專利名稱：半導體裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法，特別涉及可以消除由熱膨脹系數(shù)不同引起的變形及裂紋的問題、能可靠地進行電子功能部件間或電子功能部件與底部基板之間的電連接的半導體裝置及其制造方法。
背景技術：
在近年的半導體裝置的領域，盛行在一個封裝中層積多個裸片(電子功能部件)進行高密度化的技術。作為將這樣的多個裸片的電極和搭載有所述裸片的底部基板的電極之間連接起來進行安裝的方法，以往存在使用金線連接的引線接合安裝方式、使裸片向下翻轉(flip)并利用設置在其功能面上的突起進行連接的翻轉芯片封裝方式、或者經(jīng)由多層結構的裸片(堆疊)的突起進行連接的堆疊安裝方式等。這樣的安裝方式例如記載在日本特開平11-274375號公報。
此外，在上述文獻中，記載有下述內容，即，使用芯片焊接材料和底部填充材料等形成芯片，并且進行設定使基板、芯片焊接材料、底部填充材料以及密封樹脂材料等各熱膨脹系數(shù)及玻璃軟化溫度具有規(guī)定的關系，由此，可以降低由熱壓產(chǎn)生的應力，并消除在使用了軟釬料等的連接部分上由剝離及裂紋等引起的導通不良的問題。
在使用上述以往的安裝方式制造半導體裝置時，存在如下所示的技術問題。
由于如上所述的半導體裝置的匹配檢查容易受到電極間的線路阻抗的影響，所以需要在成品的狀態(tài)、即所有的裸片設置在規(guī)定的位置并且電連接的狀態(tài)下進行。因此，即使是例如僅在一部分裸片之間產(chǎn)生匹配不良的情況，也會被認定為所有的裸片、即作為成品的半導體裝置不能使用。此時，必須廢棄整個半導體裝置。因此，存在成品率低、制造成本易增加的技術問題。
關于這方面，如果可以僅交換發(fā)生了上述匹配不良的一部分的裸片，則由于不必廢棄其他的裸片等就可以，所以能夠防止浪費，從這點看，可以降低制造成本。
但是，僅將在使用引線接合、導電性粘接劑等而處于物理連接狀態(tài)下的裸片的一部分從其他裸片分離的作業(yè)十分繁瑣，相反還存在提高制造成本的技術問題。
此外，在上述文獻中，并沒有記載所有與滿足關于上述熱膨脹系數(shù)及玻璃軟化溫度的條件的材料、即基板、引線接合材料及底部填充材料、密封樹脂材料、導電性粘接劑等有關的具體例子。因此，記載在上述文獻中的發(fā)明雖然在理論上正確，但那樣的半導體裝置不能說是現(xiàn)實的裝置，實際上很難制造。

發(fā)明內容
本發(fā)明為了解決上述以往的技術問題，目的在于提供一種可以在制造工序中以接近現(xiàn)實的產(chǎn)品的狀態(tài)進行匹配檢查的半導體裝置。
此外，目的在于提供一種在制造工序中的檢查中判斷出匹配不良時可以容易地交換其他的新裸片(電子功能部件)的半導體裝置及其制造方法。
再者，目的在于提供一種半導體裝置，通過吸收由裸片和底部基板的熱膨脹系數(shù)的不同、或裸片之間的熱膨脹系數(shù)的不同引起的位置偏移，從而在電極的連接部分不產(chǎn)生剝離及裂紋的問題。
本發(fā)明的半導體裝置，具有電子功能部件，設置有多個電極；底部基板，在表面布線有多個圖形電極；以及插入物，具有設置在上下兩面相互導通連接的多個彈性觸點；上述電子功能部件的電極和上述底部基板的圖形電極經(jīng)上述插入物導通連接。
在本發(fā)明中，電極和彈性觸點不固定，是彈性觸點彈壓電極的結構。因此，即使因熱膨脹系數(shù)的不同導致例如彈性觸點和電極間的相對位置關系多少產(chǎn)生位置偏移的情況下，上述彈性觸點也可以一邊彈壓電極表面一邊滑動，所以，能夠維持兩者間的導通狀態(tài)。
