專利名稱：半導體裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法，尤其涉及一種在引線接合時等，即使導電體從導電體焊盤的中央部向周邊部流動，也能夠抑制產(chǎn)生應力的半導體裝置及其制造方法。
背景技術：
近年來，為了使半導體裝置小型化，在形成有晶體管等的有效面上配置電極焊盤的技術的開發(fā)正在進行(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1特開2003-086620號公報(圖1)圖14是用于說明以往半導體裝置的結(jié)構的剖視圖。本圖所示的半導體裝置具有形成在硅基板101上的晶體管。在晶體管和元件分離膜102上形成有第1層間絕緣膜108。在第1層間絕緣膜108上形成有Al合金布線109a、109b。Al合金布線109a、109b分別與成為晶體管的源極和漏極的雜質(zhì)區(qū)域107a、107b連接。
在第1層間絕緣膜108上和Al合金布線109a、109b上，形成有第2層間絕緣膜110。在第2層間絕緣膜110上形成有合金焊盤111。Al合金焊盤111的端部位于晶體管的上方。
在第2層間絕緣膜110上和Al合金焊盤111上形成有鈍化膜113。在鈍化膜113上形成有位于Al合金焊盤111的中央部上的開口部分113a。在位于開口部分113a內(nèi)的Al合金焊盤111上接合有引線(未圖示)。
當引線接合在導電體焊盤上時等，有時會向?qū)щ婓w焊盤的中央部施加力。在這種情況下，形成焊盤的導電體從中央部向周邊部流動，會在焊盤的端部產(chǎn)生應力。因此，有時會在位于焊盤端部的下方的層間絕緣膜上產(chǎn)生裂縫。而且，還有破壞晶體管等元件的可能性。
另外，在沒有產(chǎn)生裂縫等的情況下，由于在焊盤的端部一直殘留有應力，所以有時位于焊盤端部下方的元件(例如晶體管)的電特性會變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述問題，其目的在于提供一種即使導電體從導電體焊盤的中央部向周邊部流動，也能夠抑制應力產(chǎn)生的半導體裝置及其制造方法。
為了解決上述問題，本發(fā)明的半導體裝置，具有位于半導體元件上或上方的絕緣膜；和形成在所述絕緣膜上的導電體焊盤；和形成在所述導電體焊盤上的第1開口圖案。
根據(jù)該半導體裝置，由于在導電體焊盤上形成有第1開口圖案，所以，即使形成導電體焊盤的導電體流動，導電體的流動性也會被第1開口圖案吸收。從而，能夠抑制在導電體焊盤的周邊部的應力產(chǎn)生。所述導電體焊盤例如由Al合金構成。
在所述導電體焊盤的平面形狀為大致多角形的情況下，所述第1開口圖案優(yōu)選形成在所述導電體焊盤的各個角部的附近。在這種情況下，所述第1開口圖案也可以具有大致L字狀的狹縫，或具有從所述導電體焊盤的中央部向所述角部延伸的第1狹縫，所述大致L字狀的狹縫沿著形成所述角部的2條邊而配置。在后者的情況下，所述第1開口圖案優(yōu)選還具有分別沿著形成所述角部的2條邊而延伸的2條第2狹縫。
在所述導電體焊盤的平面形狀為近似圓形或近似橢圓形的情況下，所述第1開口圖案優(yōu)選具有沿著所述導電體焊盤的邊緣而配置的多個狹縫。
也可以還具有形成在所述導電體焊盤的大致中央部的第2開口圖案。
另外，還可以具有分別形成在所述絕緣膜上和所述導電體焊盤的周邊部上的保護膜，并且所述保護膜的一部分也可以被埋入在所述第1開口圖案中。在這種情況下，流動的導電體被埋入在所述第1開口圖案中的所述保護膜堵住。
本發(fā)明的另一種半導體裝置，具有位于半導體元件上或上方的第1絕緣膜；和形成在所述第1絕緣膜上的第1導電體焊盤；和形成在所述第1導電體焊盤的周邊部的第1開口圖案；和形成在所述第1絕緣膜及所述第1導電體焊盤的周邊部上，并在所述第1導電體焊盤上具有開口部分的第2絕緣膜；和形成在所述第2絕緣膜上，并通過其一部分被埋入在所述開口部分而與所述第1導電體焊盤連接的第2導電體焊盤。
可以還具有形成在所述第2導電體焊盤上的第2開口圖案。
本發(fā)明的又一種半導體裝置，具有位于半導體元件上或上方的第1絕緣膜；和形成在所述第1絕緣膜上的第1導電體焊盤；和形成在所述第1絕緣膜上，并在所述第1導電體焊盤上具有開口部分的第2絕緣膜；和形成在所述第2絕緣膜上，并通過其一部分被埋入在所述開口部分而與所述第1導電體焊盤連接的第2導電體焊盤；和形成在所述第2導電體焊盤上，并位于所述開口部分內(nèi)的開口圖案。
