專利名稱：基板和基板的拋光方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種具有極精確平坦度和表面粗糙度的基板，更具體涉及一種適用于諸如掩模版基板的電子設備的基板。本發(fā)明還涉及這種基板的拋光方法。
背景技術(shù)：
在半導體領域，對更高密度集成電路的需求正逐步增加以提高處理信息的效率。為了獲得這種更高密度集成電路，曾提議在芯片的生產(chǎn)過程中應用極紫外射線(EUV)的波長曝光的技術(shù)。這種技術(shù)所使用的曝光設備的掩模基板是通過對極低膨脹材料進行拋光得到的，這種掩模基板要求具有高精確平坦度和表面粗糙度。作為用于EUV微光刻的掩?；搴顽R面基板的材料，極低膨脹材料是合適的，例如Ohara Inc.的CLEARCERAM(商標)、Schott AG的Zerodur(商標)、Schott GmbH的Zerodur-M(商標)和Corning Incorporated的ULE(商標)，因為這些材料具有非常小的熱膨脹系數(shù)和高同質(zhì)性。
公開號為2004-228563的日本公開特許公報公開了由這些材料生產(chǎn)適用于EUV微光刻的基板的方法。此公開報道，即使基板被拋光到RMS(粗糙度的均方根)為0.1nm-0.3nm的表面粗糙度，應用離子束加工以獲得所期望的平坦度也導致表面粗糙度增加到應用離子束加工前的兩倍到五倍。在此公開中，在基板的底層上形成覆蓋層以防止表面粗糙度的這種增加，不過這種方法沒有實現(xiàn)底層本身所需要的平坦度和表面粗糙度。
公開號為2004-29735的日本公開特許化報公開了電子設備的基板及拋光該基板的方法。然而由這種拋光方法獲得的基板未表現(xiàn)出比230nm的平坦度和0.18nm的Ra表面粗糙度更好的表面性能值。由于表示表面粗糙度的參數(shù)Ra(算術(shù)平均粗糙度)比RMS(粗糙度的均方根)值低，所以0.18nm的Ra表面粗糙度在以RMS表示時超過0.20nm。另外，在本公開中所考慮的基板材料只是玻璃，并沒有考慮通過拋光除玻璃之外的包括諸如上面提到的Ohara Inc.的CLEARCERAM的玻璃陶瓷材料所獲得的期望的表面性能值。
因此，在EUV微光刻所需要的高精確區(qū)，平坦度和表面粗糙度是相互矛盾的表面性能，當試圖獲得這些表面性能之一時，另外一個表面性能則難以達到期望值。因此，在過去，如果不在基板的底層提供特殊的覆蓋層，則不曾有基板能同時滿足平坦度小于230nmPV(峰-谷)和RMS表面粗糙度小于0.20nm。
因此，本發(fā)明的一個目的是在不提供覆蓋層但使基板本身具有這種表面性能的條件下提供在高精確區(qū)具有優(yōu)異平坦度和表面粗糙度的基板，特別是用于液晶顯示屏和包括半導體晶片或信息記錄介質(zhì)的電子設備中的基板，更特別是用于EUV微光刻的基板。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種拋光這種基板的方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了達到上述發(fā)明目的，本發(fā)明的發(fā)明人所作的研究和試驗得出了導致本發(fā)明的如下發(fā)現(xiàn)，通過采用特殊的拋光方法，可以獲得在高精確區(qū)具有優(yōu)異平坦度和表面粗糙度的基板。
為了達到本發(fā)明的目的，在本發(fā)明的第一方面，提供具有平坦度小于230nmPV和RMS表面粗糙度小于0.20nm的基板。
在本發(fā)明的第二方面，提供通過一種方法得到的如在第一方面所述的基板，此方法包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
在本發(fā)明的第三方面，提供通過一種方法得到的如在第一方面所述的基板，此方法包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層由樹脂膜制成且壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
在本發(fā)明的第四方面，提供通過一種方法得到的如在第二或第三方面所述的基板，其中過程(a)包括(a-1)通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程，此過程中使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低并提供拋光介質(zhì)。
