專利名稱：Tab用帶狀載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TAB用帶狀載體(tape carrier)，尤其涉及用于通過TAB法安裝半導(dǎo)體元件的TAB用帶狀載體。
背景技術(shù)：
TAB用帶狀載體是通過TAB(Tape Automated Bonding)法，將半導(dǎo)體元件安裝的帶狀載體，被廣泛用于電子元器件的領(lǐng)域中。
作為這樣的TAB用帶狀載體，已知有以下的帶狀載體，即，在由聚酰亞胺樹脂形成的絕緣基底層上形成由銅箔形成的導(dǎo)體圖案(例如，參考日本專利特開2004-134442號(hào)公報(bào))。
在該TAB用帶狀載體中，導(dǎo)體圖案是作為內(nèi)引線、外引線以及中繼引線一體形成的多個(gè)布線的圖案而形成的，通過鎳鍍層以及金鍍層將內(nèi)引線以及外引線覆蓋。
半導(dǎo)體元件是如下安裝在TAB用帶狀載體上的，即，在被鎳鍍層以及金鍍層覆蓋的內(nèi)引線上壓接半導(dǎo)體元件的端子之后，再于半導(dǎo)體元件與TAB用帶狀載體之間的間隙填充密封樹脂。
然而，近年來隨著半導(dǎo)體元件的安裝高密度化，越來越要求導(dǎo)體圖案的微細(xì)化。如果對(duì)導(dǎo)體圖案進(jìn)行微細(xì)化，則由于導(dǎo)體圖案與絕緣基底層之間的接觸面積減少，因此導(dǎo)體圖案容易從絕緣基底層剝離。另一方面，如果用熱塑性聚酰亞胺樹脂層形成絕緣基底層的表面層，則可使之與導(dǎo)體圖案的密合性提高。
另外，當(dāng)半導(dǎo)體元件的端子由金凸起形成時(shí)，如用錫鍍層覆蓋內(nèi)引線，則可提高連接強(qiáng)度。另一方面，當(dāng)使金凸起壓接在由錫鍍層覆蓋的內(nèi)引線上時(shí)，由于在兩者的界面上形成金和錫的共晶而牢固結(jié)合，因此，通常在安裝溫度大于等于300℃，以在半導(dǎo)體元件安裝負(fù)荷在150N左右使之壓接。
但是，如進(jìn)行上述的壓接，則在進(jìn)行導(dǎo)體圖案微細(xì)化的情況時(shí)，由于導(dǎo)體圖案與絕緣基底層之間的接觸面積減少，因此對(duì)于導(dǎo)體圖案的絕緣基底層的面壓增大，在為了提高與導(dǎo)體圖案之間的密合性，由熱塑性聚酰亞胺樹脂層形成絕緣基底層的表面層的情況時(shí)，由于導(dǎo)體圖案陷入到該表面層，因此很難確保半導(dǎo)體元件與TAB用帶狀載體之間的間隙。如果這樣，很難填充密封樹脂，或者即使可以填充密封樹脂，也會(huì)發(fā)生在密封樹脂中出現(xiàn)空隙這樣的不良情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供如下的TAB用帶狀載體，它既可以提高導(dǎo)體圖案相對(duì)于絕緣基底層的密合性，又可以將半導(dǎo)體元件的金端子與由錫鍍層覆蓋的連接端子牢固連接，而且也可以抑制導(dǎo)體圖案對(duì)絕緣基底層的陷入。
本發(fā)明的TAB用帶狀載體的特征在于，具有包含以厚度為4μm以下的熱塑性聚酰亞胺樹脂層作為表面層的絕緣基底層以及在上述絕緣基底層上形成的導(dǎo)體圖案，上述導(dǎo)體圖案包含用于連接半導(dǎo)體元件的金端子的連接端子，在上述連接端子的表面形成錫鍍層。
另外，本發(fā)明的TAB用帶狀載體中，形成上述熱塑性聚酰亞胺樹脂層的熱塑性聚酰亞胺樹脂的?；瘻囟容^好為在350℃以下。
另外，本發(fā)明的TAB用帶狀載體中，上述絕緣基底層設(shè)置有在其上形成上述熱塑性聚酰亞胺樹脂層的熱固化性聚酰亞胺樹脂層，形成上述熱固化性聚酰亞胺樹脂層的熱固化性聚酰亞胺樹脂的線膨脹系數(shù)較好在30ppm/℃以下。