在上述中，可以是，在上述電子功能部件的上面至少層積一個以上的電子功能部件，上層側的電子功能部件和下層側的電子功能部件之間經(jīng)上述插入物導通連接。
在上述結構中，可以始終確保上層側的電子功能部件的電極和下層側的電子功能部件的電極的導通。
例如，可以是以下結構上述插入物具有形成有多個貫通孔的絕緣性的基材和埋設在上述貫通孔內的導電體，上述彈性觸點設置在上述導電體的兩端面。
在上述中，上述基材優(yōu)選是硅或聚酰亞胺。
在上述機構中，可以使上述基材和電子功能部件以及底部基材的熱膨脹系數(shù)一致或者近似，因此可以減小電極的相對的位置偏移。
在上述中，設置在上述插入物的上面?zhèn)鹊膹椥杂|點彈壓上層側的電子功能部件的電極，并且，設置在上述插入物的下面?zhèn)鹊膹椥杂|點被下層側的電子功能部件的電極或上述底部基板的圖形電極彈壓。
此外，也可以是，上述電子功能部件和上述插入物之間、以及上述插入物和上述層積基板之間，用熱固化性或熱塑性的粘接部件固定。
在上述機構中，可以可靠地提高電極和彈性觸點之間的連接。
例如，上述彈性觸點是螺旋觸點或壓塑處理的金屬(Stressedmetal)。
也可以是在上述底部基板的下面設置外部連接電極的結構。
此外，本發(fā)明的半導體裝置的制造方法，第一工序，在層積了具有圖形電極的底部基板和具有電極的2個以上電子功能部件的各部件之間，安裝在兩面具有多個彈性觸點的插入物和熱固化性或熱塑性的粘接部件，通過上述彈性觸點，將上述圖形電極和上述電極之間、以及上述電極彼此之間暫時連接成導通狀態(tài)；第二工序，從外部輸入電信號，進行上述電子功能部件間的匹配檢查；第三工序，通過加熱，使用上述粘接部件將上述電子功能部件間及/或上述電子功能部件與上述底部基板之間進行粘接固定。
在上述中，也可以是，在上述第二工序中的上述匹配檢查不合格的情況下，在將上述某個電子功能部件交換成其它的新電子功能部件之后，進行上述第一工序。
在本發(fā)明中，即使因熱膨脹系數(shù)的不同而使彈性觸點和電極間的相對位置關系產(chǎn)生多少的位置偏移的情況下，上述彈性觸點也可以一邊彈壓電極的表面一邊滑動，所以可以使電極的連接部分不產(chǎn)生剝離及裂紋等問題，而始終維持兩者間的導通狀態(tài)。
此外，通過在制造過程中加入匹配檢查，可以避免在固定電子功能部件之前組裝匹配性事先不合適的電子功能部件。因此，可以提高作為成品的半導體裝置的成品率。


圖1是表示本發(fā)明的半導體裝置的實施方式的剖視圖。
圖2是將圖1的一部分放大表示的剖視圖。
圖3是將圖2局部放大表示的同時，表示本發(fā)明的第一實施方式的剖視圖。
圖4是表示產(chǎn)生了熱膨脹的狀態(tài)的與圖3同樣的局部放大圖。
圖5是表示作為本發(fā)明的第二實施方式使用了壓塑處理的金屬時的與圖3同樣的局部剖視圖。
圖6是表示在底部基板上交叉層積各電子功能部件和插入物的狀態(tài)的剖視圖。
圖7是表示作為本發(fā)明的制造方法的電子模塊的制造工序的流程圖。
具體實施例方式
圖1是表示本發(fā)明的半導體裝置的實施方式的剖視圖，圖2是將圖1的一部分放大表示的剖視圖，圖3是表示作為本發(fā)明的第一實施方式使用了螺旋觸點時的圖2的局部剖視圖，圖4是表示產(chǎn)生了熱膨脹的狀態(tài)的與圖3同樣的局部放大圖。
圖1所示的半導體裝置10表示一個封裝，在圖示Z2方向的最下部設置有底部基板11。上述半導體裝置10是在上述底部基板11上方的高度(Z)方向層積多個半導體裸片(以下稱為“裸片”)等電子功能部件12、13、14、15而形成的層積型半導體裝置。
