專利名稱：平板顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器及其制造方法，具體來說，涉及一種在數(shù)據(jù)線與透明電極層之間提供改良接觸結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
平板顯示器(FPD)包括薄膜晶體管(TFT)基板，其具有作為開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器件以控制和驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素的工作的TFT。該基板包括接收外部驅(qū)動(dòng)或控制信號(hào)的柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤。TFT包括柵電極、漏電極、源電極、和由非晶硅或多晶硅形成的半導(dǎo)體層。然而，近來有機(jī)半導(dǎo)體層也可采用了。因?yàn)橛袡C(jī)半導(dǎo)體能夠在室溫和大氣壓力下形成，所以減少了制造成本，并且可以使用塑料基板，由于塑料耐熱性較差，所以塑料基板不能與無機(jī)半導(dǎo)體一起使用。然而，有機(jī)半導(dǎo)體缺點(diǎn)在于它耐化學(xué)性和耐等離子體性(plasmaresistance)差。
為了解決這個(gè)問題，已提出提供一種處理結(jié)構(gòu)(PA)，其中，在形成了柵電極、源電極、和漏電極之后，最后形成有機(jī)半導(dǎo)體層。使是厚有機(jī)膜的柵極絕緣膜置于電極與有機(jī)半導(dǎo)體層之間。形成數(shù)據(jù)線(包括數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤)，之后在數(shù)據(jù)線上形成層間絕緣膜，以便保護(hù)柵極絕緣膜不受在形成數(shù)據(jù)線過程中所使用的化學(xué)物質(zhì)的影響。通過蝕刻從柵極絕緣膜到數(shù)據(jù)線的厚度而形成接觸孔，以連接透明電極層與數(shù)據(jù)線。通過蝕刻從柵極焊盤到柵極絕緣膜的厚度而形成另外的接觸孔，以連接透明電極層與柵極焊盤。然而，由于數(shù)據(jù)線厚度與柵極焊盤的厚度不同，所以產(chǎn)生了蝕刻均勻性的問題。尤其是，當(dāng)該柵極絕緣膜由厚有機(jī)膜形成時(shí)，由于蝕刻邊緣不充分，在數(shù)據(jù)線與透明電極層之間可能發(fā)生接觸不良。另外，視蝕刻條件而定，由于過蝕刻，在柵極焊盤上可能發(fā)生故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種在數(shù)據(jù)線與透明電極層之間具有改良的接觸結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制造方法。平板顯示器包括絕緣基板；數(shù)據(jù)線，形成在絕緣基板上；層間絕緣膜，其形成在數(shù)據(jù)線上，具有露出數(shù)據(jù)線的第一接觸孔；連接件，形成在第一接觸孔的一部分中；柵極絕緣膜，其形成在連接件上，具有暴露連接件的第二接觸孔；以及有機(jī)半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣膜上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，柵電極與連接件形成在相同層上，且位于有機(jī)半導(dǎo)體層的下部中。露出柵極焊盤的第三接觸孔形成在設(shè)置在柵極焊盤上的柵極絕緣膜上。透明電極層還包括通過第三接觸孔連接到柵極焊盤的柵極焊盤接觸部分。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，透明電極層由ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)之一構(gòu)成。鈍化層形成在有機(jī)半導(dǎo)體層上。柵極絕緣膜上形成第二接觸孔位置處的厚度與柵極絕緣膜上形成第三接觸孔位置處的厚度基本上相同。
通過提供一種制造平板顯示器的方法，基本上實(shí)現(xiàn)了上述以及其他目標(biāo)，該制造方法包括以下提供絕緣基板；在絕緣基板上形成數(shù)據(jù)線；在數(shù)據(jù)線上形成具有露出數(shù)據(jù)線的第一孔的層間絕緣膜；在第一接觸孔中形成具有不同的臺(tái)階狀部分(stepped portions)的連接件；在連接件上形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成有機(jī)半導(dǎo)體層，以及在有機(jī)半導(dǎo)體層上形成鈍化層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，透明電極層通過第二接觸孔連接到連接件。


