專利名稱：液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，尤其涉及一種LCD器件的陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
LCD器件一般使用液晶分子的光學(xué)各向異性和偏振特性來顯示圖像。液晶分子具有由薄的和長(zhǎng)的形狀所導(dǎo)致的確定的取向和排列順序。通過向液晶分子施加電場(chǎng)來控制液晶分子的排列方向。隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的改變，液晶分子的排列也隨之改變。因?yàn)橛捎谂帕械囊壕Х肿拥墓鈱W(xué)各向異性，經(jīng)液晶的入射光根據(jù)液晶分子的取向而折射，所以可控制入射光的強(qiáng)度，并顯示圖像。
有源矩陣LCD(AM-LCD)器件是通常所使用的LCD器件。AM-LCD器件具有呈矩陣設(shè)置的多個(gè)薄膜晶體管(TFT)和與多個(gè)TFT連接的電極。AM-LCD器件因其高分辨率和在顯示動(dòng)態(tài)圖像方面的優(yōu)越性，而得到發(fā)展。
圖1是依照現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件的透視示意圖。在圖1中LCD器件包括第一基板81、面對(duì)第一基板81的第二基板11和置于其間的液晶層70。
濾色片層89包括形成在第一基板81內(nèi)表面上的紅色、綠色和藍(lán)色子濾色片89a，89b和89c，形成在相鄰紅色、綠色和藍(lán)色子濾色片89a，89b和89c之間的黑色矩陣85，和在濾色片層89和黑色矩陣85上的透明公共電極92。
在第二基板11上形成有像素電極65、開關(guān)元件“Tr”和陣列線。開關(guān)元件“Tr”例如是以矩陣排列設(shè)置并與彼此交叉的柵線15和數(shù)據(jù)線40連接的的薄膜晶體管(TFT)。在柵線15和數(shù)據(jù)線40的交叉部處確定了像素區(qū)域P。像素電極65由設(shè)置在像素區(qū)域“P”中的透明導(dǎo)電材料形成。
實(shí)質(zhì)上，黑色矩陣85對(duì)應(yīng)于非像素區(qū)域(未示出)。
給液晶層70施加電壓，從而賦予液晶層70電光效應(yīng)。該電光效應(yīng)驅(qū)動(dòng)LCD器件。因?yàn)橐壕?0由具有電介質(zhì)各向異性和自發(fā)偏振的材料形成，所以由于當(dāng)施加電壓時(shí)產(chǎn)生的自發(fā)偏振，在液晶層70中形成了偶極子。因而，液晶分子的排列方向根據(jù)由施加電壓導(dǎo)致的電場(chǎng)方向而改變。LCD器件的光學(xué)特性依賴于液晶分子的排列順序。排列順序?qū)е铝穗姽庹{(diào)制。LCD器件通過使用電光調(diào)制通過遮蔽或透光來顯示圖像。
在第一和第二基板81和11的外側(cè)分別設(shè)置有透射平行于偏振軸的光的第一和第二偏振器(未示出)。背光單元(未示出)用作光源，并設(shè)置在一個(gè)偏振器下面。
圖2是顯示依照現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的陣列基板的平面示意圖。圖3是沿圖2中的線III-III的截面示意圖。
在圖2和3中，柵線15和數(shù)據(jù)線40彼此交叉來確定像素區(qū)域“P”，開關(guān)元件TFT“Tr”設(shè)置在柵線15和數(shù)據(jù)線40的交點(diǎn)處。分別從外部電路(未示出)將掃描信號(hào)和圖像信號(hào)供給到柵線15和數(shù)據(jù)線40。TFT“Tr”與柵線15、數(shù)據(jù)線40和像素區(qū)域“P”中的像素電極65連接。
TFT“Tr”包括柵極18、半導(dǎo)體層35、和源極43和漏極46。半導(dǎo)體層35包括有源層35a和歐姆接觸層35b。柵極18與柵線15連接。源極43和漏極46形成為與柵極18交迭，并彼此分隔開。部分半導(dǎo)體層35占據(jù)了源極43和漏極46之間的空間。源極43與數(shù)據(jù)線40連接，漏極46與像素電極65連接。
柵線15被歸類為第(n-1)條柵線。因而，第n條柵線與第(n-1)條柵線相鄰。第(n-1)條柵線具有寬度W1。第n個(gè)存儲(chǔ)電容器“Cst”(第n個(gè)Cst)包括占據(jù)第(n-1)條柵線15一部分的第一存儲(chǔ)電極20和從像素電極65延伸的與第一存儲(chǔ)電極20交迭的第二存儲(chǔ)電極66。