在本發(fā)明的第五方面，提供通過一種方法得到的如在第四方面所述的基板，其中過程(a)包括(a-2)在通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程(a-1)之后進行的過程，此過程中只提供不包含拋光介質(zhì)的液體。
在本發(fā)明的第六方面，提供通過一種方法得到的如在第五方面所述的基板，其中在過程(a-2)中施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低。
在本發(fā)明的第七方面，提供通過一種方法得到的如在第二到第六任一方面所述的基板，此方法包括(b)在過程(a)之前進行的將待拋光物體拋光到平坦度至少為230nmPV和RMS表面粗糙度至少為0.4nm的過程。
在本發(fā)明的第八方面，提供如在第二到第七任一方面所述的基板，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)是氧化鈰拋光介質(zhì)。
在本發(fā)明的第九方面，提供如在第二到第八任一方面所述的基板，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的平均顆粒直徑為1.0μm或更低。
在本發(fā)明的第十方面，提供如在第二到第九任一方面所述的基板，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的濃度為1.0wt％或更低。
在本發(fā)明的第十一方面，提供如在第一到第十任一方面所述的基板，其中在0℃至50℃溫度范圍內(nèi)，平均線性熱膨脹系數(shù)在0.0±0.3×10-7/℃范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的第十二方面，提供如在第一到第十一任一方面所述的基板，其中在19℃至25℃溫度范圍內(nèi)，平均線性熱膨脹系數(shù)在0.0±0.3×10-7/℃范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的第十三方面，提供如在第一到第十二任一方面所述的基板，該基板包含SiO2和TiO2。
在本發(fā)明的第十四方面，提供一種用于光掩膜的基板，該基板采用如在第一到第十三任一方面所述的基板。
在本發(fā)明的第十五方面，提供使用如在第十四方面所述的基板的光掩膜。
在本發(fā)明的第十六方面，提供一種拋光基板的方法，包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
在本發(fā)明的第十七方面，提供如在第十六方面所述的方法，包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層由樹脂膜制成且壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
在本發(fā)明的第十八方面，提供如在第十六或十七方面所述的方法，其中過程(a)包括(a-1)通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程，此過程中使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低并提供拋光介質(zhì)。
在本發(fā)明的第十九方面，提供如在第十八方面所述的方法，其中過程(a)包括(a-2)在通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程(a-1)之后進行的過程，此過程中只提供不包含拋光介質(zhì)的液體。
在本發(fā)明的第二十方面，提供如在第十九方面所述的方法，其中在過程(a-2)中施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低。
在本發(fā)明的第二十一方面，提供如在第十六到第二十任一方面所述的方法，其中，在拋光后，待拋光物體的平坦度小于230nmPV和待拋光物體的RMS表面粗糙度小于0.20nm。
在本發(fā)明的第二十二方面，提供如在第十六到第二十一任一方面所述的方法，該方法包括(b)在過程(a)之前進行的將待拋光物體拋光到平坦度至少為230nmPV和RMS表面粗糙度至少為0.4nm的過程。
在本發(fā)明的第二十三方面，提供如在第十六到第二十二任一方面所述的方法，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)是氧化鈰拋光介質(zhì)。
在本發(fā)明的第二十四方面，提供如在第十六到第二十三任一方面所述的方法，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的平均顆粒直徑為1.0μm或更低。