通過以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見和更容易理解，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT基板的平面布置圖；圖2是沿圖1中的線II-II的剖視圖；圖3是沿圖1中的線III-III的剖視圖；圖4是沿圖1中的IV-IV的剖視圖；圖5A到圖5G是順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制造TFT基板的方法的剖視圖；圖6A到圖6F是順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制造數(shù)據(jù)焊盤的方法的剖視圖；圖7A到圖7E是順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制造柵極焊盤的方法的剖視圖；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的平板顯示器的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中示出了其的實(shí)例，全文中，相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同的元件。應(yīng)理解，當(dāng)提到諸如膜(層)元件形成(位于)在另一個(gè)元件上時(shí)，其可直接位于另一個(gè)元件上，或者在它們之間還可存在其他元件。
參考圖2到圖4，本發(fā)明的平板顯示器(FPD)包括具有TFT的TFT基板100，TFT作為用于控制和驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素的開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器件。TFT基板100包括柵極焊盤147(圖4)，以及接收外部施加的驅(qū)動(dòng)或控制信號(hào)的數(shù)據(jù)焊盤123。
絕緣基板110表面上包括數(shù)據(jù)線120，其具有組成部分121和123；層間絕緣膜130，形成在數(shù)據(jù)線120上；柵極線140，其具有組成部分141、145和147，形成在層間絕緣膜130上；柵極絕緣膜150，形成在柵極線140上；透明電極層160，形成在柵極絕緣膜150上；以及有機(jī)半導(dǎo)體層170，形成在柵極絕緣膜150上。
絕緣基板110可由玻璃制成，或可由諸如聚碳酸酯(polycarbonate)、聚酰亞胺(polyimide)、聚醚砜(poly ethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚乙烯(poly ethylene)、聚萘二甲酸乙二醇酯(poly ethylene naphthalate)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(poly ethylene terephthalate)等的塑料材料制成，以提供柔性顯示器。雖然塑料絕緣基板對(duì)用于形成無機(jī)半導(dǎo)體和氧化層的溫度表現(xiàn)出較差的耐熱性，但是它與可在室溫和大氣壓力下形成的有機(jī)半導(dǎo)體層170相一致。
形成在絕緣基板110上的數(shù)據(jù)線120包括沿一個(gè)方向延伸的數(shù)據(jù)線121以及用于接收外部提供的驅(qū)動(dòng)或控制信號(hào)的數(shù)據(jù)焊盤123。數(shù)據(jù)線120可由較廉價(jià)的、良導(dǎo)電材料制成，諸如Al、Cr和Mo，或者由較昂貴的Au、Pt、Pd、ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)制成。數(shù)據(jù)線120可為包括至少一種上述材料的單層或多層。
根據(jù)本發(fā)明，為了保護(hù)柵極絕緣膜150不受在形成數(shù)據(jù)線過程中所使用的化學(xué)物質(zhì)的影響，在數(shù)據(jù)線120上形成層間絕緣膜130，并覆蓋數(shù)據(jù)線120。層間絕緣膜130由諸如SiNx或SiOx等的無機(jī)材料形成，以便使數(shù)據(jù)線120與柵極線140電絕緣。雖然附圖中沒有示出，但是層間絕緣膜130也可包括沉積在無機(jī)層上的有機(jī)材料膜。這個(gè)額外的厚有機(jī)膜還保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層170不受在數(shù)據(jù)形成過程中所使用的化學(xué)物質(zhì)或等離子體的影響，該化學(xué)物質(zhì)或等離子體可通過下文將描述的接觸孔131、151的間隙或通過層間接觸面流入到有機(jī)半導(dǎo)體層170內(nèi)。