本發(fā)明的TAB用帶狀載體中，由于絕緣基底層的表面層是熱塑性聚酰亞胺樹脂層，因此即使微細(xì)化導(dǎo)體圖案，也可提高該導(dǎo)體圖案與絕緣基底層之間的密合性。
另外，雖然通過使半導(dǎo)體的金端子在高溫高壓下壓接在由錫鍍層覆蓋的連接端子上，牢固連接，但由于熱塑性聚酰亞胺樹脂層的厚度在4μm以下，因此仍然可以抑制導(dǎo)體圖案對(duì)絕緣基底層的陷入。因此不僅可以牢固連接半導(dǎo)體元件的金端子與由錫鍍層覆蓋的連接端子，而且還可以確保半導(dǎo)體元件與TAB用帶狀載體之間的空隙，可以在其之間無障礙地填充密封樹脂。


圖1是顯示本發(fā)明的TAB用帶狀載體的實(shí)施方式的部分平面圖。
圖2是圖1所示TAB用帶狀載體的布線部的擴(kuò)大平面圖。
圖3是圖1所示TAB用帶狀載體的部分底面圖。
圖4是顯示圖1所示TAB用帶狀載體的制造方法的一實(shí)施方式的TAB用帶狀載體的沿長邊方向斷面的工序圖，(a)是準(zhǔn)備加強(qiáng)層的工序；(b)是在加強(qiáng)層的上面形成熱固化性聚酰亞胺樹脂層的工序；(c)是在熱固化性聚酰亞胺樹脂層的上面形成熱塑性聚酰亞胺樹脂層的工序；(d)是在絕緣基底層的整個(gè)表面形成導(dǎo)體薄膜的工序；(e)是在導(dǎo)體薄膜的上面形成鍍抗蝕膜的工序；(f)顯示了在TAB用帶狀載體的寬度方向的兩側(cè)邊緣部分形成導(dǎo)孔的工序。
圖5是在圖4之后的，顯示圖1所示TAB用帶狀載體的制造方法的一實(shí)施方式的TAB用帶狀載體的沿長邊方向斷面的工序圖，(g)是在從鍍抗蝕膜露出的導(dǎo)體薄膜的表面上形成導(dǎo)體圖案的工序；(h)是除去鍍抗蝕膜以及從導(dǎo)體圖案所露出的導(dǎo)體薄膜的工序；(i)是形成覆蓋各布線的中繼線的絕緣覆蓋層的工序；(j)在各布線的內(nèi)引線以及外引線的表面，形成錫鍍層的工序；(k)顯示了在加強(qiáng)層的與布線部重疊的位置形成開口部的工序。
圖6是顯示在圖1所示TAB用帶狀載體上安裝半導(dǎo)體元件的狀態(tài)的TAB用帶狀載體沿長邊方向的截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是顯示本發(fā)明的TAB用帶狀載體的一實(shí)施方式的部分平面圖，圖2是圖1所示TAB用帶狀載體的布線部的擴(kuò)大平面圖，圖3是圖1所示TAB用帶狀載體的部分底面圖。
圖1中，該TAB用帶狀載體1在于長邊方向連續(xù)延伸的帶狀絕緣基底層2上，設(shè)置有形成導(dǎo)體圖案7的布線部3和用于運(yùn)送該TAB用帶狀載體1的運(yùn)送部5，還層合有加強(qiáng)層4(參考圖3)。
在絕緣基底層2的表面，于絕緣基底層2的長邊方向(與TAB用帶狀載體1的長邊方向相同，以下有時(shí)簡稱為長邊方向)上，相互隔開，設(shè)置多個(gè)布線部3。
各布線部3中，如圖2所示，在其中央設(shè)置用于安裝(載放)半導(dǎo)體元件21(參考圖6)的從平面看近矩形的安裝部6。另外，在安裝部的長邊方向兩側(cè)，分別形成導(dǎo)體圖案7。
該導(dǎo)體圖案7是由在絕緣基底層2的表面上相互隔開配置的多個(gè)布線8形成，各布線8具有作為連接端子的內(nèi)引線9、外引線10以及中繼引線11，它們呈一體。
將各內(nèi)引線9與安裝部6內(nèi)相鄰，沿長邊方向，相互隔開地并列配置在TAB用帶狀載體1的寬度方向(與長邊方向垂直的方向，以下有時(shí)也簡單稱為寬度方向)上。各內(nèi)引線9的間距(即，1個(gè)內(nèi)引線9的寬度(底面寬度)與兩個(gè)內(nèi)引線9之間的寬度(間隔)的合計(jì)長度)IP在40μm以下，較好為30μm以下，通常，設(shè)定在20μm以上。這樣，通過將各內(nèi)引線9的間距IP設(shè)定在40μm以下，可以實(shí)現(xiàn)高密度布線。