在本發(fā)明的第二十五方面，提供如在第十六到第二十四任一方面所述的方法，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的濃度為1.0wt％或更低。
在本發(fā)明的第二十六方面，提供如在第十六到第二十五任一方面所述的方法，其中基板用于光掩膜的基板。
根據(jù)本發(fā)明，提供在高精確區(qū)具有優(yōu)異平坦度和表面粗糙度的基板，即100nmPV或更低的平坦度和0.17nm或更低的RMS表面粗糙度，和不提供特殊的覆蓋層但通過使基板本身具有這種表面性能的基板拋光方法。當然通過調(diào)節(jié)拋光時間和其他條件，可以獲得比上述值更高的平坦度及表面粗糙度值。本發(fā)明的基板特別適用于液晶顯示屏和包括半導體晶片或信息記錄介質(zhì)的電子設備用的基板，更特別用作光掩膜基板，并尤其用作EUV微光刻的光掩膜的基板。
根據(jù)本發(fā)明，并不需要除拋光過程以外的特殊過程如提供一個特殊的覆蓋層來實現(xiàn)高精確區(qū)具的平坦度和表面粗糙度，因此本發(fā)明基板的生產(chǎn)成本較低。
具體實施例方式
本發(fā)明的基板應該優(yōu)選具有小于230nmPV(峰-谷)的平坦度和小于0.20nm的RMS表面粗糙度。通過實現(xiàn)這些表面性能值，本申請可以應用于需要高精確性能的基板。特別地，為了將本發(fā)明應用于使用極紫外射線曝光波長的曝光裝置的掩?；澹鼉?yōu)選平坦度為150nmPV或更低，最優(yōu)選平坦度為100nmPV或更低，更優(yōu)選RMS表面粗糙度為0.18nm或更低，最優(yōu)選RMS表面粗糙度為0.17nm或更低。當表面粗糙度以Ra表示時，優(yōu)選表面粗糙度Ra小于0.18nm，更優(yōu)選表面粗糙度Ra為0.16nm或更低，最優(yōu)選表面粗糙度Ra為0.12nm或更低。
本文所用的RMS與Rq含義相同，即“粗糙度均方根”。為了測量RMS，使用原子范圍的顯微鏡作為測量儀器，在5μm×5μm的范圍內(nèi)進行測量。本文的Ra是指“算術(shù)平均粗糙度”，Ra的測量條件與測量RMS的相同。本文的PV(峰-谷)與平坦度含義相同，并且表示從參考平面峰的最大高度與谷的最大深度之和。為了測量平坦度，使用干涉儀作為測量儀器，并對自基板外圍起5mm以內(nèi)的測量范圍進行測量。
在本發(fā)明的基板用于需要極高精確度的情形中，應該優(yōu)選平均線性熱膨脹系數(shù)盡可能低。特別地，在基板用于EUV微光刻的掩模板的情況下，在0℃至50℃溫度范圍內(nèi)或19℃至25℃溫度范圍內(nèi)，本發(fā)明基板應該具有的平均線性熱膨脹系數(shù)α應該優(yōu)選在0.0±0.3×10-7/℃范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.0±0.2×10-7/℃范圍內(nèi)，最優(yōu)選在0.0±0.1×10-7/℃范圍內(nèi)。
為了實現(xiàn)上述熱膨脹性能，本發(fā)明的基板應該優(yōu)選包含SiO2和TiO2。另外，通過后面所述的拋光方法，包含這兩種組分的待拋光物體更容易達到滿足如本發(fā)明實施例中所示的高精確平坦度和表面粗糙度的表面性能。如何能達到這種表面性能的機理還不清楚，但本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)從他們的經(jīng)驗得出了加入這些組分的效果的概念。就這些組分的量而言，優(yōu)選SiO2應該以50-97％的量(以質(zhì)量％計)加入，TiO2應該以1.5-10％的量(以質(zhì)量％計)加入。
另外，由上述觀點，最優(yōu)選基板應該包含以質(zhì)量％計，47-65％SiO2、1-13％P2O5、17-29％Al2O3、1-8％LiO2、0.5-5％MgO、0.5-5.5％ZnO、1-7％TiO2和1-7％ZrO2。
為了容易達到所期望的表面性能和低熱膨脹性能，基板應該優(yōu)選由玻璃或玻璃陶瓷制成，并最優(yōu)選由玻璃陶瓷制成，因為玻璃陶瓷不容易因拋光而產(chǎn)生劃痕。最優(yōu)選包含β-石英(β-SiO2)和/或β-石英固溶體(β-SiO2固溶體)的玻璃陶瓷，由于它們具有低膨脹性能。
作為待拋光物體，極低膨脹材料，例如CLEARCERAM(Ohara Inc.)、Zerodur(Schott AG)、Zerodur-M(Schott AG)和ULE(Corning Incorporated)都是合適的材料。
