專利名稱：層疊型電子部件和層疊陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及層疊型電子部件和層疊陶瓷電容器。
背景技術(shù)：
作為這種層疊型電子部件公知的有，具備層疊了多個(gè)內(nèi)部電路元件導(dǎo)體和陶瓷層的層疊體的電子部件(例如，參照專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1中記載的層疊型電子部件(層疊陶瓷電容器)具有，交替層疊有內(nèi)部電路元件導(dǎo)體(內(nèi)部電極)和陶瓷層的內(nèi)層部，和層疊有陶瓷層的外層部。在專利文獻(xiàn)2中記載的層疊型電子部件(層疊陶瓷電子部件)中，陶瓷層包括氧化物玻璃。
專利文獻(xiàn)1日本特開平9-129486號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開平8-191031號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于提供一種抑制了燒成不均勻的層疊型電子部件和層疊陶瓷電容器。
本發(fā)明者們對(duì)能夠抑制燒成不均勻的層疊電子部件進(jìn)行了潛心的研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)了如下所述的事實(shí)。
在專利文獻(xiàn)1中記載有一種具有內(nèi)層部和外層部的層疊型電子部件。本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，在燒成這種層疊型電子部件時(shí)，內(nèi)層部在低于外層部的溫度下進(jìn)行燒結(jié)，其結(jié)果，在層疊型電子部件中會(huì)發(fā)生燒成的不均勻。
上述燒成不均勻在以適合于內(nèi)層部的溫度下進(jìn)行燒結(jié)，和在以適合于外層部的溫度下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)都會(huì)發(fā)生。也就是說，在以適合于內(nèi)層部的溫度下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，不能使外層部充分燒結(jié)。另一方面，在以適合于外層部的溫度下進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，會(huì)使內(nèi)層部過度燒成。當(dāng)內(nèi)層部被過度燒成時(shí)，在內(nèi)層部的陶瓷層中發(fā)生半導(dǎo)體化的問題，并且在內(nèi)部電路元件導(dǎo)體中發(fā)生因球狀化所導(dǎo)致的覆蓋率下降的問題。
本發(fā)明者們對(duì)在比外層部低的溫度下燒結(jié)內(nèi)層部的情況進(jìn)行了研究，并考察了在內(nèi)層部中與陶瓷層交替層疊的內(nèi)部電路元件導(dǎo)體在燒成時(shí)是否發(fā)揮對(duì)內(nèi)層部的陶瓷層的燒結(jié)助劑的功能。近年來，隨著電子設(shè)備的小型化，要求使安裝到電子設(shè)備中的層疊型電子部件薄層化。因此，根據(jù)該考察認(rèn)為，由于薄層化使得帶給內(nèi)層部中各陶瓷層的內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的影響變大，使燒成不均勻的問題變得更加顯著。
另外，在專利文獻(xiàn)2中記載了具備包含氧化物玻璃的陶瓷層的層疊型電子部件，但是，沒有對(duì)內(nèi)層部和外層部的燒結(jié)溫度進(jìn)行果研究。
根據(jù)如上所述的研究結(jié)果，本發(fā)明所涉及層疊型電子部件，其特征在于具備交替層疊多個(gè)第一陶瓷層和多個(gè)內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的內(nèi)層部；和以挾持內(nèi)層部的方式分別層疊多個(gè)第二陶瓷層的一對(duì)外層部，并且，第一和第二陶瓷層含有玻璃成分；相對(duì)于第二陶瓷層的主要成分的量的該第二陶瓷層中所含有的玻璃成分的量的成分量比，大于相對(duì)于第一陶瓷層的主要成分的量的第一陶瓷層中所含有的玻璃成分的量的成分量比。
由于在陶瓷層中含有玻璃成分，因此可以降低陶瓷層中的燒結(jié)溫度。另外，在陶瓷層中，相對(duì)于陶瓷層的主要成分的量的陶瓷層中所含有的玻璃成分的量的成分量比越大，燒結(jié)溫度越低。在該層疊型電子部件中，由于第二陶瓷層的成分量比大于第一陶瓷層的成分量比，因此，第二陶瓷層相比于第一陶瓷層燒結(jié)溫度低。另一方面，與內(nèi)部電路元件導(dǎo)體交替層疊的第一陶瓷層，被認(rèn)為其燒結(jié)溫度是由于受到內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的影響而實(shí)質(zhì)上被降低的。其結(jié)果，內(nèi)層部和外層部?jī)烧叩臒Y(jié)溫度均被降低，在內(nèi)層部和外層部之間，燒結(jié)溫度的差變小。因此，在該層疊型電子部件中能夠抑制燒成的不均勻。另外，通過減小內(nèi)層部和外層部的燒結(jié)溫度的差，內(nèi)層部和外層部之間的縮率差變小，還抑制了裂縫的發(fā)生。另外，在該層疊型電子部件中，即使以適合于內(nèi)層部的燒結(jié)溫度進(jìn)行燒成，也可充分燒成外層部。由此，可提高該層疊型電子部件的可靠性。
