專利名稱：半導(dǎo)體設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體設(shè)備，更具體地，涉及具有熔絲的半導(dǎo)體設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，具有用于切換功能或電氣特性以及通過缺陷補(bǔ)救提高成品率的熔絲的半導(dǎo)體設(shè)備已被開發(fā)出來。
圖5是一個(gè)平面圖，概括描述了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有熔絲的半導(dǎo)體設(shè)備10的部分結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體設(shè)備10具有熔絲11和熔絲開口12。熔絲11安裝在半導(dǎo)體芯片內(nèi)部，以切換功能或電氣特性以及通過缺陷補(bǔ)救提高成品率。熔絲11由于激光照射受熱而發(fā)生電氣熔斷，因此實(shí)現(xiàn)電路的切換。
圖6是一個(gè)沿圖5的VI-VI線得到的截面圖。半導(dǎo)體設(shè)備10具有熔絲11、熔絲開口12、半導(dǎo)體基板14、層間絕緣膜15和層間絕緣膜16。熔絲11形成于較低層的層間絕緣膜15之上，該層間絕緣膜15位于半導(dǎo)體基板14之上。熔絲11上面是被淀積以覆蓋熔絲11的第二層層間絕緣膜16。此外，為了通過激光照射熔斷熔絲11，在熔絲11的切斷部分之上制作熔絲開口12，所以層間絕緣膜16在該區(qū)域中的厚度小。圖7是一個(gè)電路圖，它表示了圖5所示的具有熔絲的半導(dǎo)體設(shè)備10的一部分，如圖7所示，熔絲11通過一條通路電氣連接到熔絲判決電路17。
近年來，半導(dǎo)體設(shè)備10上的多層結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了位于熔絲11之上、熔絲開口12之下的層間絕緣膜16的殘膜中的偏差的增長。如果位于熔絲11之上的層間絕緣膜16太薄，熔絲11與層間絕緣膜15和16由于諸如在制造過程和封裝過程中產(chǎn)生的靜電荷放電之類電氣損傷而損壞，這降低了半導(dǎo)體設(shè)備10的可靠性。為了克服上述缺陷，已提出不同的技術(shù)，其中包括那些在例如日本待審專利申請公開Nos.2001-135792，H11-214389，H08-213469中披露的技術(shù)。
由于電荷的集中，靜電荷放電尤其可能發(fā)生在熔絲11和熔絲開口12邊緣彼此交叉的交叉部分13。如圖5和7所示，一條穿過熔絲開口12邊緣的熔絲11是由單電氣系統(tǒng)構(gòu)成的。這樣，如果靜電荷放電發(fā)生于這條熔絲11，該熔絲11發(fā)生電氣熔斷，這將導(dǎo)致半導(dǎo)體設(shè)備10的可靠性的下降。
出于此因，即使當(dāng)在熔絲之上的殘膜中存在偏差，對于高可靠性的具有熔絲的半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展亦有著增長的需求。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種包括熔絲和在熔絲的切斷部分之上制作的熔絲開口的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，熔絲在熔絲和熔絲開口邊緣彼此交叉的交叉部分分為多條線。在這種結(jié)構(gòu)下，即使在可能發(fā)生電荷集中的、熔絲和熔絲開口邊緣彼此交叉的交叉部分，熔絲的多條線中的一條線發(fā)生了靜電荷放電，電氣連接也不會受到實(shí)質(zhì)影響，因而提高了半導(dǎo)體設(shè)備的可靠性。


下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將會使本發(fā)明的上述和其它目的、優(yōu)勢和特征更加明顯，其中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備的部分結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2是沿圖1中的II-II線得到的截面圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備的一部分的電路圖；圖4為是示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備的另一部分結(jié)構(gòu)的平面圖；圖5示出了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備的部分結(jié)構(gòu)的平面圖；