下面將解釋現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的截面結(jié)構(gòu)。在基板11上形成有柵極18、柵線15和從柵線15延伸的第一存儲(chǔ)電極20。在柵極18、柵線15和第一存儲(chǔ)電極20上形成有柵絕緣層30。
TFT“Tr”形成在置于柵極18上的柵絕緣層30上。鈍化層55形成在TFT“Tr”上并具有暴露部分漏極46的漏極接觸孔60。在鈍化層55上形成有像素電極65和從像素電極65延伸的第二存儲(chǔ)電極66。像素電極55通過漏極接觸孔60與漏極46連接。此外，第二存儲(chǔ)電極66設(shè)置在第一存儲(chǔ)電極20上。其間具有柵絕緣層30和鈍化層55的第一存儲(chǔ)電極20和第二存儲(chǔ)電極66是組成存儲(chǔ)電容器“Cst”的電介質(zhì)構(gòu)造。
存儲(chǔ)電容器“Cst”給像素電極65提供預(yù)定時(shí)間周期的預(yù)定電壓。因此，為了將像素電極65處的預(yù)定電壓保持預(yù)定的時(shí)間周期，存儲(chǔ)電容器“Cst”必須具有對(duì)應(yīng)于預(yù)定電壓的電容“C”。
存儲(chǔ)電容器“Cst”的電容“C”如下表示①-----C＝ε×A/d在上面的方程①中，“C”是電容，“ε”是第一和第二存儲(chǔ)電極之間的介電常數(shù)，“A”是第一和第二電極的尺寸，“d”是第一和第二電極之間的距離。
根據(jù)上面的方程①，電容“C”與第一和第二存儲(chǔ)電極的尺寸“A”和第一和第二存儲(chǔ)電極之間的介電常數(shù)“ε”成正比。電容“C”還與第一和第二電極之間的距離“d”成反比。因而，隨著第一和第二存儲(chǔ)電極的尺寸“A”和第一和第二存儲(chǔ)電極之間的介電常數(shù)“ε”增加，以及第一和第二電極之間的距離“d”減小，存儲(chǔ)電容器“Cst”可獲得較大的電容“C”。
因此，因?yàn)殡S著存儲(chǔ)電極的尺寸“A”增加存儲(chǔ)電容器“Cst”可獲得較大的電容“C”，所以具有第一存儲(chǔ)電極20的柵線15應(yīng)具有適當(dāng)?shù)膶挾龋瑥亩m應(yīng)存儲(chǔ)電容器“Cst”的電容“C”。
然而，當(dāng)為了適應(yīng)增加的電容“C”，增加?xùn)啪€15的寬度“W1”時(shí)，LCD器件的孔徑比減小了。因而，也減小了LCD器件的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件的陣列基板及其制造方法，其基本能克服由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種LCD器件的陣列基板，其包括在不增加存儲(chǔ)電容器尺寸的情況下具有增加的電容的存儲(chǔ)電容器。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種LCD器件的陣列基板，其包括具有增加的電容和提高的孔徑比的存儲(chǔ)電容器。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種制造LCD器件的陣列基板的方法，其包括在不增加第一和第二存儲(chǔ)電極尺寸的情況下形成具有增加的電容的存儲(chǔ)電容器。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種制造LCD器件的陣列基板的方法，其包括形成具有增加的電容和提高的孔徑比的存儲(chǔ)電容器。
本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種獲得較高亮度的LCD器件的陣列基板及其制造方法。