如圖2所示，在上述電子功能部件12、13、14、15的上下兩面中的至少一個面，形成有電力供應用及信號輸入輸出用的多個電極16。形成有上述電極16的面是電子功能部件的功能面。
此外，作為上述電子功能部件12、13、14、15，也可以是其它的、例如按與上述裸片相同的大小形成的CSP(Chip ScalePackage晶片尺寸型封裝)。并且，使用樹脂制的密封部件(注射(mold)樹脂)18密封半導體裸片(以下稱為“裸片”)12、13、14、15的周圍。
上述底部基板11是通過交替層積例如玻璃纖維環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等絕緣層和導體層而形成的多層基板。在上述底部基板11的上面(表面)露出形成有多個圖形電極11a。此外，在上述底部基板11的下面(內面)以大致矩陣狀配設有例如由BGA(Ball GridArray球柵矩陣封裝)等形成的外部連接電極17。各個圖形電極11a和各個外部連接電極17經(jīng)由設置在上述多層基板內的導電層電導通連接。并且，在上述底部基板11上進行再布線，使在下面?zhèn)认噜彽纳鲜鐾獠窟B接電極17之間的間隙尺寸形成為比在上面?zhèn)认噜彽纳鲜鰣D形電極11a之間的間隙尺寸寬。
如圖1所示，在位于上層側的電子功能部件和位于其下層側的電子功能部件或底部基板11之間分別設置有插入物20(分別付與標記20A、20B、20C及20D表示)。即，位于最下層的上述底部基板11和位于其上層的電子功能部件12之間設置有插入物20A，在上述電子功能部件12和位于其上層的電子功能部件13之間設置有插入物20B。以下同樣地，在上述電子功能部件13和位于其上層的電子功能部件14之間設置有插入物20C，在上述電子功能部件14和位于其上層的電子功能部件15之間設置有插入物20D。
如圖2所示，該實施方式中示出的插入物20具有片狀基材21，該基材21使用具有與各電子功能部件及底部基板11相同的熱膨脹系數(shù)、或近似的熱膨脹系數(shù)的材料形成，在其上下兩面設置有多個彈性觸點30、30。此外，作為上述基材21，優(yōu)選例如硅、聚酰亞胺等。
如圖3所示的第一實施方式表示上述彈性觸點30是螺旋觸點的情況。該第一實施方式示出的插入物20具有在上述基材21的與上述圖形電極11a及電極16相對應的位置上形成的多個貫通孔21a，該貫通孔21a內埋設著例如由銅構成的導電體22。該實施方式中的上述導電體22為大致圓柱形狀，在這樣的導電體22的兩端面(上下兩面)設置有上述螺旋觸點31。
如圖3所示，螺旋觸點31具有安裝部32，在外周側的位置以規(guī)定的膜厚形成平面形狀來構成；彈性臂33，從該安裝部32一體延伸。彈性臂33與上述安裝部32的邊界部分是基端34，在俯視時頂端35位于螺旋圖形的大致中心點。上述螺旋觸點31的彈性臂33以在頂端35離開安裝部32的方向突出的狀態(tài)立體成形。因此，若對螺旋觸點31施加圖示Z方向的外力，則上述彈性臂33可以在圖示Z1及Z2方向彈性變形。這樣的螺旋觸點31中，上述安裝部32的下面通過導電性粘接劑等被固定在上述導電體22的端面。
此外，上述螺旋觸點31可以通過例如蝕刻法或電鍍法形成。在蝕刻法中，通過蝕刻薄板狀的銅膜來形成圖3所示的形狀，進而，在其表面實施鎳或鎳磷等加強電鍍。此外，也可以形成銅和鎳的層積體、或銅和鎳磷的層積體。在該結構中，主要是鎳或鎳磷發(fā)揮彈性功能，銅發(fā)揮降低電阻率的功能。
此外，螺旋觸點31可以通過電鍍銅層來形成，或者通過連續(xù)電鍍銅和鎳來層積成膜，或者通過連續(xù)電鍍銅和鎳磷來層積成膜。
如圖2及圖3所示，如底部基板11和插入物20A之間、及插入物20A和電子功能部件12之間那樣，用粘接部件25固定各插入物20和各電子功能部件之間。