層間絕緣膜130形成有第一接觸孔131和132，以暴露數(shù)據(jù)線120。換言之，如圖2中所示，層間絕緣膜130形成有第一孔131，且如圖3所示，形成有孔132，以分別露出數(shù)據(jù)線121和數(shù)據(jù)焊盤123。柵極線145形成在層間絕緣膜130上。如圖1中所示，柵極線140包括柵極線141，其與數(shù)據(jù)線121形成交叉并限定像素區(qū)域。在柵極線141末端處形成的柵極焊盤147用于接收外部的驅(qū)動(dòng)或控制信號(hào)。柵電極145作為柵極線141的分支，在對(duì)應(yīng)于有機(jī)半導(dǎo)體層170的位置處形成。連接件143、144形成在第一接觸孔131、132的一部分中。層間絕緣膜130形成在第一接觸孔131、132的周圍。柵極線140也可包括Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd等中的至少一種，并且為單層或多層。
柵極絕緣膜150形成在柵極線140上，并由諸如BCB(苯并環(huán)丁烯)等的厚有機(jī)膜制成，以用來保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層170不受化學(xué)侵蝕。柵極絕緣膜150可為由有機(jī)膜和無機(jī)膜制成的雙層，其中無機(jī)膜由SiNx制成。
第二接觸孔151(最好見圖8)、和152(最好見圖6E和6F)形成在柵極絕緣膜150中，以露出連接件143(最好見圖5E)和144(最好見圖6F)，且第三接觸孔153(最好見圖4、圖7D和圖7E)露出柵極焊盤147。
如圖2中所示，位于數(shù)據(jù)線121上的連接件143由于數(shù)據(jù)線121具有臺(tái)階狀部分而具有臺(tái)階狀部分。第二接觸孔151位于連接件143的上部之上。如圖3所示，形成用于連接數(shù)據(jù)焊盤123的第二接觸孔152，以露出覆蓋了層間絕緣膜140的連接件144。
然而，傳統(tǒng)方法中，第二接觸孔151、152形成在對(duì)應(yīng)于第一接觸孔131、132的區(qū)域上。因此，要蝕刻圖2中所示的從柵極絕緣層150到數(shù)據(jù)線121的厚度d1和圖3中所示的從柵極絕緣膜150到數(shù)據(jù)焊盤123的厚度d2，以便露出數(shù)據(jù)線121和數(shù)據(jù)焊盤123。
特別地，如果使用厚柵極絕緣膜150保護(hù)有機(jī)半導(dǎo)體層170，那么就可能存在不充分的蝕刻裕量(etching margin)，從而導(dǎo)致在透明電極層160與數(shù)據(jù)線120之間接觸不良。同時(shí)，通過同一蝕刻處理同時(shí)形成第二接觸孔151、152和第三接觸孔153。
根據(jù)本發(fā)明，僅從柵極絕緣膜150為起點(diǎn)蝕刻厚度d3(圖4)，以形成露出柵極焊盤147的第三接觸孔153。隨后，從柵極絕緣膜150為起點(diǎn)蝕刻厚度d1(圖2)和d2(圖3)以分別形成第二接觸孔151、152。
換句話說，如果蝕刻均勻性不是很好，那么到數(shù)據(jù)線120的厚度d1、d2以及到柵極焊盤147的厚度d3可能會(huì)不同，尤其是當(dāng)蝕刻裕量由于有機(jī)柵極絕緣膜150較厚而不充分時(shí)。這將導(dǎo)致數(shù)據(jù)線120與透明電極層160之間接觸不良。同樣，如果蝕刻處理過度，柵極焊盤147也會(huì)受到不利影響。
因此，根據(jù)本發(fā)明，不在對(duì)應(yīng)于第一接觸孔131、132的區(qū)域上形成第二接觸孔151、152(圖2和圖3)。而是在柵極絕緣膜150上形成第二接觸孔151、152，其中柵極絕緣膜150的厚度d4、d5基本上等于柵極絕緣膜150在第三接觸孔153處的厚度d3。換句話說，在第一接觸孔131、132附近形成第二接觸孔151、152，以在剖視圖中彼此形成臺(tái)階形狀。因此，不均勻蝕刻問題由于在數(shù)據(jù)線120處的蝕刻厚度d4、d5基本上等于數(shù)據(jù)焊盤147處的厚度d3而得以避免。
特別地，即使柵極絕緣膜150是由厚有機(jī)膜制成，在數(shù)據(jù)焊盤147和數(shù)據(jù)線120處的蝕刻裕量也是相似的。因此，減少了在數(shù)據(jù)線120與透明電極層160之間的接觸不良。同樣，柵極焊盤147過度蝕刻導(dǎo)致的問題也減少了。另外，由于數(shù)據(jù)焊盤123的截面隨著第一接觸孔132與第二接觸孔152呈階梯形狀而具有臺(tái)階形狀，所以數(shù)據(jù)焊盤123能夠可靠地接觸。同樣，當(dāng)保留有機(jī)膜時(shí)，改良了數(shù)據(jù)焊盤123與OLB(外部引線接合)之間的接觸。
如圖2中所示，透明電極層160形成在柵極絕緣膜150上。透明電極層160通過第二接觸孔151與連接件143連接，其包括源電極161，與有機(jī)半導(dǎo)體層170部分接觸；漏電極163，通過在其間插入有機(jī)半導(dǎo)體層170與源電極161分離；以及像素電極169，位于像素區(qū)域中以便與漏電極163連接。
