專利名稱：光刻裝置和利用清潔氣體的移動來減少污染的器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將期望的圖案施加到基底或基底的一部分上的一種裝置。光刻裝置可以用于例如制造平板顯示器、集成電路(IC)和包括微細(xì)結(jié)構(gòu)的其他器件。在常規(guī)的光刻裝置中，構(gòu)圖部件或者可以稱為掩模或中間掩模版，它可以用于產(chǎn)生相應(yīng)于平板顯示器(或其他器件)的一個(gè)單獨(dú)層上的電路圖案。該圖案例如可以通過成像在涂敷于基底上的輻射敏感材料層(抗蝕劑)而傳遞到(一部分)基底(例如玻璃板)上。
代替電路圖案，構(gòu)圖部件可以用于產(chǎn)生其他圖案，例如濾色器圖案或點(diǎn)矩陣。代替掩模，構(gòu)圖部件包括具有單獨(dú)可控元件陣列的構(gòu)圖陣列。與基于掩模的系統(tǒng)相比，在這種系統(tǒng)中可以更加快速和低成本地改變圖案。
平板顯示器基底可以是矩形形狀。設(shè)計(jì)成曝光這種類型的基底的光刻裝置可以提供曝光區(qū)，該曝光區(qū)覆蓋了矩形基底的全寬度，或者覆蓋了部分寬度(例如一半寬度)?？梢栽谄毓鈪^(qū)下方掃描基底，同時(shí)在投影光束下同步掃描掩?；蛑虚g掩模版。通過這種方式，將圖案傳遞到基底上。如果曝光區(qū)覆蓋了基底的全寬度，那么可以使用單次掃描完成曝光。如果曝光區(qū)覆蓋了例如基底的一半寬度，就可以在第一次掃描之后橫向移動基底，然后通常是執(zhí)行另一掃描來曝光基底的其他部分。
一般地，單一的基底將包含被相繼曝光的相鄰靶部的網(wǎng)絡(luò)。在掃描處理期間基底布置在基底曝光臺或平臺上。未曝光基底即那些還沒有經(jīng)過曝光的基底存儲在存儲裝置或系統(tǒng)中。機(jī)械手將未曝光基底裝載到曝光臺上，并在此隨后對它們進(jìn)行曝光。曝光后，已曝光的基底由機(jī)械手送回到存儲庫中。
光刻裝置包括將清潔氣體分布到光刻裝置中的清潔氣體供給源。因?yàn)檠b置內(nèi)的污染會導(dǎo)致成像誤差，所以可以提供清潔氣體以便保持裝置內(nèi)清潔的環(huán)境。在這些光刻裝置中由清潔氣體供給單元提供向下流動的清潔氣體，所述清潔氣體供給單元布置在光刻裝置中。
在某些應(yīng)用中，例如在平板顯示器的制造中使用的基底相對較大。例如，它們的面積超過了1m2。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)由于相對較大的成像面積，微粒污染就成為一個(gè)問題。特別是對于未曝光基底成為一個(gè)問題。如上所述，清潔氣體就是針對上面的問題。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)由于基底臺的布置以及其和機(jī)械手的相互作用，清潔氣體在曝光前不會有效地到達(dá)未曝光基底。這可能導(dǎo)致成像誤差。此外，在其中基底和基底臺相對大的應(yīng)用中，另一個(gè)結(jié)果是基底臺在裝置的有限空間內(nèi)的移動在裝載和卸載基底中會用作一個(gè)泵，該泵可以將污染微?！氨盟汀钡轿雌毓饣咨?。此外，移動的機(jī)械手會產(chǎn)生伴流影響，以及在未曝光基底上方產(chǎn)生在壓力下的區(qū)域，這也有可能產(chǎn)生污染的危險(xiǎn)。
因此，需要的是一種減小光刻裝置中污染危險(xiǎn)的系統(tǒng)和方法。例如，期望的是減小未曝光基底的污染危險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供一種光刻裝置，其包括支撐基底的基底臺和使基底相對基底臺移動的基底搬運(yùn)器?；装徇\(yùn)器適合于在曝光之前和之后將基底裝載到基底臺上和從基底臺上卸載基底。此外，清潔氣體供給系統(tǒng)向布置有基底的至少一個(gè)位置提供清潔氣體。清潔氣體供給系統(tǒng)可移動地安裝。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供一種光刻裝置，包括將清潔氣體供給到光刻裝置中未曝光基底上的清潔氣體供給系統(tǒng)。所述清潔氣體供給系統(tǒng)布置在移動支撐件上，并向布置有未曝光基底的至少一個(gè)位置提供清潔氣體。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，提供一種器件制造方法，包括以下步驟。將帶圖案的輻射光束投影到基底上。調(diào)節(jié)輻射光束。調(diào)制輻射光束的截面。在基底臺上支撐基底。將已調(diào)制的輻射光束投影到基底的靶部上。使基底相對基底臺移動，包括在曝光之前和之后將基底裝載到基底臺以及從基底臺上卸載基底。向布置有基底的至少一個(gè)位置提供清潔氣體，其中清潔氣體由可移動安裝的清潔氣體系統(tǒng)提供。
下面參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的其他實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)以及本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作。


在此結(jié)合附圖并構(gòu)成說明書的一部分，這些附圖和描述一起說明了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，它們還可用于解釋本發(fā)明的原理，以及使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解和使用本發(fā)明。
圖1和2示出了根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的光刻裝置。
圖3示出了使用如圖2所示的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例將圖案傳遞到基底的方式。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光引擎的布置。
圖5、6a-6g、7、8和9示出了根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例用于光刻裝置的清潔氣體供給系統(tǒng)的側(cè)視圖。
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的清潔氣體系統(tǒng)的細(xì)節(jié)。
現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明。在圖中，相似的參考數(shù)字表示相似或功能類似的元件。附加地，參考數(shù)字中最左邊的數(shù)字可以確定其中參考數(shù)字第一次出現(xiàn)的附圖。
具體實(shí)施例方式
盡管論述了具體的結(jié)構(gòu)和布置，但是應(yīng)該理解這僅僅是為了說明的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以使用其他結(jié)構(gòu)和布置。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是還可以在各種其他應(yīng)用中利用本發(fā)明。
圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置。該裝置包括照明系統(tǒng)IL、構(gòu)圖部件PD、基底臺WT和投影系統(tǒng)PS。照明系統(tǒng)(照明器)IL配置成調(diào)節(jié)輻射光束B(例如UV輻射)。
構(gòu)圖部件PD(例如例如中間掩模版或掩模或單獨(dú)可控元件陣列)調(diào)制投影光束。一般地，單獨(dú)可控元件陣列的位置將相對投影系統(tǒng)PS固定。但是，它可以代替地與定位裝置連接，該定位裝置配置成根據(jù)某些參數(shù)精確定位單獨(dú)可控元件陣列。
基底臺WT構(gòu)造成支撐基底(例如涂敷抗蝕劑的基底)W，并與配置成根據(jù)某些參數(shù)精確定位基底的定位裝置PW連接；投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS配置成將由單獨(dú)可控元件陣列調(diào)制的輻射光束投影到基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如包括用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射的折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件、靜電光學(xué)部件或其它類型的光學(xué)部件，或者其任意組合。
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”或“對比器件”應(yīng)廣義地解釋為可以用于調(diào)制輻射光束的截面從而在基底靶部中形成圖案的任何裝置。該部件可以是靜態(tài)構(gòu)圖部件(例如掩?；蛑虚g掩模版)或動態(tài)構(gòu)圖部件(例如可編程元件陣列)。為了簡便起見，大部分描述都是關(guān)于動態(tài)構(gòu)圖部件，但是應(yīng)該理解在不脫離本發(fā)明的范圍的條件下也可以使用靜態(tài)構(gòu)圖部件。