本發(fā)明的基板可以是圓形或者多邊形(如正方形或矩形)的。通常，在多個諸如正方形的多邊形基板同時由例如雙面拋光機進行拋光的情況下，每一個基板的形狀有時會偏位或塌角。因此，通常多邊形基板比圓形基板更難以達到高精確的表面性能。按照本發(fā)明的拋光方法，即使基板為多邊形的，也可以達到如實施例中所示的具有高精確平坦度和表面粗糙度的表面性能。
本發(fā)明的拋光方法包含過程(b)、(a)、(a-1)和(a-2)。過程(b)在過程(a)之前進行。過程(a)包括過程(a-1)和過程(a-2)兩個過程。
現(xiàn)在描述本發(fā)明的拋光方法的這些過程及相關過程。
預備過程在本發(fā)明過程之前，可以使用預備過程。例如，待拋光物體可以被切割成所希望的形狀，之后可以通過使用逐步變細的磨粒以初級研磨和次級研磨的順序進行研磨。此后，如果需要，完成諸如磨邊等加工后，以初級拋光和次級拋光的順序進行拋光，使平坦度和表面粗糙度接近期望值。研磨和拋光過程可以從上述過程中略去，反之，也可以加入更多的過程。
過程(b)在這個過程中，將待拋光物體拋光到平坦度至少為230nmPV和表面粗糙度至少為0.4nm。在此過程中，表面粗糙度接近期望值，并且平坦度優(yōu)選應達到最后期望值。特別地，為了獲得EUV微光刻的掩?；?，應該更優(yōu)選平坦度為150nmPV或更低，最優(yōu)選為100nmPV或更低。
通過使用磁流變拋光方法(MRF)的MRF拋光機或單面拋光機可以實現(xiàn)這些表面性能值。
MRF拋光機是通過磁流變精細拋光進行拋光的拋光機。更特別地，待拋光物體被掛接到三軸CNC受控機床的上軸后，旋轉(zhuǎn)輪與待拋光物體由NC控制器進行定位以使它們相互間距為預定距離。將電磁鐵加到旋轉(zhuǎn)輪表面的下方，并在那里產(chǎn)生梯度磁場，其中磁場力在待拋光物體與旋轉(zhuǎn)輪上端之間的狹縫達到最大。當將磁流變拋光劑供入到此梯度磁場中時，拋光劑在梯度磁場作用下被吸到輪表面，并由此對待拋光物體進行拋光(引自Journal of Abrasive GrainProcessing Institute，146卷，第8期，2002年8月)。MRF拋光方法在此雜志中有詳細描述。
單面拋光機是只在常規(guī)類型雙面拋光機的下位板上接合泡沫墊并通過待拋光物體的自重或外界施加到待拋光物體上的負荷進行拋光的拋光機。
使用這種MRF拋光機或單面拋光機不易達到表面粗糙度的最終值，但通過使用這種拋光機達到平坦度的最終值或接近平坦度最終值的值，則隨后的拋光時間就可以顯著縮短。
過程(a)在此過程中，用在拋光墊底層中包括至少一層壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光。
本文的壓縮率是指基于JIS L-1096的壓縮率。更具體地，當在負荷為60gf和測量壓力為300g/cm2的條件下用觸點為0.20cm2的針盤量規(guī)測得的厚度由T1表示，而在負荷為360gf和測量壓力為1800g/cm2的條件下測得的厚度由T2表示時，壓縮率由下式表示壓縮率(％)＝((T1-T2)/T1)×100。
用于此過程中的拋光墊具有至少表面層和底層兩層，該底層包含一層或多層，并且重要的是要有至少一層壓縮率為5％或更低的硬層。通過以這種方式使包含在底層內(nèi)的一層變硬，可以實現(xiàn)表面粗糙度的最終期望值，同時保持在先過程中已經(jīng)獲得的平坦度最終期望值。為了提高包含在底層內(nèi)的硬層保持待拋光物體的所期望平坦度的效果，該壓縮率應該更優(yōu)選為0.8％或更低，最優(yōu)選為0.2％或更低?？梢允褂糜衫缢芰?、熱塑性彈性體、橡膠和金屬制成的膜形式的軟質(zhì)材料作為包含在底層內(nèi)的硬層。這些材料可以包含泡沫但優(yōu)選不應包含泡沫。更具體地，可以使用環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯和不銹鋼，其中優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二酯。從保持平坦度的角度，表面層應優(yōu)選為單層和底層應優(yōu)選為單層，即底層應優(yōu)選只由硬層構(gòu)成。
用于過程(a)的拋光墊的表面層應優(yōu)選具有開孔直徑在70μm-180μm范圍內(nèi)的絨毛結(jié)構(gòu)。表面層的表面硬度以基于JIS K7311的硬度A計應優(yōu)選小于80，因為這樣的硬度可以防止在待拋光物體表面產(chǎn)生劃痕?？蓛?yōu)選使用氨基甲酸酯材料的表面層。