該粘接部件25使用例如非導電性膜(NCF)或非導電性糊(NCP)等熱固化性或熱塑性的粘接膜或粘接糊等。此外，在上述粘接部件25是片狀的粘接膜的情況下，在上述膜的表面，與構成上述彈性觸點30的多個螺旋觸點31相對應地形成有多個貫通孔。
因此，上述螺旋觸點31處于收縮的狀態(tài)，上述頂端35作為觸點總是彈壓上述電極16。即，隔著上述插入物20B相對置的下層側的電子功能部件12的各個電極16和上層側的電子功能部件13的各個電極16，通過在上述插入物20的上面?zhèn)仍O置的螺旋觸點31、在下面?zhèn)仍O置的螺旋觸點31和在它們之間設置的導電體22分別導通連接。
如上所述，上述基材21、各電子功能部件及底部基板11由具有相同或相似的熱膨脹系數(shù)的材料形成。因此，例如圖4所示，即使包圍半導體裝置10的環(huán)境溫度變化，在各電子功能部件、插入物20及底部基板11等產(chǎn)生變形，上述圖形電極11a相對于上述螺旋觸點31的位置關系、及電極16相對于上述螺旋觸點31的位置關系產(chǎn)生相對的位置偏移，上述螺旋觸點31的頂端35也可以在上述位置偏移之后的上述圖形電極11a和電極16的表面滑動，并且在滑動后也可以繼續(xù)彈壓。因此，可以始終維持下層側的電子功能部件12的電極16和上層側的電子功能部件13的電極16之間的導通連接。即，上述螺旋觸點31可以吸收因熱膨脹系數(shù)不同引起的位置偏移，避免由于容易在電極連接部分產(chǎn)生的剝離及裂紋等引起的導通不良的問題。
此外，上述關系在底部基板11、插入物20A、電子功能部件12之間也相同。
接著，參照圖5說明本發(fā)明的第二實施方式。
圖5是表示作為本發(fā)明的第二實施方式使用了壓塑處理的金屬時的與圖3同樣的局部剖視圖。
圖5所示的第二實施方式示出作為上述彈性觸點30使用了所謂壓塑處理的金屬40的情況，其他的結構和上述第一實施方式相同。
上述壓塑處理的金屬40由撓曲變形的導電性觸點部件41構成。上述觸點部件41具有固定部41a和彈性變形部41b構成。上述固定部41a的一個面上形成有犧牲層42。上述犧牲層42可以是導電性，也可以是絕緣性。例如，上述犧牲層42可以由混合了Ti、導電填充物的樹脂層等形成。
上述觸點部件41的表面被例如由Au等構成的導電性的金屬保護膜(圖中未示)覆蓋。上述金屬保護膜是例如電鍍形成的膜，在上述固定部41a上形成的金屬保護膜具有與上述導電體22端面的粘接層的功能，例如通過超聲波焊接等，上述觸點部件41的固定部41a的下面(背面)經(jīng)上述金屬保護膜被牢固地粘接在上述導電體22的端面。
如圖5所示，上述彈性變形部41b向上述固定部41a的高度方向呈彎曲狀撓曲變形。即，上述彈性變形部41b向從上述導電體22的端面離開的方向撓曲。因此，上述壓塑處理的金屬40處于以上述固定部41a側為支點、自由端側的彈性變形部41b可在圖示Z方向彈性變形的狀態(tài)。
通過在規(guī)定的制造過程中向內部的各個位置付與不同的內部應力，來實現(xiàn)上述彈性變形部41b的撓曲。即，設置在上述插入物20的上部側的壓塑處理的金屬40A上，向上述彈性變形部41b的一個面(上面)側付與壓縮應力，向另一個面(下面)側賦予拉伸應力。此外，設置在上述插入物20的下部側的壓塑處理的金屬40B上，向上述彈性變形部41b的一個面(下面)側付于壓縮應力，向另一個面(上面)側付與拉伸應力。
其結果，在上部側的壓塑處理的金屬40A，上述彈性變形部41b朝圖示的上方向撓曲變形，在下部側的壓塑處理的金屬40B，上述彈性變形部41b朝圖示的下方向撓曲變形。
