專利名稱：半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體、使用其的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置及半導(dǎo)體晶片加工處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體、使用其的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置及半導(dǎo)體晶片加工處理裝置。
背景技術(shù)：
以往，作為加工處理半導(dǎo)體晶片以制造半導(dǎo)體的方法通過如圖19所示的工序進(jìn)行。
即，如圖19中的(A)所示，首先，將收容在半導(dǎo)體晶片收容盒201中的、表面形成有回路的半導(dǎo)體晶片200取出，通過未圖示的保護(hù)帶貼付裝置在其表面上貼付保護(hù)帶202，并沿著半導(dǎo)體晶片200的形狀切斷保護(hù)帶202。
接著，將貼付有保護(hù)帶202的半導(dǎo)體晶片200收容到半導(dǎo)體晶片收容盒206中(保護(hù)帶貼付工序)。
然后，如圖19中的(B)所示，將半導(dǎo)體晶片200從半導(dǎo)體晶片收容盒206中取出，對于貼付有保護(hù)帶202的半導(dǎo)體晶片200，將保護(hù)帶202側(cè)吸附保持在未圖示的吸附臺上，并利用背面研磨裝置(研磨機(jī))208將未形成回路的背面研磨至規(guī)定厚度。
接著，將背面研磨至規(guī)定厚度的貼付有保護(hù)帶202的半導(dǎo)體晶片200收容到半導(dǎo)體晶片收容盒210中(背面研磨工序)。
之后，如圖19中的(C)所示，將半導(dǎo)體晶片200從半導(dǎo)體晶片收容盒210中取出，使保護(hù)帶202側(cè)吸附保持在吸附臺212上，在該半導(dǎo)體晶片200的外周裝載環(huán)狀構(gòu)架214。
在這種狀態(tài)下，從上面貼付裝配帶216并沿著環(huán)狀構(gòu)架214的外形切斷裝配帶216(或是貼付預(yù)先根據(jù)環(huán)狀構(gòu)架214的形狀進(jìn)行預(yù)剪切的裝配帶216)，依靠裝配帶216使半導(dǎo)體晶片200和環(huán)狀構(gòu)架214一體化。
接著，將該半導(dǎo)體晶片200連同環(huán)狀構(gòu)架一起翻轉(zhuǎn)，并使用未圖示的剝離帶，如圖19中的(C)所示，剝離半導(dǎo)體晶片200的處于回路面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)帶202。
接著，將剝?nèi)ケＷo(hù)帶202的、依靠裝配帶216而與環(huán)狀構(gòu)架214一體化的半導(dǎo)體晶片200收容到半導(dǎo)體晶片收容盒218中(晶片裝配工序)。
接著，如圖19中的(D)所示，將半導(dǎo)體晶片200連同環(huán)狀構(gòu)架214一起從半導(dǎo)體晶片收容盒218中取出，利用切割裝置220切斷成小四方塊狀。
接著，將利用切割裝置220切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體晶片200連同環(huán)狀構(gòu)架214一起收容到半導(dǎo)體晶片收容盒222中(切割工序)。
之后，如圖19中的(E)所示，將半導(dǎo)體晶片200連同環(huán)狀構(gòu)架214一起從半導(dǎo)體晶片收容盒222中取出，利用結(jié)合裝置224拾取被切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體晶片(芯片)200a，并安裝到電子器件226的電子器件裝配部上(小片結(jié)合工序)。
然而，在這種半導(dǎo)體制造方法中，作為進(jìn)行工序管理、品質(zhì)管理的方法，以往使用條形碼法。
即，在條形碼法中，將對應(yīng)于晶片表面刻有的序列碼的條形碼標(biāo)簽貼付在半導(dǎo)體晶片收容盒和環(huán)狀構(gòu)架等上。
接著，對應(yīng)于該序列號，將有關(guān)該晶片的各種信息錄入主機(jī)。
接著，在半導(dǎo)體晶片制造方法的各個(gè)工序中，基于序列號將工序管理中必要的信息從主機(jī)中取出，并進(jìn)行必要的處理。
然而，在這種條形碼法中，管理信息的主機(jī)需要對有關(guān)晶片的所有信息進(jìn)行管理，使得主機(jī)的負(fù)擔(dān)變大。
一般來說，晶片加工的所有工序并非都在一個(gè)工廠中進(jìn)行，而是從某個(gè)工廠送往其它工廠后繼續(xù)加工。由于有關(guān)晶片的信息全都錄入在主機(jī)中，故在晶片所送往的工廠中，需要重新訪問主機(jī)以取出必要的信息，或需要將錄入主機(jī)的信息記錄在信息記錄媒體中后和晶片一起轉(zhuǎn)移，并將有關(guān)晶片的信息再次錄入送往目的地工廠的主機(jī)中，從而使工序管理變得復(fù)雜。
因此，在專利文獻(xiàn)1(日本專利特開2000-331962號公報(bào))中，提出了如下的處理方法作為以電磁波為通信介質(zhì)、可非接觸地進(jìn)行信息的輸入、輸出的數(shù)據(jù)載體，例如將連接IC芯片和導(dǎo)電線圈而構(gòu)成的所謂的RF存儲器固定在貼付支撐半導(dǎo)體晶片的硬質(zhì)板、環(huán)狀構(gòu)架等半導(dǎo)體晶片支撐構(gòu)件上，以對必要的信息進(jìn)行讀寫，并利用從數(shù)據(jù)載體讀取的信息進(jìn)行芯片加工。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開2000-331962號公報(bào)然而，在該專利文獻(xiàn)1公開的晶片加工處理方法中，只是將數(shù)據(jù)載體固定在貼付支撐半導(dǎo)體晶片的硬質(zhì)板、環(huán)狀構(gòu)架等半導(dǎo)體晶片支撐構(gòu)件上。
因此，例如在圖19中的(A)的保護(hù)帶貼付工序中，對于有關(guān)保護(hù)帶202的信息，需要將貼付在保護(hù)帶202的外包裝構(gòu)件上的標(biāo)簽上、或是貼付在卷裝保護(hù)帶202的軸心構(gòu)件上的標(biāo)簽上記錄的例如條形碼、產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號等信息另外錄入主機(jī)228，從而使工序管理變得復(fù)雜。
另外，在貼付保護(hù)帶202時(shí)，例如必須取出錄入主機(jī)228中的與各保護(hù)帶202相應(yīng)的貼付速度、貼付壓力等的最佳條件等信息以進(jìn)行貼付工序，從而使工序管理變得復(fù)雜。
另外，一旦將保護(hù)帶202貼付在半導(dǎo)體晶片200上后，則在每次進(jìn)行后續(xù)工序的加工處理時(shí)，都必須取出錄入主機(jī)228中的有關(guān)該保護(hù)帶202的信息以進(jìn)行加工工序，從而使工序管理變得復(fù)雜。
另外，一旦將保護(hù)帶202貼付在半導(dǎo)體晶片200上后，則有時(shí)難以從外觀上判斷保護(hù)帶202的種類等，故有可能錯(cuò)誤地取出錄入主機(jī)228的信息并進(jìn)行加工處理，從而無法得到一定品質(zhì)的半導(dǎo)體。
另外，最近多品種、小批量生產(chǎn)有增加的傾向，這種情況下將難以得到使用過的保護(hù)帶202的剩余量、保質(zhì)期等信息，因而有可能出現(xiàn)保護(hù)帶202的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降。
這種問題對于圖19中的(C)所示的晶片裝配工序中的裝配帶216也一樣存在。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此種現(xiàn)狀，本發(fā)明的目的在于提供一種具有可對例如保護(hù)帶、裝配帶等半導(dǎo)體晶片處理帶的帶信息等處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，該半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置通過使用上述半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，從而無需像以往那樣訪問主機(jī)，可通過對寫入數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，根據(jù)讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
另外，本發(fā)明的目的在于提供一種可在最佳條件下對利用這種半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行規(guī)定晶片加工處理的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，尤其是半導(dǎo)體晶片研磨裝置、切割裝置以及小片結(jié)合裝置。
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)問題并實(shí)現(xiàn)上述目的而形成的，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，包括用于貼付到半導(dǎo)體晶片上以進(jìn)行半導(dǎo)體晶片加工的半導(dǎo)體晶片處理帶；卷裝所述半導(dǎo)體晶片處理帶的軸心構(gòu)件；以及設(shè)在所述軸心構(gòu)件上、可對期望的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件。
采用這種結(jié)構(gòu)，可將例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息寫入軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中。
由此，在將卷裝在該半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體上的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上以進(jìn)行半導(dǎo)體晶片加工時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可通過對寫入數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，根據(jù)讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
由此，無需另將這種半導(dǎo)體晶片處理帶的信息錄入主機(jī)中，另外，在加工時(shí)無需取出錄入主機(jī)中的信息便可進(jìn)行各種晶片加工工序，從而使工序管理變得簡單。
另外，將使用過的半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中，在進(jìn)行晶片加工時(shí)，通過讀取這些信息，便不會出現(xiàn)半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而不會導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件為非接觸型的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述非接觸型的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件是由IC芯片和與該IC芯片連接的導(dǎo)電線圈構(gòu)成的RF存儲器。