如圖1中所示，透明電極層160還包括數(shù)據(jù)焊盤接觸件167，與數(shù)據(jù)焊盤123連接；以及柵極焊盤接觸件165，其通過第三接觸孔153與柵極焊盤147連接。
透明電極層160由透明導(dǎo)電材料制成，諸如ITO、IZO等。源電極161通過第二接觸孔151與數(shù)據(jù)線121物理連接以及電連接，以便接收?qǐng)D像信號(hào)。漏電極163與源電極161分離，以便限定溝道區(qū)A。漏電極163連同源電極161一起形成TFT。TFT充當(dāng)控制和驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素電極169的工作的開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器件。
有機(jī)半導(dǎo)體層170位于形成在柵極絕緣膜150中的柵電極145上。有機(jī)半導(dǎo)體層170覆蓋溝道區(qū)A以及露出的源電極和漏電極161和163。有機(jī)半導(dǎo)體層170可由并五苯(其具有彼此鏈接的5個(gè)苯環(huán))、苝四羧酸二酐(perylenetetracarboxlic dianhidride，PTCDA)、低聚噻吩(oligothiophene)、聚噻吩、聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)等形成，也可由現(xiàn)有的一種有機(jī)半導(dǎo)體材料形成。有機(jī)TFT、數(shù)據(jù)焊盤、和柵極焊盤可如上該形成?？赏ㄟ^公知方法來制造包括有機(jī)TFT的FPD，諸如液晶顯示裝置、有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置、或無機(jī)場致發(fā)光顯示器等。
鈍化層180(圖2)形成在有機(jī)半導(dǎo)體層170上。鈍化層180用于防止有機(jī)半導(dǎo)體層170的劣化。其由諸如PVA(聚乙烯醇)的有機(jī)材料形成。鈍化層190還可形成在第二接觸孔151、152和第三接觸孔153上，其中鈍化層190覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層170。
以下，將參考圖5A到圖7E描述制造具有有機(jī)TFT的FPD的方法。圖5A到圖5G是順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制造TFT基板的方法的剖視圖，圖6A到圖6F是順序示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制造數(shù)據(jù)焊盤的方法的剖視圖，以及圖7A到圖7E是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制造柵極焊盤的方法的剖視圖。
如圖5A、圖6A、和圖7A所示，制備絕緣基板110，其包括諸如玻璃、石英、陶瓷、塑料等的絕緣材料。優(yōu)選地，采用塑料基板制造柔性FPD。接下來，如圖5B和圖6B所示，在通過使用濺射法等將數(shù)據(jù)線材料沉積在絕緣基板110上之后，通過光刻處理形成數(shù)據(jù)線121和數(shù)據(jù)焊盤123。
如圖5C、圖6C、和圖7C所示，將包括諸如SiNx、SiOx等的無機(jī)材料，或諸如BCB的有機(jī)材料的層間絕緣材料涂布在絕緣基板110和數(shù)據(jù)線120上，以形成層間絕緣膜130。如果層間絕緣材料是有機(jī)材料，那么層間絕緣膜130可通過旋涂或狹縫涂布(slitcoating)法等形成。如果層間絕緣材料是無機(jī)材料，那就可以通過化學(xué)汽相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(EP-CVD)等方法形成。如上所述，有機(jī)膜以及無機(jī)膜都可用作層間絕緣膜130。
如圖5C和圖6C所示，第一接觸孔131、132通過使用感光有機(jī)膜等作為掩模的蝕刻處理形成。接下來，如圖5D、圖6D、和圖7C所示，在通過濺射法將包括Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd等中至少一種的柵極線材料等沉積在層間絕緣膜130上之后，通過光刻處理形成柵極線141、連接件143、144、柵電極145、和柵極焊盤147。此處，連接件143、144通過第一接觸孔131、132與數(shù)據(jù)線120相接觸，并定位于形成在數(shù)據(jù)線120的邊緣的層間絕緣膜130上。
接下來，通過旋涂或狹縫涂布法等，在柵極線140和層間絕緣膜130上，形成由諸如BCB等有機(jī)材料形成的厚柵極絕緣膜150。如圖5E、圖6E、和圖7D所示，通過使用感光有機(jī)膜作為掩模的蝕刻處理，在柵極絕緣膜150中形成第二接觸孔151、152和第三接觸孔153。
