專利名稱：發(fā)光單元的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光單元(LIGHT EMITTING UNIT)，特別是涉及一種具有發(fā)光二極管的發(fā)光單元。
背景技術：
發(fā)光二極管是由半導體材料所制成的發(fā)光組件，組件具有兩個電極端子，在端子間施加電壓，通入極小的電壓，經由電子電洞的結合，則可將剩余能量以光的形式激發(fā)釋出。
不同于一般白熾燈泡，發(fā)光二極管屬冷發(fā)光，具有耗電量低，組件壽命長、無須暖燈時間、反應速度快等優(yōu)點。再加上其體積小、耐震動、適合量產，容易配合應用上的需求制成極小或數組式的組件。目前發(fā)光二極管已普遍使用于照明、信息、通訊、消費性電子產品的指示器及顯示裝置上，成為日常生活中不可或缺的重要組件。近來，發(fā)光二極管更被應用作為液晶顯示器(Liquid crystal Display，LCD)中背光模塊的背光源，并有逐漸取代傳統(tǒng)冷陰極熒光燈管的趨勢。
請參閱圖1所示，現有技術中以發(fā)光二極管作為光源的背光模塊1，具有一殼體11、至少一光學薄膜12、一承載板13以及復數發(fā)光二極管封裝模塊20。其中，復數發(fā)光二極管封裝模塊20是設置于承載板13上。
請參閱圖2及圖3所示，發(fā)光二極管組件21的基板211是設置于散熱座212以利散熱，而晶粒213設置于基板211經由打線接合至導線架214，以使晶粒(Die)213借由導線架214而與其它組件電性連接。由圖中可知，發(fā)光二極管的晶粒213先設置于基板211后，再安裝在散熱座212上而完成封裝。加上打線接合的制程，因此發(fā)光二極管組件21的制作過程是相當復雜。
然而，發(fā)光二極管封裝模塊中的晶粒213通常是利用半導體制程的磊晶(Epitaxy)制程來制造，其中，晶粒213發(fā)光的波長是由磊晶層的材料來決定，因此磊晶制程是發(fā)光二極管制程中，成本最高的一部份。
雖然在制造過程中，晶圓是經過相同的制程控制以使全部的晶粒213發(fā)出一目標顏色的光。但是，通常同一批次所制造出來的復數晶粒213，甚至是同一晶圓上的復數晶粒213，都可能具有相當大的波長變化(wavelength length variation)。例如同一批次的晶粒213的目標顏色為綠色，但是可能其中一個晶粒發(fā)出的光波峰波長為500nm，另一個晶粒卻可能發(fā)出的光波峰波長為506nm。
然而，在某些應用領域中，例如是液晶顯示器的背光模塊、或是汽車的高級車燈中，常需要復數波長幾乎一致的發(fā)光二極管封裝模塊。因此，晶粒的波峰波長是會被嚴格要求的。也就是說，不論是同一批次生產出的復數晶粒、或是同一晶圓上的復數晶粒，唯有落入一狹小的波峰波長范圍者，才符合業(yè)者的質量控管標準，可被挑選成為良品而應用于產品中。其它在波長范圍之外的晶粒，往往成為不良品，無法使用。如此一來，晶圓上所有的晶粒則無法完全使用，晶粒利用率不高，使得發(fā)光二極管封裝模塊的生產成本居高不下，進而使得背光模塊的成本也相當昂貴。
由此可見，上述現有的發(fā)光單元在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，晶圓上的發(fā)光二極管晶粒利用率不高，并造成背光模塊生產成本居高不下，因此亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般產品又沒有適切的結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設一種新型的發(fā)光單元，便成為當前業(yè)界極需改進的目標。
有鑒于上述現有的發(fā)光單元存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新型的發(fā)光單元，能夠改進一般現有的發(fā)光單元，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經過反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現有的發(fā)光單元存在的缺陷，而提供一種新型的發(fā)光單元，所要解決的技術問題是使其包括至少一發(fā)光二極管封裝模塊，發(fā)光二極管封裝模塊包括兩個發(fā)光二極管晶粒以發(fā)出一目標波峰波長，提高晶圓上的發(fā)光二極管晶粒的利用率，并降低背光模塊的生產成本，