另外，各內(nèi)引線9的寬度(底面寬度)為5～15μm，較好設(shè)定在10～15μm，兩個(gè)內(nèi)引線9之間的寬度(間隔)為5～35μm，較好設(shè)定在10～20μm。
將各外引線10與布線部3的長邊方向兩端部相鄰，并沿著長邊方向，相互隔開并列配置在寬度方向上。相對(duì)于各內(nèi)引線9的間距IP，將各外引線10的間距(即，1個(gè)外引線10的寬度(底面寬度)與兩個(gè)外引線10之間的寬度(間隔)的合計(jì)長度)OP例如設(shè)定在100～1000％左右。即，相對(duì)于各內(nèi)引線9的間距IP，可以將各外引線10的間距OP設(shè)定地更寬，或者也可以將其設(shè)定為與各內(nèi)引線9的間距IP實(shí)質(zhì)上相同的寬度。
各中繼引線11中繼各內(nèi)引線9和各外引線10，連接各內(nèi)引線9和各外引線10，當(dāng)相對(duì)于各內(nèi)引線9的間距IP，將各外引線10的間距OP設(shè)定地更寬時(shí)，將各中繼引線11從間距窄的內(nèi)引線9側(cè)向間距寬的外引線10側(cè)，呈在寬度方向上逐漸擴(kuò)寬的放射狀配置。
另外，在配置有各中繼引線11的部分，設(shè)置有耐鍍覆膜(solder resist)等絕緣覆蓋層12。即設(shè)置耐鍍覆膜等絕緣層12時(shí)，要圍繞安裝部6，形成從平面看近矩形的框狀，覆蓋全部的中繼引線11。
另外，在從絕緣覆蓋層12露出的內(nèi)引線9以及外引線10上形成錫鍍層13(參考圖6)。
如圖1所示，將運(yùn)送部5沿長邊方向設(shè)置在TAB用帶狀載體1的寬度方向兩側(cè)邊緣部。為了運(yùn)送該TAB用帶狀載體1，在各運(yùn)送部5中形成用于與鏈輪齒等相咬合的多個(gè)導(dǎo)孔15，并使各導(dǎo)孔15在寬度方向分別相對(duì)。各導(dǎo)孔15是如下形成的，即，在TAB用帶狀載體1的長邊方向上，以等間隔穿孔成從平面看近矩形的形狀，并貫穿TAB用帶狀載體1(貫穿絕緣基底層2以及加強(qiáng)層4)。
如圖3所示，在絕緣基底層2的內(nèi)側(cè)面層合加強(qiáng)層4。如上述，在該加強(qiáng)層4上，在寬度方向兩側(cè)的邊緣部穿孔有多個(gè)導(dǎo)孔15，同時(shí)，與各布線部在上下方向相對(duì)，形成從底面看近矩形的開口部14。
接著，參考圖4和圖5說明該TAB用帶狀載體1的制造方法。
該方法中，首先，如圖4所示，準(zhǔn)備加強(qiáng)層4。作為加強(qiáng)層4，例如使用銅箔或不銹鋼箔等金屬箔，較好使用不銹鋼箔。另外，作為不銹鋼箔，根據(jù)AISI(美國鋼鐵協(xié)會(huì))的標(biāo)準(zhǔn)為基準(zhǔn)，例如可使用SUS301、SUS304、SUS305、SUS309、SUS310、SUS316、SUS317、SUS321、SUS347等。另外，加強(qiáng)層4的厚度例如為3～100μm，較好為5～30μm，更好為8～20μm。
另外，在圖1～圖3中顯示了1列的TAB用帶狀載體1，然而通常是在加強(qiáng)層4的寬度方向同時(shí)形成多列的TAB用帶狀載體1之后，再切開每1列。例如，寬度250mm的加強(qiáng)層4上，同時(shí)形成4列寬度為48mm的TAB用帶狀載體1，在寬度為300mm的加強(qiáng)層4上，同時(shí)形成4列寬度為70mm的TAB用帶狀載體1。