本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，包括在半導體元件上或上方形成絕緣膜的工序；和在所述絕緣膜上形成導電體膜的工序；和通過圖案形成所述導電體膜，而分別形成位于所述半導體元件的上方的導電體焊盤、以及位于該導電體焊盤內(nèi)的開口圖案的工序。
還可以包括在形成所述導電體焊盤以及所述開口圖案的工序之后，在所述導電體焊盤上接合引線的工序。


圖1(A)是用于說明第1實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖，(B)是用于說明(A)的下一道工序的剖視圖。
圖2(A)是用于說明圖1(B)的下一道工序的剖視圖，B是(A)的狀態(tài)中的半導體裝置的俯視圖。
圖3(A)是用于說明圖2(A)的下一道工序的剖視圖，(B)是(A)的狀態(tài)中的半導體裝置的俯視圖。
圖4是用于說明第2實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖。
圖5是用于說明第3實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖。
圖6是用于說明第4實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖。
圖7是用于說明第5實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖。
圖8是用于說明第6實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖。
圖9是用于說明第7實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖。
圖10(A)是用于說明第8實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖，(B)是圖10(A)中所示的半導體裝置的俯視圖。
圖11(A)是用于說明第9實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖，(B)是用于說明(A)的下一道工序的剖視圖。
圖12是用于說明第10實施方式的半導體裝置的結(jié)構的剖視圖。
圖13是用于說明第11實施方式的半導體裝置的結(jié)構的剖視圖。
圖14是用于說明以往半導體裝置的結(jié)構的剖視圖。
圖中1、101-硅基板，2、102-元件分離膜，3-柵極氧化膜，4a-柵電極，4b-多晶硅電阻，5-側(cè)壁，6a、6b-低濃度雜質(zhì)區(qū)域，7a、7b、107a、107b-雜質(zhì)區(qū)域，8、108-第1層間絕緣膜，8a、8b-連接孔，9a、9b、11b、109a、109b-Al合金布線，10、110-第2層間絕緣膜，11、111-Al合金焊盤，12-開口圖案，12a、12b-狹縫(slit)，13、113-鈍化膜，13a、14a、20、113a-開口部分，14-第3層間絕緣膜，15-第2Al合金焊盤，16-開口圖案。
具體實施例方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1的各圖、圖2(A)以及圖3(A)是用于說明本發(fā)明第1實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖。圖2(B)和圖3(B)分別是圖2(A)和圖3(A)的狀態(tài)下的半導體裝置的俯視圖。
首先，如圖1(A)所示，在硅基板1上形成元件分離膜2，將形成有晶體管的元件區(qū)域從其他區(qū)域分離。元件分離膜2也可以通過LOCOS氧化法來形成，還可以通過溝槽電離法埋入到硅基板1上。
接著，對硅基板1進行熱氧化。由此，在位于元件區(qū)域的硅基板1上形成了柵極氧化膜3。接著，在柵極氧化膜3上和元件分離膜2上形成多晶硅膜，并圖案形成該多晶硅膜。由此，在柵極氧化膜3上形成了柵電極4a，在元件分離膜2上形成了多晶硅電阻4b。接著，將柵電極4a和元件分離膜2作為掩模，在硅基板1上注入雜質(zhì)。由此，在硅基板1上形成了晶體管的低濃度雜質(zhì)區(qū)域6a、6b。
接著，在包括柵電極4a的整個面上形成氧化硅膜，并蝕刻該氧化硅膜。由此，柵電極4a和多晶硅電阻4b的各個側(cè)壁被側(cè)壁(side wall)5覆蓋。接著，將柵電極4a、側(cè)壁5和元件分離膜2作為掩模，在硅基板1上注入雜質(zhì)。由此，在硅基板1上形成作為晶體管的源極和漏極的雜質(zhì)區(qū)域7a、7b。