應(yīng)該注意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基底靶部中的期望圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。類似地，最終在基底上形成的圖案可以和在任何情況下在單獨(dú)可控元件陣列上形成的圖案不一致。這可以是在這種布置中的情況，其中在給定的時(shí)間間隔或給定的曝光次數(shù)中逐步形成在基底的每部分上形成的最終圖案，在所述時(shí)間間隔中單獨(dú)可控元件陣列和/或基底的相關(guān)位置會改變。
一般地，在基底靶部上形成的圖案與在靶部中形成的器件如集成電路或平板顯示器的特殊功能層(例如平板顯示器中的濾色器層或平板顯示器中的薄膜晶體管層)相對應(yīng)。這種構(gòu)圖部件的實(shí)例包括例如中間掩模版、可編程反射鏡陣列、激光二極管陣列、發(fā)光二極管陣列、光柵光閥和LCD陣列。
構(gòu)圖部件的圖案在電子裝置(例如計(jì)算機(jī))的輔助下進(jìn)行編程，構(gòu)圖部件例如包括多個(gè)可編程元件(除了中間掩模版外，例如在上文中提到的所有器件)，在此構(gòu)圖部件可以共同地稱為“對比器件”。在一個(gè)實(shí)例中，構(gòu)圖部件包括至少10個(gè)可編程元件，例如至少100個(gè)、至少1000個(gè)、至少10000個(gè)、至少100000個(gè)、至少1000000個(gè)或至少10000000個(gè)可編程元件。
可編程反射鏡陣列包括具有粘彈性控制層和反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理例如是反射表面的尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔猓菍ぶ穮^(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。使用一個(gè)適當(dāng)?shù)目臻g濾光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光到達(dá)基底。按照這種方式，光束根據(jù)可尋址表面的定址圖案而進(jìn)行構(gòu)圖。
應(yīng)該理解，作為一種替換方案，濾光器可以濾除衍射光，而保留非衍射光到達(dá)基底。
也可以以相應(yīng)的方式使用衍射光學(xué)MEMS器件(微電子機(jī)械系統(tǒng)器件)陣列。在一個(gè)實(shí)例中，衍射光學(xué)MEMS器件包括多個(gè)反射條，該反射條相對彼此變形從而形成光柵，光柵將入射光反射為衍射光。
可編程反射鏡陣列的另一個(gè)可替換實(shí)施例是利用微小反射鏡的矩陣排列，通過施加適當(dāng)?shù)木植侩妶?，或者通過使用壓電致動裝置，使得每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，使得已尋址反射鏡以與未尋址的反射鏡不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷洌话凑者@種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進(jìn)行構(gòu)圖?？梢杂眠m當(dāng)?shù)碾娮友b置執(zhí)行所需的矩陣定址。
另一個(gè)實(shí)例PD是可編程LCD陣列。
光刻裝置包括一個(gè)或多個(gè)對比器件。例如，它可以具有多個(gè)單獨(dú)可控元件陣列，每個(gè)可控元件可以彼此獨(dú)立地進(jìn)行控制。在這種布置中，一些或者所有單獨(dú)可控元件陣列具有共同的照明系統(tǒng)(或部分照明系統(tǒng))、用于單獨(dú)可控元件陣列的共同的支撐結(jié)構(gòu)和/或共同的投影系統(tǒng)(或部分投影系統(tǒng))中的至少一個(gè)。
在一個(gè)實(shí)例中，例如圖1中所示的實(shí)施例，基底W大體上為圓形，視需要地具有凹槽和/或沿其部分周邊具有整平的邊緣。在一個(gè)實(shí)例中，基底為多邊形形狀，例如矩形。
在其中基底大體上為圓形的實(shí)例中，包括多個(gè)實(shí)施例，其中基底直徑為至少25mm，例如至少50mm、至少75mm、至少100mm、至少125mm、至少150mm、至少175mm、至少200mm、至少250mm、或至少300mm。在一個(gè)實(shí)例中，基底直徑為至多500mm、至多400mm、至多350mm、至多300mm、至多250mm、至多200mm、至多150mm、至多100mm或至多75mm。
在其中基底為多邊形例如矩形的實(shí)例中，包括多個(gè)實(shí)施例，其中基底的至少一邊，例如至少2邊或至少3邊，的長度為至少5cm，例如至少25cm、至少50cm、至少100cm、至少150cm、至少200cm或至少250cm。
在一個(gè)實(shí)例中，基底的至少一邊的長度為至多1000cm，例如至多750cm、至多500cm、至多350cm、至多250cm、至多150cm或至多75cm。
在一個(gè)實(shí)例中，基底W是晶片，例如半導(dǎo)體晶片。在一個(gè)實(shí)例中，晶片材料選自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP和InAs構(gòu)成的組。在一個(gè)實(shí)例中，晶片是III/V族復(fù)合半導(dǎo)體晶片。在一個(gè)實(shí)例中，晶片是硅晶片。在一個(gè)實(shí)施例中，基底是陶瓷基底。在一個(gè)實(shí)例中，基底是玻璃基底。在一個(gè)實(shí)例中，基底是塑料基底。在一個(gè)實(shí)例中，基底是透明的(對于裸眼來說)。在一個(gè)實(shí)例中，基底是有色的。在一個(gè)實(shí)例中，基底沒有顏色。
基底的厚度可以變化，在某種程度上，它取決于例如基底材料和/或基底尺寸。在一個(gè)實(shí)例中，厚度是至少50μm，例如至少100μm、至少200μm、至少300μm、至少400μm、至少500μm或至少600μm。在一個(gè)實(shí)例中，基底的厚度是至多5000μm，例如至多3500μm、至多2500μm、至多1750μm、至多1250μm、至多1000μm、至多800μm、至多600μm、至多500μm、至多400μm或至多300μm。
在曝光之前或之后，可以在例如涂布顯影裝置(通常將抗蝕劑層施加于基底上并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計(jì)量工具和/或檢驗(yàn)工具中對這里提到的基底進(jìn)行處理。在一個(gè)實(shí)例中，抗蝕劑層布置在基底上。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)、反折射光學(xué)系統(tǒng)、磁性光學(xué)系統(tǒng)、電磁光學(xué)系統(tǒng)和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或其任何組合，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如浸液的使用或真空的使用。這里任何術(shù)語“投影鏡頭”的使用可以認(rèn)為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
投影系統(tǒng)將圖案成像在單獨(dú)可控元件陣列上，使得圖案一致地形成在基底上?？商鎿Q地，投影系統(tǒng)可以成像輔助源，對于該輔助源單獨(dú)可控元件陣列中的元件可用作光閘。在這方面，投影系統(tǒng)包括聚焦元件陣列，如微透鏡陣列(即MLA)或菲涅耳透鏡陣列，例如用于形成輔助源和將光點(diǎn)成像到基底上。在一個(gè)實(shí)例中，聚焦元件陣列(例如MLA)包括至少10個(gè)聚焦元件，例如至少100個(gè)聚焦元件、至少1000個(gè)聚焦元件、至少10000個(gè)聚焦元件、至少100000個(gè)聚焦元件或至少1000000個(gè)聚焦元件。在一個(gè)實(shí)例中，構(gòu)圖部件中單獨(dú)可控元件的數(shù)量等于或大于聚焦元件陣列中聚焦元件的數(shù)量。在一個(gè)實(shí)例中，聚焦元件陣列中一個(gè)或多個(gè)(例如1000個(gè)或更多，大多數(shù)或者每一個(gè))聚焦元件與單獨(dú)可控元件陣列中的一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)可控元件光學(xué)相聯(lián)，例如與單獨(dú)可控元件陣列中的2個(gè)或多個(gè)單獨(dú)可控元件相聯(lián)，例如3個(gè)或多個(gè)、5個(gè)或多個(gè)、10個(gè)或多個(gè)、10個(gè)或多個(gè)、25個(gè)或多個(gè)、35個(gè)或多個(gè)，或者50個(gè)或多個(gè)。在一個(gè)實(shí)例中，例如通過使用一個(gè)或多個(gè)致動裝置，MLA至少在朝向基底和背離基底的方向是可動的(例如使用致動裝置)。能夠使MLA朝向和背離基底移動例如可以允許在不移動基底的情況下調(diào)焦。
如這里圖1和2所示出的，該裝置是反射型(例如采用反射性單獨(dú)可控元件陣列)。或者，該裝置可以是透射型(例如采用透射性單獨(dú)可控元件陣列)。
光刻裝置可以具有兩個(gè)(雙平臺)或者多個(gè)基底臺。在這種“多平臺式”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺用于曝光。