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發(fā)明提出的一種發(fā)光單元，其包括一發(fā)光二極管封裝模塊，包括一承載體、一第一晶粒以及一第二晶粒，該第一晶粒及該第二晶粒設置于該承載體，該發(fā)光二極管封裝模塊是用以發(fā)出一目標波峰波長，該第一晶粒具有一第一波峰波長，該第一波峰波長大于該目標波峰波長，該第二晶粒具有一第二波峰波長，該第二波峰波長小于該目標波峰波長，該第一波峰波長與該第二波峰波長是屬于同一色系，其中該第一晶粒與該第二晶粒相距一第一距離；以及一光學薄膜，鄰設于該發(fā)光二極管封裝模塊，該光學薄膜具有一可視區(qū)，該發(fā)光二極管封裝模塊與該可視區(qū)或與該可視區(qū)的邊緣具有最短的一第二距離，該第一距離是小于該第二距離。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
前述的發(fā)光單元，其中所述的第一晶粒與該第二晶粒是同時或不同時發(fā)光。
前述的發(fā)光單元，其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
前述的發(fā)光單元，其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于30nm。
前述的發(fā)光單元，其中所述的目標波長與該第一波峰波長的差值，不等于該目標波長與該第二波峰波長的差值。
前述的發(fā)光單元，其中所述的目標波長與該第一波峰波長的差值，等于該目標波長與該第二波峰波長的差值。
前述的發(fā)光單元，其中所述的第一晶粒與該第二晶粒的發(fā)光強度不同。
前述的發(fā)光單元，其中所述的目標波峰波長約介于615nm至650nm之間。
前述的發(fā)光單元，其中所述的目標波峰波長約介于515nm至555nm之間。
前述的發(fā)光單元，其中所述的目標波峰波長約介于455nm至485nm之間。
前述的發(fā)光單元，其中所述的發(fā)光二極管封裝模塊更包括一第三晶粒，其具有一第三波峰波長，該第一波峰波長、該第二波峰波長以及該第三波峰波長是屬于該色系。
前述的發(fā)光單元，其中所述的第三波峰波長大于該第一波峰波長，該第三波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
前述的發(fā)光單元，其中所述的第三波峰波長是小于該第二波峰波長，該第一波峰波長與該第三波峰波長的差值是小于50nm。
前述的發(fā)光單元，其中所述的第三晶粒與該第一晶粒相距一第三距離，該第三距離是小于該第二距離。
前述的發(fā)光單元，其更包括另一發(fā)光二極管封裝模塊，是鄰設于該發(fā)光二極管封裝模塊。
借由上述技術方案，本發(fā)明發(fā)光單元至少具有下列優(yōu)點依本發(fā)明的一種發(fā)光單元包括至少一發(fā)光二極管封裝模塊以及一光學薄膜，其中發(fā)光二極管封裝模塊包括兩個發(fā)光二極管晶粒以發(fā)出一目標波峰波長。與現有技術相比，發(fā)光二極管封裝模塊具有第一晶粒及第二晶粒，且第一波峰波長與第二波峰波長是屬于同一色系，第一晶粒與第二晶粒相距一第一距離，而發(fā)光二極管封裝模塊與可視區(qū)或與可視區(qū)的邊緣具有最短的一第二距離，其中第一距離小于第二距離。如此一來，本發(fā)明的發(fā)光單元可借由挑選具有適當匹配波長的復數晶粒，也就是可組合出目標波峰波長的復數晶粒，將兩個以上的復數晶粒封裝在一起而形成發(fā)光二極管封裝模塊。因此，各個發(fā)光二極管的封裝模塊可使人眼在目標波峰波長處，感受到宛如二顆具有目標波峰波長的發(fā)光二極管的發(fā)光強度。另外，借由挑選匹配晶粒的過程，封裝業(yè)者即可放寬良品晶粒的波峰波長的范圍，進而能提升同一晶圓或同一批次晶圓的晶粒利用率，并降低發(fā)光單元的材料及減少原物料的浪費。
綜上所述，本發(fā)明新穎的發(fā)光單元，提高了晶圓上的發(fā)光二極管晶粒的利用率，并降低了背光模塊的生產成本。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在產品結構或功能上皆有較大的改進，在技術上有顯著的進步，并產生了好用及實用的效果，且較現有的發(fā)光單元具有增進的功效，從而更加適于實用，并具有產業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1是現有技術中以發(fā)光二極管作為背光模塊的一示意圖。