這樣，軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件為非接觸型的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件，尤其是由IC芯片和與該IC芯片連接的導(dǎo)電線圈構(gòu)成的RF存儲器，因此，能夠在瞬間可靠地進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片處理帶信息的寫入、讀取，可縮短工序，而且還可進(jìn)行正確的晶片加工處理，因而半導(dǎo)體產(chǎn)品的品質(zhì)不會下降。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的表面上。
這樣，由于數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的表面上，故能夠在瞬間可靠地進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片處理帶信息的寫入、讀取，可縮短工序，而且還可進(jìn)行正確的晶片加工處理，因而半導(dǎo)體產(chǎn)品的品質(zhì)不會下降。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件以埋設(shè)狀態(tài)設(shè)置在軸心構(gòu)件上。
這樣，由于數(shù)據(jù)載體構(gòu)件以埋設(shè)狀態(tài)進(jìn)行設(shè)置，故在將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝到軸心構(gòu)件上時(shí)，不會受到數(shù)據(jù)載體構(gòu)件的妨礙，因而不會產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片處理帶的卷繞偏差，數(shù)據(jù)載體構(gòu)件不會破損損傷。
另外，在軸心構(gòu)件在導(dǎo)出裝置的導(dǎo)出軸上進(jìn)行裝拆時(shí)，數(shù)據(jù)載體構(gòu)件也不會妨礙裝拆作業(yè)，從而不會破損損傷。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的內(nèi)徑側(cè)。
這樣，由于數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的內(nèi)徑側(cè)，故在將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝到軸心構(gòu)件上時(shí)，不會受到數(shù)據(jù)載體構(gòu)件的妨礙，因而不會產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片處理帶的卷繞偏差，數(shù)據(jù)載體構(gòu)件不會破損損傷。
另外，例如在軸心構(gòu)件在導(dǎo)出裝置的導(dǎo)出軸上進(jìn)行裝拆時(shí)，只要預(yù)先將讀寫裝置設(shè)置在導(dǎo)出軸側(cè)，便可對該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件進(jìn)行信息讀寫，將使用過的半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中，在進(jìn)行晶片加工時(shí)，通過讀取這些信息，便不會出現(xiàn)半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而不會導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的外徑側(cè)。
這樣，由于數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的外徑側(cè)，故無論軸心構(gòu)件是何種材料都不會屏蔽電磁波，從而能夠在瞬間可靠地進(jìn)行上述半導(dǎo)體晶片處理帶信息的寫入、讀取，可縮短工序，而且還可進(jìn)行正確的晶片加工處理，因而半導(dǎo)體產(chǎn)品的品質(zhì)不會下降。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，包括具有可自由拆裝地安裝上述任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的導(dǎo)出軸的導(dǎo)出裝置；對寫入所述半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置；以及基于所述帶數(shù)據(jù)讀寫裝置讀取的處理數(shù)據(jù)將從導(dǎo)出裝置導(dǎo)出的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上的帶貼付裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置對寫入半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息進(jìn)行讀取。
可基于該帶數(shù)據(jù)讀寫裝置讀取的處理數(shù)據(jù)，利用帶貼付裝置將從導(dǎo)出裝置導(dǎo)出的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
由此，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置對寫入數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
由此，無需另將這種半導(dǎo)體晶片處理帶的信息錄入主機(jī)中，另外，在加工時(shí)無需取出錄入主機(jī)中的信息即可進(jìn)行各種晶片加工工序，從而使工序管理變得簡單。
另外，通過利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置將使用過的半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中，便不會出現(xiàn)半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而不會導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述帶數(shù)據(jù)讀寫裝置設(shè)置在導(dǎo)出軸上。
采用這種結(jié)構(gòu)，只要將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體安裝在導(dǎo)出裝置的導(dǎo)出軸上，即可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置迅速且可靠地對寫入半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息進(jìn)行讀取。
另外，利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置迅速且可靠地將使用過的半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中，可將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體從導(dǎo)出裝置的導(dǎo)出軸拆下。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，針對收容利用所述帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片收容盒，設(shè)置將期望的處理數(shù)據(jù)寫入所述半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的盒數(shù)據(jù)寫入裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，利用盒數(shù)據(jù)寫入裝置，可將利用帶貼付裝置貼付半導(dǎo)體晶片處理帶時(shí)的各種信息、例如半導(dǎo)體晶片處理帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度等信息寫入在半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中。
由此，在后續(xù)工序中，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可通過對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置是貼付用于保護(hù)半導(dǎo)體晶片的回路面的保護(hù)帶的保護(hù)帶貼付裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置對寫入半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于該處理數(shù)據(jù)，利用保護(hù)帶貼付裝置，在最佳條件下將用于保護(hù)半導(dǎo)體晶片的回路面的保護(hù)帶貼付到半導(dǎo)體晶片的回路面上。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置是貼付將環(huán)狀構(gòu)架貼付在半導(dǎo)體晶片外周的裝配帶的裝配帶貼付裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置對寫入半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于該處理數(shù)據(jù)，依靠裝配帶在最佳條件下將環(huán)狀構(gòu)架貼付到半導(dǎo)體晶片的外周。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，具有將期望的處理數(shù)據(jù)寫入在所述環(huán)狀構(gòu)架上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，利用環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置，可將利用帶貼付裝置貼付半導(dǎo)體晶片處理帶時(shí)的各種信息、例如半導(dǎo)體晶片處理帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度等信息寫入環(huán)狀構(gòu)架上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中。
由此，在后續(xù)工序中，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可通過對寫入環(huán)狀構(gòu)架上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下逐片地對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置具有對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取的盒數(shù)據(jù)讀取裝置，其中所述半導(dǎo)體晶片收容盒對在前面工序中進(jìn)行了規(guī)定加工處理的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行收容，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置構(gòu)成為，基于所述盒數(shù)據(jù)讀取裝置讀取的處理數(shù)據(jù)以及所述帶數(shù)據(jù)讀寫裝置讀取的處理數(shù)據(jù)，利用帶貼付裝置將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