這樣，在硅基板1的元件區(qū)域形成了晶體管。
接著，在包括晶體管的整個面上，形成以氧化硅為主成分的第1層間絕緣膜8。第1層間絕緣膜8具有通過CVD法形成的第1層、作為SOG膜的第2層、和通過CVD法形成的第3層。第2層的表面被蝕刻。通過設置第2層，提高了第1層間絕緣膜8的表面平坦性。
接著，在第1層間絕緣膜8上涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并曝光、顯影該光致抗蝕劑膜。由此，在第1層間絕緣膜8上形成了抗蝕圖案。接著，將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻第1層間絕緣膜8。由此，在第1層間絕緣膜8上形成了分別位于雜質(zhì)區(qū)域7a、7b上的連接孔8a、8b。然后，除去抗蝕圖案。
接著，在各個連接孔8a、8b中、和第1層間絕緣膜8上，通過濺射法形成Al合金膜。接著，在該Al合金膜上涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并曝光、顯影該光致抗蝕劑膜。由此，在Al合金膜上形成了抗蝕圖案。接著，將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻Al合金膜。由此，在第1層間絕緣膜8上形成了Al合金布線9a、9b。Al合金布線9a經(jīng)由連接孔8a與雜質(zhì)區(qū)域7a連接，Al合金布線9b經(jīng)由連接孔8b與雜質(zhì)區(qū)域7b連接。然后，除去抗蝕圖案。
接著，在第1層間絕緣膜8上和Al合金布線9a、9b上形成第2層間絕緣膜10。第2層間絕緣膜10的結(jié)構和形成方法與第1層間絕緣膜8的結(jié)構和形成方法相同。接著，在第2層間絕緣膜10上涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并曝光、顯影該光致抗蝕劑膜。由此，在第2層間絕緣膜10上形成了抗蝕圖案。接著，將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻第2層間絕緣膜10。由此，在第2層間絕緣膜10上形成了連接孔(未圖示)。然后，除去抗蝕圖案。
接著，如圖1(B)所示，在第2層間絕緣膜10上和未圖示的連接孔中通過濺射法形成Al合金膜。
接著，如圖2(A)及(B)所示，在Al合金膜上涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并曝光、顯影該光致抗蝕劑膜。由此，在Al合金膜上形成了抗蝕圖案。接著，將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻Al合金膜。由此，在第2層間絕緣膜10上形成了Al合金焊盤11及Al合金布線11b。Al合金布線11b的一部分被埋入在所述的連接孔中。然后，除去抗蝕圖案。
如圖2(B)所示，Al合金焊盤11大致呈正方形，并與Al合金布線11b連接。另外，Al合金焊盤11的一個角部位于晶體管的上方，另一角部位于多晶硅電阻4b的上方。在Al合金焊盤11的4個角部上分別形成有狹縫狀的開口圖案12。開口圖案12大致呈L字形狀，被配設在沿著形成角部的2個邊的方向上。
接著，如圖3(A)及(B)所示，在第2層間絕緣膜10、Al合金焊盤11和Al合金布線11b的每個上、以及開口圖案12內(nèi)，通過CVD法形成了依次層疊氧化硅膜和氮化硅膜的鈍化膜13。接著，在鈍化膜13上涂敷光致抗蝕劑膜，并曝光、顯影該光致抗蝕劑膜。由此，在鈍化膜13上形成了抗蝕圖案。接著，將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻鈍化膜13。由此，在鈍化膜13上形成了位于Al合金焊盤11上的開口部分13a。在開口部分13a的內(nèi)側(cè)不包含開口圖案12，鈍化膜13維持埋入在開口圖案12的內(nèi)部的狀態(tài)。
接著，通過引線接合法將引線(未圖示)與位于開口部分13a內(nèi)的Al合金焊盤11連接。此時，由于向位于開口部分13a內(nèi)的Al合金焊盤11施加了力，所以形成Al合金焊盤11的Al合金向周邊部流動。流動了的Al合金朝向Al合金焊盤11的4個角部。但由于在角部的開口圖案12的內(nèi)部埋入有鈍化膜13，所以流動了的Al合金的一部分被開口圖案12堵住。因此，與以往相比，能夠抑制Al合金集中在角部。