光刻裝置還可以是這樣一種類型，其中至少部分基底由具有相對高的折射率的“浸液”如水覆蓋，從而填充投影系統(tǒng)和基底之間的空間。浸液也可以應(yīng)用于光刻裝置中的其他空間，例如應(yīng)用于構(gòu)圖部件和投影系統(tǒng)之間。浸液技術(shù)在本領(lǐng)域中是公知的，其用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語“浸液”不表示結(jié)構(gòu)如基底必須浸沒在液體中，而是表示液體在曝光期間位于投影系統(tǒng)和基底之間。
再次參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。在一個(gè)實(shí)施例中，輻射源提供的輻射的波長為至少5nm，例如至少10nm、至少50nm、至少100nm、至少150nm、至少175nm、至少200nm、至少250nm、至少275nm、至少300nm、至少325nm、至少350nm或至少360nm。在一個(gè)實(shí)施例中，由輻射源SO提供的輻射的波長為至多450nm，例如至多425nm、至多375nm、至多360nm、至多325nm、至多275nm、至多250nm、至多225nm、至多200nm或至多175nm。在一個(gè)實(shí)施例中，輻射具有的波長包括436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm和/或126nm。在一個(gè)實(shí)施例中，輻射包括大約為365nm或大約355nm的波長。在一個(gè)實(shí)施例中，輻射包括寬頻帶的波長，例如包括365、405和436nm?？梢允褂?55nm的激光源。輻射源和光刻裝置可以是獨(dú)立的機(jī)構(gòu)，例如當(dāng)輻射源是受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這種情況下，不認(rèn)為輻射源構(gòu)成了光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述光束輸送系統(tǒng)例如包括合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當(dāng)源是汞燈時(shí)。源SO和照明器IL，如果需要連同光束輸送系統(tǒng)BD一起可以稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射光束的角強(qiáng)度分布。一般地，至少可以調(diào)節(jié)在照明器光瞳平面上強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照明器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照明器可以用于調(diào)節(jié)輻射光束，以使輻射光束在其橫截面上具有期望的均勻度和強(qiáng)度分布。照明器IL或與其相聯(lián)的附加部件也可以布置成將輻射光束分成多個(gè)子光束，該子光束例如每個(gè)都能夠與單獨(dú)可控元件陣列中的一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)可控元件相聯(lián)。例如可以使用二維衍射光柵將輻射光束分成多個(gè)子光束。在該描述中，術(shù)語“輻射的光束”和“輻射光束”包括但不限于其中光束包括多個(gè)這種輻射子光束的情況。
輻射光束B入射到構(gòu)圖部件PD(如單獨(dú)可控元件陣列)上，并由構(gòu)圖部件進(jìn)行調(diào)制。由構(gòu)圖部件PD反射之后，輻射光束B通過投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)將光束聚焦在基底W的靶部C上。在定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如干涉測量器件、線性編碼器或電容傳感器等等)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而例如在輻射光束B的光路中定位不同的靶部C。在使用定位裝置的地方，可以使用單獨(dú)可控元件陣列的定位裝置，從而例如在掃描期間精確校正構(gòu)圖部件PD相對光束B的光路的位置。
在一個(gè)實(shí)施例中，利用長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)可以實(shí)現(xiàn)基底臺WT的移動，其中圖1中未明確示出長行程模塊和短行程模塊。在一個(gè)實(shí)施例中，該裝置中僅有短行程模塊用于移動基底臺WT。也可以使用類似的系統(tǒng)定位單獨(dú)可控元件陣列。應(yīng)該理解，投影光束B可替換地/附加地是可移動的，同時(shí)目標(biāo)臺和/或單獨(dú)可控元件陣列具有固定的位置，從而提供所需的相關(guān)運(yùn)動。這種布置有助于限制裝置的尺寸。作為另一種替換方案，該方案例如能夠應(yīng)用于平板顯示器的制造、基底臺WT的定位，并且能夠固定投影系統(tǒng)PS，基底W布置成相對基底臺WT移動。例如，基底臺WT具有一個(gè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)用于以大體上不變的速度在基底上方掃描基底W。
如圖1所示，輻射光束B可以通過分束器BS引向構(gòu)圖部件PD，該分束器配置成使得輻射首先由分束器反射，然后指向構(gòu)圖部件PD。應(yīng)該認(rèn)識到輻射光束B也可以不使用分束器而指向構(gòu)圖部件。在一個(gè)實(shí)施例中，輻射光束以0至90°之間的角度θ指向構(gòu)圖部件，所述角度例如在5至85°之間、在15至75°之間、在25至65°之間或者在35至55°之間(圖1中示出的實(shí)施例為90°)。構(gòu)圖部件PD調(diào)制輻射光束B，并使其反射回分束器BS，該分束器將調(diào)制過的光束傳輸?shù)酵队跋到y(tǒng)PS。但是應(yīng)該理解，可以使用可替換的布置使輻射光束B指向構(gòu)圖部件PD，然后指向投影系統(tǒng)PS。特別地，如果使用透射性構(gòu)圖部件，可以不需要例如如圖1所示的布置。
所示的裝置可以按照幾種模式使用1.在步進(jìn)模式中，單獨(dú)可控元件陣列和基底基本保持不動，而賦予輻射光束的整個(gè)圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動基底臺WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進(jìn)模式中，曝光區(qū)的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，當(dāng)賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時(shí)，同步掃描單獨(dú)可控元件陣列和基底(即單次動態(tài)曝光)。基底相對于單獨(dú)可控元件陣列的速度和方向通過投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光區(qū)的最大尺寸限制了在單次動態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描動作的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。
3.在脈沖模式中，單獨(dú)可控元件陣列基本保持不動，使用脈沖輻射源將整個(gè)圖案投影到基底W的靶部C上?；着_WT以基本不變的速度移動，使得投影光束B掃描橫過基底W的線。在輻射系統(tǒng)的脈沖之間根據(jù)需要更新單獨(dú)可控元件陣列上的圖案，所述脈沖可以定時(shí)成在基底W上所需的位置處曝光連續(xù)的靶部C。因此，投影光束B可以在基底W上方掃描以曝光用于基底條的整個(gè)圖案。重復(fù)該處理，直到整個(gè)基底W逐行曝光。
4.在連續(xù)掃描模式，其基本上與脈沖模式相同，除了相對調(diào)制過的輻射光束B以大體上不變的速度掃描基底，然后當(dāng)投影光束B掃描過基底W并使其曝光時(shí)更新單獨(dú)可控元件陣列上的圖案?？梢允褂么篌w上不變的輻射源或脈沖輻射源，并使其與單獨(dú)可控元件陣列上的圖案的更新同步。
5.在像素網(wǎng)格成像模式中，其可以使用圖2的光刻裝置執(zhí)行，通過隨后對由光點(diǎn)發(fā)生器形成的光點(diǎn)曝光，可以在基底W上形成圖案，所述光點(diǎn)指向構(gòu)圖部件PD。已曝光的光點(diǎn)具有大體上相同的形狀。光點(diǎn)以大體上網(wǎng)格的方式印刷在基底W上。在一個(gè)實(shí)例中，光點(diǎn)尺寸大于印刷的像素網(wǎng)格的節(jié)距，但是遠(yuǎn)小于曝光光點(diǎn)網(wǎng)格。通過改變印刷光點(diǎn)的強(qiáng)度，可以獲得圖案?？梢栽谄毓忾W光之間改變光點(diǎn)上的強(qiáng)度分布。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的使用模式。