采用這種結(jié)構(gòu)，利用盒數(shù)據(jù)讀取裝置，可從半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中讀取前面工序的晶片加工工序中的處理數(shù)據(jù)、例如半導(dǎo)體晶片處理帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度、前面工序中的加工條件等處理數(shù)據(jù)。
另一方面，利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置，可從半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中讀取例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體的最佳貼付壓力、貼付速度等信息。
并且，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可基于這些處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，構(gòu)成為對利用上述任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片，基于寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行規(guī)定的晶片加工處理，其中所述半導(dǎo)體晶片收容盒對利用所述帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行收容。
采用這種結(jié)構(gòu)，對于利用帶貼付裝置貼付半導(dǎo)體晶片處理帶時(shí)的各種信息、例如半導(dǎo)體晶片處理帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度等信息，在后續(xù)工序中，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，構(gòu)成為對利用上述任一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片，基于寫入所述環(huán)狀構(gòu)架上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行規(guī)定的晶片加工處理。
采用這種結(jié)構(gòu)，對于利用帶貼付裝置貼付半導(dǎo)體晶片處理帶時(shí)的各種信息、例如半導(dǎo)體晶片處理帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度等信息，在后續(xù)工序中，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可對寫入環(huán)狀構(gòu)架上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下逐片地對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工處理。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片加工處理裝置是對半導(dǎo)體晶片的回路面相反側(cè)的背面進(jìn)行研磨的半導(dǎo)體晶片研磨裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，對于例如作為半導(dǎo)體晶片處理帶的保護(hù)回路面的保護(hù)帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度等信息，在對半導(dǎo)體晶片的回路面相反側(cè)的背面進(jìn)行研磨時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，利用半導(dǎo)體晶片研磨裝置在最佳條件下進(jìn)行背面研磨處理。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片加工處理裝置是將半導(dǎo)體晶片切斷成小四方塊狀的切割裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，對于例如作為半導(dǎo)體晶片處理帶的在半導(dǎo)體晶片外周貼付環(huán)狀構(gòu)架的裝配帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度等信息，在將半導(dǎo)體晶片切斷成小四方塊狀時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，利用切割裝置在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片切斷成小四方塊狀。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片加工處理裝置是拾取切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體芯片將其安裝到電子器件的電子器件裝配部上的小片結(jié)合裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)，對于例如作為半導(dǎo)體晶片處理帶的在半導(dǎo)體晶片外周貼付環(huán)狀構(gòu)架的裝配帶的產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、批號、貼付壓力、貼付速度、半導(dǎo)體晶片的種類、厚度等信息，在拾取切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體芯片將其安裝到電子器件的電子器件裝配部上時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，利用小片結(jié)合裝置在最佳條件下拾取切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體芯片，并將其安裝到電子器件的電子器件裝配部上。
發(fā)明效果采用本發(fā)明，可將例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息寫入軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中。
由此，在將卷裝在該半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體上的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上以對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
因此，無需另將這種半導(dǎo)體晶片處理帶的信息錄入主機(jī)，而且，在加工時(shí)無需取出錄入主機(jī)的信息即可進(jìn)行各種晶片加工，從而使工序管理變得簡單。
另外，將使用過的半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中，在晶片加工時(shí)，通過讀取這些信息，便不會出現(xiàn)半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而不會導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降。


圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的實(shí)施例的概略立體圖。
圖2是表示數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3是對將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16設(shè)在軸心構(gòu)件12上的方法進(jìn)行說明的放大圖。
圖4是對將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16設(shè)在軸心構(gòu)件12上的方法進(jìn)行說明的放大圖。
圖5是對將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16設(shè)在軸心構(gòu)件12上的方法進(jìn)行說明的放大圖。
圖6是表示使用圖1所示半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置的導(dǎo)出裝置的一部分的立體圖。
圖7是對圖6的導(dǎo)出裝置的使用方法進(jìn)行簡要說明的立體圖。
圖8是對導(dǎo)出裝置的其它實(shí)施例進(jìn)行簡要說明的立體圖。
圖9是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的保護(hù)帶貼付工序進(jìn)行說明的示意圖。
圖10是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的背面研磨工序進(jìn)行說明的示意圖。
圖11是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的晶片裝配工序進(jìn)行說明的示意圖。
圖12是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的切割工序進(jìn)行說明的示意圖。
圖13是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的小片結(jié)合工序進(jìn)行說明的示意圖。
圖14是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的保護(hù)帶貼付工序進(jìn)行說明的流程圖。
圖15是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的背面研磨工序進(jìn)行說明的流程圖。
圖16是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的晶片裝配工序進(jìn)行說明的流程圖。
圖17是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的切割工序進(jìn)行說明的流程圖。
圖18是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法的小片結(jié)合工序進(jìn)行說明的流程圖。
圖19是對以往的半導(dǎo)體晶片加工處理方法進(jìn)行說明的示意圖。
(元件符號說明)10半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體12a表面12b表面 12軸心構(gòu)件12c對位部 14半導(dǎo)體晶片處理帶16數(shù)據(jù)載體構(gòu)件 16a表面18回路用基材20回路22IC芯片24表面基材26打印涂層 28雙面粘結(jié)帶30安裝用凹部32導(dǎo)出裝置34導(dǎo)出軸36a凹部36帶數(shù)據(jù)讀寫裝置38旋轉(zhuǎn)構(gòu)件40側(cè)板構(gòu)件 50半導(dǎo)體晶片50a半導(dǎo)體芯片 51半導(dǎo)體晶片收容盒51a數(shù)據(jù)載體構(gòu)件 51b盒數(shù)據(jù)讀取裝置52保護(hù)帶54保護(hù)帶貼付裝置56半導(dǎo)體晶片收容盒 56a數(shù)據(jù)載體構(gòu)件56b盒數(shù)據(jù)寫入裝置 56c盒數(shù)據(jù)讀取裝置58背面研磨裝置 60半導(dǎo)體晶片收容盒60a數(shù)據(jù)載體構(gòu)件 60b盒數(shù)據(jù)寫入裝置60c盒數(shù)據(jù)讀取裝置 62裝配帶貼付裝置64吸附臺66環(huán)狀構(gòu)架66a數(shù)據(jù)載體構(gòu)件 66b環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置66c環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置 66d環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置66e環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置 68裝配帶70半導(dǎo)體晶片收容盒 70a數(shù)據(jù)載體構(gòu)件