另外，內(nèi)層部?jī)?yōu)選具有第三陶瓷層，該第三陶瓷層與內(nèi)部電路元件導(dǎo)體位于同層，同時(shí)，在沒有形成內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的區(qū)域上以吸收因該內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的厚度所產(chǎn)生的階梯差的方式形成，并且，第三陶瓷層含有玻璃成分，相對(duì)于第三陶瓷層的主要成分的量的該第三陶瓷層中所含有的玻璃成分的量的成分量比，大于第一陶瓷層的上述成分量比。
通過具有以吸收因內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的厚度所產(chǎn)生的階梯差的方式形成的第三陶瓷層，在該層疊型電子部件中抑制了分層的發(fā)生。另外，由于第三陶瓷層的成分量比大于第一陶瓷層的成分量比，因此，還能夠抑制在內(nèi)層部?jī)?nèi)的燒成的不均勻。
另外，相對(duì)于第二陶瓷層的成分量比的第一陶瓷層的成分量比的比例優(yōu)選為0.5以上、不足1。當(dāng)相對(duì)于第二陶瓷層的成分量比的第一陶瓷層的成分量比的比例處于該范圍時(shí)，能夠減小內(nèi)層部和外層部之間的縮率差，能夠抑制分層的發(fā)生。
另外，優(yōu)選內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的厚度為1.5μm以下的同時(shí)，第一陶瓷層的厚度為內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的厚度的1.5倍以下。此時(shí)，在滿足小型化、變薄的要求的同時(shí)，還能實(shí)現(xiàn)抑制了外層部的過度燒結(jié)的層疊型電子部件。
另外，本發(fā)明涉及層疊陶瓷電容器，其特征在于具備交替層疊多個(gè)第一陶瓷層和多個(gè)內(nèi)部電極的內(nèi)層部；和以挾持內(nèi)層部的方式分別層疊多個(gè)第二陶瓷層的一對(duì)外層部的層疊陶瓷電容器，并且，第一和第二陶瓷層含有玻璃成分，相對(duì)于第二陶瓷層的主要成分的量的該第二陶瓷層中所含有的玻璃成分的量的成分量比，大于相對(duì)于第一陶瓷層的主要成分的量的該第一陶瓷層中所含有的玻璃成分的量的成分量比。
在該層疊陶瓷電容器中，能夠減小在外層部和內(nèi)層部之間的燒結(jié)溫度的差，能夠抑制燒成的不均勻。
根據(jù)本發(fā)明能夠提供一種抑制了燒成的不均勻的層疊型電子部件和層疊陶瓷電容器。
根據(jù)以下給出的詳細(xì)說明和參照附圖，本發(fā)明將會(huì)變得更加明了，但這些不能被視為是對(duì)本發(fā)明的限定。
根據(jù)以下給出的詳細(xì)說明本發(fā)明的應(yīng)用范圍會(huì)變得更加清楚。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，這些詳細(xì)說明和特殊實(shí)例只是通過舉例說明的方式表明的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，從這些詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解各種變化和修改都在本發(fā)明的宗旨和范圍內(nèi)


圖1為實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器的截面圖。
圖2為實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器所包含的內(nèi)層部和外層部的分解立體圖。
圖3為表示當(dāng)?shù)谝缓偷诙沾蓪拥某煞至勘鹊谋壤兓瘯r(shí)的裂縫發(fā)生率和可靠性的圖表。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。而且，在說明中，對(duì)于同一要素或具有相同功能的要素使用同一符號(hào)，并省略重復(fù)說明。
根據(jù)圖1、圖2對(duì)實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器C1的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1為實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器C1的截面圖。如圖1所示，層疊陶瓷電容器C1具備內(nèi)層部10和以挾持該內(nèi)層部10的方式存在的一對(duì)外層部20。在層疊陶瓷電容器C1的外表面上優(yōu)選形成有端子電極30。而且，當(dāng)層疊陶瓷電容器C1是例如“1005”類型的情況下，長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度為1.0mm，寬度為0.5mm，高度為0.5mm。