在光刻法中，在基底的抗蝕劑層上曝光圖案。然后使抗蝕劑顯影。隨后，在基底上執(zhí)行附加的處理步驟。這些隨后的處理步驟對基底每部分的作用取決于抗蝕劑的曝光。特別地，可以調(diào)整這些處理，使得接收超過給定劑量閥值的輻射劑量的基底的各個(gè)部分不同地相應(yīng)于接收低于給定劑量閥值的輻射劑量的基底的各個(gè)部分。例如，在蝕刻處理中，接收超過閥值的輻射劑量的基底區(qū)域由顯影的抗蝕劑層保護(hù)而不被蝕刻。但是，在后曝光顯影中，去除了接收低于閥值的輻射劑量的抗蝕劑部分，因此這些區(qū)域不受保護(hù)而被蝕刻。從而，可以蝕刻期望的圖案。特別地，構(gòu)圖部件中單獨(dú)可控元件設(shè)定成使得透射到圖案特征中基底區(qū)域上的輻射具有足夠高的強(qiáng)度，即在曝光期間該區(qū)域可接收超過劑量閥值的輻射劑量。通過設(shè)定相應(yīng)的單獨(dú)可控元件以提供零或非常低的輻射強(qiáng)度，基底上的其他區(qū)域可接收低于劑量閥值的輻射劑量。
實(shí)際上，處于圖案特征邊緣的輻射劑量不會突然從給定的最大劑量變化到零劑量，即使單獨(dú)可控元件設(shè)定成在特征邊界的一側(cè)提供最大輻射強(qiáng)度，而在另一側(cè)提供最小輻射強(qiáng)度。相反，由于衍射效應(yīng)，輻射劑量的水平在過渡區(qū)逐漸減小。最終由顯影的抗蝕劑形成的圖案特征的邊界位置由接收的劑量下降到低于輻射劑量閥值的位置確定。通過將單獨(dú)可控元件設(shè)定在最大或最小強(qiáng)度水平以及設(shè)定在最大和最小強(qiáng)度水平之間，可以精確控制在過渡區(qū)上輻射劑量迅速下降的曲線以及圖案特征邊界的精確位置，所述單獨(dú)可控元件可向基底上多個(gè)點(diǎn)提供輻射，這些點(diǎn)在圖案特征邊界上或附近。通常將其稱為“灰度級調(diào)節(jié)”(grayscaling)。
灰度級調(diào)節(jié)可以更好地控制圖案特征邊界的位置，這在光刻系統(tǒng)中是可能的，其中由給定單獨(dú)可控元件提供給基底的輻射強(qiáng)度可以僅設(shè)定為兩個(gè)值(也就是最大值和最小值)。在一個(gè)實(shí)施例中，將至少三個(gè)不同的輻射強(qiáng)度值投影到基底上，所述至少三個(gè)不同的輻射強(qiáng)度值例如是至少4個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少8個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少16個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少32個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少64個(gè)輻射強(qiáng)度值、至少128個(gè)輻射強(qiáng)度值或至少256個(gè)輻射強(qiáng)度值。
應(yīng)該理解，可以為了附加的或可替換的目的將灰度級調(diào)節(jié)用于上述情況。例如，可以調(diào)節(jié)在曝光之后對基底的處理，從而根據(jù)所接收的輻射劑量水平，存在超過兩種的基底區(qū)域的電位響應(yīng)。例如，接收低于第一閥值的輻射劑量的基底部分以第一方式響應(yīng)；接收高于第一閥值但低于第二閥值的輻射劑量的基底部分以第二方式響應(yīng)；以及接收高于第二閥值的輻射劑量的基底部分以第三方式響應(yīng)。因此，灰度級調(diào)節(jié)可以用于在基底上提供具有超過兩個(gè)期望劑量水平的輻射劑量曲線。在一個(gè)實(shí)施例中，輻射劑量曲線具有至少2個(gè)期望劑量水平，例如至少3個(gè)期望劑量水平、至少4個(gè)期望劑量水平、至少6個(gè)期望劑量水平或至少8個(gè)期望劑量水平。
還應(yīng)該理解，可以利用多種方法控制輻射劑量曲線，所述方法不同于如上所述的通過僅僅控制在基底的每一點(diǎn)上接收的輻射強(qiáng)度的方法。例如，在基底的每一點(diǎn)上接收的輻射劑量可替換地或附加地可以通過控制所述點(diǎn)的曝光持續(xù)時(shí)間進(jìn)行控制。作為另一個(gè)實(shí)例，基底上的每個(gè)點(diǎn)可以在多個(gè)連續(xù)的曝光中潛在地接收輻射。因此可替換地或附加地，通過使用選定子組的所述多個(gè)連續(xù)曝光曝光所述點(diǎn)，可以控制每個(gè)點(diǎn)接收的輻射劑量。
為了在基底上形成所需的圖案，有必要將構(gòu)圖部件中的每個(gè)單獨(dú)可控元件在曝光處理期間設(shè)定在每個(gè)平臺上所需的狀態(tài)。因此必須將表示所需狀態(tài)的控制信號傳輸給每個(gè)單獨(dú)可控元件。在一個(gè)實(shí)例中，光刻裝置包括產(chǎn)生控制信號的控制器。以限定矢量的形式例如GDSII把要在基底上形成的圖案提供給光刻裝置。為了將設(shè)計(jì)信息轉(zhuǎn)換成每個(gè)單獨(dú)可控元件的控制信號，控制器包括一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)操作設(shè)備，每個(gè)數(shù)據(jù)操作設(shè)備配置成執(zhí)行對表示圖案的數(shù)據(jù)流的處理步驟。這些數(shù)據(jù)操作設(shè)備可以共同地稱為“數(shù)據(jù)通路”。
數(shù)據(jù)通路的數(shù)據(jù)操作設(shè)備可以配置成執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)下列功能將基于矢量的設(shè)計(jì)信息轉(zhuǎn)換成位案數(shù)據(jù)；將位案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成所需/所需的輻射劑量圖(也就是基底上所需的輻射劑量曲線)；將所需的輻射劑量圖轉(zhuǎn)換成每個(gè)單獨(dú)可控元件的所需輻射強(qiáng)度值；以及將每個(gè)單獨(dú)可控元件的所需輻射強(qiáng)度值轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的控制信號。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置的布置，其可以用于例如平板顯示器的制造。相應(yīng)于如圖1所示元件的那些元件用相同的參考數(shù)字表示。此外，對各個(gè)實(shí)施例的以上描述，例如基底的各種結(jié)構(gòu)、對比器件、MLA、輻射光束等等仍然可以適用。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置的布置。該實(shí)施例可以用于例如平板顯示器的制造。相應(yīng)于如圖1所示元件的那些元件用相同的參考數(shù)字表示。此外，對各個(gè)實(shí)施例的以上描述，例如基底的各種結(jié)構(gòu)、對比器件、MLA、輻射光束等等仍然可以適用。
如圖2所示，投影系統(tǒng)PS包括擴(kuò)束器，該擴(kuò)束器包括兩個(gè)透鏡L1、L2。第一透鏡L1布置成接收調(diào)制的輻射光束B，并將其透過孔徑光闌AS中的小孔聚焦。另一個(gè)透鏡AL可以設(shè)置在小孔中。然后使輻射光束B發(fā)散并利用第二透鏡L2(例如物鏡)聚焦。
投影系統(tǒng)PS還包括透鏡陣列MLA，其布置成接收擴(kuò)展調(diào)制的輻射B。不同部分的調(diào)制輻射光束B相應(yīng)于構(gòu)圖部件PD中的一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)可控元件，它們通過透鏡陣列MLA中相應(yīng)的不同透鏡。每個(gè)透鏡ML將調(diào)制的輻射光束B的相應(yīng)部分聚焦到位于基底W上的點(diǎn)。通過這種方式將輻射光點(diǎn)S的陣列曝光到基底W上。應(yīng)該理解，盡管僅僅示出了所示透鏡陣列14中的八個(gè)透鏡ML，但是透鏡陣列可以包括數(shù)以千計(jì)的透鏡(同樣可以使用單獨(dú)可控元件陣列作為構(gòu)圖部件PD)。
圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例如何使用圖2的系統(tǒng)在基底W上產(chǎn)生圖案。實(shí)心圓表示由投影系統(tǒng)PS中的透鏡陣列MLA投影到基底上的光點(diǎn)S的陣列。使基底相對投影系統(tǒng)在Y方向移動，同時(shí)在基底上進(jìn)行一系列曝光?？招膱A表示之前已經(jīng)在基底上曝光過的光點(diǎn)曝光SE。如所示出的，由投影系統(tǒng)PS中的透鏡陣列投影到基底上的每個(gè)光點(diǎn)可以使基底W上的一行R光點(diǎn)曝光。通過由每個(gè)光點(diǎn)S曝光的所有行R的光點(diǎn)曝光SE的總和，可以產(chǎn)生基底的全部圖案。如上所述，這種布置可以共同地稱為“像素網(wǎng)格成像”。
可以看出，輻射光點(diǎn)S的陣列以角度θ相對基底W(與X和Y方向平行放置的基底邊緣)布置。這樣做可以使得當(dāng)沿掃描方向(Y方向)移動基底時(shí)，每個(gè)輻射光點(diǎn)將在基底的不同區(qū)域上通過，由此允許整個(gè)基底由輻射光點(diǎn)15的陣列覆蓋。在一個(gè)實(shí)施例中，角度θ是至多20°、10°，例如至多5°、至多3°、至多1°、至多0.5°、至多0.25°、至多0.10°、至多0.05°或至多0.01°。在一個(gè)實(shí)施例中，角度θ是至少0.0001°。
圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例如何使用多個(gè)光引擎在單次掃描中曝光整個(gè)平板顯示器的基底W。在一個(gè)實(shí)例中，利用八個(gè)光引擎(未示出)產(chǎn)生所示出的八個(gè)輻射光點(diǎn)S的陣列31，該陣列以兩行32、33的方式布置成‘棋盤’結(jié)構(gòu)，使得輻射光點(diǎn)S的一個(gè)陣列邊緣與輻射光點(diǎn)15的相鄰陣列的邊緣略微重疊(沿掃描方向Y)。在一個(gè)實(shí)例中，光引擎以至少3行例如4行或5行的方式布置。在該實(shí)例中，一個(gè)輻射帶掃過基底W的寬度，從而在單次掃描中執(zhí)行對整個(gè)基底的曝光。應(yīng)該理解，可以使用任何合適數(shù)量的光引擎。在一個(gè)實(shí)例中，光引擎的數(shù)量是至少1個(gè)，例如至少2個(gè)、至少4個(gè)、至少8個(gè)、至少10個(gè)、至少12個(gè)、至少14個(gè)或至少17個(gè)。在一個(gè)實(shí)例中，光引擎的數(shù)量小于40個(gè)，例如小于30個(gè)或小于20個(gè)。
每個(gè)光引擎包括如上所述的單獨(dú)照明系統(tǒng)IL、構(gòu)圖部件PD和投影系統(tǒng)PS。但是應(yīng)該理解，兩個(gè)或多個(gè)光引擎可以共用照明系統(tǒng)、構(gòu)圖部件和投影系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)的至少一部分。
數(shù)據(jù)通路配置成向每個(gè)光引擎提供控制數(shù)據(jù)順序，所述控制數(shù)據(jù)順序適合于產(chǎn)生由該光引擎曝光的所需劑量圖案的一部分。每個(gè)控制數(shù)據(jù)順序可從用戶限定的所要求劑量圖案的一個(gè)部分(多個(gè)部分)導(dǎo)出。通常該導(dǎo)出處理包括光柵化步驟(例如，將基于矢量的圖案定義轉(zhuǎn)換成位圖表示)和/或解壓步驟，可以在線(即大體上實(shí)時(shí))執(zhí)行上述步驟中的一個(gè)或兩個(gè)，同時(shí)使基底曝光。通常不可能直接從整個(gè)所要求劑量圖案的原始(即未壓縮的)位圖表示產(chǎn)生控制數(shù)據(jù)，因?yàn)樵摫硎咎笠灾劣诓荒芤匀菀状嫒『凸?jié)省成本的方式進(jìn)行存儲。
因此光刻裝置的性能取決于數(shù)據(jù)操作設(shè)備執(zhí)行其各自計(jì)算(例如光柵化、解壓等等)的速度。為此，由于典型劑量圖案所需計(jì)算的數(shù)值范圍，在一個(gè)實(shí)例中數(shù)據(jù)操作設(shè)備可以由專用的計(jì)算硬件構(gòu)成，并使所述計(jì)算硬件對涉及的計(jì)算類型進(jìn)行優(yōu)化。例如，可以使用包括現(xiàn)場可編程門陣列的大規(guī)模平行處理系統(tǒng)。
所要求劑量圖案的復(fù)雜性可以從圖案的一個(gè)區(qū)域相當(dāng)大地變化到另一個(gè)區(qū)域，其通常不是預(yù)先知道的。實(shí)際上，期望的是光刻裝置的用戶在選擇劑量圖案時(shí)應(yīng)該具有完全的自由度。在一個(gè)實(shí)例中，對圖案的選擇應(yīng)該不會影響光刻處理的速度。
如上所述，在一個(gè)實(shí)例中，可以在多個(gè)光引擎之間劃分構(gòu)圖處理，可以為每個(gè)光引擎提供數(shù)據(jù)操作設(shè)備，以便平行地為每個(gè)數(shù)據(jù)操作設(shè)備產(chǎn)生控制數(shù)據(jù)順序。
圖5示出了用于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置的清潔氣體供給系統(tǒng)的側(cè)視圖表示。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供一種清潔氣體供給系統(tǒng)FU，IP，OP，用于向基底W，UW，EW提供清潔氣體。所提供的清潔氣體包括但不限于空氣或氮?dú)狻；譝可以是已曝光的基底EW、未曝光基底UW或部分曝光的基底中的任何一個(gè)。
在所有附圖中，已曝光的基底部分用豎直的條表示，未曝光基底部分用鋸齒形條表示。
在一個(gè)實(shí)例中，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP配置成位于可動支撐件LT、UT上，和配置成向布置有基底W、UW、EW的至少一個(gè)位置L提供清潔氣體G。通過這種方式，改進(jìn)裝置內(nèi)的清潔氣體。特別地，清潔氣體被供給到在常規(guī)的裝置中供給不足的區(qū)域。
圖5顯示了其上布置有基底臺WT的框架SF，在WT和SF之間例如是空氣軸承AB的結(jié)構(gòu)。此外，提供一計(jì)量框架(未示出)，其包括具有透鏡的投影系統(tǒng)。計(jì)量框架安裝在平臺框架SF上。為了防止振動通過底座BF傳輸?shù)交着_WT，在框架SF和底座BF的基底臺WT之間布置隔振系統(tǒng)VIS。布置有基底W的位置L包括基底臺WT上的位置和基底搬運(yùn)器LT、UT中的位置?；装徇\(yùn)器LT、UT配置成使基底W、UW、EW相對基底臺WT移動，基底搬運(yùn)器LT、UT適合于在曝光之前和之后將基底LT裝載到基底臺WT上和從基底臺WT上卸載基底UT。
基底搬運(yùn)器UT、LT包括裝載臺LT和卸載臺UT中的至少一個(gè)?；装徇\(yùn)器還包括輸送裝置，用于促進(jìn)將基底輸送到卸載臺和裝載臺?；装徇\(yùn)器還包括e形銷EP，用于分別在卸載臺LT和裝載臺UT上支撐基底。
在一個(gè)實(shí)例中，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP布置在裝載臺LT上方，以便在未曝光基底的熱預(yù)調(diào)節(jié)的過程中向未曝光基底供給清潔氣體。
在另一個(gè)實(shí)例中，如圖5所示，清潔氣體供給系統(tǒng)FU布置在卸載臺UT下方，以便在對基底臺WT上的基底UW執(zhí)行掃描和曝光中至少一個(gè)的過程中向未曝光基底UW供給清潔氣體。通過這種方式，可以產(chǎn)生過壓，以防止空中的微粒到達(dá)特別是未曝光的基底。這可以通過對目標(biāo)產(chǎn)生相對低的沖擊的代價(jià)來實(shí)現(xiàn)。此外，可以在裝置中布置基底W、UW、EW的位置處產(chǎn)生調(diào)節(jié)的環(huán)境?？梢钥刂普{(diào)節(jié)環(huán)境的位置以便提高利用裝置中的清潔氣體的效率。通過這種方式，某些特定區(qū)域例如其中布置有未曝光基底的環(huán)境可以以改進(jìn)的方式進(jìn)行調(diào)節(jié)。通過這種方式，可以獲得改進(jìn)特殊污染的性能，這樣就可以獲得改進(jìn)的用戶收益和改進(jìn)的所有權(quán)成本。這在許多裝置中都是特別期望的，這些裝置布置成生產(chǎn)具有大的成像面積的器件，例如平板顯示器。在平板顯示器的制造過程中，平板顯示器和集成電路(FPD/IC)的比率是大約(500×400mm2)/(26×32mm2)，該比率等于大約240。但是，該比率可以從大約0.1變化到大約1000。
如所述的，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP配置成向布置有基底的至少一個(gè)位置L供給清潔氣體G。參考圖10示出和描述清潔氣體供給系統(tǒng)的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。
在一個(gè)實(shí)例中，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP可移動地安裝。在一個(gè)實(shí)例中，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP安裝在基底搬運(yùn)器LT、UT上。此外，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP可以和基底搬運(yùn)器LT、UT一起移動?；装徇\(yùn)器包括裝載臺LT和卸載臺UT中的至少一個(gè)。
在一個(gè)實(shí)例中，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP安裝在基底搬運(yùn)器LT的上側(cè)US。特別地，安裝在裝載臺LT的上側(cè)US。
清潔氣體供給系統(tǒng)配置成將清潔氣體G朝裝載臺和卸載臺UT中至少一個(gè)上的位置L引導(dǎo)，所述位置布置有基底。在如圖5所示的實(shí)施例中，沒有示出的基底處于裝載臺LT上的位置L。但是，如參考圖6a至6g的示例性順序所描述的，在循環(huán)期間，將基底輸送到該位置用于裝載到基底臺WT上。裝載臺LT布置成將基底裝載到基底臺WT上。卸載臺UT布置成從基底臺WT上卸載基底。
在另一個(gè)實(shí)例中，清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP安裝在基底搬運(yùn)器UT的下側(cè)UNS。特別地，安裝在卸載臺UT的下側(cè)UNS，并布置成將清潔氣體朝基底臺WT上的位置引導(dǎo)，所述位置布置有基底UW。
