專利名稱：掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種具有電流自動限制功能的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷(AlInGaAs)材料分布反饋激光器的新型結(jié)構(gòu)以及制作方法。本在制作了吸收型增益耦合光柵的襯底上自動生長出寬度為1～3微米的鋁銦鎵砷應(yīng)變補償多量子阱窄條臺形有源區(qū)，并用磷化銦(InP)將該臺面保護起來，無需經(jīng)過刻蝕等傳統(tǒng)工藝，可以有效的解決這種具有較好溫度性能和調(diào)制特性的鋁銦鎵砷材料存在的鋁(Al)氧化難題。本發(fā)明的另一關(guān)鍵點在于采用了一種特別的方法外延生長磷化銦和銦鎵砷(InGaAs)接觸層，可以形成一種特殊的掩埋結(jié)構(gòu)，不僅可以得到良好光斑模式，而且還具有電流自動限制功能。本發(fā)明對制作低閾值電流、高效率和低成本的無致冷高速直調(diào)激光器有特別重要的意義，并且對鋁銦鎵砷(AlInGaAs)材料的光子集成有參考價值。
背景技術(shù)：
在設(shè)計和制作半導體激光器的側(cè)向?qū)бY(jié)構(gòu)時有兩個基本問題需要考慮一是要有效的限制電流的側(cè)向擴展和載流子的側(cè)向擴散以達到降低閾值電流和提高電流注入效率，第二是要具有良好的光斑模式以達到提高器件和光纖的耦合效率。半導體激光器的側(cè)向?qū)бY(jié)構(gòu)主要歸結(jié)為折射率導引機制和增益導引機制。目前，半導體激光器普遍采用的側(cè)向?qū)бY(jié)構(gòu)主要有三種類型(1)脊波導結(jié)構(gòu)(Ridge Waveguide，RW)激光器(參考①Photonics Tech.Lett.，2001，Vol.13，773-775)和②Photonics Tech.Lett.，2004，Vol.22，159-165)，這種波導結(jié)構(gòu)制作較為簡單，但是這種結(jié)構(gòu)對電流在側(cè)向方向的限制作用不強，不利于減小閾值電流，同時這種波導結(jié)構(gòu)的光斑模式的質(zhì)量不好，不利于提高輸出功率以及耦合效率。(2)掩埋脊型條結(jié)構(gòu)(BuriedRidge Stripe，BRS)激光器(參考①Electronics Lett.，1994，Vol.30，1146-1147和②PhotonicsTech.Lett.，2005，Vol.17，1369-1371)，這種結(jié)構(gòu)的制作比脊波導結(jié)構(gòu)復(fù)雜，優(yōu)點在于提高了光斑模式的對稱性并且可以抑制高階模式的出現(xiàn)，同時離子注入形成的電流阻擋區(qū)域可以起到限制電流的作用。(3)掩埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Buried Heterostructure，BH)激光器(參考①PhotonicsTech.Lett.，1999，Vol.11，949-951)和②Photonics Tech.Lett.，2005，Vol.17，276-278，這種波導結(jié)構(gòu)對電流有很強的限制作用，同時具有較好的光斑模式，但是這種結(jié)構(gòu)的制作工藝比較復(fù)雜。人們一直希望設(shè)計一種側(cè)向?qū)бY(jié)構(gòu)，不僅其制作工藝要求簡單，而且要求對電流有較強的限制作用，同時要求波導結(jié)構(gòu)的光斑模式有很好的對稱性和穩(wěn)定性。