圖2表示實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器C1所包含的內(nèi)層部10和外層部20的分解立體圖。內(nèi)層部10包括多個(gè)(在本實(shí)施方式中為13層)第一陶瓷層12，多個(gè)(在本實(shí)施方式中為12層)內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14，和多個(gè)(在本實(shí)施方式中為12層)第三陶瓷層16。多個(gè)第一陶瓷層12和多個(gè)內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14被交替地層疊。內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14發(fā)揮作為內(nèi)部電極的功能。另外，內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14作為主要成分含有Ni。
第三陶瓷層16位于與內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14相同的層。另外，第三陶瓷層16形成在沒有形成有內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的區(qū)域上，以吸收因內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14所產(chǎn)生的階梯差，即，使之成為與內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度大致相同的厚度。第一和第三陶瓷層12、16均含有玻璃成分。
一對(duì)外層部20分別是由多個(gè)(在本實(shí)施方式中為5層)第二陶瓷層22以挾持內(nèi)層部10的方式層疊而形成的。第二陶瓷層22含有玻璃成分。
相對(duì)于第一陶瓷層12的主要成分(例如，BaTiO3)的量的該第一陶瓷層12所含有的玻璃成分的量的成分量比R1，由下述(1)式表示。
R1＝G1/M1(1)G1第一陶瓷層12所含有的玻璃成分的量M1第一陶瓷層12的主要成分的量相對(duì)于第二陶瓷層22的主要成分(例如，BaTiO3)的量的該第二陶瓷層22所含有的玻璃成分的量的成分量比R2，由下述(2)式表示。
R2＝G2/M2(2)G2第二陶瓷層22所含有的玻璃成分的量M2第二陶瓷層22的主要成分的量相對(duì)于第三陶瓷層16的主要成分(例如，BaTiO3)的量的該第三陶瓷層16所含有的玻璃成分的量的成分量比R3，由下述(3)式表示。
R3＝G3/M3(3)G3第三陶瓷層16所含有的玻璃成分的量M3第三陶瓷層16的主要成分的量而且，各陶瓷層12、22、16的主要成分的量和陶瓷層所含有的玻璃成分的量，例如，均為它們的重量。
第二陶瓷層22的成分量比R2大于第一陶瓷層12的成分量比R1，R1＜R2。第三陶瓷層16的成分量比R3大于第一陶瓷層12的成分量比R1，R1＜R3。
另外，相對(duì)于第二陶瓷層22的成分量比R2的第一陶瓷層12的成分量比R1的比例R1/R2是0.5以上、不足1.0，更優(yōu)選為0.7以上、不足1.0。
內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度為1.5μm以下。在此情況下，第一陶瓷層12的厚度是內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度的1.5倍以下。
陶瓷層通過含有玻璃成分提高陶瓷顆粒的燒結(jié)性，并降低燒結(jié)溫度。另外，在陶瓷層中，相對(duì)于陶瓷層的主要成分的量的該陶瓷層所含有的玻璃成分的量的成分量比越大，燒結(jié)溫度越低。層疊陶瓷電容器C1的第一和第二陶瓷層12、22均含有玻璃成分。而且，第二陶瓷層22的成分量比R2大于第一陶瓷層12的成分量比R1。因此，在層疊陶瓷電容器C1中，能夠使外層部20中包括的第二陶瓷層22的燒結(jié)溫度低于內(nèi)層部10中包括的第一陶瓷層12的燒結(jié)溫度。
另一方面，第一陶瓷層12由于與內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14交替地層疊，因此，受到內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的影響。由于內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的影響，實(shí)質(zhì)上使第一陶瓷層12的燒結(jié)溫度降低。
其結(jié)果是，使第一和第二陶瓷層12、22兩者的燒結(jié)溫度均降低，能夠使內(nèi)層部10和外層部20之間的燒結(jié)溫度的差變小。通過減小內(nèi)層部10和外層部20之間的燒結(jié)溫度的差，能夠抑制在層疊陶瓷電容器C1中的燒成的不均勻。
通過如上所述地抑制燒成的不均勻抑制了內(nèi)層部10被過度燒成的情況的發(fā)生。由此，還抑制了第一陶瓷層12因異常顆粒的生長(zhǎng)而半導(dǎo)體化的情況，以及，內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14因球狀化而變厚、覆蓋率下降等的情況。
