權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述傾斜角是平衡的，使得所述第一傾斜角基本等于所述第三傾斜角，而所述第二傾斜角基本等于所述第四傾斜角。
20.權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述第一到第四傾斜角彼此不同。
21.權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中當(dāng)所述第一到第四傾斜鏡面靜止時(shí)，所述第一到第四傾斜鏡面處于最大反射率的位置。
22.權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中所述傾斜鏡面的每一個(gè)為扁平傾斜鏡面。
23.權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中所述傾斜鏡面的每一個(gè)為相位階躍鏡面。
24.權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中當(dāng)所述第一到第四傾斜鏡面靜止時(shí)，所述第一到第四傾斜鏡面處于最小反射率的位置。
25.權(quán)利要求10的系統(tǒng)，其中根據(jù)將在所述目標(biāo)上構(gòu)圖的部件的位置，從多個(gè)這種傾斜鏡面之中選擇所述第一到第四傾斜鏡面，以形成所述超像素。
26.一種用于構(gòu)圖輻射束的方法，包括使用反射像素陣列構(gòu)圖具有波長(zhǎng)(λ)的輻射束，其中所述陣列包括超像素，該超像素至少具有邏輯耦合到第二傾斜鏡面的第一傾斜鏡面，并且其中所述第一和第二傾斜鏡面(i)在高度上彼此偏移第一鏡面位移，且(ii)基本上彼此相鄰；以及將構(gòu)圖束投射到物體的目標(biāo)部分上。
27.權(quán)利要求26的方法，其中所述第一和第二鏡面分別具有第一和第二傾斜角，該方法還包括可編程地選擇所述第一和第二傾斜角，使所述像素反射具有選定灰度級(jí)和相位的輻射束。
28.權(quán)利要求26的方法，還包括使用所述超像素模擬二進(jìn)制掩模、衰減相移掩模和交替相移掩模中的至少一種。
29.權(quán)利要求26的方法，還包括根據(jù)在所述目標(biāo)上構(gòu)圖的部件位置，從多個(gè)這種傾斜鏡面中選擇所述第一和第二傾斜鏡面。
全文摘要
一種光構(gòu)圖系統(tǒng)包括提供具有一定波長(zhǎng)(λ)的輻射束的照明系統(tǒng)。反射像素陣列構(gòu)圖該束，其中陣列包括像素，該像素至少具有邏輯耦合到第二傾斜鏡面的第一傾斜鏡面。在實(shí)施例中，第一和第二傾斜鏡面(i)基本上彼此相鄰；且(ii)在高度上彼此偏移第一鏡面位移。包括將構(gòu)圖束投射到目標(biāo)上的投影系統(tǒng)。在可選實(shí)施例中，反射像素陣列包括具有彼此邏輯耦合的第一到第四傾斜鏡面的像素。第一到第四傾斜鏡面(i)分別在高度上與參考平面偏移第一到第四鏡面位移，且(ii)分別順時(shí)針排列在基本正方形的圖形中。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1869820SQ20061007714
公開(kāi)日2006年11月29日 申請(qǐng)日期2006年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月28日
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