接著，如圖4(b)以及圖4(c)所示，在該加強(qiáng)層4上面形成絕緣基底層2。絕緣基底層2是如下形成的，即，首先，如圖4(b)所示，在加強(qiáng)層4的上面形成熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a之后，如圖4(c)所示，在該熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a的上面，形成熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b作為絕緣基底層2的表面層。
熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a可以如下形成將含有聚酰亞胺樹脂前體的樹脂溶液涂布在加強(qiáng)層4的上面，通過干燥后使之加熱固化來形成。
作為聚酰亞胺樹脂的前體，例如可使用由芳香族四羧酸與芳香族二胺反應(yīng)所得的聚酰胺酸樹脂。樹脂溶液，例如將聚酰胺酸樹脂溶解于有機(jī)溶媒，作為漆來調(diào)制。
另外，樹脂溶液的涂布可使用刮刀法、旋涂法等公知的方法。然后干燥之后，例如通過在200～600℃加熱使之固化來在加強(qiáng)層4的上面形成由熱固化性聚酰亞胺樹脂形成的熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a。
這樣形成的熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a的熱固化性聚酰亞胺樹脂的線膨脹系數(shù)，例如在30ppm/℃以下，較好為在25ppm/℃以下，通常在18ppm/℃以上。
另外，如果在樹脂溶液中配合公知的感光劑，則在加強(qiáng)層4的上面涂布樹脂溶液之后，通過曝光以及顯影可作為圖案形成熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a。
熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a的厚度，例如為5～50μm，較好為10～40μm，更好為20～30μm。
熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b是如下形成的，即，在熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a的上面涂布含有熱塑性聚酰亞胺樹脂的樹脂溶液，再使之干燥。
作為熱塑性聚酰亞胺樹脂，例如可使用聚醚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酯酰亞胺樹脂等。樹脂溶液，例如在有機(jī)溶媒中溶解熱塑性聚酰亞胺，作為漆來調(diào)制。
另外，樹脂溶液的涂布可使用刮刀法、旋涂法等公知的方法。再通過使之干燥之后，在熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a上，形成由熱塑性聚酰亞胺樹脂形成的熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b。
這樣形成的熱塑性聚酰亞胺樹脂2b的熱塑性聚酰亞胺樹脂的?；瘻囟?Tg)在半導(dǎo)體元件21的壓接溫度(壓接設(shè)備的溫度)以下，例如在350℃以下，較好為在300℃以下，通常在250℃以上。?；瘻囟?Tg)如在350℃以下，則可有助于提高與導(dǎo)體圖案的7的密合性。
另外，熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b也可如下形成，即，通過粘合劑在熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a上粘貼事先加工好的熱塑性聚酰亞胺樹脂的干膜。
熱塑性聚酰亞胺樹脂2b的厚度在4μm以下，較好為1～4μm，更好為1～2.5μm。