用于過程(a)的拋光墊的總壓縮率應優(yōu)選在4％-10％范圍內(nèi)，更優(yōu)選在5％-9.5％范圍內(nèi)。拋光墊的總厚度應優(yōu)選在0.3mm-0.9mm范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.4mm-0.6mm范圍內(nèi)。
過程(a-1)此過程構(gòu)成過程(a)的一個分過程。在此過程中，通過使用具有過程(a)所用的拋光墊的拋光機，使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低，并提供拋光介質(zhì)而進行拋光。
單面拋光機或雙面拋光機都可以用作拋光機，但可優(yōu)選使用雙面拋光機，因為在雙面拋光機中當一個表面進行拋光時，另一個表面不可能被弄臟，而且加工時間比單面拋光機的短。拋光機的轉(zhuǎn)數(shù)優(yōu)選在30轉(zhuǎn)/分-50轉(zhuǎn)/分范圍內(nèi)，更優(yōu)選在30轉(zhuǎn)/分-40轉(zhuǎn)/分范圍內(nèi)，最優(yōu)選在40轉(zhuǎn)/分-50轉(zhuǎn)/分范圍內(nèi)。
為獲得所期望的平坦度和表面粗糙度，加工時間應優(yōu)選在5分鐘-20分鐘范圍內(nèi)，更優(yōu)選在5分鐘-10分鐘范圍內(nèi)，最優(yōu)選在7分鐘-10分鐘范圍內(nèi)。
為獲得所期望的表面粗糙度同時保持平坦度，拋光墊在待拋光物體上的低表面負荷是一個重要因素。更具體地，待拋光物體上的表面負荷應優(yōu)選為40g/cm2或更低，更優(yōu)選35g/cm2或更低，最優(yōu)選28g/cm2或更低。
對所使用的拋光介質(zhì)沒有特別的限制，可以使用例如包括膠態(tài)二氧化硅和氧化鈰在內(nèi)的常規(guī)拋光介質(zhì)。特別優(yōu)選氧化鈰作為拋光介質(zhì)，因為通過使用這種拋光介質(zhì)可獲得高拋光速度。為獲得所期望的表面粗糙度值，拋光介質(zhì)的濃度應優(yōu)選為1.0wt％或更低，更優(yōu)選0.5wt％或更低，最優(yōu)選0.1wt％或更低。因為相同的理由，拋光介質(zhì)的平均顆粒直徑應優(yōu)選為1.0μm或更低，更優(yōu)選0.5μm或更低，最優(yōu)選0.4μm或更低。
過程(a-2)此過程是在過程(a-1)后進行的過程(a)的另一分過程。在此過程中，通過使用具有過程(a)所用的拋光墊的拋光機，使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低，并提供不含拋光介質(zhì)的液體而進行拋光?？梢栽谶^程(a-1)和過程(a-2)之間插入另一個過程，但是通常過程(a-1)是通過在過程(a-1)中停止供給拋光介質(zhì)而結(jié)束的，并且通過開始供給不含拋光介質(zhì)的液體而繼續(xù)開始過程(a-2)。
通過供給不含拋光介質(zhì)的液體進行拋光時，可以除去進入到待拋光物體表面細小凹槽內(nèi)的拋光介質(zhì)顆粒，并且可以防止在待拋光物體表面產(chǎn)生劃痕。
優(yōu)選pH值為6-8的液體作為不含拋光介質(zhì)的液體，并且自來水可作為適合的液體。也可以使用純水和離子交換水，這些水并且一起使用緩沖溶液。在過程(a-2)中包括在液體供給路徑中存在著極少量的拋光介質(zhì)與液體一起供入的情況。
單面拋光機或雙面拋光機都可以用作拋光機，但可優(yōu)選使用雙面拋光機，因為在雙面拋光機中當一個表面進行拋光時，另一個表面不可能被弄臟，而且加工時間比單面拋光機的短。拋光機的轉(zhuǎn)數(shù)優(yōu)選在30轉(zhuǎn)/分-50轉(zhuǎn)/分范圍內(nèi)，更優(yōu)選在30轉(zhuǎn)/分-40轉(zhuǎn)/分范圍內(nèi)，最優(yōu)選在40轉(zhuǎn)/分-50轉(zhuǎn)/分范圍內(nèi)。
加工時間應優(yōu)選在30分鐘內(nèi)，更優(yōu)選在15分鐘內(nèi)，最優(yōu)選在10分鐘內(nèi)。
為獲得所期望的表面粗糙度同時保持平坦度，拋光墊在待拋光物體上的低表面負荷是一個重要因素。更具體地，待拋光物體上的表面負荷應優(yōu)選為40g/cm2或更低，更優(yōu)選35g/cm2或更低，最優(yōu)選28g/cm2或更低。
實施例預備過程極低膨脹玻璃陶瓷被切割成155mm×155mm×7.5mm的基板，并通過雙面研磨機進行研磨。通過改變諸如磨粒的研磨條件將研磨過程分為初級研磨和次級研磨兩步。
在初級研磨中，使用具有#1500自由磨粒和轉(zhuǎn)數(shù)為20轉(zhuǎn)/分的雙面研磨機。初級研磨后基板的PV都是3μm。