圖2是現有技術中背光模塊中的發(fā)光二極管封裝模塊的一示意圖。
圖3是沿圖2直線A-A’的發(fā)光二極管的封裝模塊的剖面示意圖。
圖4是本發(fā)明的發(fā)光單元的一示意圖。
圖5是沿圖4中的直線B-B’的發(fā)光二極管封裝模塊的剖面示意圖。
圖6是本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝模塊的另一示意圖。
圖7是本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝模塊的另一示意圖。
圖8是本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝模塊的另一示意圖。
圖9是本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝模塊中，第一晶粒及第二晶粒所發(fā)出波長頻譜的一示意圖，其中，第一晶粒與目標波長的差值等于第二晶粒與目標波長的差值。
圖10是為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝模塊中，第一晶粒及第二晶粒所發(fā)出波長頻譜的另一示意圖，其中，第一晶粒與目標波長的差值不等于第二晶粒與目標波長的差值。
圖11是為本發(fā)明的發(fā)光單元的另一示意圖，其中發(fā)光單元為直下式的背光模塊。
圖12是為本發(fā)明的發(fā)光單元的另一示意圖，其中發(fā)光單元為側光式的背光模塊。
圖13是為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝模塊的另一示意圖，其中發(fā)光二極管封裝模塊是具有三個發(fā)光二極管晶粒。
1背光模塊 11殼體12光學薄膜13承載板20發(fā)光二極管封裝模塊 21發(fā)光二極管組件211基板 212散熱座213晶粒 214導線架30發(fā)光單元30’發(fā)光單元40發(fā)光二極管封裝模塊 40’發(fā)光二極管封裝模塊41承載體 41’承載體42第一晶粒43第二晶粒44內導線 45封膠材料46引線47第三晶粒50光學薄膜50’光學薄膜60殼體70固定板d1第一距離d2第二距離d3第三距離D晶粒V可視區(qū) λt目標波峰波長λ1第一波峰波長 λ2第二波峰波長λ3第三波峰波長 A-A’直線B-B’直線具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發(fā)明提出的發(fā)光單元其具體實施方式
、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
首先，請參閱圖4至圖11所示，以說明本發(fā)明第一實施例的發(fā)光單元。
請參閱圖4所示，發(fā)光單元30主要包括一發(fā)光二極管封裝模塊40以及一光學薄膜50。本實施例中，發(fā)光單元30是以一直下式發(fā)光單元30為例。
請參閱圖5所示，其是沿圖4中的直線B-B’的發(fā)光二極管封裝模塊40的剖面示意圖。發(fā)光二極管封裝模塊40包括一承載體41、一第一晶粒42以及一第二晶粒43。其中，發(fā)光二極管封裝模塊40用以發(fā)出一目標波峰波長λt(target peak wavelength)，目標波峰波長可例如是介于615nm至650nm之間的紅光、介于515nm至555nm之間的綠光、或波峰波長約介于455nm至485nm之間的藍光。也就是說，目標波峰波長可由業(yè)者自行訂定規(guī)格，為發(fā)光二極管封裝模塊40最后讓人眼接受到的波峰波長。而發(fā)光二極管封裝模塊40可利用人眼的視覺暫留現象，使第一晶粒42及第二晶粒43不論是同時發(fā)光或不同時發(fā)光，均能得到目標波峰波長。
當然，發(fā)光二極管封裝模塊40的目標波峰波長也可分別定義為介于620.5nm至645.0nm之間的第一紅光(R1)、波峰波長約介于612.5nm至620.5nm之間的第二紅光(R2)、波峰波長約介于520nm至550nm之間的第一綠光(G1)、波峰波長約介于490nm至520nm之間的第二綠光(G2)、波峰波長約介于460nm至490nm之間的第一藍光(B1)、或波峰波長約介于440nm至460nm之間的第二藍光(B2)。