熱塑性聚酰亞胺樹脂2b的厚度如果超過4μm，則在壓接半導(dǎo)體元件21時(shí)，存在導(dǎo)體圖案7陷入到熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b中，很難確保半導(dǎo)體元件21與TAB用帶狀載體1之間的間隙。通過將熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b的厚度設(shè)定在4μm，既可確保與導(dǎo)體圖案7的密合性，也可抑制導(dǎo)體圖案7的陷入。
另外，為了確保絕緣基底層2與導(dǎo)體圖案7之間的充分的密合性，熱塑性聚酰亞胺樹脂2b的厚度較好在1μm以上。
另外，如此形成的絕緣基底層2的厚度，例如在50μm以下，較好為在30μm以下，更好為在15μm以下，通常在3μm以上。
接著，該方法中，在絕緣基底層2的表面形成導(dǎo)體圖案7作為上述的布線8的圖案。導(dǎo)體圖案7例如由銅、鎳、金、焊錫或者它們的合金等形成。較好為由銅形成。另外，導(dǎo)體圖案7的形成沒有特別的限制，在絕緣基底層2的表面，通過例如減成法、加成法等公知的圖案成形法，形成導(dǎo)體圖案7作為上述布線8的圖案。
減成法中，首先，在絕緣基底層2的整個(gè)表面上，根據(jù)需要通過粘合劑層層合導(dǎo)體層，接著，在該導(dǎo)體層上，形成與上述布線8的圖案相對(duì)應(yīng)的耐蝕刻抗蝕膜，將該耐蝕刻抗蝕膜作為抗蝕膜來蝕刻導(dǎo)體層，之后，除去耐蝕刻抗蝕膜。
另外，加成法中，首先，在絕緣基底層2的表面形成作為底膜的導(dǎo)體薄膜之后，在該導(dǎo)體薄膜的表面上，以上述布線8的圖案的轉(zhuǎn)印圖案形成鍍抗蝕膜。接著，在從鍍抗蝕膜露出的導(dǎo)體薄膜的表面，通過鍍覆來形成導(dǎo)體圖案7作為上述布線8的圖案。之后，除去鍍抗蝕膜以及與導(dǎo)體圖案7相對(duì)部分之外的導(dǎo)體薄膜。
這些圖案成形法中，當(dāng)通過減成法形成導(dǎo)體圖案7時(shí)，由于蝕刻導(dǎo)體層形成各布線8，因此布線8的上面的寬度(即，布線8的與絕緣覆蓋層12的接觸面中的，與布線8延伸方向相垂直方向的長度)/布線8的底面寬度(即，布線8與絕緣基底層2的接觸面中的，與布線8延伸方向相垂直方向的長度)小于1，也就是說，各布線8形成相對(duì)應(yīng)底面上面較窄的截面梯形。
另一方面，如通過加成法形成導(dǎo)體圖案時(shí)，由于是在鍍抗蝕膜的之間的導(dǎo)體薄膜的表面，通過鍍層的析出來形成各布線8，因此布線8的上面寬度/布線8的底面寬度實(shí)質(zhì)上為1或在1以上，也就是說，各布線8形成為上面相對(duì)于底面相當(dāng)?shù)臄嗝婢匦?，或者上面相?duì)于底面較寬的斷面梯形。
由以上可知，為了微細(xì)化導(dǎo)體圖案7，實(shí)現(xiàn)高密度布線，較好使用加成法。
即，加成法中，首先，如圖4(d)所示，在絕緣基底層2的整個(gè)表面形成作為底膜的導(dǎo)體薄膜16。導(dǎo)體薄膜16的形成可使用真空蒸鍍法，較好使用濺射蒸鍍法。另外，形成導(dǎo)體薄膜16的導(dǎo)體，較好使用鉻或銅等。
更具體些是，例如在絕緣基底層2的整個(gè)表面，通過濺射蒸鍍法依次形成鉻薄膜和銅薄膜。另外，導(dǎo)體薄膜16的形成中，例如鉻薄膜的厚度設(shè)定為100～600，銅薄膜的厚度設(shè)定在500～2000。
接著，該方法中，如圖4(e)所示，在導(dǎo)體薄膜16的上面，以上述布線8的圖案的轉(zhuǎn)印圖案形成鍍抗蝕膜17。例如通過曝光以及顯影干膜抗蝕膜的公知方法，以轉(zhuǎn)印圖案形成鍍抗蝕膜17。
