專利名稱：導(dǎo)線架及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種導(dǎo)線架制作技術(shù)，特別是關(guān)于一種能夠具有多個導(dǎo)電 區(qū)域或特殊電性區(qū)域并提供金屬板線路額外支撐強(qiáng)度的導(dǎo)線架及其制作方 法。
背景技術(shù)：
電子封裝的目的主要為傳遞電路信號、傳遞電能、提供散熱途徑以及結(jié)
構(gòu)保護(hù)與支持等。在進(jìn)行半導(dǎo)體后段的封裝工藝中，導(dǎo)線架(Lead frame) 及半導(dǎo)體載板(IC substrate)是作為集成電路芯片與外部電路連接的橋梁，以 用來傳輸芯片內(nèi)部電子信號至外部系統(tǒng)板。
然而，隨著芯片電路功能提升，導(dǎo)致芯片的輸入輸出接點(diǎn)也大幅增加， 承載芯片的導(dǎo)線架僅能利用四邊做引腳，無法提供足夠引腳；且導(dǎo)線架只能 進(jìn)行相連且單純的線路；而另一種利用一印刷電路板(PCB)作為承載芯片 的載板，并輔以其底部呈陣列式排列的錫球來代替?zhèn)鹘y(tǒng)以金屬導(dǎo)線架在周圍 做引腳的方式被提出，這種封裝技術(shù)的好處在于相同尺寸面積下，引腳數(shù)可 以變多，其封裝尺寸縮小許多。然而在這種封裝元件的消耗功率愈來愈大的 結(jié)果下，導(dǎo)致封裝元件的散熱問題成為一無法克服的難題。
但隨著芯片功能的整合(SOC)筒化了線路設(shè)計， 一些CSP尺寸封裝轉(zhuǎn)向 使用導(dǎo)線架以達(dá)到散熱的需求；同時也孕育了線路設(shè)計復(fù)雜程度介于CSP 與導(dǎo)線架間的需求，例如QFN封裝產(chǎn)品需求量提升即是一個明顯的例子。 但是上下不對稱線路的需求轉(zhuǎn)為以傳統(tǒng)導(dǎo)線架制作方式并不容易，有l(wèi))半蝕 刻(Half etching)線路制作不易；2)灌膠(molding)時容易造成線路變形；以及 3，)灌膠時的溢膠污染接腳的問題不易克服等問題。所以，本發(fā)明針對上述 的問題提出 一種新的導(dǎo)線架及其制造方法來解決上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是揭露一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是以金屬板局部雙面同時加 工形成較密及準(zhǔn)確對位的線路間距，局部羊面加工在金屬板上形成圖案化凹 槽，并填入絕緣材料或不同導(dǎo)電性的材料，使此金屬板隔絕為多個導(dǎo)電區(qū)域 或特殊電性區(qū)域并提供金屬板線路額外的支撐強(qiáng)度。本發(fā)明是改善已知導(dǎo)線 架的制作限制，并且具有散熱效果佳以及有高引腳數(shù)變化性多的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種導(dǎo)線架的制造方法，其是利用雙面同 時蝕刻或機(jī)械加工深控成型貫穿或鑄造的方式，來制作較細(xì)密的線路間距部 分并可準(zhǔn)確對位，并配合局部單面蝕刻的方式產(chǎn)生凹槽，然后在通槽/凹槽中 填充填充物以得到支撐，再完成凹槽另一面的線路，以有效解決已知導(dǎo)線架 制作、封裝的問題。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種導(dǎo)線架的制造方法，其是利用填充材 料與支撐結(jié)構(gòu)的制作使得線路多樣化，而可適用于各種半導(dǎo)體封裝需求。
本發(fā)明的又一目的，在于提供一種導(dǎo)線架的制造方法，其是直接制作出 上下表面相連通的柱狀導(dǎo)體，并在圖案其中填塞入填充材料支撐，而無須如 印刷電路板的導(dǎo)通需利用鉆孔及鍍通孔技術(shù)，故可省去繞線的麻煩而縮小載 板尺寸，或是在相同尺寸下可提供較大的可利用面積，接腳不限于導(dǎo)線架的
四周，可說是LGA(Landgridarray)的導(dǎo)線架。
本發(fā)明的 一實(shí)施例為在一金屬板上形成有貫穿的圖案化通槽與未貫穿 的凹槽設(shè)計；并在圖案化通槽或凹槽中內(nèi)填塞入填充材料，以形成一具有多 個導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)線架。
本發(fā)明的另一實(shí)施例為導(dǎo)線架的制造方法，其是提供一金屬板；對金屬 板進(jìn)行蝕刻、機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以形成多個通槽與下/上凹槽； 在通槽與下/上凹槽內(nèi)選擇性填塞填充物；在金屬板上下表面上形成多個導(dǎo)電 層；隨后對金屬板進(jìn)行蝕刻、機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以在金屬板上 表面形成多個上/下凹槽，完成線路的制作。