從而，根據(jù)本實施方式，在Al合金焊盤11的角部所產(chǎn)生的應力與以往相比變小。因此，能夠抑制在第2層間絕緣膜10上產(chǎn)生裂縫。而且，可以抑制位于Al合金焊盤11下方的晶體管和多晶硅電阻4b的破壞。并且，能夠抑制由應力所產(chǎn)生的晶體管和多晶硅電阻4b的特性變化。
圖4是用于說明本發(fā)明第2實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖，其相當于第1實施方式中的圖3(B)。本圖所示的半導體裝置，除了Al合金焊盤11的形狀以外，具有與通過第1實施方式制造的半導體裝置相同的結(jié)構。而且，本圖所示的半導體裝置制造方法與第1實施方式的半導體裝置制造方法相同。下面，對于和第1實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
在本實施方式中，Al合金焊盤11呈近似圓形。開口圖案12具有多個狹縫。這些多個狹縫被沿著Al合金焊盤11的邊緣配設。在位于Al合金焊盤11上的鈍化膜13上形成有開口部分13a，鈍化膜13保持埋入在開口圖案12上的狀態(tài)。此外，在Al合金焊盤11的周邊部的下方，配置有第1實施方式中所示的晶體管(未圖示)和多晶硅電阻(未圖示)。
本實施方式中，當引線接合在位于開口部分13a內(nèi)的Al合金焊盤11上(未圖示)時，與第1實施方式相同，形成Al合金焊盤11的Al合金會向周邊部流動。但是，由于在位于Al合金焊盤11的周邊部的開口圖案12的內(nèi)部埋有鈍化膜13，所以，通過與第1實施方式相同的作用，能夠抑制Al合金集中在周邊部。
因此，根據(jù)本實施方式，能夠得到與第1實施方式相同的效果。
圖5是用于說明第3實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖，其相當于第1實施方式中的圖3(B)。本圖所示的半導體裝置，除了被設在Al合金焊盤11的角部的開口圖案12位于被設置在鈍化膜13上的開口部分13a內(nèi)這一點之外，具有與第1實施方式相同的結(jié)構。因此，在開口圖案12的內(nèi)部沒有埋入鈍化膜13。此外，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第1實施方式的半導體裝置的制造方法相同。
在本實施方式中，當通過引線接合法，將引線(未圖示)連接到位于開口部分13a內(nèi)的Al合金焊盤11上時，與第1實施方式相同，形成Al合金焊盤11的Al合金會向Al合金焊盤11的角部流動。但是，Al合金的流動性通過開口圖案12的變形而被吸收。
因此，與以往相比，根據(jù)本實施方式，能夠抑制流動了的Al合金集中在Al合金焊盤11的角部。從而，可以得到與第1實施方式相同的效果。
圖6是用于說明第4實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖，其相當于第1實施方式中的圖3(B)。本圖所示的半導體裝置，除了形成在Al合金焊盤11的角部的開口圖案12的形狀之外，具有與第1實施方式相同的結(jié)構。而且，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第1實施方式的半導體裝置的制造方法相同。下面，對于和第1實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
在本實施方式中，開口圖案12具有從Al合金焊盤11的角朝向中心部延伸的狹縫12a、和分別與形成角的2條邊平行配置的2道狹縫12b。在狹縫12a、12b的各個端部中，位于Al合金焊盤11的角側(cè)的端部相互靠近。
根據(jù)本實施方式，也能夠得到與第1實施方式相同的作用及效果。
圖7是用于說明第5實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖，其相當于第1實施方式中的圖3(B)。本圖所示的半導體裝置，除了形成在Al合金焊盤11的角部的開口圖案12的形狀之外，具有與第4實施方式相同的結(jié)構。而且，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第4實施方式的半導體裝置的制造方法相同。下面，對于和第4實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
在本實施方式中，開口圖案12的狹縫12a、12b中，位于Al合金焊盤11的中央側(cè)的端部相互靠近。