調(diào)制特性和溫度性能是半導體激光器的兩個重要的指標。采用導帶阱深較大的鋁銦鎵砷(AlInGaAs)材料作為多量子阱有源區(qū)明顯提高器件的無致冷高速直調(diào)性能(參考J.Quantum Electron.，Vol.30，511-523)。但是由于含鋁材料在刻蝕以及二次外延生長時容易發(fā)生氧化，所以采用鋁銦鎵砷材料作為有源區(qū)時，大多采用脊波導結(jié)構(gòu)，以免引起含鋁(Al)有源區(qū)的氧化。如果要制作掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷(AlInGaAs)多量子阱有源區(qū)激光器，則需要采取工藝復(fù)雜的原位刻蝕技術(shù)(參考①Journal of Crystal Growth，2003，Vol.248，426-430)或者原位清潔(參考Electronics Lett.，2004，Vol.40，669-671)技術(shù)來克服含鋁材料的氧化問題。因此，需要找到一種既能形成掩埋結(jié)構(gòu)，同時又能防止含鋁材料的氧化，而且工藝簡單的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，這種結(jié)構(gòu)的不僅解決了鋁銦鎵砷材料的氧化問題，而且具有電流自動限制功能，同時工藝簡單。
本發(fā)明一種掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在襯底上大面積制作吸收型增益耦合光柵；(2)利用等離子體化學氣相沉積技術(shù)，在外延片上生長介質(zhì)膜，采用光刻腐蝕技術(shù)，制作介質(zhì)掩模圖形；(3)利用窄條選擇外延生長技術(shù)，依次生長下限制層、有源區(qū)、上限制層和保護層，形成梯形的結(jié)構(gòu)；(4)在外延片上接著生長接觸層；(5)在外延片上大面積生長一層絕緣層，并在梯形有源區(qū)的上方開出電極窗口；(6)在外延片上制作p面電極；(7)對外延片的襯底背面減薄，制作n面電極；(8)解理外延片制作管芯。
其中吸收型增益耦合光柵是在刻制了周期光柵的襯底上生長n型銦鎵砷磷吸收層和n型磷化銦緩沖層形成的。
其中介質(zhì)掩模圖形的生長窗口的寬度約2微米，掩模的寬度在15微米附近，掩模的材料為二氧化硅或者氮化硅等氧化物。
其中下限制層為n型鋁銦鎵砷材料，其帶隙大小一直從磷化銦的帶隙數(shù)值減小到有源區(qū)的壘的帶隙的數(shù)值。
其中有源區(qū)為本征的鋁銦鎵砷應(yīng)變補償多量子阱，阱數(shù)為6～10。
其中上限制層為p型鋁銦鎵砷材料，其帶隙大小一直從有源區(qū)的壘的帶隙的數(shù)值增大到磷化銦的帶隙數(shù)值。
其中保護層為p型磷化銦，將梯形有源區(qū)覆蓋起來。
其中接觸層由p型磷化銦層和p型銦鎵砷層組成。
其中絕緣層的材料為二氧化硅或者氮化硅等氧化物，此絕緣層將和掩模相連。
其中電極窗口位于梯形有源區(qū)的正上方，是對絕緣層刻蝕形成的。


為了進一步說明本發(fā)明的內(nèi)容，下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細的描述，其中圖1是在襯底上制作吸收型增益耦合光柵的示意圖；圖2是在外延片上制作了介質(zhì)掩模的示意圖；圖3是在外延片上生長了有源區(qū)后的示意圖；圖4是在外延片上生長了接觸層后的示意5是在外延片上沉積了絕緣層后的示意圖；圖6是在外延片上開出電極窗口后的示意圖；圖7是制作了金屬電極后的器件結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