將在下面的描述中列出本發(fā)明附加的特征和優(yōu)點(diǎn)，根據(jù)下面的描述，部分是顯而易見的，或可通過本發(fā)明的實(shí)踐而理解。通過在所寫說明書和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它的優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體化和廣泛描述的，液晶顯示器件的陣列基板包括在基板上的柵線和第一存儲(chǔ)電極；在柵線和第一存儲(chǔ)電極上的柵絕緣層；在柵絕緣層上的數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵線交叉，從而確定了像素區(qū)域；在數(shù)據(jù)線上的鈍化層，其中第一存儲(chǔ)電極上的鈍化層和柵絕緣層的第一厚度比柵線上的鈍化層和柵絕緣層的第二厚度??；以及在鈍化層上的像素電極和第二存儲(chǔ)電極，第二存儲(chǔ)電極從像素電極延伸并與第一存儲(chǔ)電極交迭。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，液晶顯示器件的陣列基板包括在基板上的柵線；與柵線交叉的數(shù)據(jù)線；與柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；與薄膜晶體管連接的像素電極，像素電極在交迭區(qū)域中與柵線交迭；以及在柵線與像素電極之間的絕緣層，其中與交迭區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層的第一厚度比與交迭區(qū)域之外的其他區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層的第二厚度薄。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面中，制造液晶顯示器件的陣列基板的方法，包括在基板上形成柵線和第一存儲(chǔ)電極；在柵線和第一存儲(chǔ)電極上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵線交叉，從而確定了像素區(qū)域；形成與柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成鈍化層，其中第一存儲(chǔ)電極上的鈍化層和柵絕緣層的第一厚度比柵線上的鈍化層和柵絕緣層的第二厚度??；以及在鈍化層上形成像素電極和第二存儲(chǔ)電極，第二存儲(chǔ)電極從像素電極延伸并與第一存儲(chǔ)電極交迭。
應(yīng)當(dāng)理解，前面一般的描述和下面詳細(xì)的描述都是示范性的和解釋性的，意在提供如權(quán)利要求所述的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成說明書一部分的附解了本發(fā)明的實(shí)施方案并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是依照現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示器件的透視示意圖；圖2是顯示依照現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的陣列基板的平面示意圖；圖3是沿圖2中的線III-III的截面示意圖；圖4是顯示依照本發(fā)明實(shí)施方案的LCD器件的陣列基板的平面示意圖；圖5是沿圖4中的線V-V的截面示意圖；圖6A，6B，6C，6D，6E，6F，6G和6H是沿圖4的線V-V的截面示意圖，圖解了依照本發(fā)明實(shí)施方案制造LCD器件的陣列基板的方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，附圖中圖解了它們的實(shí)施例。
圖4是顯示依照本發(fā)明實(shí)施方案的LCD器件的陣列基板的平面示意圖。
圖5是沿圖4中的線V-V的截面示意圖。
在圖4和5中，沿第一方向形成柵線115，沿與第一方向交叉的第二方向形成數(shù)據(jù)線140，從而確定像素區(qū)域“P”。在柵線和數(shù)據(jù)線115和140的交點(diǎn)處形成薄膜晶體管“Tr”。在像素區(qū)域“P”中形成像素電極165并將其與薄膜晶體管“Tr”連接。
此外，第一存儲(chǔ)電極120占據(jù)了一部分柵線115。第二存儲(chǔ)電極166從像素電極165延伸，從而與第一存儲(chǔ)電極120交迭。
下面將解釋陣列基板的截面結(jié)構(gòu)。在基板110上形成有柵極118和第一存儲(chǔ)電極120，在柵極118和第一存儲(chǔ)電極120上形成有柵絕緣層125。在柵極118上的柵絕緣層125上形成半導(dǎo)體層135，其包括有源層135a和有源層135a上的歐姆接觸層135b。在半導(dǎo)體層135上形成有源極143和與源極143分隔開的漏極146。部分半導(dǎo)體層135占據(jù)了源極143和漏極146之間的空間。柵極118、半導(dǎo)體層135、源極143和漏極146組成了用作開關(guān)元件的薄膜晶體管“Tr”。在第一存儲(chǔ)電極120上的薄膜晶體管“Tr”和柵絕緣層125上形成鈍化層155。鈍化層155具有暴露部分漏極146的漏極接觸孔160。在鈍化層155上形成有像素電極165和從像素電極165延伸的第二存儲(chǔ)電極166。像素電極166通過漏極接觸孔160與漏極146連接。