根據(jù)本實施方式，也能夠得到與第4實施方式相同的作用及效果。
圖8是用于說明第6實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖，其相當于第1實施方式中的圖3(B)。本圖所示的半導體裝置，除了形成在Al合金焊盤11的角部的大致L字狀的開口圖案12，在各個角部被多重配置這一點之外，具有與第1實施方式相同的結(jié)構。配置在內(nèi)側(cè)的開口圖案12比配置在外側(cè)的開口圖案12小。而且，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第1實施方式中的半導體裝置的制造方法相同。下面，對于和第1實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
根據(jù)本實施方式，也能夠得到與第1實施方式相同的作用及效果。
圖9是用于說明第7實施方式的半導體裝置的結(jié)構的俯視圖，其相當于第1實施方式中的圖3(B)。本圖所示的半導體裝置，除了形成在Al合金焊盤11的各個角部的開口圖案12的形狀之外，具有與第1實施方式相同的結(jié)構。而且，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第1實施方式中的半導體裝置的制造方法相同。下面，對于和第1實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
在本實施方式中，開口圖案12呈狹縫形狀，并從Al合金焊盤11的4個角部的每一個向Al合金焊盤11的中央延伸。各個開口圖案12的角部側(cè)的內(nèi)部被鈍化膜13埋入，其中央部側(cè)在開口部分13a的內(nèi)部露出。
本實施方式中，當將引線(未圖示)接合到位于開口部分13a內(nèi)的Al合金焊盤11上時，與第1實施方式相同，形成Al合金焊盤11的Al合金會向Al合金焊盤11的角部流動。但是，Al合金的流動性通過在開口部分13a內(nèi)部露出的開口圖案12的變形被吸收。而且，流動了的Al合金被埋入在開口圖案12內(nèi)部的鈍化膜13堵住，所述開口圖案12位于角部側(cè)。
因此，根據(jù)本實施方式，也能夠得到與第1實施方式相同的效果。
圖10(A)是用于說明第8實施方式的半導體裝置的結(jié)構的剖視圖，圖10(B)是圖10(A)所示的半導體裝置的俯視圖。本圖相當于第1實施方式中的圖3。本圖所示的半導體裝置，除了在Al合金焊盤11的中央部形成有開口部分20這一點之外，具有與第1實施方式相同的結(jié)構。而且，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第1實施方式的半導體裝置的制造方法相同。下面，對于和第1實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
根據(jù)該半導體裝置，通過與第1實施方式相同的作用，在Al合金焊盤11的角部產(chǎn)生的應力與以往相比變小。而且，由于在Al合金焊盤11的中央部形成有開口部分20，所以，能夠減少在引線接合時流動的Al合金的量。從而，在Al合金焊盤11的角部產(chǎn)生的應力會進一步變小。
因此，能夠抑制在第2層間絕緣膜10上產(chǎn)生龜裂等。而且，能夠抑制位于Al合金焊盤11下方的晶體管和多晶硅電阻4b的破壞。并且，能夠抑制由應力引起的晶體管和多晶硅電阻4b的特性的變化。
圖11的各個圖是用于說明第9實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖。根據(jù)本實施方式制造的半導體裝置，Al合金焊盤為雙層結(jié)構。下面，對于和第1實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
首先，如圖11(A)所示，在硅基板1上形成元件分離膜2。接著，形成柵極氧化膜3、柵電極4a、多晶硅電阻4b、側(cè)壁5、低濃度雜質(zhì)區(qū)域6a和6b、雜質(zhì)區(qū)域7a和7b、第1層間絕緣膜8、連接孔8a和8b、Al合金布線9a和9b、第2層間絕緣膜10和Al合金焊盤11。在Al合金焊盤11上設置有開口圖案12。這些的形成方法與第1實施方式相同。
接著，如圖11(B)所示，在第2層間絕緣膜10上和Al合金焊盤11上形成第3層間絕緣膜14。此時，在開口圖案12的內(nèi)部埋入第3層間絕緣膜14。另外，第3層間絕緣膜14的結(jié)構及形成方法與第1層間絕緣膜8的結(jié)構形成方法相同。