請參閱圖1至圖7，本發(fā)明一種掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在襯底1上大面積制作吸收型增益耦合光柵2(參閱圖1)，該吸收型增益耦合光柵2是在刻制了周期光柵的襯底1上生長n型銦鎵砷磷吸收層和n型磷化銦緩沖層形成的；(2)利用等離子體化學氣相沉積技術(shù)，在外延片上生長介質(zhì)膜，采用光刻腐蝕技術(shù)，制作介質(zhì)掩模圖形3(參閱圖2)，該介質(zhì)掩模圖形3的生長窗口的寬度約2微米，掩模的寬度在15微米附近，掩模的材料為二氧化硅或者氮化硅等氧化物；(3)利用窄條選擇外延生長技術(shù)，依次生長下限制層4、有源區(qū)5、上限制層6和保護層7，形成梯形的結(jié)構(gòu)(參閱圖3)，該下限制層4為n型鋁銦鎵砷材料，其帶隙大小一直從磷化銦的帶隙數(shù)值減小到有源區(qū)的壘的帶隙的數(shù)值；其中有源區(qū)5為本征的鋁銦鎵砷應(yīng)變補償多量子阱，阱數(shù)為6～10；其中上限制層6為p型鋁銦鎵砷材料，其帶隙大小一直從有源區(qū)的壘的帶隙的數(shù)值增大到磷化銦的帶隙數(shù)值；其中保護層7為p型磷化銦，將梯形有源區(qū)覆蓋起來；(4)在外延片上接著生長接觸層8(參閱圖4)，該接觸層8由p型磷化銦層和p型銦鎵砷層組成；(5)在外延片上大面積生長一層絕緣層9(參閱圖5)，并在梯形有源區(qū)5的上方開出電極窗口10(參閱圖6)，該絕緣層9的材料為二氧化硅或者氮化硅等氧化物，此絕緣層9將和掩模3相連，該電極窗口10位于梯形有源區(qū)的正上方，是對絕緣層9刻蝕形成的；(6)在外延片上制作p面電極11(參閱圖7)；(7)對外延片的襯底1背面減薄，制作n面電極；(8)解理外延片制作管芯。
以下請再參閱圖1至圖7，對本發(fā)明一種掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法詳細描述如下(1)如圖1所示，在n型磷化銦(InP)襯底1上制備吸收型增益耦合光柵2。光柵的制作方向在襯底1(100)面上沿[110]晶向。為了有效的起到反饋作用，必須使得光柵的反饋波長在所需要的波長(實例中為1.31微米)附近，這一數(shù)值也和所設(shè)計的量子阱有源區(qū)的材料增益峰值波長接近。根據(jù)多量子阱有源區(qū)的有效折射率和所設(shè)計的有源區(qū)的材料增益峰值波長就可以計算出要制備的光柵的周期。內(nèi)含光柵的分布反饋激光器最大的有點是具有很好的單模性能。銦鎵砷磷(InGaAsP)吸收層是采用金屬有機化學氣相沉積技術(shù)(MOCVD)生長的。銦鎵砷磷(InGaAsP)層的帶隙波長應(yīng)大于量子阱帶隙波長，此實例中帶隙波長為1.4微米，具有一定的吸收作用，將傳統(tǒng)的透明光柵改為了增益耦合型分布反饋光柵。吸收型增益耦合分布反饋激光器和一般的折射率耦合分布反饋激光器相比而言，具有諸多優(yōu)點制作工藝簡單，無需鍍抗反射膜；單膜選擇性不容易受端面反射率的影響，可以提高成品率；外部光反射引起的噪聲低；具有單膜超短光脈沖發(fā)生的能力；高速調(diào)制下的頻率展寬很小。增益耦合型分布反饋激光器在光測量、光存儲、光通信和光信息處理等領(lǐng)域有及其重要的作用。
(2)利用等離子體化學氣相沉積技術(shù)(PECVD)，在經(jīng)過步驟1的外延片上生長一層厚度為100～150納米的二氧化硅(SiO2)介質(zhì)膜。二氧化硅(SiO2)介質(zhì)膜主要作用是在進行窄條選擇外延生長的時候起到掩蔽作用，也可以是氮氧化硅(SiON)或者氮華硅(SiN)。這一層介質(zhì)膜的厚度不能太大，以免影響到有源區(qū)的窄條選擇外延生長質(zhì)量。