70b盒數(shù)據(jù)寫入裝置70c盒數(shù)據(jù)讀取裝置72切割裝置 74半導(dǎo)體晶片收容盒74a數(shù)據(jù)載體構(gòu)件 74c盒數(shù)據(jù)讀取裝置76結(jié)合裝置 78電子器件200半導(dǎo)體晶片201半導(dǎo)體晶片收容盒202保護(hù)帶204保護(hù)帶貼付裝置206半導(dǎo)體晶片收容盒 208背面研磨裝置210半導(dǎo)體晶片收容盒 212吸附臺214環(huán)狀構(gòu)架 216裝配帶218半導(dǎo)體晶片收容盒 220切割裝置222半導(dǎo)體晶片收容盒 224結(jié)合裝置226電子器件 228主機(jī)具體實(shí)施方式
下面參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)(實(shí)施例)進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的實(shí)施例的概略立體圖。
在圖1中，10表示的是本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的整體。
如圖1所示，半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10具有大致呈圓筒形狀的軸心構(gòu)件12，在該軸心構(gòu)件12的外徑側(cè)的表面12a上卷裝有半導(dǎo)體晶片處理帶14。
該半導(dǎo)體晶片處理帶14用于貼付在半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的各種加工，例如，可以是在研磨半導(dǎo)體晶片背面時(shí)用于保護(hù)半導(dǎo)體晶片的回路面的保護(hù)帶、將環(huán)狀構(gòu)架貼付在半導(dǎo)體晶片外周的裝配帶，此外，還可在進(jìn)行其他各種半導(dǎo)體晶片加工時(shí)使用，沒有特別的限制。
作為這種半導(dǎo)體晶片處理帶14，例如可使用在日本專利特開昭60-196956號公報(bào)、日本專利特開昭60-223139號公報(bào)、日本專利特開平5-32946號公報(bào)、日本專利特開平8-27239號公報(bào)等中公開的、在基材表面形成有例如丙烯類能量線固化型粘結(jié)劑等能量線固化型粘結(jié)劑的材料等。
另外，作為軸心構(gòu)件12，其材料沒有特別的限制，例如，可使用聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、ABS樹脂等合成樹脂等。
在本實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片處理帶卷繞體10中，在軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b的一端設(shè)有數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16。
這種情況下，數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16為具有可對期望的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的存儲部的載體。
作為這種數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16，最好是使用以電磁波為通信介質(zhì)的、可非接觸地進(jìn)行信息的寫入、讀取的非接觸型的數(shù)據(jù)載體。作為這種非接觸型的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16，例如，可使用由IC芯片和與該IC芯片連接的收發(fā)用導(dǎo)電線圈構(gòu)成的所謂的RF存儲器。
這種情況下，作為數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16的結(jié)構(gòu)，可使用例如圖2所示的貼付用標(biāo)簽型結(jié)構(gòu)。
即，在例如聚對苯二甲酸乙二醇酯等回路用基材18的表面上用導(dǎo)電性油墨印刷回路20，并在其上面安裝IC芯片22。接著，在其上面貼付例如聚對苯二甲酸乙二醇酯等表面基材24，并在其表面上設(shè)置可進(jìn)行熱敏式打印(印刷)的打印涂層26。另外，在回路用基材18的背面?zhèn)仍O(shè)置例如以聚對苯二甲酸乙二醇酯等為芯材的雙面粘結(jié)帶28。
采用這種結(jié)構(gòu)，可將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16貼付到軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b上。
這種情況下，作為在數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中讀寫的信息并沒有特別的限制，可使用例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息。
另外，也可像現(xiàn)有技術(shù)那樣，在數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16的打印涂層26上打印如上所述的數(shù)據(jù)或同時(shí)標(biāo)記條形碼。
另外，如圖3所示，在軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)設(shè)置數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16時(shí)，也可在軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b上預(yù)先形成數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16的安裝用凹部30，將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16貼付在該安裝用凹部30內(nèi)，成為埋設(shè)在軸心構(gòu)件12內(nèi)的狀態(tài)。
這種情況下，在將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16貼付在安裝用凹部30內(nèi)時(shí)，如圖3所示，數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16的表面16a與軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b大致在同一平面上或位于略低的位置上，但如后面所述，只要在軸心構(gòu)件12在導(dǎo)出裝置32的導(dǎo)出軸上進(jìn)行拆裝時(shí)不會妨礙拆裝操作、不會導(dǎo)致數(shù)據(jù)載體構(gòu)件破損損傷即可。
另外，作為將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16設(shè)置在軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b上的方法并不局限于這種貼付用標(biāo)簽型結(jié)構(gòu)。
例如，如圖4所示，可采用在將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16配置在形成在軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b上的安裝用凹部30內(nèi)后利用合成樹脂從其上面進(jìn)行樹脂密封(11)以成為埋設(shè)狀態(tài)的方法，或采用未圖示的使軸心構(gòu)件12和數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16一體成形的方法等。
另外，作為設(shè)置該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16的位置并沒有特別的限制，在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16設(shè)置在軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b的一端上，但也可設(shè)置在中間部分上。如圖5所示，作為設(shè)置數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16的位置也可設(shè)置在軸心構(gòu)件12的外徑側(cè)的表面12a上，另外，也可將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16設(shè)置在軸心構(gòu)件12的外徑側(cè)的表面12a和內(nèi)徑側(cè)的表面12b雙方上。如上所述，這種情況下也不局限于貼付用標(biāo)簽型的結(jié)構(gòu)。
另外，如圖1所示，在本實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12上形成有對位部12c，如后面所述，該對位部12c用于在將軸心構(gòu)件12安裝到導(dǎo)出裝置32的導(dǎo)出軸34上時(shí)使帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36和配置在軸心構(gòu)件12內(nèi)徑側(cè)的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16正確地進(jìn)行對位。
這種情況下，作為對位部12c可以是稍微突出設(shè)置在軸心構(gòu)件12的外徑側(cè)的表面12a上或一端部上的突設(shè)肋、或是切口部形狀，但只要能進(jìn)行對位則也可以是標(biāo)記，其配置、形狀等并沒有特別的限制。
具有這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10在使用時(shí)與下面的圖6至圖7中的導(dǎo)出裝置一起如下進(jìn)行使用。
即，圖6是表示使用圖1所示半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置的導(dǎo)出裝置的一部分的立體圖，圖7是對圖6的導(dǎo)出裝置的使用方法進(jìn)行簡要說明的立體圖。
如圖6所示，半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置具有導(dǎo)出裝置32，該導(dǎo)出裝置32具有與未圖示的驅(qū)動馬達(dá)連接的導(dǎo)出軸34。
另外，在導(dǎo)出軸34的外側(cè)的一端上設(shè)置有帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36。
另外，該帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36形成在導(dǎo)出軸34的外側(cè)的一端上形成的凹部36a中，由此，在半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12在導(dǎo)出軸34上進(jìn)行拆裝時(shí)，帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36不會與軸心構(gòu)件12的內(nèi)徑側(cè)的表面12b接觸，故不會破損損傷。