請參閱圖5所示，第一晶粒42及第二晶粒43分別設置于承載體41。其中，承載體41可以為一基板或一導線架。本實施例中，發(fā)光二極管的封裝形態(tài)及基板的材質并不加以限制。舉例而言，當承載體41為基板時，可為透明基板(例如為玻璃基板)，也可為不透明的基板。而封裝的型式可以如圖5中為表面封裝(Surface Mounting Device，SMD)的形態(tài)，第一晶粒42及第二晶粒43也可借由在基板上的內導線(interconnection)44而與外界電性進行訊號的溝通，而不需要打引線(wire bonding)，再利用封膠材料45保護第一晶粒42與第二晶粒43。其中，第一晶粒42及第二晶粒43也可利用覆晶(flip chip)的形式而安裝于承載體41。
請參閱圖6所示，當然，第一晶粒42及第二晶粒43也可以借由復數引線(wiring)46而與承載體41電性連接，再利用封膠材料45保護第一晶粒42與第二晶粒43。
請參閱圖7所示，當承載體41’為導線架時，則封裝的型式則成為導線架封裝(leadframe package)的形態(tài)。另外，圖8中，第一晶粒42及第二晶粒43也可以堆棧的方式來設置，再配合基板及導線架來作為承載體41’。
再請參閱圖5及圖9所示，第一晶粒42具有一第一波峰波長λ1，第一波峰波長λ1大于目標波峰波長λt。第二晶粒43具有一第二波峰波長λ2，第二波峰波長λ2小于目標波峰波長λt。其中，第一晶粒42及第二晶粒43是屬于同一色系的光，例如第一晶粒42及第二晶粒43都發(fā)綠色系的光，例如為綠色、青綠色，且第一晶粒42及第二晶粒43可為同一晶圓上所產出的晶粒。當然，第一晶粒42及第二晶粒43也可以是由不同晶圓但是為同一批次所生產出的晶粒，本實施例中，第一晶粒42及第二晶粒43是以同一晶圓所產出的晶粒為例。
在挑選晶粒時，需先量測各個晶粒的波峰波長，以挑選出適合封裝在一起，波峰波長可互相匹配的復數晶粒。其中，只要第一晶粒42的第一波峰波長λ1與第二晶粒43的第二波峰波長λ2的差值(Δλ)小于50nm，即可互相匹配，放置在同一發(fā)光二極管封裝模塊40中。
本實施例中，是以發(fā)出目標波峰波長λt為530nm的發(fā)光二極管封裝模塊40為例。當第一晶粒42與目標波峰波長的差值等于第二晶粒43與目標波峰波長λt的差值，例如第一波峰波長λ1是約為535nm，第二波峰波長λ2是約為525nm，并假設第一晶粒42與第二晶粒43的發(fā)光效率相同時，提供相同的電流給第一晶粒42及第二晶粒43，不論是第一晶粒42及第二晶粒43同時發(fā)光或快速輪流發(fā)光時，人眼感受到目標波峰波長值530nm所呈現的發(fā)光強度，是為第一晶粒42及第二晶粒43在目標波峰波長值530nm處的光強度的加總(如虛線的波長頻譜所示)。也就是說，借由波長的匹配，將第一晶粒42及第二晶粒43封裝在一起后，第一晶粒42與第二晶粒43可組合出目標波峰波長λt，使得人眼無法分辨復數晶粒之間有波長差值，宛如拿二顆可發(fā)出目標波峰光波長λt的晶粒封裝一起一樣。
請參閱圖5及圖10所示，本實施例中，是以發(fā)出目標波峰波長λt為530nm的發(fā)光二極管封裝模塊40為例。當第一晶粒42與目標波峰波長的差值為第二晶粒43與目標波峰波長的差值的一半時，例如第一波峰波長λ1是約為535nm，第二波峰波長λ2是約為520nm，假設第一晶粒42與第二晶粒43的發(fā)光效率也相同的情形下，可提升第一晶粒42的電流或電壓值至二倍，以使第一晶粒42的發(fā)光強度為第二晶粒43的二倍。如圖10所示，當第一晶粒42及第二晶粒43同時發(fā)光或快速輪流發(fā)光時，人眼感受到目標波峰波長值λt處所呈現的光強度，是為第一晶粒42及第二晶粒43在目標波峰波長值λt處的光強度的加總(如虛線的波長頻譜所示)。
較佳的狀況下，第一波峰波長λ1與第二波峰波長λ2的差值是小于30nm之內，組合出的目標波峰波長的發(fā)光強度較強，且可形成一主要波峰(main peak)。另外，就算是第一晶粒42與第二晶粒43的波長加總后，無法形成單一主要波峰，但由于發(fā)光二極管的發(fā)光純度較高，人眼依舊無法辨識出色彩飽和度(Color Saturation)上的損失。
再請參閱圖4所示，發(fā)光單元30更可包括一殼體60及一固定板70，發(fā)光二極管封裝模塊40容置于殼體60且設置于固定板70。本實施例中，發(fā)光單元30是以包括復數發(fā)光二極管封裝模塊40為例，當然，發(fā)光二極管封裝模塊40的數量，可依實際產品設計需求而定，在此不作限制。另外，殼體60的材質可為金屬或為塑料，殼體60的大小及形狀可依發(fā)光單元30實際所需的大小及形式來設計，例如殼體60可為一框體、一平板狀或其它形狀。而固定板70是用以承載發(fā)光二極管封裝模塊40，材質可為金屬或塑料或者固定板70可為一印刷電路板，另外，固定板70也可為兼具散熱功能的散熱板。