其間包含柵絕緣層125和鈍化層155的第一存儲(chǔ)電極120和第二存儲(chǔ)電極166是組成存儲(chǔ)電容器“Cst”的電介質(zhì)構(gòu)造。
注意到，與存儲(chǔ)電容器“Cst”對(duì)應(yīng)的鈍化層155的第一厚度“t1”比與薄膜晶體管“Tr”對(duì)應(yīng)的鈍化層155的第二厚度“t2”和對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容器“Cst”的其他部分薄。
存儲(chǔ)電容器“Cst”的電容“C”如下表示①-----C＝ε×A/d在上面的方程①中，“C”是電容，“ε”是第一和第二存儲(chǔ)電極之間的介電常數(shù)，“A”是第一和第二電極的尺寸，“d”是第一和第二電極之間的距離。
就是說，存儲(chǔ)電容器“Cst”的電容“C”與第一存儲(chǔ)電極120和第二存儲(chǔ)電極166之間的距離“d”成反比。因此，盡管柵線115具有比圖2的柵線15的寬度“W1”小的寬度“W2”，但存儲(chǔ)電容器“Cst”的電容“C”沒有減小。因而，在沒有減小存儲(chǔ)電容器“Cst”的電容“C”的情況下提高了LCD器件的孔徑比。
為了減小第一存儲(chǔ)電極120和第二存儲(chǔ)電極166之間的距離“d”，鈍化層155具有暴露對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容器“Cst”的一部分柵絕緣層125的開口部分(未示出)。
例如，通過四個(gè)掩模工序形成陣列基板，從而通過一個(gè)掩模工序形成半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線。因此，半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)圖案(數(shù)據(jù)線、源極和漏極)具有彼此對(duì)應(yīng)的形狀。
圖6A到6H是沿圖的線V-V的截面示意圖，圖解了依照本發(fā)明實(shí)施方案制造LCD器件的陣列基板的方法。
在圖6A中，通過光刻工藝在基板110上沉積第一金屬材料層來形成柵極118、柵線115、和從柵線115延伸的第一存儲(chǔ)電極120。第一存儲(chǔ)電極120占據(jù)了柵線115的一部分。
盡管沒有示出，但光刻工藝包括涂覆光刻膠層并曝光和顯影光刻膠層，從而形成用作蝕刻金屬材料層掩模的光刻膠圖案。在蝕刻金屬材料層之后，去除光刻膠圖案。
柵焊盤(未示出)從柵線115的端部延伸。
在圖6B中，在包括柵極118、柵線115和第一存儲(chǔ)電極120的基板110整個(gè)表面上順序形成柵絕緣層125、本征非晶硅層127、摻雜的非晶硅層129、和第二金屬材料層131。柵絕緣層125包括無機(jī)絕緣材料，如硅氧化物(SiOX)或硅氮化物(SiNX)。
接下來，在第二金屬材料層131上涂覆光刻膠層180。在光刻膠層180上設(shè)置具有透射區(qū)域“TA”、阻擋區(qū)域“BA”和部分透射區(qū)域的第一掩模190。部分透射區(qū)域?yàn)榘胪干鋮^(qū)域“HTA”。
光刻膠層180包括負(fù)型或正型光刻膠材料。第一掩模190的透射區(qū)域“TA”設(shè)置成與薄膜晶體管形成區(qū)域“TrA”對(duì)應(yīng)，半透射區(qū)域“HTA”設(shè)置成與柵極118上的溝道形成區(qū)域“CHR”對(duì)應(yīng)。
在圖6C中，通過使用第一掩模190蝕刻并顯影光刻膠層180形成第一光刻膠圖案181。接下來，蝕刻通過第一光刻膠圖案181暴露的柵絕緣層125、本征非晶硅層127、摻雜的非晶硅層129和第二金屬材料層131的一部分。
在該步驟中，移除對(duì)應(yīng)于阻擋區(qū)域“BA”的光刻膠層180部分，從而暴露下面的第二金屬層131。部分蝕刻與半透射區(qū)域“HTA”對(duì)應(yīng)的部分。因此，溝道形成區(qū)域“CHR”中的第一光刻膠圖案181的第一厚度“t1”比通過透射區(qū)域“TR”曝光的第一光刻膠圖案181的第二厚度“t2”薄。
