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倒裝鍵合貼片led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:6875654閱讀:215來源:國知局
專利名稱:倒裝鍵合貼片led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及大功率LED封裝結(jié)構(gòu),尤其是涉及一種倒裝鍵合貼片LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
LED (發(fā)光二極管),因為其顯示出優(yōu)于傳統(tǒng)光源的節(jié)能效果并且可以被永久地 使用而具有其優(yōu)勢,用LED背光取代手持裝置原有的EL背光、CCFL背光,不僅電 路設(shè)計更簡潔容易,且有較高的外力抗受性。用LEI)背光取代液晶電視原有的CCFL 背光,不僅更環(huán)保而且顯示更逼真亮麗。用LED照明取代白光燈、鹵素燈等照明, 不僅更光亮省電,使用也更長效,且點亮反應(yīng)更快。
固態(tài)照明的需求,要求不斷地提高LED的輸入功率與發(fā)光效率。目前提高LED 出光效率的幾個途徑透明襯底技術(shù)、金屬膜反射技術(shù)、倒裝芯片技術(shù)。
如附圖1所示,通常的藍、綠光晶片是通過MOCVD技術(shù)在藍寶石襯底上生長GaN 基LED結(jié)構(gòu)層,由P/N結(jié)發(fā)光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳 導(dǎo)性能不佳,為獲得良好的電流擴展,需要通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni-Au 組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展,Ni-Au 金屬電極層就不能太薄。為此,器件的發(fā)光效率就會受到很大影響,通常需要同時 兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什么情況下,金屬薄膜的存在,總會 使透光性能變差。此外,引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。
采用GaN LED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問題。附圖2所示的 是常規(guī)的倒裝結(jié)構(gòu)的大功率LED,芯片201通過焊球202和203倒裝接合在包括有
抗靜電齊納二極管的硅基墊204上,LED發(fā)出的光直接透過藍寶石層射出,不存在 上述的Ni-Au金屬膜與引線電極,因此出射的光沒有損失,加上下面P-GaN層上蒸 鍍有Ag反射膜,進一步增強了出射光的強度。實驗證明,倒裝功率型LED器件的 量子效率要比普通型器件高出1.6倍。
但是,上述常規(guī)的倒裝結(jié)構(gòu)LED的后封裝是通過外引線205和206實現(xiàn)與外部 封裝結(jié)構(gòu)連接,雖然LED晶片通過倒裝焊接在硅基板上,提高了出光率,但此結(jié)構(gòu) 原則上依然是晶片,增加了后續(xù)二次配光的成本與難度,尤其是不利于市場的推廣 及應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,提供一種結(jié)構(gòu)簡單、可靠性好,并可提髙LED 亮度、簡化功率LED 二次應(yīng)用開發(fā)的倒裝鍵合貼片LED封裝結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的倒裝鍵合貼片LED封裝結(jié)構(gòu)包括有一個正面雙電極結(jié)構(gòu)藍寶石襯底的 LED晶片和一個陶瓷基板,陶瓷基板上排布有電氣線路,所述陶瓷基板的正面設(shè)置 有凹腔,在凹腔的底部設(shè)置有焊球,LED晶片通過焊球倒裝壓焊在凹腔的底部,在 LED晶片外圍的凹腔內(nèi)填充有硅膠,在陶瓷基板的背面設(shè)置有外電極。
本發(fā)明可以制作成小尺寸片式LED成品單元,可直接通過普通回流焊接應(yīng)用于 LCD的背光單元及顯示屏或照明顯示模組;通過LED晶片背面發(fā)光,降低了正面電 極對光輸出的遮擋,提高了 LED的光亮度特性;陶瓷外殼降低了晶片的熱阻,具有 良好的散熱特性;填充硅膠降低了LED晶片的應(yīng)力,進一步提高了器件的出光率與 可靠性。尤其是,此LED封裝結(jié)構(gòu)簡單,可靠性好,將晶片直接倒裝焊接為標準器 件,降低了將普通晶片轉(zhuǎn)換為倒裝晶片再封裝成成品的中間環(huán)節(jié),極大地減小倒裝 晶片制造成本,同時為再次開發(fā)提供了普通焊接方式的標準光源。


圖1是已有技術(shù)的LED晶片結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是己有技術(shù)的倒裝結(jié)構(gòu)LED的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖3是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
如圖所示,該倒裝鍵合貼片LED封裝結(jié)構(gòu)包括有一個常規(guī)的正面雙電極結(jié)構(gòu)藍 寶石襯底的LED晶片301和一個陶瓷基板302,陶瓷基板上排布有包含了齊納二極 管的電氣線路。陶瓷基板的正面設(shè)置凹腔303,在凹腔的底部設(shè)置有焊球304和305, LED晶片通過焊球倒裝壓焊在凹腔的底部,在LED晶片外圍的凹腔內(nèi)填充有硅膠 306,在陶瓷基板的背面設(shè)置有扁平的外電極307。
權(quán)利要求
1、一種倒裝鍵合貼片LED封裝結(jié)構(gòu),包括有一個正面雙電極結(jié)構(gòu)藍寶石襯底的LED晶片(301)和一個陶瓷基板(302),陶瓷基板上排布有電氣線路,其特征是所述陶瓷基板的正面設(shè)置有凹腔(303),在凹腔的底部設(shè)置有焊球(304、305),LED晶片通過焊球倒裝壓焊在凹腔的底部,在LED晶片外圍的凹腔內(nèi)填充有硅膠(306),在陶瓷基板的背面設(shè)置有外電極(307)。
全文摘要
本發(fā)明涉及大功率LED封裝結(jié)構(gòu),尤其是涉及一種倒裝鍵合貼片LED封裝結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括有一個正面雙電極結(jié)構(gòu)藍寶石襯底的LED晶片和一個陶瓷基板,陶瓷基板上排布有電氣線路,所述陶瓷基板的正面設(shè)置有凹腔,在凹腔的底部設(shè)置有焊球,LED晶片通過焊球倒裝壓焊在凹腔的底部,在LED晶片外圍的凹腔內(nèi)填充有硅膠,在陶瓷基板的背面設(shè)置有外電極。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、可靠性好,并可提高LED亮度、簡化功率LED二次應(yīng)用開發(fā)。
文檔編號H01L33/00GK101170151SQ20061009715
公開日2008年4月30日 申請日期2006年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日
發(fā)明者包書林, 胡建紅 申請人:江蘇穩(wěn)潤光電有限公司
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