(3)如圖2所示，在步驟2中生長的二氧化硅(SiO2)介質(zhì)膜上，采用傳統(tǒng)的光刻腐蝕技術(shù)，制作窄條選擇外延生長所需要的二氧化硅(SiO2)掩模3，1為n型磷化銦(InP)襯底，2為吸收型增益耦合光柵。窄條生長窗口寬度(Wo)約1～3微米，兩邊對稱的二氧化硅(SiO2)掩模條寬度(Wm)為10～20微米。在光刻腐蝕時必須嚴格控制涂膠、烘烤、曝光、顯影過程，得到邊界平滑清晰的光刻膠圖形。由于化合物半導體在襯底和介質(zhì)膜上的成核機理不同，化合物半導體可以只在襯底上生長而不在介質(zhì)膜上生長，所以可以利用以上掩模圖形來實現(xiàn)選擇區(qū)域生長。另外，這組圖形所在的平面為襯底的(100)面，二氧化硅(SiO2)介質(zhì)掩模窄條沿著[110]晶向，精確控制掩模方向有利于在窄條選擇外延生長時獲得平整光滑的窄條有源區(qū)。窄條選擇生長所需要的掩模圖形不同于傳統(tǒng)的選擇生長所需要的掩模圖形。傳統(tǒng)的選擇生長所需要的掩模圖形生長窗口的寬度遠大于5微米，一般在15微米附近，外延生長得到的化合物半導體波導的寬度也在15微米附近，這樣寬度的波導不適合用來直接作為波導來使用，還需要采用光刻等工藝將波導的寬度進一步減小。窄條選擇生長的掩模圖形的生長窗口的寬度一般小于5微米，大多在1～3微米附近，在這樣寬度的區(qū)域上生長得到的化合物半導體波導可以直接用來制作光電器件及其集成器件。
(4)如圖3所示，采用金屬有機化學氣相沉積技術(shù)(MOCVD)，在制作了二氧化硅(SiO2)介質(zhì)膜掩模圖形的外延片上，依次生長n型鋁銦砷(AlInAs)下分別限制層4、應(yīng)變補償?shù)匿X銦鎵砷(AlInGaAs)多量子阱有源區(qū)5、p型鋁銦砷(AlInAs)上分別限制層6和p型磷化銦(InP)保護層7。其中應(yīng)變補償?shù)挠性磪^(qū)阱數(shù)為6～10，鋁銦鎵砷(AlInGaAs)阱帶隙波長為1.31微米，阱厚為5納米，壓應(yīng)變量為1％，鋁銦鎵砷(AlInGaAs)壘帶隙波長為1.0微米，壘厚為10納米，張應(yīng)變量為0.4％。因為鋁銦鎵砷材料的導帶阱深(ΔEc＝0.72ΔEg)比鋁銦鎵砷導帶阱深(ΔEc＝0.4ΔEg)大，所以采用鋁銦鎵砷材料作為多量子阱有源區(qū)材料可以提高器件的調(diào)制帶寬和無致冷性能。因為窄條選擇生長的掩模圖形的生長窗口寬度為1～3微米，所以生長得到的波導的寬度也在1～3微米附近，可以保證器件的光斑模式為基橫模，可以直接作為器件的有源區(qū)使用，無需光刻，這一特點正好避免了鋁銦鎵砷材料在腐蝕過程中容易發(fā)生氧化的問題。p型磷化銦(InP)保護層7的生長是為了有源區(qū)覆蓋起來，有效的防止含鋁有源區(qū)在后續(xù)工藝中的氧化。
(5)如圖4 所示，在經(jīng)過步驟4的外延片上生長p型磷化銦(InP)和p型銦鎵砷(InGaAs)接觸層8。p型磷化銦(InP)主要作用是提高有源區(qū)的光限制因子，改善激光器的光斑模式，有利于提高耦合效率。p型銦鎵砷(IGaAs)的主要作用是減小接觸電阻，使載流子有效的注入有源區(qū)中。
(6)如圖5所示，采用傳統(tǒng)化學氣相沉積技術(shù)(CVD)，在外延片上生長二氧化硅(SiO2)絕緣層9。這一層二氧化硅主要起到電隔離作用，不同于步驟3中二氧化硅所起到的作用，厚度比步驟3中的二氧化硅(SiO2)厚度大。同時這一層二氧化硅可以減小寄生電容，起到提高調(diào)制帶寬的作用。