在圖6D中，通過第一厚度“t1”蝕刻第一光刻膠圖案181，從而暴露溝道形成區(qū)域“CHR”中的第二金屬材料層131，然后第一光刻膠層具有第三厚度“t3”?？赏ㄟ^各向異性干刻工序蝕刻第一光刻膠圖案181。
然后，連續(xù)蝕刻暴露的第二金屬材料層131和暴露的摻雜的非晶硅層129，從而暴露溝道形成區(qū)域“CHR”中的部分本征非晶硅層127。本征非晶硅層127的暴露部分定義為溝道區(qū)域“ch”。
在該步驟中，將本征非晶硅層127、摻雜的非晶硅層129和第二金屬材料層131分別構(gòu)圖成有源層135a、歐姆接觸層135b、源極143和漏極146。有源層135a和歐姆接觸層135b組成了半導(dǎo)體層135。然后從基板110移除第一光刻膠圖案181。
此外，因?yàn)橥ㄟ^與數(shù)據(jù)圖案，即數(shù)據(jù)線140、源極143和漏極140相同的工序形成半導(dǎo)體層135，所以第一和第二半導(dǎo)體層133a和133b分別從有源層135a和歐姆接觸層135b連續(xù)延伸。第一和第二半導(dǎo)體層133a和133b具有與數(shù)據(jù)線140對(duì)應(yīng)的形狀。
柵焊盤數(shù)據(jù)焊盤(未示出)從數(shù)據(jù)線140的端部延伸。
柵極118、半導(dǎo)體層135、源極143和漏極146組成了薄膜晶體管“Tr”。
在圖6E中，在包含薄膜晶體管“Tr”的基板11O的整個(gè)表面上連續(xù)形成絕緣層153和光刻膠層183。
通過在基板110整個(gè)表面上以均勻的厚度沉積有機(jī)絕緣材料或涂覆無機(jī)絕緣材料而形成絕緣層153。無機(jī)絕緣材料包括硅氧化物(SiOX)或硅氮化物(SiNX)。
然后，在光刻膠層183上設(shè)置第二掩模193，其包括透射區(qū)域“TA”、阻擋區(qū)域“BA”和部分透射區(qū)域。部分透射區(qū)域?yàn)榘胪干鋮^(qū)域HTA。光刻膠層183包括負(fù)型或正型光刻膠材料。第二掩模193的阻擋區(qū)域“BA”設(shè)置在部分漏極146上，半透射區(qū)域“HTA”設(shè)置在第一存儲(chǔ)電極120上。
在圖6F中，將光刻膠層183構(gòu)圖為第二光刻膠圖案185，從而預(yù)留(pre-drain)暴露漏極146上部分絕緣層153的接觸孔(未示出)。第二光刻膠圖案185具有第一厚度“tt1”和比第一厚度“tt1”薄的第二厚度“tt2”。第二光刻膠圖案185的第二厚度“tt2”對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電極120。
將絕緣層153構(gòu)圖為具有暴露部分漏極146的漏極接觸孔160的鈍化層155。
在圖6G中，通過第二厚度“tt2”蝕刻第二光刻膠圖案185，從而暴露第一存儲(chǔ)電極120上的部分鈍化層155。
然后，蝕刻第一存儲(chǔ)電極120上的鈍化層155，從而減小第一存儲(chǔ)電極120上的鈍化層155的厚度。
在該步驟中，漏極接觸孔160中的部分漏極146是蝕刻阻止層。因此，鈍化層155具有兩個(gè)不同的厚度。
鈍化層155具有第一厚度“ttt1”和比第一厚度“ttt1”薄的第二厚度“ttt2”。鈍化層155在第一存儲(chǔ)電極120上具有第二厚度“ttt2”。鈍化層155具有暴露第一存儲(chǔ)電極120上部分柵絕緣層125的開口部分(未示出)。
鈍化層155包括分別暴露部分柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的柵焊盤接觸孔(未示出)和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔(未示出)。
在圖6H中，在鈍化層155上通過沉積透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成像素電極165和從像素電極165延伸的第二存儲(chǔ)電極166。
像素電極165通過漏極接觸孔160與漏極146連接，第二存儲(chǔ)電極166與第一存儲(chǔ)電極120交迭。
其間具有柵絕緣層125和鈍化層155的第一存儲(chǔ)電極120和第二存儲(chǔ)電極166是組成存儲(chǔ)電容器“Cst”的電介質(zhì)構(gòu)造。
對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容器“Cst”的鈍化層155的第二厚度“ttt2”比第一厚度“ttt1”薄。