通過使用不同于用于初級研磨的具有#1500自由磨粒和轉(zhuǎn)數(shù)為20轉(zhuǎn)/分的初級研磨機的研磨機進行次級研磨。次級研磨后基板的PV是1-2μm。
然后將端面削角，并使用雙面拋光機進行拋光。在拋光時，拋光過程也分為初級拋光和次級拋光兩步。
過程(b)使用由QED制成的MRF拋光機以除去拋光介質(zhì)沒有去除的微小變形和劃痕，并獲得150nmPV或更低的平坦度和0.4nm RMS的表面粗糙度。
過程(a)過程(a-1)通過使用使施加到待拋光物體上的表面負荷保持在40g/cm2或更低并提供拋光介質(zhì)的雙面拋光機進行拋光。使用具有底層和表面層的拋光墊作為拋光墊，其中底層由PET膜制成的壓縮率為0.1％的單層構(gòu)成，而表面層由絨毛結(jié)構(gòu)的單層構(gòu)成。使用氧化鈰作為拋光介質(zhì)。
過程(a-2)在過程(a-1)之后，停止供給拋光介質(zhì)，并開始僅使用自來水拋光，表面負荷保持在40g/cm2。使用過程(a-1)中所用的拋光墊作為拋光墊。
表1和2顯示了本發(fā)明實施例中關于每個過程的條件和完成這些過程后測量的表面性能值。
表1



表2


工業(yè)應用根據(jù)本發(fā)明，提供在高精確區(qū)具有優(yōu)異的平坦度和表面粗糙度的基板，特別是用于液晶顯示屏和包括半導體晶片或信息記錄介質(zhì)的電子設備用的基板，更特別是用作掩模和鏡面及用于EUV微光刻的這種掩膜和鏡面的基板，以及拋光這種基板的方法。
權(quán)利要求
1.一種基板，該基板具有小于230nmPV的平坦度和小于0.20nm的RMS表面粗糙度。
2.如權(quán)利要求1所述的用一種方法獲得的基板，此方法包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
3.如權(quán)利要求1所述的用一種方法獲得的基板，此方法包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層由樹脂膜制成且壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
4.如權(quán)利要求2所述的用一種方法獲得的基板，其中過程(a)包括(a-1)通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程，此過程中使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低并提供拋光介質(zhì)。
5.如權(quán)利要求3所述的用一種方法獲得的基板，其中過程(a)包括(a-1)通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程，此過程中使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低并提供拋光介質(zhì)。
6.如權(quán)利要求4所述的用一種方法獲得的基板，其中過程(a)包括(a-2)在通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程(a-1)之后進行的過程，此過程中只提供不包含拋光介質(zhì)的液體。
7.如權(quán)利要求5所述的用一種方法獲得的基板，其中過程(a)包括(a-2)在通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程(a-1)之后進行的過程，此過程中只提供不包含拋光介質(zhì)的液體。
8.如權(quán)利要求6所述的用一種方法獲得的基板，其中在過程(a-2)中施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低。
9.如權(quán)利要求7所述的用一種方法獲得的基板，其中在過程(a-2)中施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低。
10.如權(quán)利要求2-9任一項所述的用一種方法獲得的基板，此方法包括(b)在過程(a)之前進行的將待拋光物體拋光到平坦度至少為230nmPV和RMS表面粗糙度至少為0.4nm的過程。
11.如權(quán)利要求2-9任一項所述的基板，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)是氧化鈰拋光介質(zhì)。
12.如權(quán)利要求2-9任一項所述的基板，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的平均顆粒直徑為1.0μm或更低。