接著，在第3層間絕緣膜14上涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并曝光、顯影該光致抗蝕劑膜。由此，在第3層間絕緣膜14上形成了抗蝕圖案。接著，將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻第3層間絕緣膜14。由此，在第3層間絕緣膜14上形成了位于Al合金焊盤11上的開口部分14a。此外，位于Al合金焊盤11的角部的開口圖案12維持被第3層間絕緣膜14覆蓋的狀態(tài)。
接著，在第3層間絕緣膜14上和開口部分14a內(nèi)通過濺射法形成了Al合金膜。接著，在Al合金膜上涂敷光致抗蝕劑膜(未圖示)，并曝光、顯影該光致抗蝕劑膜。由此，在Al合金膜上形成了抗蝕圖案。接著，將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻Al合金膜。由此，在第3層間絕緣膜14上形成了第2Al合金焊盤15。通過下部被埋入在開口部分14a內(nèi)，第2Al合金焊盤15與Al合金焊盤11連接。
接著，在第3層間絕緣膜14上和第2Al合金焊盤15上形成鈍化膜13，在第2Al合金焊盤15上形成開口部分13a。這些的形成方法與第1
接著，在位于開口部分13a內(nèi)的第2Al合金焊盤15上接合引線(未圖示)。此時，會對Al合金焊盤11施加力，使得形成Al合金焊盤11的Al合金向4個角部流動。但是，由于在角部的開口圖案12的內(nèi)部埋入有鈍化膜13，所以，流動的Al合金的一部分被開口圖案12堵住。從而，與以往相比，能夠抑制Al合金集中在Al合金焊盤11的角部。
因此，根據(jù)本實施方式，在Al合金焊盤11的角部所產(chǎn)生的應力與以往相比會變小。由此，能夠得到與第1實施方式相同的效果。而且，由于能夠抑制第2層間絕緣膜10被置于大氣中，所以，能夠抑制半導體裝置耐濕性的下降。
圖12是用于說明第10實施方式的半導體裝置的結(jié)構的剖視圖。本實施方式的半導體裝置，除了在Al合金焊盤11上沒有形成開口圖案12、以及在第2Al合金焊盤15上沒有形成開口圖案16之外，具有與通過第9實施方式形成的半導體裝置相同的結(jié)構。而且，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第9實施方式相同。開口圖案16通過用于形成第2Al合金焊盤15的圖案形成(patterning)而形成。下面，對于和第9實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
開口圖案16的平面形狀大致為L字形狀，其與第9實施方式中的開口圖案12的平面形狀大致相同。但是，開口圖案16位于鈍化膜13的開口部分13a內(nèi)，并且，位于第3層間絕緣膜14的開口部分14a的內(nèi)側(cè)。
根據(jù)本實施方式，即使形成第2Al合金焊盤15的Al合金流動，其流動性也會被開口圖案16吸收。從而，根據(jù)本實施方式也能夠得到與第1
圖13是用于說明第11實施方式的半導體裝置的結(jié)構的剖視圖。本實施方式的半導體裝置，除了在Al合金焊盤11上形成有開口圖案12以外，具有與通過第10實施方式形成的半導體裝置相同的結(jié)構。而且，本圖所示的半導體裝置的制造方法與第10實施方式相同。下面，對于和第9實施方式相同的結(jié)構賦予相同的符號，并省略其說明。
根據(jù)本實施方式，能夠得到在第9實施方式中所示的作用及在第10實施方式中所示的作用的雙方。從而，能夠得到與第1實施方式相同的效果。
此外，本發(fā)明并不局限于上述的實施方式，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)可以實施各種變更。例如，在上述的各個實施方式中，也可以將圓形或多角形狀的多個開口部分配置成狹縫狀來形成開口圖案。而且，還可以將圓形或多角形狀的開口部分在Al合金焊盤11的整個面上或周邊部上設置成矩陣狀。
另外，在第9～第11的各個實施方式中，也可以在第3層間絕緣膜14上不設置開口部分14a，在第3層間絕緣膜14上形成位于Al合金焊盤11上的多個連接孔。在這種情況下，也可以在多個連接孔的各個孔中埋入鎢插柱。
而且，在上述的各個實施方式中，當在Al合金焊盤上不接合引線，而是在Al合金焊盤上形成凸塊的情況下，由于將凸塊按壓在其他基板上時的推壓力，會使得形成Al合金焊盤的Al合金向周邊部流動。但是，即使在這種情況下，通過與上述的實施方式相同的作用，在Al合金焊盤的角部或周邊部所產(chǎn)生的應力與以往相比會變小。因此，能夠得到與上述的實施方式相同的效果。