光學薄膜50可包括一擴散片、一導光板、一棱鏡片或其組合。本實施例中，發(fā)光單元30是以直下式為例，因此，光學薄膜50為一擴散片，用以協助光線均勻擴散。
請參閱圖11所示，發(fā)光二極管封裝模塊40中，第一晶粒42與第二晶粒43是相距一第一距離d1，光學薄膜50是具有一可視區(qū)V，發(fā)光二極管封裝模塊40與可視區(qū)V具有最短的一第二距離d2，第一距離dl小于第二距離d2。本實施例中，由于發(fā)光單元30是為直下式，因此，可視區(qū)V與發(fā)光二極管封裝模塊40的距離可以光學薄膜50的一表面與發(fā)光二極管封裝模塊40的距離來算。當第一距離d1小于第二距離d2，是表示第一晶粒42與第二晶粒43之間距離相當近，可先進行發(fā)光二極管封裝模塊40內的混光，因此即使是第一晶粒42與第二晶粒43的主要波長不大相同，但仍可由發(fā)光二極管封裝模塊40發(fā)出目標波長。而復數個發(fā)光二極管封裝模塊40所發(fā)出的光線經過光學薄膜50擴散混合后，以形成一均勻的背光源，提供給液晶面板用。
接著，請參閱圖12及圖13所示，以說明本發(fā)明第二實施例的發(fā)光單元30’。
請參閱圖12所示，發(fā)光單元30’是以一側光式背光模塊為例，發(fā)光單元30’包括一發(fā)光二極管封裝模塊40’以及一光學薄膜50’。
請參閱圖13所示，本實施例中，發(fā)光二極管封裝模塊40’與第一實施例中的發(fā)光二極管封裝模塊40不同的地方在于，發(fā)光二極管封裝模塊40’更包括一第三晶粒47，而第三晶粒47是具有一第三波峰波長λ3，第三晶粒47與第一晶粒42及第二晶粒43是發(fā)出同一色系的光。舉例來說，當第一晶粒42及第二晶粒43均發(fā)出粉紅色的光，第三晶粒47發(fā)出深紅色的光，均屬于紅色系的光。
當發(fā)光二極管封裝模塊40’具有三個晶粒時，晶粒的最大波峰波長及最小波峰波長的差值是應小于50nm。也就是說，當第三波峰波長λ3大于第一波峰波長λ1時，第三波峰波長λ3與第二波峰波長λ2的差值是小于50nm。而當第三波峰波長λ3小于第二波峰波長λ2時，第三波峰波長λ3與第一波峰波長λ1的差值是小于50nm。較佳的情況下，發(fā)光二極管封裝模塊40’的復數晶粒中，最大波峰波長及最小波峰波長的差值是應小于30nm。
再請參閱圖12所示，本實施例中，發(fā)光單元30’是以側光式背光模塊為例，因此，光學薄膜50’為一導光板，用以將光線由側邊入光后而能從導光板的出光面射出。
光學薄膜50是具有一可視區(qū)V，發(fā)光二極管封裝模塊40與可視區(qū)V的邊緣是具有最短的一第二距離d2，第三晶粒47與第一晶粒42是相距一第三距離d3，第三距離d3是小于第二距離d2。當第三距離d3小于第二距離d2，表示第一晶粒42與第三晶粒47之間距離相當近，可先進行發(fā)光二極管封裝模塊40’內的混光，因此即使是第一晶粒42、第二晶粒43與第三晶粒47的主要波長均不相同，但仍可由發(fā)光二極管封裝模塊40’發(fā)出目標波長。而單個或復數個發(fā)光二極管封裝模塊40’所發(fā)出的光線經過光學薄膜50’擴散混合后，以形成一均勻的背光源，提供給液晶面板用。
另外，發(fā)光單元30也可以是單純用于日常照明的照明裝置，其中光學薄膜可為一玻璃片。
綜上所述，本發(fā)明的一種發(fā)光單元是包括至少一發(fā)光二極管封裝模塊以及一光學薄膜，其中發(fā)光二極管封裝模塊是包括兩個發(fā)光二極管晶粒以發(fā)出一目標波峰波長。與現有技術相比，發(fā)光二極管封裝模塊是具有第一晶粒及第二晶粒，且第一波峰波長與第二波峰波長是屬于同一色系，第一晶粒與第二晶粒是相距一第一距離，而發(fā)光二極管封裝模塊與可視區(qū)或與可視區(qū)的邊緣是具有最短的一第二距離，其中第一距離是小于第二距離。如此一來，本發(fā)明的發(fā)光單元可借由挑選具有適當匹配波長的復數晶粒，也就是可組合出目標波峰波長的復數晶粒，將兩個以上的復數晶粒封裝在一起而形成發(fā)光二極管封裝模塊。因此，各個發(fā)光二極管的封裝模塊可使人眼在目標波峰波長處，感受到宛如二顆具有目標波峰波長的發(fā)光二極管的發(fā)光強度。另外，借由挑選匹配晶粒的過程，封裝業(yè)者即可放寬良品晶粒的波峰波長的范圍，進而能提升同一晶圓或同一批次晶圓的晶粒利用率，并降低發(fā)光單元的材料及減少原物料的浪費。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