(7)如圖6所示，采用自對準方法在二氧化硅(SiO2)絕緣層上開出電極窗口10。此窗口是電流的注入通道。從圖6中可以看出，這種結(jié)構(gòu)的激光器具有電流自動限制功能。這種電流限制作用不是依靠常用的掩埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)或者離子注入形成的較大電阻對電流的限制作用實現(xiàn)的，而是利用這種特殊的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的。因為在有源區(qū)的底部位置兩邊都有二氧化硅(SiO2)絕緣層，所以從電流通道注入的電流必須經(jīng)過有源區(qū)，從而實現(xiàn)了電流的自動限制。
(8)如圖7所示，在外延片上濺射鈦/鉑/金(Ti/Pt/Au)，制作p面電極11。根據(jù)需要也可以制作成傳統(tǒng)的高頻電極。對外延片背面減薄，蒸發(fā)金/鍺/鎳(Au/Ge/Ni)n面電極。
解理外延片制作管芯。
本發(fā)明的關(guān)鍵點在于采用窄條寬選擇外延生長技術(shù)自動生成寬度為1～3微米的鋁銦鎵砷(AlInGaAs)多量子阱窄條臺形有源區(qū)部分，并且在沒有去掉窄條生長的掩模的情況下，直接變溫生長p型磷化銦(InP)和P型銦鎵砷(InGaAs)接觸層，形成具有電流自動限制功能的激光器掩埋結(jié)構(gòu)。這一關(guān)鍵措施不僅極大的降低了器件制作工藝的復(fù)雜性和成本，而且可以改善器件的性能和成品率。下面將詳細說明發(fā)明內(nèi)容及其特點。
分布反饋光柵采用在襯底上直接制作的吸收型增益耦合光柵。這種光柵的采用有諸多優(yōu)點不需要鍍反射膜，單模選擇性不受端面反射率的影響，外部反射光引起的噪聲低；高速動態(tài)調(diào)制時頻率展寬很小，簡化了制作工藝，提高了成品率。
采用金屬有機化學氣相沉積技術(shù)(MOCVD)，在制作了窄條選擇生長所需的介質(zhì)掩模圖形的外延片上，在較高的溫度條件依次生長n型磷化銦(InP)緩沖層、本征鋁銦砷(AlInAs)下分別限制層、應(yīng)變補償?shù)匿X銦鎵砷(AlInGaAs)多量子阱有源區(qū)、本征鋁銦砷(AlInAs)上分別限制層和本征磷化銦(InP)保護層。用這種方法自動形成窄條臺形有源區(qū)部分，而無需刻蝕工藝，進一步簡化了制作工藝。同時由于這樣形成的波導的界面平整光滑，可以減小波導中的傳輸損耗。應(yīng)變補償?shù)匿X銦鎵砷(AlInGaAs)多量子阱有源區(qū)的采用主要是為了提高器件的調(diào)制特性和溫度特性。
本發(fā)明中的器件的p型磷化銦(InP)和p型銦鎵砷(InGaAs)接觸層的制作不同于傳統(tǒng)工藝。在采用窄條選擇生長技術(shù)自動形成了鋁銦鎵砷(AlInGaAs)窄條臺形有源區(qū)部分后，不需要將外延片從反應(yīng)室取出，而是在適當改變生長條件后直接生長p型磷化銦(InP)和p型銦鎵砷(InGaAs)接觸層。因為半導體材料不能在介質(zhì)掩模表面生長，并且由于(100)面和(111)B面都是磷化銦(InP)的生長晶面，所以p型磷化銦(InP)和p型銦鎵砷(InGaAs)接觸層可以依附于有源區(qū)部分進行生長。由于有源區(qū)兩邊介質(zhì)掩模的存在，可以自動將注入電流限制在有源區(qū)部分，而且還可以保證光限制作用。另一方面，降低了器件制作工藝的復(fù)雜性和成本，提高了成品成品率。
通過以上兩次金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)外延，就制作完成了吸收型增益光柵、窄條梯形有源區(qū)部分、磷化銦(InP)和銦鎵砷(InGaAs)接觸層后。接著，在外延片上接著沉積一層二氧化硅絕(SiO2)緣層，這一層二氧化硅主要起到電隔離作用。并采用自對準方法在二氧化硅(SiO2)絕緣層上開出電極窗口。最后在外延片上分別制作p面電極和n面電極，管芯的制作就完成了。
權(quán)利要求