本發(fā)明還提供另一種導(dǎo)線架的制造方法為提供一金屬板；對該金屬板 進(jìn)行蝕刻、機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以形成多個通槽與下/上凹槽，并
在這些通槽與下/上凹槽內(nèi)選擇性填塞填充物；接著再對該金屬板進(jìn)行蝕刻、 機(jī)械加工深控成型或鑄造方式，以在該金屬上表面形成多個通槽與上/下凹
槽，并在這些通槽與上/下凹槽內(nèi)選擇填塞填充物或不填塞填充物；以及在該 金屬板上、下表面形成多個導(dǎo)電層，完成線路的制作。 本發(fā)明的有益效果為
一、 可利用填充物材料與支撐結(jié)構(gòu)的制作使得線路多樣化，而可廣泛適 用于各種半導(dǎo)體封裝需求。
二、 可預(yù)先形成多個金屬球以降低封裝的報廢率及成本，提高封裝元件 的信賴性。
三、 因各接腳間均已用填充物將其填充，故可完全避免使用傳統(tǒng)導(dǎo)線架 封裝在灌膠時所產(chǎn)生的溢膠到上錫面(SMTPad)的問題，可減少封裝的工藝、 提高優(yōu)良率及降低成本。
四、 可形成有一容置槽的導(dǎo)線架以降低整體封裝高度。
為使審查員對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效更有進(jìn)一 步的了解與 認(rèn)識，謹(jǐn)以較佳的實(shí)施例、附圖及配合詳細(xì)的說明，說明如后。
圖1A至圖1J2為本發(fā)明的一實(shí)施例各步驟構(gòu)造剖視圖。 圖2A至圖2C2為本發(fā)明的另一實(shí)施例各步驟構(gòu)造剖視圖。 圖3是圖1B的金屬板上表面的圖案化抗蝕層圖案示意圖。 圖4是圖1B的金屬板下表面的圖案化抗蝕層圖案示意圖。 圖5A至圖5F4為本發(fā)明的又一實(shí)施例各步驟構(gòu)造剖視圖。 圖6為本發(fā)明將容置槽的形成步驟結(jié)合于上凹槽蝕刻步驟的示意圖。 圖7A與圖7B是形成多個金屬球，以作為對外連接的接口的實(shí)施例示 意圖。
圖號對照說明:
10金屬板12圖案化抗蝕層
14圖案化抗蝕層16通槽
18下凹槽20填充物
22圖案化抗蝕層24圖案化抗蝕層
26上凹槽28填充物
30圖案化抗鍍層32圖案化抗鍍層
34導(dǎo)電層36圖案化抗鍍層
38圖案化抗鍍層42圖案化抗蝕層
44圖案化抗蝕層48芯片
50導(dǎo)線52封裝膠體
54容置槽56金屬球
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明為一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是利用選擇性蝕刻、深控成型技 術(shù)或鑄造方式、雙面蝕刻技術(shù)搭配填充物填充技術(shù)制作出一作為半導(dǎo)體載板 的金屬板導(dǎo)線架，使其同時兼具有散熱效果佳且可適用于高引腳數(shù)的半導(dǎo)體 封裝，以克服現(xiàn)有的導(dǎo)線架制作及封裝的問題。
在此先說明，本發(fā)明是利用通槽、上凹槽、下凹槽與填充技術(shù)來形成金 屬導(dǎo)線架，因此并不能以通槽、上凹槽、下凹槽形成的工藝點(diǎn)差異來局限本 發(fā)明。而以下是以先形成通槽與下凹槽為范例，來說明本發(fā)明的步驟流程。
首先，請參閱圖1A，在一金屬板10的上、下表面分別形成有一圖案化 抗蝕層12與一圖案化抗蝕層14，且圖案化抗蝕層12的圖案請參閱圖3所示， 而圖案化抗蝕層14的圖案請參閱圖4所示。
再同時以圖案化抗蝕層12與圖案化抗蝕層14為掩膜，對金屬板10進(jìn) 行蝕刻，以形成如圖1B所示的通槽16與下凹槽18,該蝕刻的方式可采用 濕式蝕刻方式，主要是因?yàn)闈袷轿g刻溶劑在咬蝕金屬載板10穿透后，易形
成較直的側(cè)壁，而有助于形成較細(xì)密的線路部分，并可得到準(zhǔn)確對位性，隨 后并移除圖案化抗蝕層12、 14。通槽或下凹槽的形成也可以是經(jīng)過多次的選 擇性蝕刻、多次的深控成型或鑄造的方式制作?？傊?，該凹槽或通槽的形成 方法可選自多次濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造或經(jīng)過深控成型方式。