如圖5F、圖6F、和圖7E所示，通過濺射法或蒸發(fā)法將諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電金屬氧化物材料(透明導(dǎo)電材料)涂布在柵極絕緣膜150上，然后通過使用光刻處理或蝕刻處理形成透明電極層160。透明電極層160通過第二接觸孔151與連接件143連接，其包括源電極161，其與有機(jī)半導(dǎo)體層170至少部分接觸；漏電極163，通過在其間插入有機(jī)半導(dǎo)體層170與源電極161分離；以及像素電極169，位于像素區(qū)域中以便與漏電極163連接。如圖6F和圖7E所示，透明電極層160還包括與數(shù)據(jù)焊盤123連接的數(shù)據(jù)焊盤接觸件167；以及柵極焊盤接觸件165，其通過第三接觸孔153與柵極焊盤147連接。
如圖5G所示，有機(jī)半導(dǎo)體材料通過汽相方法形成在透明電極層160上。接下來，通過旋涂或狹縫涂布法將有機(jī)材料或感光有機(jī)膜形成在有機(jī)半導(dǎo)體材料上。
如圖2中所示，形成有機(jī)半導(dǎo)體層170和在有機(jī)半導(dǎo)體層170上部中形成鈍化層180。此處，鈍化層180可通過光刻處理形成，接下來，可通過光刻處理形成有機(jī)半導(dǎo)體層170?？蛇x地，可通過有機(jī)半導(dǎo)體層170和鈍化層180一次光刻處理形成。
如圖1到圖4所示，有機(jī)鈍化膜190還形成在第三接觸孔153和第二接觸孔151、152上。有機(jī)鈍化膜190覆蓋有機(jī)半導(dǎo)體層170。在鈍化膜190由感光有機(jī)膜構(gòu)成的情況下，鈍化膜190可通過涂布、曝光和顯影處理形成。在鈍化膜190由諸如氮化硅的無機(jī)膜構(gòu)成時(shí)，其可通過沉積和光刻處理的方法形成。有機(jī)TFT、數(shù)據(jù)焊盤、和柵極焊盤可如上所述形成。可通過公知方法制造包括有機(jī)TFT的FPD，諸如液晶顯示裝置、有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置、或無機(jī)場致發(fā)光顯示器等。
以下，將參考圖8描述本發(fā)明的第二實(shí)施例，其中相同的標(biāo)號(hào)用于表示與第一優(yōu)選實(shí)施例相同的元件，并不再給出這些元件的詳細(xì)描述。在第一實(shí)施例中，有機(jī)半導(dǎo)體層170通過蒸發(fā)和光刻處理形成。然而，第二實(shí)施例使用了噴墨方法。
如圖8中所示，形成隔墻185，其中隔墻185包圍由源電極161和漏電極163所限定的溝道區(qū)A，并分別暴露源電極161與漏電極163的至少一部分。隔墻185通過使用感光有機(jī)材料曝光和顯影處理形成，并可通過公知方法形成。如圖8中所示，通過使用形成的隔墻185，在溝道區(qū)A處噴射有機(jī)半導(dǎo)體材料。有機(jī)半導(dǎo)體材料可根據(jù)所使用的溶劑而采用水性的(aqueous)或油性的(oleaginous)。通過溶劑去除工藝來處理有機(jī)半導(dǎo)體材料，以形成有機(jī)半導(dǎo)體層170。接下來，將鈍化層溶液噴射到有機(jī)半導(dǎo)體層170上。鈍化層溶液也可根據(jù)所使用的溶劑而采用水性的或油性的。通過溶劑去除工藝來處理鈍化層溶液，以形成具有平坦表面的鈍化層180。
根據(jù)本發(fā)明的平板顯示器可用于顯示裝置，諸如液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光二極管是使用有機(jī)材料的自發(fā)光器件，有機(jī)材料通過接收電信號(hào)來發(fā)光。在有機(jī)發(fā)光二極管中，分層為陽極層(像素電極)、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、和陰極層(反向相對(duì)電極)。根據(jù)本發(fā)明的漏電極電連接到陽極層以便能夠施加數(shù)據(jù)信號(hào)。
盡管已示出并描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的原理和精神、所附的權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例做出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括絕緣基板；數(shù)據(jù)線，形成在所述絕緣基板上；層間絕緣膜，其形成在所述數(shù)據(jù)線上，具有露出所述數(shù)據(jù)線的第一接觸孔；連接件，形成在所述第一接觸孔的一部分中；柵極絕緣膜，其形成在所述連接件上，具有露出所述連接件的第二接觸孔；以及有機(jī)半導(dǎo)體層，形成在所述柵極絕緣膜上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述數(shù)據(jù)線包括數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，還包括透明電極層，形成在所述柵極絕緣膜上，其中，所述透明電極層包括源電極，通過所述第二接觸孔與所述連接件連接，并接觸到所述有機(jī)半導(dǎo)體層的