之后，該方法中，如圖(f)所示，在TAB用帶狀載體1的寬度方向的兩側(cè)邊緣部，沿著長邊方向，穿出上述多個(gè)導(dǎo)孔15，使其貫穿加強(qiáng)層4、絕緣基底層2、導(dǎo)體薄膜16以及鍍抗蝕膜17的厚度方向。導(dǎo)孔15的穿孔，例如可使用鉆頭穿孔、激光加工、沖孔加工、蝕刻等公知的加工方法，較好使用沖孔加工。
接著，該方法中，如圖5(g)所示，在從鍍抗蝕膜17露出的導(dǎo)體薄膜16的表面上，通過鍍覆形成導(dǎo)體圖案7作為上述布線8的圖案。鍍覆可使用電解鍍或非電解鍍，較好使用電解鍍，更好使用電解鍍銅。
如圖5(h)所示，例如通過化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知的蝕刻法或者剝離來除去鍍抗蝕膜17，接著，同樣通過化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知的蝕刻法來除去從導(dǎo)體圖案7露出的導(dǎo)體薄膜16。
這樣，在絕緣基底層2的上面形成導(dǎo)體圖案7，作為內(nèi)引線9、外引線10以及中繼引線11一體形成的布線8的圖案。這樣形成的導(dǎo)體圖案7的厚度，例如在5μm以上，較好為8～15μm。
接著，該方法中，如圖5(i)所示，圍繞安裝部6形成從平面看呈近矩形框狀的絕緣基底層12，該絕緣基底層12覆蓋各布線8的中繼引線11。絕緣覆蓋層12由感光性耐鍍覆劑等通過公知的方法形成。絕緣覆蓋層12的厚度例如較好為5～30μm，更好為5～20μm。
之后，該方法中，如圖5(j)所示，在各布線8的內(nèi)引線9以及外引線10的表面，形成錫鍍層13。例如通過非電解鍍錫形成錫鍍層13，覆蓋各布線8的內(nèi)引線9以及外引線10的表面。
該方法中，如圖5(k)所示，在加強(qiáng)層4中與布線部3相重合的位置，形成開口部14，得到TAB用帶狀載體1。
在加強(qiáng)層4中形成開口部14，可通過例如鉆頭穿孔、沖孔加工、濕蝕刻(化學(xué)蝕刻)等公知的方法，將加強(qiáng)層4中與布線部3相對(duì)應(yīng)的部分開口。例如，進(jìn)行蝕刻時(shí)，將形成開口部14之外的部分用耐蝕刻抗蝕膜覆蓋之后，使用氯化鐵溶液等蝕刻液進(jìn)行蝕刻之后，再除去耐蝕刻抗蝕膜。
另外，在加強(qiáng)層4的寬度方向上同時(shí)制造多列TAB用帶狀載體1之后，再將每1列切開時(shí)，與形成開口部14的同時(shí)，通過除去加強(qiáng)層4在各TAB用帶狀載體1間形成狹縫。之后在加強(qiáng)層4的寬度方向上形成多列TAB用帶狀載體1時(shí)，將每1列切開。
這樣所得的TAB用帶狀載體1中，由于將導(dǎo)體圖案7進(jìn)行了微細(xì)化，實(shí)現(xiàn)了高密度布線，因此可高密度安裝半導(dǎo)體元件7。
另一方面，如這樣對(duì)導(dǎo)體圖案7進(jìn)行高密度布線時(shí)，雖然導(dǎo)體圖案7與絕緣基底層2之間的接觸面積減少，但是該TAB用帶狀載體1中，由于導(dǎo)體圖案7形成在熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b的表面，因此可有助于提高導(dǎo)體圖案7和絕緣基底層2之間的密合性。
該TAB用帶狀載體1中，由于內(nèi)引線9被錫鍍層13覆蓋，如圖6所示，在安裝部6中，如果通過壓接將半導(dǎo)體元件21的金端子(金凸起)22與由錫鍍層13覆蓋的內(nèi)引線9來連接，則可有助于提高連接強(qiáng)度。
另一方面，當(dāng)使半導(dǎo)體元件21的金端子22壓接在由錫鍍層覆蓋的內(nèi)引線9上時(shí)，為使在兩者的界面形成金和錫的共晶，達(dá)到牢固結(jié)合，通常，安裝溫度在300℃以上，較好為在400～450℃中，以半導(dǎo)體元件安裝負(fù)荷在50N以上，較好為在100～150N使之壓接。