另外，在導(dǎo)出軸34的中間部分上，可自由伸出縮進(jìn)的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件38設(shè)置成由未圖示的施力構(gòu)件向突出方向施力。由此，在將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12安裝在導(dǎo)出軸34上時(shí)，隨著導(dǎo)出軸34的轉(zhuǎn)動，軸心構(gòu)件12將可靠地轉(zhuǎn)動。
另外，在導(dǎo)出軸34的內(nèi)側(cè)的一端上設(shè)置有側(cè)板構(gòu)件40，由此，半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12的端部可抵接到側(cè)板構(gòu)件40上進(jìn)行半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的定位。
下面對將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10安裝到具有這種結(jié)構(gòu)的導(dǎo)出裝置32上所使用的方法進(jìn)行說明。
首先，如圖7所示，使半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12的對位部12c和導(dǎo)出軸34的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36的位置對齊。由此，導(dǎo)出軸34的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36和配置在軸心構(gòu)件12內(nèi)徑側(cè)的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16對齊，進(jìn)而可利用導(dǎo)出軸34的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36正確地讀取寫入數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中的處理數(shù)據(jù)。
接著，將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12安裝到(套在)導(dǎo)出裝置32的導(dǎo)出軸34上，使半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12的端部抵接在側(cè)板構(gòu)件40上，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的定位。
此時(shí)，在將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12安裝到導(dǎo)出軸34上時(shí)，旋轉(zhuǎn)構(gòu)件38突出，隨著導(dǎo)出軸34的轉(zhuǎn)動，軸心構(gòu)件12將可靠地轉(zhuǎn)動。
另外，像這樣，在半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12安裝在導(dǎo)出軸34上的狀態(tài)下，利用配置在導(dǎo)出軸34的外側(cè)的一端上的帶數(shù)據(jù)讀取裝置36對預(yù)先寫入配置在軸心構(gòu)件12內(nèi)徑側(cè)的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中的信息、例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息進(jìn)行讀取。
接著，可基于該帶數(shù)據(jù)讀取裝置36讀取的處理數(shù)據(jù)，利用未圖示的帶貼付裝置，將從導(dǎo)出裝置32導(dǎo)出的半導(dǎo)體晶片處理帶14貼付到半導(dǎo)體晶片上。
這種情況下，作為帶貼付裝置并沒有特別的限制，例如，可列舉有為了研磨半導(dǎo)體晶片的背面而將用于保護(hù)半導(dǎo)體晶片的回路面的保護(hù)帶貼付到半導(dǎo)體晶片的回路面上的保護(hù)帶貼付裝置、以及為了使環(huán)狀構(gòu)架在半導(dǎo)體晶片的外周一體化而將裝配帶貼付在半導(dǎo)體晶片背面和環(huán)狀構(gòu)架上的裝配帶貼付裝置。
由此，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36對寫入數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶14貼付到半導(dǎo)體晶片上。
由此，無需另將這種半導(dǎo)體晶片處理帶的信息錄入主機(jī)，而且，在加工時(shí)，無需取出錄入主機(jī)的信息便可進(jìn)行各種晶片加工工序，從而使工序管理變得簡單。
另外，利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36將使用過的半導(dǎo)體晶片處理帶14的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件12具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中，在晶片加工時(shí)，通過讀取這些信息，便不會出現(xiàn)半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而不會導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降。
另外，這種情況下，為了能夠應(yīng)對半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的各種半導(dǎo)體晶片處理帶14的寬度，如圖8的箭頭所示，也可構(gòu)成為利用未圖示的移動機(jī)構(gòu)使抵接在軸心構(gòu)件12端部上的側(cè)板構(gòu)件14沿導(dǎo)出軸34的軸向自由移動。
另外，如圖5所示，在將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16設(shè)置在軸心構(gòu)件12的外徑側(cè)的表面12a上時(shí)，則可不利用配置在如圖6所示的導(dǎo)出軸34的外側(cè)的一端上的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36進(jìn)行讀取，而利用未圖示的、不設(shè)在導(dǎo)出軸34上而另外設(shè)置的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置進(jìn)行讀取，或利用掌上型帶數(shù)據(jù)讀寫裝置進(jìn)行讀取。
下面參照圖9至圖18，對使用具有這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10來制造半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置及半導(dǎo)體晶片加工處理方法進(jìn)行說明。
圖9至圖13是對半導(dǎo)體晶片加工處理方法進(jìn)行說明的示意圖，圖14至圖18是對其步驟進(jìn)行說明的流程圖。
首先，如圖9所示，將收容在半導(dǎo)體晶片收容盒51中的表面形成有回路的半導(dǎo)體晶片50取出，在其表面上利用保護(hù)帶貼付裝置54貼付用于保護(hù)半導(dǎo)體晶片50的回路面的保護(hù)帶52，并沿著半導(dǎo)體晶片50的形狀切斷保護(hù)帶52，從而保護(hù)帶52貼付到半導(dǎo)體晶片50的回路面上(保護(hù)帶貼付工序)。
作為保護(hù)帶52并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的[Adwill E-6152](商品名)、[Adwill P-7180](商品名)等。作為保護(hù)帶貼付裝置54并沒有特別的限制，例如可使用具有琳得科(リンテツク)株式會社制造的系統(tǒng)的裝置[RAD-3500F/12](商品名)等。
即，在該保護(hù)帶貼付工序中，在半導(dǎo)體晶片收容盒51中預(yù)先設(shè)置有與配置在半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12上的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16一樣的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件51a，利用盒數(shù)據(jù)讀取裝置51b對寫入該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件51a中的例如半導(dǎo)體晶片50的批號、種類、厚度等有關(guān)半導(dǎo)體50的信息[A]進(jìn)行讀取(參照圖14的步驟100)。
這種情況下，作為數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的符合ISO 15693的[TS-L102KC](商品名)、[TS-L301EC](商品名)等。
作為數(shù)據(jù)載體構(gòu)件51a(下述的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件56a、60a、66a、70a、74a也一樣)并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的符合ISO 15693的[TS-L102DC](商品名)、[TS-L301FC](商品名)等。
作為盒數(shù)據(jù)讀取裝置51b(下述的盒數(shù)據(jù)讀取裝置56c、60c、70c、74c也一樣)并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)等。
此時(shí)，像上面說明的那樣，保護(hù)帶52形成為半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的形態(tài)。
由此，將半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12安裝到導(dǎo)出軸34上，利用配置在導(dǎo)出軸34的外側(cè)的一端上的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36對預(yù)先寫入軸心構(gòu)件12上的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中的信息、例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息[B]進(jìn)行讀取(參照圖14的步驟102)。
這種情況下，作為帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)等。
接著，基于該盒數(shù)據(jù)讀取裝置讀取的有關(guān)半導(dǎo)體晶片50的處理數(shù)據(jù)[A]和利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36讀取的有關(guān)保護(hù)帶52的處理數(shù)據(jù)[B]，利用保護(hù)帶貼付裝置54，將從導(dǎo)出裝置32導(dǎo)出的保護(hù)帶52貼付到半導(dǎo)體晶片50上(參照圖14的步驟104)。