如圖5所示，利用例如由NCF、NCP等熱固化性或熱塑性的粘接膜或粘接糊等構成的粘接部件25，固定底部基板11和插入物20A之間、以及插入物20A和電子功能部件12之間。
若上述粘接部件25固化，則上述底部基板11和插入物20A之間的對置距離、及插入物20A和電子功能部件12之間的對置距離，同固化前的狀態(tài)相比縮小。因此，上述上層側的電子功能部件13的電極16在圖示Z2方向對壓塑處理的金屬40A的頂端加壓，從而上述壓塑處理的金屬40A向下方彈性變形。同樣地，上述下層側的電子功能部件12的電極16在圖示Z1方向對壓塑處理的金屬40B的頂端加壓，所以，上述壓塑處理的金屬40B向上方彈性變形。
因此，在設于上述上層側的電子功能部件13的電極16和設于下層側的電子功能部件12的電極16之間，可以經(jīng)上述壓塑處理的金屬40A、導電體22及上述壓塑處理的金屬40B導通連接。
在該實施方式中，壓塑處理的金屬40A、壓塑處理的金屬40B的頂端也總是彈壓上述電極16、16。因此，與上述同樣地，即使環(huán)境溫度的變化等導致在各電子功能部件、插入物20或底部基板11產(chǎn)生變形，上述壓塑處理的金屬40和上述電極16之間的相對位置關系產(chǎn)生位置偏移的情況下，上述壓塑處理的金屬40的頂端也可以在上述電極16的表面滑動，并且可以繼續(xù)彈壓位置偏移之后的上述電極16。因此，可以始終維持下層側的電子功能部件12的電極16和上層側的電子功能部件13的電極16之間的導通狀態(tài)。由此，與上述同樣地，上述壓塑處理的金屬40吸收因熱膨脹系數(shù)的不同引起的位置偏移，可以避免由于容易在電極連接部分產(chǎn)生的剝離及裂紋等引起的導通不良的問題。上述關系在底部基板11、插入物20A、電子功能部件12之間也相同。
接著，參照圖6及圖7，來說明使用如上所述的彈性觸點進行的半導體裝置的制造方法及檢查方法。
圖6是表示在底部基板上交替層積各個電子功能部件和插入物的狀態(tài)的剖視圖，圖7是表示作為本發(fā)明的制造方法的電子模塊的制造工序的流程圖。
首先，在第一工序中，將構成作為檢查對象的半導體裝置的一組電子功能部件12、13、14、15和插入物20A、20B、20C、20D以各自的順序交替地組合安裝在上述底部基板11上。此時，各插入物20A、20B、20C、20D和電子功能部件12、13、14、15之間，以及各插入物20A和底部基板11之間設置有固化前的粘接部件25。
在圖6中，上述電子功能部件12、13、14、15、插入物20A、20B、20C、20D以及粘接部件25以規(guī)定順序交替地層積著。在設置于最上層的電子功能部件15上加載了圖示Z2方向的負載，構成半導體裝置10的各部件處于臨時固定的狀態(tài)。因此，在上述各插入物20A、20B、20C、20D上設置的彈性部件30彈壓設置在上述底部基板11上的圖形電極11a及各電子功能部件的電極16，上層側的電子功能部件的電極16和下層側的電子功能部件的電極16或底部基板11的圖形電極11a之間處于導通連接的狀態(tài)。
此外，如上所述地臨時固定各部件時，可以通過使用例如接合器等專用的保持部件容易地進行。
在第二工序中，通過從外部對設置在上述底部基板11下面的多個外部連接電極17分別提供電力及各種電信號，進行構成半導體裝置10的一組電子功能部件12、13、14及15間的匹配檢查等。此外，匹配檢查包括例如導通檢查、阻抗匹配檢查、端子間的導通電阻測量檢查或者泄漏電流等各種檢查。