如這樣進(jìn)行壓接，導(dǎo)體圖案7通過其微細(xì)化，導(dǎo)體圖案7與絕緣基底層2之間的接觸面積減少，導(dǎo)體圖案7對(duì)絕緣基底層2的面壓增大，尤其是，通過加成法形成導(dǎo)體圖案7時(shí)，如上所述，布線8的上面的寬度/布線8的底面的寬度實(shí)質(zhì)上為1或在1以上，由導(dǎo)體圖案7的底面施加在熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b上的面壓進(jìn)一步增大，導(dǎo)體圖案7被強(qiáng)力壓接陷入到絕緣基底層2中。
但是，該TAB用帶狀載體1中，由于熱塑性聚酰亞胺樹脂2b的厚度在4μm以下，因此可以減小絕緣基底層2中的，由導(dǎo)體圖案7擠壓所形成的凹陷量，可以抑制導(dǎo)體圖案7的相對(duì)于絕緣基底層2的陷入。因此，可以確保半導(dǎo)體元件21與TAB用帶狀載體1之間的間隙，壓接之后，在半導(dǎo)體元件21與TAB用帶狀載體1之間可不產(chǎn)生空隙地?zé)o障礙地填充密封樹脂23。結(jié)果，可在安裝部6中確實(shí)安裝半導(dǎo)體元件21。
另外，上述說明中，作為于絕緣基底層2的單面形成布線部3的單面布線電路基板而形成TAB用帶狀載體1，但是，也可以例如作為在絕緣基底層2的雙面形成布線部3的雙面布線電路基板形成。作為雙面布線電路基板形成的情況時(shí)，在絕緣基底層2的內(nèi)面，與絕緣基底層2的表面同樣形成多個(gè)布線部3來替代形成加強(qiáng)層4。
以下，列舉實(shí)施例以及比較例來更具體說明本發(fā)明。
實(shí)施例1在該實(shí)施例1中，在寬度為250mm的加強(qiáng)層上同時(shí)制造4列寬度為48mm的TAB用帶狀載體。
首先，作為加強(qiáng)層，準(zhǔn)備厚度為20μm的不銹鋼(SUS304)(參考圖4(a))，在該加強(qiáng)層上，涂布聚酰胺酸樹脂溶液，通過干燥后使之加熱固化，形成厚度為20μm的熱固化性聚酰亞胺樹脂層(參考圖4(b))。另外，該熱固化性聚酰亞胺樹脂層的線膨脹系數(shù)為20ppm/℃。
接著，在熱固化性聚酰亞胺樹脂層的上面，涂布以脂肪族聚酰亞胺為主體的熱塑性聚酰亞胺樹脂溶液，通過使之干燥形成厚度為1μm的熱塑性聚酰亞胺樹脂層(參考圖4(c))。另外，該熱塑性聚酰亞胺樹脂層的?；瘻囟葹?00℃。
這樣，在加強(qiáng)層上面，形成了依次層合有熱固化性聚酰亞胺樹脂層和熱塑性聚酰亞胺樹脂層的絕緣基底層。
接著，在絕緣基底層的表面，通過濺射蒸鍍法依次形成鉻薄膜以及銅薄膜來形成厚度為2000的金屬薄膜(參考圖4(d))。
之后，通過曝光以及顯影干膜抗蝕膜，在金屬薄膜的表面以導(dǎo)體圖案的轉(zhuǎn)印圖案形成鍍抗蝕膜之后(參考圖4(e))，通過沖孔加工穿出導(dǎo)孔(參考圖4(f))，使其貫穿加強(qiáng)層、絕緣基底層、金屬薄膜以及鍍抗蝕層的厚度方向。
接著，將其浸漬在硫酸銅電鍍液中，通過2.5A/dm2的約20分鐘的電解鍍銅，在從鍍抗蝕膜露出的金屬薄膜的表面形成厚度為10μm的導(dǎo)體圖案(參考圖5(g))。
另外，該導(dǎo)體圖案是作為相互隔開配置的將內(nèi)引線、外引線以及中繼引線一體形成的多個(gè)布線的圖案來形成的。另外，內(nèi)引線的間距為30μm，外引線的間距為100μm。
接著，通過化學(xué)蝕刻除去鍍抗蝕膜，之后，將從導(dǎo)體圖案露出的導(dǎo)體薄膜同樣通過化學(xué)蝕刻除去(參考圖5(h))。
之后，由感光性阻焊劑形成絕緣覆蓋層，使其覆蓋各布線的中繼引線且圍繞安裝部6(參考圖5(i))，之后，在內(nèi)引線以及外引線的表面，通過非電解鍍錫形成錫鍍層(參考圖5(j))。