由此，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36對寫入數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶14貼付到半導(dǎo)體晶片上。
接著，在像這樣利用保護(hù)帶貼付裝置54將從導(dǎo)出裝置32導(dǎo)出的保護(hù)帶52貼付到半導(dǎo)體晶片50上后，將半導(dǎo)體晶片50收容在另外的半導(dǎo)體晶片收容盒56中(參照圖14的步驟106)。
此時(shí)，在半導(dǎo)體晶片收容盒56中預(yù)先設(shè)置有與數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16一樣的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件56a，利用盒數(shù)據(jù)寫入裝置56b，將由上述有關(guān)半導(dǎo)體晶片50的處理數(shù)據(jù)[A]、有關(guān)保護(hù)帶52的處理數(shù)據(jù)[B]以及利用保護(hù)帶貼付裝置54實(shí)際進(jìn)行貼付加工時(shí)的例如貼付速度、貼付壓力等有關(guān)貼付加工的處理數(shù)據(jù)[C]構(gòu)成的處理數(shù)據(jù)[A+B+C]寫入該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件56a中(參照圖14的步驟108)。
這種情況下，作為盒數(shù)據(jù)寫入裝置56b(下述的盒數(shù)據(jù)寫入裝置60b、70b也一樣)并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)等。
雖然未圖示，但只要有必要，則可利用帶數(shù)據(jù)讀寫裝置36將使用過的保護(hù)帶52的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件12具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中，例如再將保護(hù)帶52貼付到其它種類的半導(dǎo)體晶片50上時(shí)，通過讀取這些信息，便不會出現(xiàn)保護(hù)帶52的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而不會導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降(參照圖14的步驟108’)。
接著，如圖10所示，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒56中取出，對于貼付有保護(hù)帶52的半導(dǎo)體晶片50，使保護(hù)帶52側(cè)吸附保持在未圖示的吸附臺上，利用背面研磨裝置(研磨機(jī))58將未形成回路的背面研磨至規(guī)定厚度(背面研磨工序)。
這種情況下，作為背面研磨裝置(研磨機(jī))58并沒有特別的限制，例如可使用在株式會社迪斯科(デイスコ)制造的背面研磨裝置(研磨機(jī))上安裝有作為帶數(shù)據(jù)讀寫裝置的琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)的裝置等。
即，在該背面研磨工序中，利用盒數(shù)據(jù)讀取裝置56c對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒56的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件56a中的上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C]進(jìn)行讀取(參照圖15的步驟110)。
接著，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒56中取出，基于盒數(shù)據(jù)讀取裝置56c讀取的處理數(shù)據(jù)[A+B+C]，利用背面研磨裝置(研磨機(jī))58，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片50的未形成回路的背面研磨至規(guī)定厚度(參照圖15的步驟112)。
接著，將背面被研磨至規(guī)定厚度的貼付有保護(hù)帶52的半導(dǎo)體晶片50收容到另外的半導(dǎo)體晶片收容盒60中(參照圖15的步驟114)。
此時(shí)，在半導(dǎo)體晶片收容盒60上也預(yù)先設(shè)置有數(shù)據(jù)載體構(gòu)件60a，利用盒數(shù)據(jù)寫入裝置60b將由上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C]以及利用背面研磨裝置(研磨機(jī))58實(shí)際進(jìn)行背面研磨加工時(shí)的例如研磨速度、研磨機(jī)的網(wǎng)格大小信息等有關(guān)背面研磨加工的處理數(shù)據(jù)[D]構(gòu)成的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D]寫入該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件60a中(參照圖15的步驟116)。
之后，如圖11所示，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒60中取出，使保護(hù)帶52側(cè)吸附保持在吸附臺64上，并利用裝配帶貼付裝置62將環(huán)狀構(gòu)架66載置在該半導(dǎo)體晶片50的外周。
這種情況下，作為裝配帶貼付裝置62并沒有特別的限制，例如可使用具有琳得科(リンテツク)株式會社制造的系統(tǒng)的裝置[RAD-2700F/Sa](商品名)等。
這種狀態(tài)下，從上面貼付裝配帶68，并根據(jù)環(huán)狀構(gòu)架66的外形切斷裝配帶68，依靠裝配帶68使半導(dǎo)體晶片50和環(huán)狀構(gòu)架66一體化(晶片裝配工序)。
這種情況下，作為裝配帶68并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的[Adwill D-175](商品名)、[Adwill G-36](商品名)等。
在該晶片裝配工序中，將該半導(dǎo)體晶片50連同環(huán)狀構(gòu)架一起翻轉(zhuǎn)，使用例如未圖示的剝離帶將貼付在半導(dǎo)體晶片50的回路面上的保護(hù)帶52剝?nèi)ァ?br> 即，在該晶片裝配工序中，利用盒數(shù)據(jù)讀取裝置60，對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒60的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件60a中的上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D]進(jìn)行讀取(參照圖16的步驟118)。
接著，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒60中取出，基于盒數(shù)據(jù)讀取裝置60c讀取的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D]，在最佳條件下利用裝配帶貼付裝置62，依靠裝配帶68將環(huán)狀構(gòu)架66貼付到半導(dǎo)體晶片50的外周，并根據(jù)環(huán)狀構(gòu)架66的外形切斷裝配帶68(或是貼付預(yù)先根據(jù)環(huán)狀構(gòu)架66的形狀進(jìn)行預(yù)剪切的裝配帶68)，依靠裝配帶68使半導(dǎo)體晶片50與環(huán)狀構(gòu)架66一體化(參照圖16的步驟120)。
使用例如另外的未圖示的剝離帶將貼付在半導(dǎo)體晶片50的回路面上的保護(hù)帶52剝?nèi)?參照圖16的步驟122)。
另外，在環(huán)狀構(gòu)架66上也預(yù)先設(shè)置有數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a，利用環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置66將由上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D]以及利用裝配帶貼付裝置62實(shí)際進(jìn)行裝配帶貼付加工時(shí)的例如裝配帶68的貼付速度、貼付壓力、環(huán)狀構(gòu)架66的種類、尺寸、厚度等有關(guān)裝配帶貼付加工的處理數(shù)據(jù)[E]構(gòu)成的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]寫入該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a中(參照圖16的步驟124)。
接著，將剝?nèi)ケＷo(hù)帶52的、依靠裝配帶68而與環(huán)狀構(gòu)架66一體化的半導(dǎo)體晶片50收容到另外的半導(dǎo)體晶片收容盒70中(參照圖16的步驟126)。
此時(shí)，在半導(dǎo)體晶片收容盒70中也預(yù)先設(shè)置有數(shù)據(jù)載體構(gòu)件70a，利用盒數(shù)據(jù)寫入裝置70b將由上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D]以及利用裝配帶貼付裝置62實(shí)際進(jìn)行裝配帶貼付加工時(shí)的例如裝配帶68的貼付速度、貼付壓力、環(huán)狀構(gòu)架66的種類、尺寸、厚度等有關(guān)裝配帶貼付加工的處理數(shù)據(jù)[E]構(gòu)成的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]寫入該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件70a中(參照圖16的步驟128)。
這種情況下，在本實(shí)施例中，將處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]寫入環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a和半導(dǎo)體晶片收容盒70的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件70a雙方中，但也可將處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]寫入任何一方中。
接著，如圖12所示，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒70中取出，利用切割裝置72將其切斷成小四方塊狀(切割工序)。
這種情況下，作為切割裝置72并沒有特別的限制，例如可使用在株式會社迪斯科(デイスコ)制造的切割裝置上安裝有作為帶數(shù)據(jù)讀寫裝置的琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)的裝置等。
即，在切割工序中，利用盒數(shù)據(jù)讀取裝置70c對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒70的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件70a中的上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]進(jìn)行讀取(參照圖17的步驟130)。