另外，通過如上所述地減小內(nèi)層部10和外層部20之間的燒結(jié)溫度的差，使內(nèi)層部10和外層部20之間的縮率差變小。由此，在層疊陶瓷電容器C1中抑制了裂縫的發(fā)生。
另外，由于構(gòu)成外層部20的第二陶瓷層22的燒結(jié)溫度變低，因此，在適合于內(nèi)層部10的燒結(jié)溫度的溫度下燒成層疊陶瓷電容器C1的情況下，能夠充分地?zé)Y(jié)外層部20。其結(jié)果，能夠提高該層疊陶瓷電容器C1的可靠性。
另外，第一～第三陶瓷層12、22、16均含有玻璃成分。因此，各陶瓷層的燒結(jié)溫度被降低，能夠降低燒成層疊陶瓷電容器C1的溫度。
在層疊陶瓷電容器C1的內(nèi)層部10中，在沒有形成內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的區(qū)域上形成有第三陶瓷層16。該第三陶瓷層16，以吸收因內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度所產(chǎn)生的階梯差的方式形成。因此，由內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14和第三陶瓷層16構(gòu)成了平坦的平面，能夠在內(nèi)層部10和外層部20之間、以及、在內(nèi)層部10中抑制分層的發(fā)生。
另外，第三陶瓷層16的成分量比R3大于第一陶瓷層12的成分量比R1。因此，形成在沒有形成有內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的區(qū)域上，并且?guī)缀醪皇軆?nèi)部電路元件導(dǎo)體14的影響的第三陶瓷層16也能夠在低的溫度下進(jìn)行燒結(jié)。因此，在層疊陶瓷電容器C1中能夠抑制在內(nèi)層部10內(nèi)的燒成不均勻。而且，其結(jié)果，能夠進(jìn)一步提高該層疊陶瓷電容器C1的可靠性。
在層疊陶瓷電容器C1中，相對(duì)于第二陶瓷層22的成分量比R2的第一陶瓷層12的成分量比R1的比例為0.5以上、不足1.0。當(dāng)成分量比的比例在該范圍內(nèi)時(shí)，能夠減小內(nèi)層部10和外層部20之間的縮率差。其結(jié)果，在層疊陶瓷電容器C1中抑制了裂縫的發(fā)生。另外，當(dāng)相對(duì)于第二陶瓷層22的成分量比R2的第一陶瓷層12的成分量比R1的比例在0.7以上、不足1.0的情況下，進(jìn)一步抑制了在層疊陶瓷電容器中的裂縫的發(fā)生。
在層疊陶瓷電容器中，對(duì)小型化和薄層化的要求較高。在層疊陶瓷電容器C1中，由于內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度為1.5μm以下，因此能夠?qū)崿F(xiàn)薄層化。而且，由此還能夠?qū)崿F(xiàn)層疊陶瓷電容器C1的小型化，進(jìn)一步還能實(shí)現(xiàn)多層化。
而且，在層疊陶瓷電容器C1中，第一陶瓷層12的厚度為內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14厚度的1.5倍以下。因此，能夠抑制層疊陶瓷電容器C1中的外層部20的過度燒結(jié)。也就是說，在內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度為1.5μm以下的情況下，如果第一陶瓷層12的厚度超過內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度的1.5倍，則第一陶瓷層12和內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14之間的距離將變大，對(duì)于第一陶瓷層12的內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的影響變小。因此，不會(huì)使第一陶瓷層12的燒結(jié)溫度實(shí)質(zhì)性地下降，而只降低第二陶瓷層22的燒結(jié)溫度。其結(jié)果，在層疊陶瓷電容器C1的燒成中發(fā)生只有外層部20被燒成過度的問題。
下面，為了證實(shí)能夠抑制燒成不均勻的事實(shí)，對(duì)研究實(shí)施方式所涉及的層疊陶瓷電容器的裂縫發(fā)生率((發(fā)生裂縫的樣品數(shù)/全部樣品數(shù))×100(％))和可靠性所得到的結(jié)果進(jìn)行說明。圖3中表示了將相對(duì)于第二陶瓷層的成分量比的第一陶瓷層的成分量比的比例，在0.4～1.1的范圍內(nèi)改變的情況下，層疊陶瓷電容器的裂縫發(fā)生率和可靠性。
在圖3中，裂縫發(fā)生率不足1％時(shí)用◎表示；1％以上、不足5％時(shí)用○表示；5％以上時(shí)用×表示。而且，可靠性良好時(shí)用○表示，較差時(shí)用×表示。圖3中的可靠性的結(jié)果是通過對(duì)80個(gè)層疊陶瓷電容器在85℃的溫度下施加1.5倍的額定電壓1000小時(shí)以上而得到的。