使用耐蝕刻抗蝕膜覆蓋加強(qiáng)層4中與布線部3相重合的位置以外的部分之后，使用氯化鐵溶液，通過蝕刻加強(qiáng)層來形成開口部以及在TAB用帶狀載體間的狹縫，之后，除去耐蝕刻抗蝕膜，通過切開得到TAB用帶狀載體。
實(shí)施例2、3以及比較例1除了熱塑性聚酰亞胺樹脂層的厚度實(shí)施例2中為3μm、實(shí)施例3中為4μm、比較例1中為5μm之外，通過與實(shí)施例1相同的方法，得到TAB用帶狀載體。
評(píng)價(jià)實(shí)施例1～3以及比較例1中所得的TAB用帶狀載體的安裝部中，安裝了設(shè)置有金凸起的半導(dǎo)體元件。在半導(dǎo)體元件的安裝中，將金凸起與由錫鍍層覆蓋的內(nèi)引線相對(duì)，在安裝溫度(壓接設(shè)備的溫度)為325℃、安裝負(fù)荷為130N的條件下進(jìn)行壓接。壓接之后，測定絕緣基底層的凹陷量。結(jié)果示于表1。
之后，在半導(dǎo)體元件與TAB用帶狀載體的安裝部之間的空隙填充液狀底層灌充密封樹脂(液狀アンタ-フイル封止樹脂)之后，觀察密封樹脂有無空隙。結(jié)果示于表1。
表1

另外，上述說明提供了本發(fā)明中作為示例的實(shí)施例，但是這些僅僅是示例，不是限定的解釋。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員理解的本發(fā)明的變形例均包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.TAB用帶狀載體，其特征在于，具有包括作為表面層的厚度在4μm以下的熱塑性聚酰亞胺樹脂層的絕緣基底層以及在上述絕緣基底層的上面形成的導(dǎo)體圖案，上述導(dǎo)體圖案包括用于連接半導(dǎo)體元件的金端子的連接端子，在上述連接端子的表面形成有錫鍍層。
2.如權(quán)利要求1所述的TAB用帶狀載體，其特征在于，形成上述熱塑性聚酰亞胺樹脂層的熱塑性聚酰亞胺樹脂的?；瘻囟仍?50℃以下。
3.如權(quán)利要求2所述的TAB用帶狀載體，其特征在于，上述絕緣基底層設(shè)置有在其上形成上述熱塑性聚酰亞胺樹脂層的熱固化性聚酰亞胺樹脂層，形成上述熱固化性聚酰亞胺樹脂層的熱固化性聚酰亞胺樹脂的線膨脹系數(shù)在30ppm/℃以下。
全文摘要
為了提供下述的TAB用帶狀載體，即，不僅可以使導(dǎo)體圖案對(duì)絕緣基底層的密合性提高，而且還可以牢固連接半導(dǎo)體元件的金端子與由錫鍍層覆蓋的連接端子，并且還可以防止導(dǎo)體圖案對(duì)絕緣基底層的陷入的TAB用帶狀載體，在TAB用帶狀載體1中，通過在熱固化性聚酰亞胺樹脂層2a的上面層壓厚度在4μm以下的熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b來形成絕緣基底層2，在該熱塑性聚酰亞胺樹脂層2b的表面，形成具有被錫鍍層13覆蓋的內(nèi)引線9的導(dǎo)體圖案7。在該TAB用帶狀載體1中，即使在高溫高壓下壓接半導(dǎo)體元件21的金端子22和被錫鍍層13覆蓋的內(nèi)引線9，也可以防止導(dǎo)體圖案對(duì)基底絕緣層2的陷入。
文檔編號(hào)H01L23/495GK1905183SQ20061010852
公開日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2006年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月26日
發(fā)明者中村圭, 石丸康人 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社