權利要求
1.一種發(fā)光單元，其特征在于其包括一發(fā)光二極管封裝模塊，包括一承載體、一第一晶粒以及一第二晶粒，該第一晶粒及該第二晶粒設置于該承載體，該發(fā)光二極管封裝模塊是用以發(fā)出一目標波峰波長，該第一晶粒具有一第一波峰波長，該第一波峰波長大于該目標波峰波長，該第二晶粒具有一第二波峰波長，該第二波峰波長小于該目標波峰波長，該第一波峰波長與該第二波峰波長是屬于同一色系，其中該第一晶粒與該第二晶粒相距一第一距離；以及一光學薄膜，鄰設于該發(fā)光二極管封裝模塊，該光學薄膜具有一可視區(qū)，該發(fā)光二極管封裝模塊與該可視區(qū)或與該可視區(qū)的邊緣具有最短的一第二距離，該第一距離是小于該第二距離。
2.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的第一晶粒與該第二晶粒是同時或不同時發(fā)光。
3.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
4.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于30nm。
5.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的目標波長與該第一波峰波長的差值，不等于該目標波長與該第二波峰波長的差值。
6.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的目標波長與該第一波峰波長的差值，等于該目標波長與該第二波峰波長的差值。
7.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的第一晶粒與該第二晶粒的發(fā)光強度不同。
8.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的目標波峰波長約介于615nm至650nm之間。
9.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的目標波峰波長約介于515nm至555nm之間。
10.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的目標波峰波長約介于455nm至485nm之間。
11.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的發(fā)光二極管封裝模塊更包括一第三晶粒，其具有一第三波峰波長，該第一波峰波長、該第二波峰波長以及該第三波峰波長是屬于該色系。
12.根據權利要求11所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的第三波峰波長大于該第一波峰波長，該第三波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
13.根據權利要求11所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的第三波峰波長是小于該第二波峰波長，該第一波峰波長與該第三波峰波長的差值是小于50nm。
14.根據權利要求11所述的發(fā)光單元，其特征在于其中所述的第三晶粒與該第一晶粒相距一第三距離，該第三距離是小于該第二距離。
15.根據權利要求1所述的發(fā)光單元，其特征在于其更包括另一發(fā)光二極管封裝模塊，是鄰設于該發(fā)光二極管封裝模塊。
全文摘要
本發(fā)明是有關于一種發(fā)光單元，包括一發(fā)光二極管封裝模塊以及一光學薄膜。發(fā)光二極管封裝模塊包括一承載體、一第一晶粒以及一第二晶粒，第一晶粒及第二晶粒設置于承載體，發(fā)光二極管封裝模塊是用以發(fā)出一目標波峰波長，第一晶粒具有一第一波峰波長，第一波峰波長大于目標波峰波長，第二晶粒具有一第二波峰波長，第二波峰波長小于目標波峰波長，第一波峰波長與第二波峰波長是屬于同一色系，其中第一晶粒與第二晶粒相距一第一距離。光學薄膜鄰設于發(fā)光二極管封裝模塊，光學薄膜具有一可視區(qū)，發(fā)光二極管封裝模塊與可視區(qū)或與可視區(qū)的邊緣具有最短的一第二距離，第一距離小于第二距離。
文檔編號H01L33/00GK101079416SQ20061008301
公開日2007年11月28日 申請日期2006年5月25日 優(yōu)先權日2006年5月25日
發(fā)明者林峰立 申請人:啟萌科技有限公司