通過另一個(gè)工序連續(xù)形成柵焊盤端子(未示出)和數(shù)據(jù)焊盤端子(未示出)，從而分別通過柵焊盤接觸孔和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔與柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤連接。
因此，本發(fā)明LCD器件的陣列基板包括存儲(chǔ)電容器，該存儲(chǔ)電容器具有在一個(gè)區(qū)域中的厚度比另一個(gè)區(qū)域中的厚度薄的電介質(zhì)。這就提高了本發(fā)明存儲(chǔ)電容器的電容。
盡管本發(fā)明存儲(chǔ)電容器的尺寸比現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)電容器的尺寸小，但在不減小LCD器件孔徑比的情況下提高了本發(fā)明存儲(chǔ)電容器的電容。因而，即使減小柵線的寬度，也提高了LCD器件的孔徑比和亮度。
對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，顯然可以不違背本發(fā)明的精神和范圍而對(duì)本發(fā)明進(jìn)行不同的調(diào)整和變化。從而，希望本發(fā)明覆蓋了所附權(quán)利要求和等同物的范圍之內(nèi)的發(fā)明的調(diào)整和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件的陣列基板，包括在基板上的柵線和第一存儲(chǔ)電極；在柵線和第一存儲(chǔ)電極上的柵絕緣層；在柵絕緣層上的數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵線交叉，從而確定了像素區(qū)域；在數(shù)據(jù)線上的鈍化層，其中第一存儲(chǔ)電極上的鈍化層和柵絕緣層的第一厚度比柵線上的鈍化層和柵絕緣層的第二厚度?。灰约霸阝g化層上的像素電極和第二存儲(chǔ)電極，第二存儲(chǔ)電極從像素電極延伸并與第一存儲(chǔ)電極交迭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，其中第一存儲(chǔ)電極占據(jù)了部分柵線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括薄膜晶體管，其具有與柵線連接的柵極、在柵極上的半導(dǎo)體層、與數(shù)據(jù)線連接的源極、和與源極間隔開的漏極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，其中鈍化層具有暴露部分漏極的漏極接觸孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，其中像素電極通過漏極接觸孔與漏極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，其中鈍化層具有暴露第一部分中的柵絕緣層的開口部分。
7.一種液晶顯示器件的陣列基板，包括在基板上的柵線；與柵線交叉的數(shù)據(jù)線；與柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；與薄膜晶體管連接的像素電極，像素電極在交迭區(qū)域中與柵線交迭；以及柵線與像素電極之間的絕緣層，其中與交迭區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層的第一厚度比與交迭區(qū)域之外的其他區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層的第二厚度薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，其中在交迭區(qū)域中，柵線、絕緣層和像素電極形成了存儲(chǔ)電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，其中存儲(chǔ)電容器包括占據(jù)部分柵線的第一存儲(chǔ)電極和從像素電極延伸的第二存儲(chǔ)電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，其中薄膜晶體管包括與柵線連接的柵極、在柵極上的半導(dǎo)體層、與數(shù)據(jù)線連接的源極、和與源極間隔開的漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，其中絕緣層包括柵線與數(shù)據(jù)線之間的柵絕緣層和薄膜晶體管與像素電極之間的鈍化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，其中鈍化層具有暴露部分漏極的漏極接觸孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板，其特征在于，其中像素電極通過漏極接觸孔與漏極連接。