1.一種掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在襯底上大面積制作吸收型增益耦合光柵；(2)利用等離子體化學氣相沉積技術(shù)，在外延片上生長介質(zhì)膜，采用光刻腐蝕技術(shù)，制作介質(zhì)掩模圖形；(3)利用窄條選擇外延生長技術(shù)，依次生長下限制層、有源區(qū)、上限制層和保護層，形成梯形的結(jié)構(gòu)；(4)在外延片上接著生長接觸層；(5)在外延片上大面積生長一層絕緣層，并在梯形有源區(qū)的上方開出電極窗口；(6)在外延片上制作p面電極；(7)對外延片的襯底背面減薄，制作n面電極；(8)解理外延片制作管芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中吸收型增益耦合光柵是在刻制了周期光柵的襯底上生長n型銦鎵砷磷吸收層和n型磷化銦緩沖層形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中介質(zhì)掩模圖形的生長窗口的寬度約2微米，掩模的寬度在15微米附近，掩模的材料為二氧化硅或者氮化硅等氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中下限制層為n型鋁銦鎵砷材料，其帶隙大小一直從磷化銦的帶隙數(shù)值減小到有源區(qū)的壘的帶隙的數(shù)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中有源區(qū)為本征的鋁銦鎵砷應(yīng)變補償多量子阱，阱數(shù)為6～10。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中上限制層為p型鋁銦鎵砷材料，其帶隙大小一直從有源區(qū)的壘的帶隙的數(shù)值增大到磷化銦的帶隙數(shù)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中保護層為p型磷化銦，將梯形有源區(qū)覆蓋起來。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中接觸層由p型磷化銦層和p型銦鎵砷層組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中絕緣層的材料為二氧化硅或者氮化硅等氧化物，此絕緣層將和掩模相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，其中電極窗口位于梯形有源區(qū)的正上方，是對絕緣層刻蝕形成的。
全文摘要
一種掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟(1)在襯底上大面積制作吸收型增益耦合光柵；(2)利用等離子體化學氣相沉積技術(shù)，在外延片上生長介質(zhì)膜，采用光刻腐蝕技術(shù)，制作介質(zhì)掩模圖形；(3)利用窄條選擇外延生長技術(shù)，依次生長下限制層、有源區(qū)、上限制層和保護層，形成梯形的結(jié)構(gòu)；(4)在外延片上接著生長接觸層；(5)在外延片上大面積生長一層絕緣層，并在梯形有源區(qū)的上方開出電極窗口；(6)在外延片上制作p面電極；(7)對外延片的襯底背面減薄，制作n面電極；(8)解理外延片制作管芯。
文檔編號H01S5/00GK101071935SQ20061007821
公開日2007年11月14日 申請日期2006年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月12日
發(fā)明者馮文, 潘教青, 周帆, 王寶軍, 趙玲娟, 朱洪亮, 王圩 申請人:中國科學院半導體研究所