接著，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒70中取出，利用環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置66c對寫入環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a中的上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]進(jìn)行讀取(參照圖17的步驟132)。
這種情況下，作為環(huán)狀構(gòu)架讀取裝置66(下述的環(huán)狀構(gòu)架讀取裝置66e也一樣)并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)等。
接著，基于這些盒數(shù)據(jù)讀取裝置70c、環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置66c讀取的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]，在最佳狀態(tài)下利用切割裝置72將半導(dǎo)體晶片50切斷成小四方塊狀(參照圖17的步驟134)。
在本實(shí)施例中，基于這些盒數(shù)據(jù)讀取裝置70c、環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置66c讀取的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]，利用切割裝置72將半導(dǎo)體晶片50切斷成小四方塊狀，但也可讀取任何一方的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]。
接著，利用環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置66d將由上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]以及利用切割裝置72實(shí)際進(jìn)行切割加工時(shí)的例如切割裝置72的切割刃的轉(zhuǎn)速、切割尺寸等有關(guān)切割加工的處理數(shù)據(jù)[F]構(gòu)成的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]寫入環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a中(參照圖17的步驟136)。
這種情況下，作為環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置66d并沒有特別的限制，例如可使用琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)等。
接著，將利用切割裝置72切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體晶片50連同環(huán)狀構(gòu)架66一起收容到另外的半導(dǎo)體晶片收容盒74中(參照圖17的步驟138)。
此時(shí)，在半導(dǎo)體晶片收容盒74上也預(yù)先設(shè)置有數(shù)據(jù)載體構(gòu)件74a，利用盒數(shù)據(jù)寫入裝置74b將由上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E]以及利用切割裝置72實(shí)際進(jìn)行切割加工時(shí)的例如切割裝置72的切割刃的轉(zhuǎn)速、切割尺寸等有關(guān)切割加工的處理數(shù)據(jù)[F]構(gòu)成的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]寫入該數(shù)據(jù)載體構(gòu)件74a中(參照圖17的步驟140)。
這種情況下，在本實(shí)施例中，將處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]寫入環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a和半導(dǎo)體晶片收容盒74的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件74a兩方中，但也可將處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]寫入任何一方中。
之后，如圖13所示，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒74中取出，利用結(jié)合裝置76拾取被切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體芯片，并將其安裝到電子器件78的電子器件裝配部上(小片結(jié)合工序)。
這種情況下，作為結(jié)合裝置76并沒有特別的限制，可使用例如在株式會社新川制造的結(jié)合裝置上安裝有作為帶數(shù)據(jù)讀寫裝置的琳得科(リンテツク)株式會社制造的[LPA01](商品名)的裝置等。
即，在該小片結(jié)合工序中，利用盒數(shù)據(jù)讀取裝置74對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒74的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件74a中的上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]進(jìn)行讀取(參照圖18的步驟142)。
接著，將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒174中取出，利用環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置66e對寫入環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a中的上述處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]進(jìn)行讀取(參照圖18的步驟144)。
接著，基于這些盒數(shù)據(jù)讀取裝置74c、環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置66e讀取的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]，在最佳條件下利用結(jié)合裝置76拾取被切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體芯片50a，并將其安裝到電子器件78的電子器件裝配部上(參照圖18的步驟146)。
在本實(shí)施例中，基于盒數(shù)據(jù)讀取裝置74c、環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置66e讀取的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]，利用結(jié)合裝置76拾取被切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體芯片50a，并將其安裝到電子器件78的電子器件裝配部上，但也可讀取任何一方的處理數(shù)據(jù)[A+B+C+D+E+F]。
另外，在上述實(shí)施例中，將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在半導(dǎo)體晶片收容盒上的方法、配置位置以及將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a設(shè)置在環(huán)狀構(gòu)架66上的方法、配置位置等并沒有特別的限制。
即，與半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16一樣，可采用貼付用標(biāo)簽型結(jié)構(gòu)的、在將數(shù)據(jù)載體構(gòu)件配置在安裝用凹部內(nèi)后利用合成樹脂從其上面進(jìn)行樹脂密封而成為埋設(shè)狀態(tài)的方法，或采用使這些半導(dǎo)體晶片收容盒或環(huán)狀構(gòu)架66和數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16一體成形的方法等。
另外，作為數(shù)據(jù)載體構(gòu)件在半導(dǎo)體晶片收容盒上的設(shè)置位置，在本實(shí)施例中是設(shè)置在半導(dǎo)體晶片收容盒的底部，與此相應(yīng)，將盒數(shù)據(jù)讀取裝置、盒數(shù)據(jù)寫入裝置設(shè)置在與半導(dǎo)體晶片收容盒的底部相對的位置上。
然而，作為數(shù)據(jù)載體構(gòu)件在半導(dǎo)體晶片收容盒上的設(shè)置位置并不局限于此，也可作適當(dāng)變更而設(shè)置在半導(dǎo)體晶片收容盒的上部、側(cè)部、背部等上，與此相應(yīng)，只要將盒數(shù)據(jù)讀取裝置、盒數(shù)據(jù)寫入裝置設(shè)置在與半導(dǎo)體晶片收容盒的上部、側(cè)部、背部等相對的位置上即可。
另外，在本實(shí)施例中，環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置設(shè)置成固定在與環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a相對的位置上。然而，也可將環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)讀取裝置設(shè)置在將半導(dǎo)體晶片50從半導(dǎo)體晶片收容盒中取出的吸附臂等取出操作裝置的前端上，以在取出半導(dǎo)體晶片50時(shí)對環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。
同樣，也可將環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置設(shè)置在將半導(dǎo)體晶片50收容到半導(dǎo)體晶片收容盒中的吸附臂等收容操作裝置的前端上，以在收容半導(dǎo)體晶片50時(shí)將處理數(shù)據(jù)寫入環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a中。
采用這種半導(dǎo)體晶片加工處理方法，可將例如產(chǎn)品名稱、保質(zhì)期、帶長、帶寬、批號、半導(dǎo)體晶片的最佳貼付壓力、貼付速度等信息寫入軸心構(gòu)件12具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中。
由此，在將卷裝在該半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10上的半導(dǎo)體晶片處理帶14(保護(hù)帶52、裝配帶68)貼付到半導(dǎo)體晶片50上以對半導(dǎo)體50進(jìn)行各種晶片加工時(shí)，無需像以往那樣訪問主機(jī)，可通過對寫入半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16、半導(dǎo)體晶片收容盒的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件、環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下用半導(dǎo)體晶片處理帶進(jìn)行晶片加工處理。
由此，無需另外將這種半導(dǎo)體晶片處理帶的信息錄入主機(jī)，另外，在加工時(shí)，無需取出錄入主機(jī)中的信息便可進(jìn)行各種晶片加工工序，從而使工序管理變得簡單。