由圖3可知，在層疊陶瓷電容器中，當(dāng)相對(duì)于第二陶瓷層22的成分量比R2的第一陶瓷層12的成分量比R1的比例為0.5以上、不足1.0時(shí)，裂縫發(fā)生率較低，不足5％。而且可知，當(dāng)相對(duì)于第二陶瓷層22的成分量比R2的第一陶瓷層12的成分量比R1的比例為0.7以上、不足1.0時(shí)，裂縫發(fā)生率更低，不足1％。另外，可想而知，在這樣的裂縫發(fā)生率低、可靠性高的層疊陶瓷電容器中，燒成不均勻得到了抑制。
以上對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式。例如，在上述實(shí)施方式中表示了本發(fā)明適用于層疊陶瓷電容器的例子，但是，并不局限于此，本發(fā)明也可適用于感應(yīng)器、可變電阻、熱敏電阻等層疊型電子部件。
另外，內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的主要成分不局限于Ni，也可以是Cu。而且，也可不具有第三陶瓷層16。而且，相對(duì)于第二陶瓷層22的成分量比R2的第一陶瓷層12的成分量比R1的比例也可以不是0.5以上、不足1.0。
另外，內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14的厚度也可超過1.5μm。而且，第一陶瓷層12的厚度也可以超過內(nèi)部電路元件導(dǎo)體14厚度的1.5倍。
從上述的本發(fā)明很顯然地可知本發(fā)明可作各種方式的變更。這種變更不能被視為超出了本發(fā)明的宗旨和范圍，并且，這些對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說很顯然的變更被視為包括在本發(fā)明權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種層疊型電子部件，其特征在于具備交替層疊多個(gè)第一陶瓷層和多個(gè)內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的內(nèi)層部；和以挾持所述內(nèi)層部的方式分別層疊多個(gè)第二陶瓷層的一對(duì)外層部；所述第一和第二陶瓷層含有玻璃成分；相對(duì)于所述第二陶瓷層的主要成分的量的該第二陶瓷層所含有的玻璃成分的量的成分量比，大于相對(duì)于所述第一陶瓷層的主要成分的量的該第一陶瓷層所含有的玻璃成分的量的成分量比。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子部件，其特征在于所述內(nèi)層部具有第三陶瓷層，該第三陶瓷層與所述內(nèi)部電路元件導(dǎo)體位于相同的層，同時(shí)，在沒有形成所述內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的區(qū)域上，以吸收因該內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的厚度所產(chǎn)生的階梯差的方式形成；所述第三陶瓷層含有玻璃成分；相對(duì)于第三陶瓷層的主要成分的量的該第三陶瓷層所含有的玻璃成分的量的成分量比，大于所述第一陶瓷層的所述成分量比。
3.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子部件，其特征在于相對(duì)于所述第二陶瓷層的所述成分量比的所述第一陶瓷層的所述成分量比的比例為0.5以上，不足1.0。
4.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子部件，其特征在于所述內(nèi)部電路元件導(dǎo)體的厚度為1.5μm以下；同時(shí)，所述第一陶瓷層的厚度為所述內(nèi)部電路元件導(dǎo)體厚度的1.5倍以下。
5.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于具備交替層疊多個(gè)第一陶瓷層和多個(gè)內(nèi)部電極的內(nèi)層部；以挾持所述內(nèi)層部的方式分別層疊多個(gè)第二陶瓷層的一對(duì)外層部；所述第一和第二陶瓷層含有玻璃成分；相對(duì)于所述第二陶瓷層的主要成分的量的該第二陶瓷層所含有的玻璃成分的量的成分量比，大于相對(duì)于所述第一陶瓷層的主要成分的量的該第一陶瓷層所含有的玻璃成分的量的成分量比。
全文摘要
一種層疊陶瓷電容器具有內(nèi)層部和一對(duì)外層部。內(nèi)層部包含多個(gè)第一陶瓷層和多個(gè)內(nèi)部電路元件導(dǎo)體。多個(gè)第一陶瓷層和多個(gè)內(nèi)部電路元件導(dǎo)體交替層疊。第一和第二陶瓷層包含玻璃成分。對(duì)于第二陶瓷層的主要成分的量的該第二陶瓷層的玻璃成分的量的成分量比，大于對(duì)于第一陶瓷層的主要成分的量的該第一陶瓷層的玻璃成分的量的成分量比。
文檔編號(hào)H01G4/30GK1873863SQ200610084659
公開日2006年12月6日 申請(qǐng)日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月31日
發(fā)明者巖崎彰則, 小島達(dá)也, 外海透, 室澤尚吾, 政岡雷太郎, 阿部曉太朗, 山口晃 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社