接續(xù)，進(jìn)行填充工藝，在上述的通槽16與下凹槽18內(nèi)填塞支撐物或填 充物20，并經(jīng)過一研磨步驟進(jìn)行填充物20平坦化，使填充物20不會覆蓋在 金屬板10上將制作線路或覆蓋導(dǎo)電層的部分，如此即形成細(xì)密的線路部分 與下表面的線路部分，如圖1C所示。其中，填充物20的材質(zhì)可為樹脂、銀 膠、銅膠、碳墨等種種阻隔或改變電性的材料。且在該金屬板表面或位于該 填充材料上方還可選擇形成或不形成一防旱掩膜層。
然后，請參閱圖1D所示，在金屬板10上、下表面各形成一圖案化抗蝕 層22與一圖案化抗蝕層24，接續(xù)以圖案化抗蝕層22、 24為掩膜對金屬 板IO進(jìn)行蝕刻，以在金屬板10上形成多個上凹槽26，隨后移除圖案化抗蝕 層22、 24，形成如圖1E所示，而該蝕刻的方式可通過選擇性蝕刻方式或深 控成型來制作完成。
隨后在上述的多個上凹槽26中選擇是否選擇填塞支撐物或填充物28， 并在填塞支撐物或填充物28后經(jīng)過一研磨步驟進(jìn)行填充物平坦化，以形成 上表面的電路，如圖1F1或圖1F2所示。
接續(xù)， 在金屬板10上、下表面各形成一圖案化抗鍍層30、 32或防焊層， 如圖1G1或圖1G2所示。該圖案化抗鍍層30、 32或防焊層是定義出多個對 外導(dǎo)電層的位置。以該圖案化抗鍍層30、 32或防焊層為掩膜，在金屬板IO 上、下表面形成多個用以增加導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電性的對外導(dǎo)電層34，隨后移除 圖案化抗鍍層30、 32,或防焊層不移除，形成如圖1H1或者圖1H2所示的 結(jié)構(gòu)。其中該導(dǎo)電層是選自無電鍍錫、電鍍錫、無電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無電鍍鎳鈀金及無電鍍鎳浸金等等的各種金屬表面處理。
在完成導(dǎo)線架的制作后，可進(jìn)行芯片48安裝的步驟，在本實(shí)施例中是
以金屬板10中央作為安裝芯片預(yù)定區(qū)域，并通過導(dǎo)線50將芯片48與作為 對外導(dǎo)電接點(diǎn)的對外導(dǎo)電層34相連接，最后以一封裝膠體52覆蓋在金屬板10 的上表面，以包覆住該芯片48及導(dǎo)線50，此封裝膠體52通常為環(huán)氧樹脂 (epoxyresin),藉以提供一機(jī)械性的保護(hù)作用，避免受到外力侵害，形成如 圖111與圖112所示的結(jié)構(gòu)。另外，可在金屬板10中央先形成有一容置槽54 以降低整體封裝高度，隨后再進(jìn)行芯片48安裝等步驟，以形成如圖1J1與 圖U2所示的結(jié)構(gòu)。
而在前述的進(jìn)行金屬板10的通槽16與下凹槽18內(nèi)填塞支撐物或填充 物20的工藝步驟，也可依據(jù)金屬板上各區(qū)域?qū)﹄娦缘男枨?，選擇填塞入或 者不填塞入支撐物或填充物20，請參閱圖2A,其是一通槽16與部分下凹 槽18內(nèi)無填塞支撐物或填充物20的實(shí)施例示意圖。其隨后如利用同前述的 步驟在金屬板10上形成多個上凹槽26，并選擇需填入填塞支撐物或填充物28 的上凹槽26填入支撐物或填充物28，進(jìn)行填充物平坦化，以形成如圖2B 所示的上表面電路。隨后，在金屬板10的上、下表面形成多個對外導(dǎo)電層34， 并進(jìn)行芯片48安裝與封裝膠體52的步驟，形成如圖2C1或圖2C2所示的 結(jié)構(gòu)。
除了上述的實(shí)施例外，本發(fā)明也舉出另一種實(shí)施例，該實(shí)施例是先形成 一下/上凹槽或通槽后，在凹槽或通槽填塞填充物并平坦化后，再在金屬板上、 下表面特定區(qū)域形成多個導(dǎo)電層，隨后，再形成上/下凹槽與線路。
在此是舉一先形成下凹槽或通槽，再依序填塞填充物、形成導(dǎo)電層、上 凹槽的實(shí)施例來進(jìn)行說明。首先請參照前述圖1A至圖1C所示的步驟，以 便形成已填充有填充物的下凹槽18與通槽16，如圖5A所示。
接續(xù)，請參閱圖5B，在金屬板10的上、下表面各形成一圖案化抗鍍 層36、 38，該圖案化抗鍍層36、 38是定義出多個對外導(dǎo)電層的位置。接續(xù)， 以該圖案化抗鍍層36、 38為掩膜，在金屬板10上、下表面形成多個用以增 加導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電性的對外導(dǎo)電層34，其中該導(dǎo)電層34是選自無電鍍錫、
電鍍錫、無電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳金、無電鍍鎳鈀金及無電鍍鎳浸金等等
的各種金屬表面處理，隨后移除圖案化抗鍍層36、 38，如圖5C所示。