至少一部分；漏電極，通過所述有機(jī)半導(dǎo)體層與所述源電極分離；以及像素電極，連接到所述漏電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平板顯示器，其中，所述透明電極層還包括連接到所述數(shù)據(jù)焊盤的數(shù)據(jù)焊盤接觸件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述柵極絕緣膜由有機(jī)材料構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中，所述連接件由所述第二接觸孔露出的高度大于所述連接件形成在所述第一接觸孔上的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，還包括形成在與所述連接件相同的層上的柵電極，其中所述柵電極位于所述有機(jī)半導(dǎo)體層的下部中。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平板顯示器，還包括柵極線，與所述數(shù)據(jù)線形成交叉以限定像素區(qū)域；以及柵極焊盤，其設(shè)置在所述柵極線的端部，其中所述柵極線和所述柵極焊盤形成在與所述連接件相同的層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平板顯示器，其中，露出所述柵極焊盤的第三接觸孔形成在設(shè)置在所述柵極焊盤上的所述柵極絕緣膜上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的平板顯示器，其中，所述透明電極層還包括柵極焊盤接觸部分，其通過所述第三接觸孔連接到所述柵極焊盤。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平板顯示器，其中，所述透明電極層由氧化銦錫和氧化銦鋅中的一種構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，還包括鈍化層，其形成在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的平板顯示器，其中，所述柵極絕緣膜上形成所述第二接觸孔處的厚度與所述柵極絕緣膜上形成所述第三接觸孔處的厚度基本上相同。
14.一種用于制造平板顯示器的方法，包括以下步驟提供絕緣基板；在所述絕緣基板上形成數(shù)據(jù)線；在所述數(shù)據(jù)線上形成層間絕緣膜，所述層間絕緣膜具有露出所述數(shù)據(jù)線的第一孔；在所述第一接觸孔的一部分中形成連接件；在所述第一接觸孔周圍形成層間絕緣膜；在所述連接件上形成柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜具有露出所述連接件的第二接觸孔；以及在所述柵極絕緣膜上形成有機(jī)半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造平板顯示器的方法，還包括以下步驟當(dāng)形成所述連接件時(shí)，在對(duì)應(yīng)于所述有機(jī)半導(dǎo)體層的位置上形成柵電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造平板顯示器的方法，還包括以下步驟形成透明電極層，其通過所述第二接觸孔連接到所述連接件。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造平板顯示器的方法，還包括以下步驟在所述有機(jī)半導(dǎo)體層上形成鈍化層。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造平板顯示器的方法，其中，所述連接件具有不同的臺(tái)階狀部分，所述第二接觸孔形成為露出所述連接件的較大臺(tái)階狀部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種平板顯示器，包括絕緣基板；數(shù)據(jù)線，形成在絕緣基板上；層間絕緣膜，其形成在數(shù)據(jù)線上，具有露出數(shù)據(jù)線的第一接觸孔；連接件，形成在第一接觸孔的一部分中；層間絕緣膜，環(huán)繞第一接觸孔；柵極絕緣膜，其形成在連接件上，具有露出連接件的第二接觸孔；以及有機(jī)半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣膜上。
文檔編號(hào)H01L21/84GK1897293SQ20061009877
公開日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2006年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月14日
發(fā)明者崔泰榮, 金保成, 宋根圭, 洪雯杓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社