在一個(gè)實(shí)例中，可以提供支撐件SU用于將清潔氣體供給系統(tǒng)FU、IP、OP可支撐地安裝在基底搬運(yùn)器LT、UT上。該支撐件由任何適于支撐清潔氣體供給系統(tǒng)的材料構(gòu)成。例如，它可以是金屬結(jié)構(gòu)，如鋼。特別地，支撐件配置成將清潔氣體供給系統(tǒng)可支撐地安裝在裝載臺LT和卸載臺UT中的至少一個(gè)上。
在圖5所示的實(shí)施例中，用于過濾器單元FU的支撐件SU布置在裝載臺上。此外，第二過濾器單元布置在卸載臺的下側(cè)UNS。清潔氣體供給系統(tǒng)是常規(guī)的系統(tǒng)。它包括過濾器單元FU。該過濾器單元包括氣體入口和清潔氣體出口。過濾器單元FU吸入氣體并對其過濾。已過濾的氣體通常具有的溫度是大約23攝氏度+/-0.2攝氏度。已過濾的氣體作為清潔氣體由出口輸出。清潔氣體是濾除微粒的氣體。在一個(gè)實(shí)例中，平板顯示器制造的臨界微粒大于或等于大約0.5μm。在一個(gè)實(shí)例中，平板顯示器制造中的清潔氣體是ISO 14644二級。
在一個(gè)實(shí)例中，從入口吸入的氣體可以從外部環(huán)境吸入。可替換地，可以使其循環(huán)。過濾器單元FU可移動地安裝在基底搬運(yùn)器上。如在圖6至12中更加詳細(xì)看到的，基底搬運(yùn)器可沿大體上垂直于一平面的方向移動，所述平面中的一個(gè)位置布置有基底。
在常規(guī)的光刻裝置中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在卸載裝置下方的容積中和在通常是大約45秒的曝光期間在基底臺的基底上會形成一個(gè)特殊的問題區(qū)域。卸載臺UT的下側(cè)通常距離基底表面大約40mm。在常規(guī)的光刻裝置中，在卸載臺下面布置的未曝光基底上方?jīng)]有提供直接的清潔氣體。如上所述，通過本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例，即通過提供布置在卸載臺UT下方的清潔氣體供給系統(tǒng)可以解決這個(gè)問題。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這種布置減小了對未曝光基底的污染，因此增加了成像質(zhì)量。
在常規(guī)的光刻裝置中，在裝載臺LT上的未曝光基底上方的區(qū)域是另一個(gè)特殊的問題區(qū)域。由于基底搬運(yùn)器沿Z方向移動，因此就會減小和增大裝載臺上未曝光基底上方的容積，也就是使該容積發(fā)生變化。由于Z方向的移動，會在裝置中形成氣流，從而導(dǎo)致空氣中微粒的污染危險(xiǎn)。由于基底臺的移動會進(jìn)一步增大污染的危險(xiǎn)。這些問題在用于制造平板顯示器的裝置中會進(jìn)一步加劇，在所述裝置中基底、基底臺和基底搬運(yùn)器的尺寸相對較大。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在裝載臺上方提供清潔氣體系統(tǒng)可以解決這個(gè)問題，所述清潔氣體系統(tǒng)進(jìn)一步布置成和基底搬運(yùn)器一起移動。
圖6a至6g示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的清潔氣體供給順序的側(cè)視圖表示。在如圖5和6a至6g所示的實(shí)施例中，提供裝載臺LT和卸載臺UT，用于提供裝載或卸載的特定功能。但是，在可替換的實(shí)施例中，可以使用非專用的工作臺。例如，不管裝載臺和卸載臺描述為哪一個(gè)，都取決于順序的步驟。這樣在順序中的一個(gè)步驟處，在圖5和6a至6g中最上面示出的工作臺可以指定為裝載臺，而在順序的另一個(gè)步驟處，同一工作臺可指定為卸載臺。在示出的這種實(shí)施例中，裝載臺和卸載臺的結(jié)構(gòu)大體上相同，并如使用在順序中特定步驟處的工作臺的功能所表示的。在如圖6a至6g表示的順序中，裝置部件相應(yīng)于參考圖5示出和描述的那些部件。在圖6a、6b中，示出了在投影系統(tǒng)PS中的燈，其用于顯示在使這些部件順序排列期間進(jìn)行曝光。
圖6a示出了順序的步驟1。圖6a示出了在開始位置支撐位于投影系統(tǒng)PS如掃描裝置下方的未曝光基底UW1的基底臺WT?；着_WT在掃描裝置下方沿箭頭A指示的方向移動，由此輻照基底W。在進(jìn)行掃描的同時(shí)，通過機(jī)械手(未示出)將之前已經(jīng)曝光的基底EW沿箭頭B指示的方向卸載。在對未曝光基底進(jìn)行曝光時(shí)，過濾器單元FU2將清潔氣體引導(dǎo)到基底上。
圖6b示出了順序的步驟2。圖6b示出了基底臺WT繼續(xù)沿箭頭A指示的方向移動，使得基底UW1繼續(xù)被掃描。在繼續(xù)掃描的同時(shí)，通過機(jī)械手(未示出)將另一個(gè)未曝光的基底UW2裝載到裝載臺LT上。在裝載期間和裝載時(shí)，過濾器單元FU1將清潔氣體朝另一個(gè)未曝光基底UW2引導(dǎo)。這樣，減小了未曝光晶片污染的危險(xiǎn)。在圖6a和6b中，e形銷機(jī)構(gòu)有利于分別將基底裝載到裝載臺上和從卸載臺上卸載基底。
圖6c示出了順序的步驟3。圖6c示出了位于其最“端部”位置處的基底臺WT，使得基底UW2的整個(gè)表面都完全被掃描。應(yīng)該注意，現(xiàn)在未曝光基底UW1已經(jīng)表示為已曝光基底EW1。這樣可以為基底搬運(yùn)器LT、UT形成足夠的空間，以使其沿箭頭C指示的方向下降到掃描水平，清潔氣體供給系統(tǒng)FU1、FU2布置在所述基底搬運(yùn)器上。
圖6d示出了順序的步驟4。圖6d示出了基底搬運(yùn)器LT、UT位于一個(gè)位置，使得卸載臺已經(jīng)向下移動，而大體上與其上布置有已曝光基底EW1的基底臺WT的上表面平齊。當(dāng)處于該位置時(shí)，已曝光基底EW1從基底臺WT上沿箭頭D指示的方向卸載到卸載臺UT上。
圖6e示出了順序的步驟5。當(dāng)已曝光基底EW1位于卸載臺UT上時(shí)，基底搬運(yùn)器進(jìn)一步沿箭頭E指示的方向向下移動，直到裝載臺LT的上表面大體上與基底臺WT的上表面平齊。當(dāng)這兩個(gè)上表面大體上平齊時(shí)，將在步驟2中裝載到裝載臺LT上的第二未曝光基底UW2裝載到基底臺WT上，隨后在此使其曝光。卸載臺UT布置成使第二未曝光基底UW2沿箭頭F指示的方向移動。
圖6f示出了順序的步驟6。當(dāng)未曝光基底UW2已經(jīng)裝載到基底臺WT上時(shí)，基底臺WT等候在交換位置，同時(shí)基底搬運(yùn)器沿箭頭H顯示的向上的方向移動。為了減小第二未曝光基底UW2被污染的危險(xiǎn)，過濾器單元FU3布置成將清潔氣體引導(dǎo)到未曝光基底的表面上，同時(shí)使基底保持在交換位置，以及向上移動基底搬運(yùn)器。使基底搬運(yùn)器向上移動，直到當(dāng)未曝光基底移動到曝光位置時(shí)，布置在卸載臺UT下側(cè)上的過濾器單元FU2處于能夠?qū)⑶鍧崥怏w引導(dǎo)到未曝光基底上的位置。
圖6g示出了順序的步驟7。當(dāng)如圖6f所示，使基底搬運(yùn)器向上移動時(shí)，通過沿箭頭I的方向移動基底臺使基底臺WT移動到曝光位置。為了進(jìn)一步減小還未曝光的基底UW2被污染的危險(xiǎn)，過濾器單元FU2布置成將清潔氣體引導(dǎo)到基底上，同時(shí)使基底臺移動到曝光位置。通過這種方式，進(jìn)一步減小污染的危險(xiǎn)。在步驟7之后，順序返回到步驟1，如圖6a所示。重復(fù)以上順序。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例用于光刻裝置的清潔氣體供給系統(tǒng)的側(cè)視圖表示。特別地，圖7示出了包括裝載臺LT的基底搬運(yùn)器的細(xì)節(jié)?；装徇\(yùn)器還包括機(jī)械手RO，用于將基底布置在裝載臺或卸載臺上或者從裝載臺或卸載臺上卸下基底。機(jī)械手RO由控制電路CO控制。
在圖7中，機(jī)械手RO布置成將基底W放置在裝載臺LT上。為了保持基底周圍清潔的環(huán)境，在裝載臺LT和卸載臺UT中的至少一個(gè)和機(jī)械手RO之間提供閥VA。所述閥VA布置成選擇性地允許機(jī)械手達(dá)到裝載臺和卸載臺中的至少一個(gè)。在圖7中，閥VA處于閉合位置。為了允許機(jī)械手RO達(dá)到裝載臺，例如可以向上或向下移動閥VA。換句話說，裝載臺和卸載臺LT、UT可以看作是可用閥VA封閉的盒子。所述閥可以結(jié)合另一個(gè)閥，后者可以隔離光刻裝置與清潔室，即切斷與基底處理涂布顯影裝置的干涉。在一個(gè)實(shí)施例中，過濾器單元FU1、FU2和閥VA配置成圍繞基底提供清潔氣體環(huán)境。
利用至少一個(gè)密封SE可以進(jìn)一步改進(jìn)在光刻裝置中圍繞基底的環(huán)境10的清潔度?？梢栽谘b載臺LT和卸載臺UT中的至少一個(gè)和閥VA之間提供密封SE。所述密封配置成使其中布置有基底的環(huán)境與外部環(huán)境密封。這可以通過在相對外部環(huán)境布置有基底的環(huán)境中形成過壓力實(shí)現(xiàn)。利用過濾器單元FU1和閥VA之間的間隙可以形成密封SE?？梢栽谘b載臺LT和其上安裝有過濾器單元FU1的支撐件SU之間提供另一個(gè)密封。例如，所述密封包括在支撐件SU中形成的間隙，所述支撐件將清潔氣體供給系統(tǒng)支撐在基底搬運(yùn)器上。
清潔氣體供給系統(tǒng)配置成向其中布置有基底的環(huán)境供給氣體。在圖7中，氣體由過濾器單元FU1供給。氣體如箭頭G所指示的流動。間隙的尺寸形成為使得氣體從環(huán)境10受控地泄露到外部20。通過允許一定量的氣體逸出環(huán)境，可防止來自外部20可能被污染的氣體進(jìn)入環(huán)境10。