圖6是沿圖5中的VI-VI線得到的截面圖；圖7是示出了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備的一部分的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考示例性實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行描述。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，許多替換性實(shí)施例可通過使用本發(fā)明的示教來實(shí)現(xiàn)，并且本發(fā)明不局限于用作解釋目的的示例性實(shí)施例。
下文將參考圖1和圖2，描述根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備。圖1是示出了根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備100的部分結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是沿圖1中的II-II線得到的截面圖。如圖1和2所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備100具有熔絲101、熔絲開口102、交叉部分103、半導(dǎo)體基板104、層間絕緣膜105和層間絕緣膜106。本發(fā)明的特點(diǎn)是熔絲101在熔絲101和熔絲開口102邊緣之間的交叉部分103處分為多條線。在本實(shí)施例中，熔絲101在交叉部分103處分為兩條線，每對線為并聯(lián)。
熔絲101安裝于半導(dǎo)體芯片內(nèi)部，以切換功能或電氣特性以及通過缺陷補(bǔ)救提高成品率。熔絲101由于激光照射受熱而被電氣熔斷，由此實(shí)現(xiàn)電路的切換。為了通過激光照射熔斷熔絲101，制作熔絲開口102。通過熔絲開口102使用激光，可使熔絲101單個(gè)熔斷。熔絲101和熔絲開口102邊緣彼此交叉的那部分區(qū)域稱為交叉部分103。
如圖2所示，熔絲101形成于較低層的層間絕緣膜105之上，該層間絕緣膜105被淀積在半導(dǎo)體基板104之上。熔絲101上面是被淀積以覆蓋熔絲101的第二層層間絕緣膜106。此外，為了通過激光照射熔斷熔絲101，在熔絲101的切斷部分之上制作熔絲開口102，所以層間絕緣膜106在該區(qū)域中的厚度小。
為了使用適當(dāng)?shù)募す鈴?qiáng)度熔斷熔絲101，熔絲開口102之下的層間絕緣膜106的殘留厚度要小于指定厚度。另一方面，如果層間絕緣膜106的殘留厚度太薄以至于裸露熔絲101，那么會發(fā)生對熔絲101的腐蝕，從而降低可靠性。這樣，熔絲開口102之下的層間絕緣膜106的殘留厚度要大于一指定厚度。因此，熔絲開口102之下的層間絕緣膜106的殘膜具有一適當(dāng)?shù)暮穸确秶?br> 熔絲101由層間絕緣膜106覆蓋，并且電荷集中于熔絲101和熔絲開口102邊緣之間的交叉部分103。因此，在交叉部分103處可能發(fā)生熔絲101和層間絕緣膜106的靜電荷放電。例如，在一些情況下，在將一圓晶片切割為半導(dǎo)體芯片的切割過程中，使用水來冷卻在切割過程中產(chǎn)生的熱和去除在切片過程中出現(xiàn)的硅屑。以水作為媒介，此時(shí)產(chǎn)生的充電電荷集中于層間絕緣膜106的厚度小的熔絲開口102處。尤其，在熔絲101和熔絲開口102邊緣之間的交叉部分103，電荷的集中會導(dǎo)致需要保持連接的熔絲101的熔斷。
如圖1所示，在本實(shí)施例中，一條熔絲101具有一條縫隙，使得在交叉部分103處將熔絲101分為并聯(lián)排列的兩條線。圖3是示出了根據(jù)此實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備的一部分的電路圖。每條熔絲101的一端通過兩條路徑連接至電源。每條熔絲101的另一端也通過兩條路徑連至熔絲判決電路107的輸入端。熔絲101的另一端與熔絲判決電路107間的連接點(diǎn)接至電阻108的一端。電阻108的另一端接地。這樣，每一條熔絲101通過兩條路徑連至另一設(shè)備。因此，即使在熔絲101和熔絲開口102邊緣彼此交叉的交叉部分103處，兩條獨(dú)立路徑中的任意一條發(fā)生靜電荷放電，電氣連接都能夠通過另外一條路徑得以保持。
更具體的，在本實(shí)施例中的熔絲101具有第一線、兩條第二線和第三線。第三線與兩條第二線相連，兩條第二線與第一線相連。層間絕緣膜106具有裸露第一線和兩條第二線的一部分的熔絲開口102。兩條第二線的剩余部分和第三線由層間絕緣膜106覆蓋。
在現(xiàn)有技術(shù)中，一條熔絲元件具有一條電氣路徑。這樣，在交叉部分的靜電荷放電的發(fā)生會導(dǎo)致熔絲的熔斷，降低了可靠性。另一方面，本發(fā)明將熔絲101在交叉部分103處分為并聯(lián)的兩條線，以保證熔絲101的兩條電氣路徑。在此結(jié)構(gòu)中，即使在熔絲101的一條路徑發(fā)生了靜電荷放電，電氣連接都能夠通過另外一條路徑得以保持。因此使得提高半導(dǎo)體設(shè)備100的可靠性成為可能。