另外，將使用過的半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量、保質(zhì)期等信息寫入軸心構(gòu)件12具有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件16中，在進(jìn)行晶片加工時(shí)，通過讀取這些信息，便不會出現(xiàn)半導(dǎo)體晶片處理帶的剩余量不足或超過保質(zhì)期等，從而不會導(dǎo)致工序中斷或品質(zhì)下降。
上面對本發(fā)明的最佳實(shí)施形態(tài)進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于此，例如，在將錯(cuò)誤的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10安裝到導(dǎo)出裝置32上時(shí)，或半導(dǎo)體晶片處理帶的保質(zhì)期過期時(shí)，或背面研磨裝置(研磨機(jī))58的研磨構(gòu)件的使用次數(shù)、切割裝置72的切割刃的使用次數(shù)等超過使用壽命時(shí)，也可發(fā)出警告，以防止操作員的失誤。
另外，通過回收半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體10的軸心構(gòu)件12、半導(dǎo)體晶片收容盒、環(huán)狀構(gòu)架66并對寫入它們的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化，半導(dǎo)體晶片收容盒、環(huán)狀構(gòu)架66可以再使用。
另外，在本實(shí)施例中，各工序的裝置是分開的裝置，即所謂的獨(dú)立型裝置，但也可以是在一個(gè)裝置內(nèi)對各工序連續(xù)地進(jìn)行處理的所謂的直列式裝置。如果采用這種直列式裝置，則可減少如上所述的半導(dǎo)體晶片收容盒的數(shù)量和盒數(shù)據(jù)讀取裝置的數(shù)量。這種情況下，只要利用環(huán)狀構(gòu)架66的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件66a對上述處理數(shù)據(jù)進(jìn)行寫入、讀取即可。
另外，在本實(shí)施例中，取出側(cè)的半導(dǎo)體晶片收容盒和對完成規(guī)定晶片加工的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行收容的半導(dǎo)體晶片收容盒是不同的，但也可在同一半導(dǎo)體晶片收容盒中，逐枚地取出半導(dǎo)體晶片，并在晶片加工完成后進(jìn)行收容。
另外，也可從未圖示的主機(jī)將不足的數(shù)據(jù)、管理數(shù)據(jù)等輸入各晶片處理工序的各個(gè)裝置中進(jìn)行控制，或?qū)懭?輸入)各個(gè)數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中。
另外，上述實(shí)施例中對所謂的“后切割法”進(jìn)行了說明，但也可使用“先切割法”等，即各工序按照下面順序進(jìn)行從晶片的形成有回路的表面沿晶片厚度方向切割至規(guī)定深度以小四方塊狀形成有底的槽的工序，在晶片表面上貼付保護(hù)帶的工序，對晶片背面進(jìn)行研磨直至有底的槽并分割成大量芯片的工序，將貼付有保護(hù)帶的晶片貼付到環(huán)狀構(gòu)架上的工序，剝?nèi)ケＷo(hù)帶的工序。在不脫離本發(fā)明目的的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，包括用于貼付到半導(dǎo)體晶片上以進(jìn)行半導(dǎo)體晶片加工的半導(dǎo)體晶片處理帶；卷裝所述半導(dǎo)體晶片處理帶的軸心構(gòu)件；以及設(shè)在所述軸心構(gòu)件上、可對期望的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件為非接觸型的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述非接觸型的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件是由IC芯片和與該IC芯片連接的導(dǎo)電線圈構(gòu)成的RF存儲器。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的表面上。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體以埋設(shè)狀態(tài)設(shè)置在軸心構(gòu)件上。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的內(nèi)徑側(cè)。
7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體，其特征在于，所述數(shù)據(jù)載體構(gòu)件設(shè)置在軸心構(gòu)件的外徑側(cè)。
8.一種半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，包括具有可自由拆裝地安裝權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的導(dǎo)出軸的導(dǎo)出裝置；對寫入所述半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置；以及基于所述帶數(shù)據(jù)讀寫裝置讀取的處理數(shù)據(jù)將從導(dǎo)出裝置導(dǎo)出的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上的帶貼付裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述帶數(shù)據(jù)讀寫裝置設(shè)置在導(dǎo)出軸上。
10.如權(quán)利要求8至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，針對收容利用所述帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片收容盒，設(shè)置將期望的處理數(shù)據(jù)寫入所述半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的盒數(shù)據(jù)寫入裝置。
11.如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置是貼付用于保護(hù)半導(dǎo)體晶片的回路面的保護(hù)帶的保護(hù)帶貼付裝置。
12.如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置是貼付將環(huán)狀構(gòu)架貼付在半導(dǎo)體晶片外周的裝配帶的裝配帶貼付裝置。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，具有將期望的處理數(shù)據(jù)寫入所述環(huán)狀構(gòu)架上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的環(huán)狀構(gòu)架數(shù)據(jù)寫入裝置。
14.如權(quán)利要求8至13中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置具有對寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取的盒數(shù)據(jù)讀取裝置，其中所述半導(dǎo)體晶片收容盒對在前面工序中進(jìn)行了規(guī)定加工處理的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行收容，所述半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置構(gòu)成為，基于所述盒數(shù)據(jù)讀取裝置讀取的處理數(shù)據(jù)以及所述帶數(shù)據(jù)讀寫裝置讀取的處理數(shù)據(jù)，利用帶貼付裝置將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上。
15.一種半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，構(gòu)成為對利用權(quán)利要求8至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片，基于寫入半導(dǎo)體晶片收容盒上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行規(guī)定的晶片加工處理，其中所述半導(dǎo)體晶片收容盒對利用所述帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行收容。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，構(gòu)成為對利用權(quán)利要求8至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置貼付有半導(dǎo)體晶片處理帶的半導(dǎo)體晶片，基于寫入所述環(huán)狀構(gòu)架上設(shè)有的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行規(guī)定的晶片加工處理。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片加工處理裝置是對半導(dǎo)體晶片的回路面相反側(cè)的背面進(jìn)行研磨的半導(dǎo)體晶片研磨裝置。
18.如權(quán)利要求15至16中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片加工處理裝置是將半導(dǎo)體晶片切斷成小四方塊狀的切割裝置。
19.如權(quán)利要求15至16中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片加工處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片加工處理裝置是拾取切斷成小四方塊狀的半導(dǎo)體芯片將其安裝到電子器件的電子器件裝配部上的小片結(jié)合裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種無需像以往那樣訪問主機(jī)，可對寫入數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，基于讀取的處理數(shù)據(jù)，在最佳條件下將半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置。該半導(dǎo)體晶片處理帶貼付裝置包括具有可自由拆裝地安裝半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的導(dǎo)出軸的導(dǎo)出裝置；對寫入半導(dǎo)體晶片處理帶卷裝體的數(shù)據(jù)載體構(gòu)件中的處理數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫的帶數(shù)據(jù)讀寫裝置；以及基于帶數(shù)據(jù)讀寫裝置讀取的處理數(shù)據(jù)將從導(dǎo)出裝置導(dǎo)出的半導(dǎo)體晶片處理帶貼付到半導(dǎo)體晶片上的帶貼付裝置。
文檔編號H01L21/683GK1892982SQ200610100730
公開日2007年1月10日 申請日期2006年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者瀨川丈士, 山口弘一, 巖方裕一 申請人:琳得科株式會社