14.一種制造液晶顯示器件的陣列基板的方法，包括在基板上形成柵線和第一存儲(chǔ)電極；在柵線和第一存儲(chǔ)電極上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵線交叉，從而確定了像素區(qū)域；形成與柵線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成鈍化層，其中對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電極的鈍化層和柵絕緣層的第一厚度比對(duì)應(yīng)于柵線的鈍化層和柵絕緣層的第二厚度薄；以及在鈍化層上形成像素電極和第二存儲(chǔ)電極，第二存儲(chǔ)電極從像素電極延伸并與第一存儲(chǔ)電極交迭。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，其中形成鈍化層包括在數(shù)據(jù)線上形成絕緣材料層；在絕緣層上形成光刻膠層；通過掩模將光刻膠層曝光，所述掩模具有透射區(qū)域、阻擋區(qū)域和部分透射區(qū)域，部分透射區(qū)域?qū)?yīng)于第一存儲(chǔ)電極；和顯影曝光的光刻膠層，從而形成具有第一厚度和比第一厚度薄的第二厚度的光刻膠層，光刻膠層的第二厚度對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過第二厚度蝕刻光刻膠層，從而通過移除光刻膠層暴露與第一存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的部分絕緣層；蝕刻暴露的絕緣層，從而具有與第一存儲(chǔ)電極對(duì)應(yīng)的第一厚度和與柵線對(duì)應(yīng)的第二厚度，第一厚度比第二厚度??；和去除光刻膠層。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，其中形成薄膜晶體管包括形成與柵線連接的柵極；在柵極上形成半導(dǎo)體層；和形成與數(shù)據(jù)線連接的源極和與源極間隔開的漏極。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，其中形成鈍化層包括形成暴露部分漏極的漏極接觸孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，其中形成像素電極包括通過漏極接觸孔將像素電極與漏極連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，其中部分透射區(qū)域?qū)?yīng)于鈍化層的漏極接觸孔。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件的陣列基板，包括在基板上的柵線和第一存儲(chǔ)電極；在柵線和第一存儲(chǔ)電極上的柵絕緣層；在柵絕緣層上的數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線與柵線交叉，從而確定了像素區(qū)域；在數(shù)據(jù)線上的鈍化層，其中第一存儲(chǔ)電極上的鈍化層和柵絕緣層的第一厚度比柵線上的鈍化層和柵絕緣層的第二厚度薄；以及在鈍化層上的像素電極和第二存儲(chǔ)電極，第二存儲(chǔ)電極從像素電極延伸并與第一存儲(chǔ)電極交迭。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1952737SQ20061008726
公開日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2006年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月20日
發(fā)明者鄭鎮(zhèn)型 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社