在第三工序中，檢查合格的半導體裝置10進入加熱工序，在規(guī)定溫度中加熱規(guī)定時間。此時，由于各粘接部件25的熱固化，上述底部基板11和插入物20A之間、以及各電子功能部件12、13、14、15和各插入物20B、20C、20D之間分別被固定。此時，由于粘接部件25熱收縮，從而使上述彈性觸點30收縮，所以維持著上述電極16及圖形電極11a和上述彈性觸點30的前端之間的導通狀態(tài)。
此外，在上述粘接部件25是由熱塑性樹脂材料構成的粘接劑的情況下，在加熱后達到常溫狀態(tài)的期間，上述粘接部件25熱收縮。因此，上述底部基板11和插入物20A之間、以及各插入物和各電子功能部件之間的對置距離縮小，從而與上述相同地，將電子功能部件的各個電極16和上述彈性觸點30設定為始終相互接觸的良好的連接狀態(tài)。
再者，半導體裝置10在第四工序中通過利用密封部件18對其整體進行樹脂注射(mold)來完成各個產(chǎn)品。并且，通過這樣的制造工序所制造的半導體裝置10如上所述在匹配檢查中合格，所以作為優(yōu)良芯片(KGDKnow Good Die)出廠。
另一方面，在上述第二工序中不合格的情況下，返回上述第一工序，從上述一組電子部件中例如取下電子功能部件15而交換為新的其它電子功能部件15之后，經(jīng)過上述第一工序，在第二工序中再次進行匹配檢查。
然后，在由新的一組電子功能部件構成的半導體裝置10在該再檢查中合格的情況下，在上述第三工序中，各電子功能部件12、13、14、15經(jīng)上述粘接部件25同插入物20A、20B、20C、20D及底部基板11固定在一起，進而，在第四工序中進行樹脂注射。此外，由于此時被交換的電子功能部件15是不合格品的概率高，所以被廢棄。或者也可以進入更詳細的檢查工序。
此外，在上述再次檢查中也不合格的情況下，由于其它電子功能部件12、13或14中的某一個是不合格品的概率高，所以例如取下電子功能部件14并安裝新的其它電子功能部件14來代替其，進行上述同樣的檢查。然后，在新的半導體裝置10在再次檢查中合格的情況下，與上述同樣地，在第三工序中加熱固定，進而在第四工序中進行樹脂注射。
這樣，在本申請的發(fā)明中，可以在半導體裝置的制造過程中進行組裝電子功能部件的狀態(tài)下的匹配檢查。其結果，可以預先避免不相匹配的電子功能部件之間的組合，所以可提高半導體裝置10的成品率(從由生產(chǎn)線生產(chǎn)的產(chǎn)品中除去不合格產(chǎn)品的比例)。
此外，即使在與某電子功能部件的組合時被判斷為不合格的情況下，也可以對與其它電子功能部件的組裝時成為合格品的可能性進行檢查。因此，最終僅廢棄被判斷為不合格品的電子功能部件，可以減少被廢棄的電子功能部件的數(shù)量，因此也可以提高電子功能部件的成品率。
此外，在上述實施方式中，例示說明了將螺旋觸點31和壓塑處理的金屬40作為彈性觸點30，但本發(fā)明并不限定于此。例如也可以是在覆蓋表面的金屬膜的背面粘貼由橡膠、人造橡膠等構成的彈性體的膜片型彈性觸點，成為觸點的前端部彎曲形成大致U字形狀、且整體可彈性變形的彈簧銷(接觸銷)、探頭(參照日本特開2002-357622)或者竹簧等。
權利要求
1.一種半導體裝置，其特征在于，具有電子功能部件，設置有多個電極；底部基板，在表面布線有多個圖形電極；以及插入物，具有設置在上下兩面且相互導通連接的多個彈性觸點；上述電子功能部件的電極和上述底部基板的圖形電極經(jīng)上述插入物導通連接。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在上述電子功能部件的上面至少層積一個以上的電子功能部件，上層側的電子功能部件和下層側的電子功能部件之間經(jīng)上述插入物導通連接。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述插入物具有形成有多個貫通孔的絕緣性基材和埋設在上述貫通孔內的導電體，上述彈性觸點設置在上述導電體的兩端面。