在金屬板10的上、下表面分別形成一圖案化抗蝕層42、 44，以定義出 上凹槽的位置，接續(xù)，以圖案化抗蝕層42、 44與對外導(dǎo)電層34為掩膜，對 金屬板10進(jìn)行蝕刻，以形成如圖5D所示的上凹槽26，隨后，將圖案化抗 蝕層42、 44移除，接續(xù)，選擇性進(jìn)行填充工藝，在上述的上凹槽26內(nèi)填塞 支撐物或填充物28,以獲得一結(jié)合已知導(dǎo)線架與印刷電路板的技術(shù)與優(yōu)點(diǎn)的 導(dǎo)線架，如圖5E1或圖5E2所示。
隨后進(jìn)行芯片48、導(dǎo)線50裝設(shè)與封裝膠體52,以形成如圖5F1、圖5F2， 或者先進(jìn)行容置槽54蝕刻，再進(jìn)行芯片48、導(dǎo)線50裝設(shè)與封裝膠體52， 以形成具有芯片48容置槽54的圖5F3與圖5F4所示的結(jié)構(gòu)。
另外，容置槽54的形成步驟也可合并于上凹槽26的形成步驟內(nèi)，其工 藝步驟將變?yōu)樵诮饘侔?0的上、下表面分別形成一圖案化抗蝕層42、 44, 以定義出上凹槽26與容置槽54的位置，接續(xù)，以圖案化抗蝕層42、 44與 對外導(dǎo)電層34為掩膜，對金屬板10進(jìn)行蝕刻，以形成如圖6所示的上凹 槽26與容置槽54，隨后，將圖案化抗蝕層42、 44移除，接續(xù)，選擇性進(jìn)行 填充工藝與芯片安裝等步驟，因后續(xù)工藝步驟與先前所述相同，在此不再進(jìn) 行贅述。
請參閱圖7A與圖7B，其是本發(fā)明的又一實(shí)施例，這些實(shí)施例是在此導(dǎo) 線架的制作過程中，如選擇多個下凹槽不填充填充物時，形成多個金屬 球56(metal bump)以取代傳統(tǒng)的錫球(solder ball)，作為對外連接的接口 ，減 少不同金屬接口相黏接時所產(chǎn)生的信賴性問題，可增加整體元件的信賴度， 并因減少植錫球的工藝，可降低整體封裝工藝報廢率及成本。
綜上所述，本發(fā)明為一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是利用一雙面蝕刻技 術(shù)來在金屬板上形成較密集的線路部分，并配合多次蝕刻、深控成型及填充 物填塞技術(shù)以有效的解決已知導(dǎo)線架制作、封裝的問題。
本發(fā)明可歸納出下列幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)
一、 可利用填充物材料與支撐結(jié)構(gòu)的制作使得線路多樣化，而可廣泛適
用于各種半導(dǎo)體封裝需求。
二、 可預(yù)先形成多個金屬球以降低封裝的報廢率及成本，提高封裝元件 的信賴性。
三、 因各接腳間均已用填充物將其填充，故可完全避免使用傳統(tǒng)導(dǎo)線架
封裝在灌膠時所產(chǎn)生的溢膠到上錫面(SMT Pad)的問題，可減少封裝的工藝、 提高優(yōu)良率及降低成本。
四、 可形成有一容置槽的導(dǎo)線架以降低整體封裝高度。
以上所述，僅為本發(fā)明一較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍， 故凡依本發(fā)明權(quán)利要求所述的工藝方法、特征及精神所做的均等變化與修 飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)線架，其特征在于包括一金屬板，其上形成有貫穿的圖案化通槽與未貫穿的凹槽設(shè)計；以及一填充材料，填充于所述金屬板的圖案化通槽或凹槽中，用以連結(jié)、支撐將該金屬板隔絕為多個導(dǎo)電區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述填充材料為一絕緣材 料，其是將所述金屬板隔絕為多個導(dǎo)電區(qū)域。
3. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述填充材料為一導(dǎo)電性 材料，其是填充于所述金屬板特定的圖案化通槽及凹槽中，用以將該區(qū)域形 成特殊電性區(qū)域。
4. 如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板的多個導(dǎo)電 區(qū)域表面更經(jīng)過一表面處理，以形成一導(dǎo)電層。
5. 如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述導(dǎo)電層是選自無電鍍 錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳金、無電鍍鎳 鈀金及無電鍍鎳浸金的金屬表面處理。
6. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽的形成方 法是選自多次濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造或經(jīng)過深控成型方式。
7. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過 多次的選擇性蝕刻方式所制作完成的。
8. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過 多次的深控成型方式所制作完成的。
9. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過 鑄造方式所制作完成的。
10. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板上的芯片 安裝預(yù)定位置還設(shè)有T個或多個容置槽，以供安裝一個或多個芯片。
11. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板表面或位 于所述填充材料上方還可選擇形成或不形成一防焊掩膜層。
12. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，所述填充材料為樹脂、 銀膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
13. 如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線架，其特征在于，在所述金屬板的下表面 還形成多個金屬球，以供半導(dǎo)體元件對外連接用。
14. 一種導(dǎo)線架制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一金屬板；對所述金屬板進(jìn)行加工，以形成多個通槽與下/上凹槽； 選擇性的在所述這些通槽與下/上凹槽內(nèi)填塞填充物； 在所述金屬板的上、下表面上形成多個導(dǎo)電層；以及 對所述金屬板進(jìn)行加工，以在該金屬板上表面形成多個上/下凹槽，并選 擇性的在這些上/下凹槽內(nèi)填塞填充物。
15. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，加工方法可 選自多次濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造或經(jīng)過深控成型方式。
16. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過多次的選擇性蝕刻方式所制作完成的。
17. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過多次的深控成型方式所制作完成的。
18. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過鑄造方式所制作完成的。
19. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層 是選自無電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無電鍍鎳釔金及無電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與導(dǎo)線架作電性連接用的 金屬表面處理。
20. 如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述填充材料 為樹脂、銀膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
21. —種導(dǎo)線架制造方法，其特征在于包括下列步驟 提供一金屬板，對該金屬板進(jìn)行加工，以形成多個通槽與下/上凹槽； 在所述這些通槽與下/上凹槽內(nèi)選擇性的填塞填充物； 對所述金屬板進(jìn)行加工，以在該金屬板上表面形成多個上/下凹槽，并在這些上/下凹槽內(nèi)選擇性的填塞填充物；以及 在所述金屬板上/下表面形成多個導(dǎo)電層。
22. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述加工方 法可選自濕/干式蝕刻、鑄造或深控成型。
23. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過多次的選^^性蝕刻方式所制作完成的。
24. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過多次的深控成型方式所制作完成的。
25. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述下/上凹 槽或通槽是經(jīng)過鑄造方式所制作完成的。
26. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層 是選自無電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無電鍍鎳釔金及無電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與導(dǎo)線架作電性連接用的 金屬表面處理。
27. 如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于，所述填充材料 為樹脂、銀膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
28. —種半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于包括一金屬板，其上形成有一貫穿的圖案化通槽及上、下凹槽設(shè)計； 一填充物，其填充于所述金屬板的圖案化通槽或上、下凹槽中，用以將 該金屬板隔絕為一個或多個芯片預(yù)定區(qū)域與多個導(dǎo)電區(qū)域；以及一個或多個芯片，安裝于所述金屬板上的芯片預(yù)定區(qū)域，并與所述導(dǎo)電 區(qū)域形成電性連接。
29. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，在所述金屬板 的多個導(dǎo)電區(qū)域表面還經(jīng)過一表面處理，以形成一導(dǎo)電層。
30. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述導(dǎo)電層是 選自無電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳金、 無電鍍鎳鈀金及無電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與半導(dǎo)體封裝元件作電性連 接用的金屬表面處理。
31. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，還包括一封裝 膠體包覆所述芯片。
32. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述凹槽或通 槽是經(jīng)過多次的選擇性蝕刻方式所制作完成的。
33. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述凹槽或 通槽是經(jīng)過多次的深控成型方式所制作完成的。
34. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述凹槽或通槽是經(jīng)過鑄造方式所制作完成的。
35. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述導(dǎo)電層 是選自無電鍍錫、電鍍錫、電鍍錫鉛、噴錫鉛、無電鍍銀、電鍍銀、電鍍鎳 金、無電鍍鎳鈀金及無電鍍鎳浸金的各種供半導(dǎo)體與導(dǎo)線架作電性連接用的 金屬表面處理。
36. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，所述填充材料 為樹脂、4艮膠、鋁膠、陶瓷材料、銅膠、碳墨的種種阻隔或改變電性的材料。
37. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，在所述金屬板 上的芯片預(yù)定區(qū)域還設(shè)有一個或多個容置槽，以供容置安裝一個或多個芯片。
38. 如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體封裝元件，其特征在于，在所述金屬板 的下鳥面還形成一個或多個金屬球，以供半導(dǎo)體元件對外連接用。
全文摘要
本發(fā)明是揭露一種導(dǎo)線架及其制造方法，其是以金屬板局部雙面同時加工形成較密及準(zhǔn)確對位的線路間距，局部單面加工在金屬板上形成圖案化凹槽，并填入絕緣材料或不同導(dǎo)電性的材料，使此金屬板隔絕為多個導(dǎo)電區(qū)域或特殊電性區(qū)域并提供金屬板線路額外的支撐強(qiáng)度。本發(fā)明是改善已知導(dǎo)線架的制作限制，并且具有散熱效果佳以及有高引腳數(shù)變化性多的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01L21/02GK101097900SQ200610093539
公開日2008年1月2日 申請日期2006年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月26日
發(fā)明者張儀玲 申請人:張儀玲;臺灣應(yīng)解股份有限公司