在一個(gè)實(shí)施例中，密封配置成允許清潔氣體從其中布置有基底的環(huán)境泄露，并防止外部環(huán)境的氣體進(jìn)入其中布置有基底的環(huán)境。例如，密封包括一個(gè)間隙，其尺寸形成為使得布置有基底的環(huán)境中的氣體優(yōu)選在間隙中具有層流。為了獲得層流，雷諾數(shù)可以不超過取決于幾何形狀的臨界值?？梢岳玫仁?1)按常規(guī)的方式計(jì)算雷諾數(shù)Re=ρDVμ]]>其中Re是雷諾數(shù)，rho是流體密度，D是通常距離，V是流體速度，muμ是流體粘度。間隙中氣體的速度是大約1.5米每秒。為了在間隙中獲得層流，間隙是大約15毫米。如果流動太慢，氣體可能從外部滲入。此外，如果流動太快，間隙中的流動可能變成紊流，這也會增大不清潔氣體進(jìn)入環(huán)境10的危險(xiǎn)。
在圖7中，示出了兩個(gè)密封。在一個(gè)實(shí)施例中，這些密封具有同樣的間隙尺寸。通過這種方式，可以獲得均勻的流動。在可替換的實(shí)施例中，這些間隙具有不同的尺寸。其遵循等式(1)，即如果增大間隙尺寸，則增大離開過濾器單元FU的氣體速度，以便保持層流。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例用于光刻裝置的清潔氣體供給系統(tǒng)的側(cè)視圖表示。特別地，圖8示出了基底搬運(yùn)器的細(xì)節(jié)，包括卸載臺UT，在卸載臺下側(cè)上安裝有過濾器單元FU2。卸載臺UT可為過濾器單元FU2提供牢固和穩(wěn)定的安裝位置。
如圖8所示，基底臺布置成沿箭頭A指示的方向執(zhí)行掃描移動。在如圖8所示的實(shí)施例中，當(dāng)基底臺WT在投影系統(tǒng)PS下方移動時(shí)，密封也同時(shí)移動。通過在基底臺WT上相對緊靠基底例如距離基底大約15-25毫米地布置過濾器單元FU2，可以形成移動的密封。這種布置可以在基底32的前緣和過濾器單元30的前緣之間形成密封。特別地，密封SE的位置相對基底臺WT移動。當(dāng)基底臺WT沿掃描方向移動時(shí)，通過布置在基底臺上基底的前緣32和清潔氣體供給系統(tǒng)FU可以形成相對基底臺WT的移動密封SE。過濾器單元FU2的下側(cè)前緣30也可以成形為使得進(jìn)一步有利于保持環(huán)境10的密封。
在一個(gè)實(shí)例中，在圖8所示實(shí)施例中的間隙尺寸是大約15至25毫米。根據(jù)基底臺WT的速度，可以改變來自過濾器單元FU2的氣流G。根據(jù)是在掃描期間還是在空轉(zhuǎn)行程期間移動基底臺WT，可以以不同的速度使其移動。例如，掃描速度相對較低，其速度可以是大約50-100毫米每秒。但是，空轉(zhuǎn)行程速度相對較快，其速度例如可以是大約1米每秒。在空轉(zhuǎn)行程期間，例如為了保持密封，間隙中層流的氣流比空轉(zhuǎn)行程的速度更大。
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例用于光刻裝置的清潔氣體供給系統(tǒng)的側(cè)視圖表示。特別地，圖9示出了基底搬運(yùn)器的細(xì)節(jié)，所述基底搬運(yùn)器包括其中安裝有過濾器單元FU1的裝載臺LT、卸載臺UT、以及構(gòu)造成允許將來自過濾器單元FU1的清潔氣體朝布置在卸載臺UT上的已曝光基底EW引導(dǎo)的閥。這樣，在該實(shí)施例中，盡管特別地圍繞已曝光基底EW沒有提供小型的主動環(huán)境，但是閥可以用于將來自過濾器單元FU1的清潔氣體輸送到已曝光基底EW上方?？梢园凑諈⒖紙D7描述的方式操作閥VA。但是此外，該閥具有凹槽40，使得離開過濾器單元FU1的已過濾氣體G可以通過裝載臺LT，從而達(dá)到已曝光基底EW。在一個(gè)實(shí)例中，閥構(gòu)造成允許來自安裝于裝載臺LT上的過濾器單元FU1的氣體被引導(dǎo)到布置在卸載臺上的基底EW。此外，閥VA包括氣體可以通過的凹槽40，從而圍繞裝載臺傳輸，并將氣體引導(dǎo)到卸載臺。
提供多個(gè)密封SE1、SE2、SE3以包圍環(huán)境10。在過濾器單元FU1和閥VA之間提供第一密封SE1。在裝載臺LT和支撐件SU之間提供第二密封，支撐件上安裝有過濾器單元FU1。在卸載臺UT和基底搬運(yùn)器的壁部WA之間提供第三密封SE3。這些密封可以按照上面參考圖7描述的方式進(jìn)行構(gòu)造。這些密封都是一樣的，以便形成均勻的流動。但是，這不是必須的。
圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的清潔氣體供給系統(tǒng)的細(xì)節(jié)。所述清潔氣體供給系統(tǒng)包括用于過濾氣體的過濾器單元FU、用于對已過濾氣體進(jìn)行熱調(diào)節(jié)的熱交換器HE、用于控制氣體流速的風(fēng)扇單元FA以及用于化學(xué)過濾所述氣體的化學(xué)過濾器CF中的至少一個(gè)。例如，氣體從外部環(huán)境吸入到入口閥IN。在氣體通過風(fēng)扇單元FA之前，最初對其進(jìn)行化學(xué)過濾。氣體也可以在通過過濾器單元FU之前進(jìn)行熱調(diào)節(jié)。根據(jù)情況可以改變對氣體進(jìn)行過濾、熱調(diào)節(jié)、使其通過風(fēng)扇的順序。在一個(gè)實(shí)例中，熱交換器HE可以布置在過濾器單元FU的上游或下游。
在圖10所示的實(shí)施例中，清潔氣體供給系統(tǒng)的單元FU、HE、FA、CF都作為可動單元安裝在布置于裝載臺LT上的支撐件SU上。在可替換的實(shí)施例中，熱交換器HE、風(fēng)扇單元FA和化學(xué)過濾器CF中的至少一個(gè)相對過濾器單元遠(yuǎn)距離布置。例如，布置在光刻裝置中的其他位置。
在一個(gè)實(shí)例中，過濾器單元FU可動地安裝在裝載臺上，而熱交換器HE、風(fēng)扇單元FA和化學(xué)過濾器CF布置在其他位置。在另一個(gè)實(shí)施例中，過濾器單元FU和熱交換器HE可動地安裝在裝載臺LT上，而風(fēng)扇單元FA和化學(xué)過濾器CF布置在其他位置。在又一個(gè)實(shí)施例中，過濾器單元FU、熱交換器HE和風(fēng)扇單元FA可動地安裝在裝載臺LT上，而化學(xué)過濾器CF布置在其他位置。在其中這些單元中的至少一個(gè)布置在其他位置的實(shí)施例中，提供一供給元件以便從遠(yuǎn)距離布置的一個(gè)單元或多個(gè)單元向可動安裝的一個(gè)單元或多個(gè)單元供給氣體。通過將清潔氣體供給系統(tǒng)的各個(gè)單元布置在可動裝載臺LT上或者裝置中，可以根據(jù)每個(gè)特殊裝置使光刻裝置中有限空間的利用效率最優(yōu)化。
盡管可以在本申請中具體參考使用該光刻裝置制造特定器件(例如集成電路或平板顯示器)，但是應(yīng)該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用。這些應(yīng)用包括但不限于制造集成電路、集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微電子機(jī)械器件(MEMS)等等。此外，例如在平板顯示器中，本裝置可以用于輔助各個(gè)層的形成，所述層例如是薄膜晶體管層和/或?yàn)V色器層。
盡管在上面可以具體參考在本申請的光學(xué)光刻法過程中使用本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以用于其它應(yīng)用，例如壓印光刻法，在本申請?jiān)试S的地方，本發(fā)明不限于光學(xué)光刻法。在壓印光刻法中，構(gòu)圖部件中的外形限定了在基底上形成的圖案。構(gòu)圖部件的外形還可以擠壓到施加于基底上的抗蝕劑層中，并在基底上通過施加電磁輻射、熱、壓力或上述方式的組合使抗蝕劑固化。在抗蝕劑固化之后，可以將構(gòu)圖部件從抗蝕劑中移出而留下圖案。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)該理解可以不同于所描述的實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計(jì)算機(jī)程序的形式，該計(jì)算機(jī)程序包含一個(gè)或多個(gè)順序的描述了上面所公開的方法的機(jī)器可讀指令，或者包含其中存儲有這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，它們僅僅是作為實(shí)例而不是作為限制提供的。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的變化。因此，本發(fā)明的寬度和范圍并不受任何一個(gè)上述示例性實(shí)施例的限制，而僅受后面的權(quán)利要求及其等同物的限制。