4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，上述基材是硅或聚酰亞胺。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，設置在上述插入物的上面?zhèn)鹊膹椥杂|點彈壓上層側的電子功能部件的電極，并且，設置在上述插入物的下面?zhèn)鹊膹椥杂|點被上述底部基板的圖形電極彈壓。
6.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，設置在上述插入物的上面?zhèn)鹊膹椥杂|點彈壓上層側的電子功能部件的電極，并且，設置在上述插入物的下面?zhèn)鹊膹椥杂|點被下層側的電子功能部件的電極彈壓。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述電子功能部件和上述插入物之間、以及上述插入物和上述底部基板之間用熱固化性或熱塑性的粘接部件固定。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述彈性觸點是螺旋觸點或壓塑處理的金屬。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在上述底部基板的下面設有外部連接電極。
10.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有第一工序，在層積了具有圖形電極的底部基板和具有電極的2個以上電子功能部件的各部件之間，安裝在兩面具有多個彈性觸點的插入物和熱固化性或熱塑性的粘接部件，通過上述彈性觸點，將上述圖形電極和上述電極之間、以及上述電極彼此之間暫時連接成導通狀態(tài)；第二工序，從外部輸入電信號，進行上述電子功能部件間的匹配檢查；第三工序，通過加熱，使用上述粘接部件將上述電子功能部件間及/或上述電子功能部件與上述底部基板之間進行粘接固定。
11.如權利要求10所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在上述第二工序中的上述匹配檢查不合格的情況下，在將上述某個電子功能部件交換成其它的新電子功能部件之后，進行上述第一工序。
全文摘要
一種半導體裝置，吸收由電子功能部件和底部基板之間、或電子功能部件間的熱膨脹系數(shù)的不同引起的位置偏移，在電極連接部分不會產(chǎn)生剝離和裂紋。即使因熱膨脹系數(shù)的不同而產(chǎn)生電子功能部件(12)和電子功能部件(13)的變形量不同，且電子功能部件(12)側的電極(16)和電子功能部件(13)側的電極(16)的相對位置關系產(chǎn)生位置偏移，設在插入物(20)的上下方的彈性觸點(30、30)也會彈壓位置偏移后的電極(16、16)。插入物(20)吸收由熱膨脹系數(shù)的不同引起的位置偏移，始終維持電子功能部件(12)側的電極(16)和電子功能部件(13)側的電極(16)的導通連接狀態(tài)，可防止在電極連接部分產(chǎn)生的剝離及裂紋。
文檔編號H01L23/48GK1866629SQ20061008476
公開日2006年11月22日 申請日期2006年5月18日 優(yōu)先權日2005年5月18日
發(fā)明者添田薰, 高井大輔 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社