在熔絲101的切斷部分，熔絲101沒有分割開，而是由一條電氣路徑相連。因此，當(dāng)切換功能或電氣特性等等時(shí)，能夠使用激光照射無誤地熔斷熔絲101。
盡管上述描述的實(shí)施例在交叉部分103處將熔絲101分為兩條線，本發(fā)明并不局限于此。熔絲101在交叉部分103處可分為并聯(lián)的三條或更多條線。具體的說，一條熔絲101在交叉部分103處可有兩條或更多條縫隙。更具體的，熔絲101有第一線、三條第二線和第三線。層間絕緣膜106具有裸露第一線和部分三條第二線的熔絲開口102。三條第二線的剩余部分和第三線由層間絕緣膜106覆蓋。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備100的另一結(jié)構(gòu)的一部分。圖4的半導(dǎo)體設(shè)備不同于圖1之處是，在交叉部分103，熔絲101分為并聯(lián)的三條線。圖4中，與圖1中相同的元件由相同的標(biāo)號標(biāo)注，并省略了多余的描述。
如圖4所示，一條熔絲101在交叉部分103處具有兩條縫隙，這將熔絲101在那部分分為并聯(lián)的3條線。如果熔絲101在交叉部分103所分的線的寬度過窄，線的阻抗會變得過高，這不適于半導(dǎo)體設(shè)備100的使用。為了避免這種情況，對應(yīng)交叉部分103，增加了熔絲101在這部分的寬度，使得在交叉部分103處劃分的熔絲101的每條線都具有一指定寬度。熔絲101的切斷部分的寬度保持不變，使得熔絲101在切斷部分的間距與通常一致。
在此結(jié)構(gòu)中，即使熔絲101在熔絲101和熔絲開口102邊緣彼此交叉的交叉部分103處所分的三條路徑中的任意一條發(fā)生靜電荷放電，電氣連接都能夠通過其它路徑得以保持。此外，該結(jié)構(gòu)由于減小了交叉部分103處熔絲101所分的線的寬度，從而抑制了線的阻抗的增長，因此，降低了半導(dǎo)體設(shè)備100在工作中的不利影響。
此外，按照這種方式在交叉部分103處將熔絲101分為三條或更多條并聯(lián)的線，可以降低熔絲101由于受到靜電荷放電而發(fā)生電氣阻斷的可能性。它還可以在發(fā)生靜電荷放電時(shí)抑制熔絲101的阻抗變化。因此可提供較高可靠性能的半導(dǎo)體設(shè)備100。
如前所述，熔絲101在熔絲101和熔絲開口102邊緣彼此交叉的交叉部分103處分為并聯(lián)的多條線。因而能夠抑制由于熔絲101中的靜電荷放電引起的半導(dǎo)體設(shè)備100的可靠性下降。
很明顯，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，在不偏離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可對這些實(shí)施例進(jìn)行修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括熔絲；以及在熔絲之上具有熔絲開口的層；其中，在熔絲和熔絲開口邊緣彼此交叉的交叉部分，熔絲分為多條線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，熔絲分為三條或更多條線。
3.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括熔絲；在熔絲之上具有熔絲開口的層；其中，在熔絲和熔絲開口邊緣彼此交叉的交叉部分，熔絲具有縫隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，熔絲具有兩條或更多條縫隙。
5.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括具有第一線和與第一線分開的第二線的熔絲；具有切斷裸露第一線和部分第二線的熔絲的開口的層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，熔絲還具有與第二線連接的第三線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體設(shè)備，這里，第二線的剩余部分和第三線由層覆蓋。
全文摘要
一種具有熔絲和在熔絲之上制作的熔絲開口的半導(dǎo)體設(shè)備。熔絲在熔絲和熔絲開口邊緣的交叉部分分為多條線。熔絲(101)分成的多條線彼此并聯(lián)，并且與熔絲開口邊緣垂直。
文檔編號H01L23/525GK1866509SQ200610079838
公開日2006年11月22日 申請日期2006年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月17日
發(fā)明者勝木信幸 申請人:恩益禧電子股份有限公司