應(yīng)該理解，詳細(xì)的說明部分不包括發(fā)明概述和摘要部分可以用于解釋權(quán)利要求。發(fā)明概述和摘要部分可以列出一個(gè)或多個(gè)，但是如由本發(fā)明人設(shè)想的本發(fā)明的所有示例性實(shí)施例并不都是為了以任何方式限制本發(fā)明和隨附的權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，包括支撐基底的基底臺；使基底相對基底臺移動的基底搬運(yùn)器，所述基底搬運(yùn)器適合于在曝光之前和之后將基底裝載到基底臺上和從基底臺上卸載基底，以及向布置有基底的至少一個(gè)位置提供清潔氣體的清潔氣體供給系統(tǒng)，其中清潔氣體供給系統(tǒng)可移動地安裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)安裝在基底搬運(yùn)器上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)和基底搬運(yùn)器一起移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中基底搬運(yùn)器包括裝載臺和卸載臺中的至少一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)安裝在基底搬運(yùn)器的上側(cè)，并將清潔氣體朝布置有基底的裝載臺和卸載臺中至少一個(gè)上的位置引導(dǎo)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)安裝在基底搬運(yùn)器的下側(cè)，并將清潔氣體朝布置有基底的基底臺上的位置引導(dǎo)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻裝置，還包括將清潔氣體供給系統(tǒng)可支撐地安裝在基底搬運(yùn)器上的支撐件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻裝置，其中支撐件可支撐地將清潔氣體供給系統(tǒng)安裝在裝載臺和卸載臺中的至少一個(gè)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)包括具有氣體入口和清潔氣體出口的過濾器單元，其中所述過濾器單元可動地安裝在基底搬運(yùn)器上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻裝置，其中過濾器單元是微粒過濾器單元和化學(xué)過濾器單元中的至少一個(gè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中基底搬運(yùn)器沿大體上垂直于一平面的方向移動，在所述平面中的一個(gè)位置布置有基底。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻裝置，其中基底搬運(yùn)器包括機(jī)械手，用于將基底布置在裝載臺和卸載臺至少一個(gè)上和從裝載臺和卸載臺至少一個(gè)上卸下基底。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光刻裝置，還包括布置裝載臺和卸載臺中的至少一個(gè)和機(jī)械手之間的閥，所述閥選擇性地允許機(jī)械手達(dá)到裝載臺和卸載臺中的至少一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光刻裝置，還包括布置在裝載臺和卸載臺中的至少一個(gè)和所述閥之間的密封，所述密封使其中布置有基底的環(huán)境與外部環(huán)境密封。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)向其中布置有基底的環(huán)境提供氣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光刻裝置，其中所述密封允許清潔氣體從其中布置有基底的環(huán)境泄漏，和防止氣體從外部環(huán)境進(jìn)入其中布置有基底的環(huán)境。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻裝置，其中通過在相對外部環(huán)境的環(huán)境中產(chǎn)生過壓形成所述密封。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光刻裝置，其中所述密封包括間隙，其尺寸形成為使得其中布置有基底的環(huán)境中的氣體在間隙中具有層流。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻裝置，其中所述密封的位置相對基底臺移動。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光刻裝置，其中在基底臺的掃描移動期間，由布置在基底臺上的基底前緣和清潔氣體供給系統(tǒng)形成移動的密封。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻裝置，其中所述密封包括形成在支撐件中的間隙，所述支撐件將清潔氣體供給系統(tǒng)支撐在基底搬運(yùn)器上。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)包括用于過濾氣體的過濾器單元、用于熱調(diào)節(jié)氣體的熱交換器、用于確定氣體流動的風(fēng)扇單元和用于化學(xué)過濾氣體的化學(xué)過濾器中的至少一個(gè)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光刻裝置，其中熱交換器、風(fēng)扇單元和化學(xué)過濾器中的至少一個(gè)相對過濾器單元遠(yuǎn)距離布置。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的光刻裝置，其中熱交換器、風(fēng)扇單元和化學(xué)過濾器中的至少一個(gè)布置在光刻裝置中。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中所述裝置還包括調(diào)節(jié)輻射光束的照明系統(tǒng)；調(diào)制輻射光束的構(gòu)圖部件；以及將調(diào)制的輻射光束投影到基底靶部的投影系統(tǒng)。
26.一種光刻裝置，包括未曝光基底；和向未曝光基底供給清潔氣體的清潔氣體供給系統(tǒng)，其中清潔氣體供給系統(tǒng)配置成布置在移動支撐件上，和配置成向布置有未曝光基底的至少一個(gè)位置供給清潔氣體。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的光刻裝置，還包括構(gòu)造成支撐至少一個(gè)未曝光基底或至少一個(gè)其他基底的基底臺，和使至少一個(gè)未曝光基底或至少一個(gè)其他基底相對基底臺移動的基底搬運(yùn)器，所述基底搬運(yùn)器適合于在曝光之前和之后將至少一個(gè)未曝光基底或至少一個(gè)其他基底裝載到基底臺上和從基底臺上卸載至少一個(gè)未曝光基底或至少一個(gè)其他基底，其中基底搬運(yùn)器包括裝載臺和卸載臺中的至少一個(gè)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)布置在裝載臺上方，以便在未曝光基底的熱預(yù)調(diào)節(jié)期間向未曝光基底供給清潔氣體。
29.根據(jù)權(quán)利要求30所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)布置在卸載臺下方，以便在基底臺上未曝光基底的掃描和曝光至少之一的過程中向未曝光基底供給清潔氣體。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的光刻裝置，其中清潔氣體供給系統(tǒng)包括過濾器和閥，它們提供圍繞基底的清潔氣體環(huán)境。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的光刻裝置，其中所述閥構(gòu)造成允許從安裝在裝載臺上的清潔氣體供給系統(tǒng)將氣體引導(dǎo)到布置在卸載臺上的至少一個(gè)未曝光基底或至少一個(gè)其他基底。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的光刻裝置，其中所述閥包括氣體通過的凹槽，以使氣體圍繞裝載臺通過，將氣體引導(dǎo)到卸載臺。
33.一種器件制造方法，包括調(diào)節(jié)輻射光束；調(diào)制輻射光束；在基底臺上支撐基底；將已調(diào)制的輻射光束投影到基底的靶部上，使基底相對基底臺移動，包括在曝光之前和之后將基底裝載到基底臺以及從基底臺上卸載基底；以及向布置有基底的至少一個(gè)位置提供清潔氣體，其中清潔氣體由可移動安裝的清潔氣體系統(tǒng)提供。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法制造的平板顯示器。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法制造的集成電路器件。
全文摘要
一種光刻裝置包括支撐基底的基底臺和使基底相對基底臺移動的基底搬運(yùn)器。基底搬運(yùn)器適合于在曝光之前和之后將基底裝載到基底臺上和從基底臺上卸載基底。此外，清潔氣體供給系統(tǒng)向布置有基底的至少一個(gè)位置提供清潔氣體。清潔氣體供給系統(tǒng)可移動地安裝。利用所述光刻裝置的器件制造方法可以用于制造平板顯示器和集成電路器件中的至少一個(gè)。
文檔編號H01L21/00GK1892434SQ20061009967
公開日2007年1月10日 申請日期2006年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者B·A·J·魯?shù)倏诵菟? P·R·巴特雷, W·J·博西, M·K·斯塔芬加, T·哈林克 申請人:Asml荷蘭有限公司