權利要求
1.一種半導體裝置，具有位于半導體元件上或上方的絕緣膜；和形成在所述絕緣膜上的導電體焊盤；和形成在所述導電體焊盤上的第1開口圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電體焊盤的平面形狀為近似多角形，所述第1開口圖案形成在所述導電體焊盤的各個角部的附近。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第1開口圖案具有近似L字狀的狹縫，所述近似L字狀的狹縫沿著形成所述角部的2條邊而設置。
4.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第1開口圖案具有從所述導電體焊盤的中央部向所述角部延伸的第1狹縫。
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述第1開口圖案還具有分別沿著形成所述角部的2條邊而延伸的2條第2狹縫。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電體焊盤的平面形狀為近似圓形或近似橢圓形，所述第1開口圖案具有沿著所述導電體焊盤的邊緣而配置的多條狹縫。
7.根據(jù)權利要求2～6中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，還具有形成在所述導電體焊盤的大致中央部的第2開口圖案。
8.根據(jù)權利要求2～7中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，具有分別形成在所述絕緣膜上及所述導電體焊盤的周邊部上的保護膜，所述保護膜的一部分被埋入在所述第1開口圖案中。
9.根據(jù)權利要求1～8中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電體焊盤由Al合金構成。
10.一種半導體裝置，具有位于半導體元件上或上方的第1絕緣膜；和形成在所述第1絕緣膜上的第1導電體焊盤；和形成在所述第1導電體焊盤的周邊部上的第1開口圖案；和形成在所述第1絕緣膜及所述第1導電體焊盤的周邊部上，并在所述第1導電體焊盤上具有開口部分的第2絕緣膜；和形成在所述第2絕緣膜上，并通過其一部分被埋入在所述開口部分而與所述第1導電體焊盤連接的第2導電體焊盤。
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，還具有形成在所述第2導電體焊盤上的第2開口圖案。
12.一種半導體裝置，具有位于半導體元件上或上方的第1絕緣膜；和形成在所述第1絕緣膜上的第1導電體焊盤；和形成在所述第1絕緣膜上，并在所述第1導電體焊盤上具有開口部分的第2絕緣膜；和形成在所述第2絕緣膜上，并通過其一部分被埋入在所述開口部分而與所述第1導電體焊盤連接的第2導電體焊盤；和形成在所述第2導電體焊盤上，并位于所述開口部分內(nèi)的開口圖案。
13.一種半導體裝置的制造方法，具有在半導體元件上或上方形成絕緣膜的工序；和在所述絕緣膜上形成導電體膜的工序；和通過圖案形成所述導電體膜，而分別形成位于所述半導體元件的上方的導電體焊盤、以及位于該導電體焊盤內(nèi)的開口圖案的工序。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有在形成所述導電體焊盤及所述開口圖案的工序之后，在所述導電體焊盤上接合引線的工序。
全文摘要
一種半導體裝置，具有位于半導體元件上方的絕緣膜(10)、形成在絕緣膜(10)上的導電體焊盤(11)、和形成在導電體焊盤(11)上的第1開口圖案(12)。這樣，即使形成導電體焊盤(11)的導電體流動，導電體的流動性也會被第1開口圖案(12)吸收。在導電體焊盤(11)為近似多角形的情況下，第1開口圖案(12)優(yōu)選形成在導電體焊盤(11)的各個角部的附近。在這種情況下，第1開口圖案(12)也可以具有沿著形成角部的2個邊而被配置的近似L字狀的狹縫。從而，能夠提供即使導電體從導電體焊盤的中央部向周邊部流動，也能夠抑制應力的產(chǎn)生的半導體裝置。
文檔編號H01L21/28GK1873963SQ20061007717
公開日2006年12月6日 申請日期2006年4月27日 優(yōu)先權日2005年6月2日
發(fā)明者進藤昭則 申請人:精工愛普生株式會社