13.如權(quán)利要求2-9任一項所述的基板，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的濃度為1.0wt％或更低。
14.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，其中在0℃至50℃溫度范圍內(nèi)，平均線性熱膨脹系數(shù)在0.0±03×10-7/℃范圍內(nèi)。
15.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，其中在19℃至25℃溫度范圍內(nèi)，平均線性熱膨脹系數(shù)在0.0±03×10-7/℃范圍內(nèi)。
16.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，該基板包含SiO2和TiO2。
17.一種用于光掩膜的基板，其采用如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板。
18.采用如權(quán)利要求17所述的基板的光掩膜。
19.一種用于拋光基板的方法，包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層壓縮率為或5％更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，包括(a)用在拋光墊底層中包含至少一層由樹脂膜制成且壓縮率為或5％更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中過程(a)包括(a-1)通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程，此過程中使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低并提供拋光介質(zhì)。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其中過程(a)包括(a-1)通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程，此過程中使施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低并提供拋光介質(zhì)。
23.如權(quán)利要求21或22所述的方法，其中過程(a)包括(a-2)在通過拋光機對待拋光物體進行拋光的過程(a-1)之后進行的過程，此過程中只提供不包含拋光介質(zhì)的液體。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中在(a-2)過程中施加到待拋光物體上的表面負荷保持為40g/cm2或更低。
25.如權(quán)利要求19-22任一項所述的方法，其中拋光后，待拋光物體的平坦度小于230nmPV和待拋光物體的RMS表面粗糙度小于0.20nm。
26.如權(quán)利要求19-22任一項所述的方法，該方法包括(b)在過程(a)之前進行的將待拋光物體拋光到平坦度至少為230nmPV和RMS表面粗糙度至少為0.4nm的過程。
27.如權(quán)利要求19-22任一項所述的方法，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)是氧化鈰拋光介質(zhì)。
28.如權(quán)利要求19-22任一項所述的方法，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的平均顆粒直徑為1.0μm或更低。
29.如權(quán)利要求19-22任一項所述的方法，其中過程(a)中所用的拋光介質(zhì)的濃度為1.0wt％或更低。
30.如權(quán)利要求19-22任一項所述的方法，其中基板是用于光掩膜的基板。
全文摘要
一種平坦度小于230nmPV和RMS表面粗糙度小于0.20nm的基板，該基板通過一種方法得到，此方法包括用在拋光墊底層中包含至少一層壓縮率為5％或更低的拋光墊對待拋光物體進行拋光的過程。
文檔編號H01L21/00GK1845007SQ20061007938
公開日2006年10月11日 申請日期2006年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月8日
發(fā)明者中村和由, 中島俊英, 中島耕介, 大波貴央 申請人:株式會社小原