專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有電熔絲并根據(jù)是否切割電熔絲來(lái)記錄信息的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
熔絲被用來(lái)記錄用于消除存儲(chǔ)器中故障單元的冗余信息、用于識(shí)別芯片的芯片ID等等。目前，經(jīng)常使用電熔絲而不是傳統(tǒng)使用的通過(guò)激光熔斷來(lái)切割的激光熔絲。
這里的電熔絲是由大量流過(guò)其中的電流引起的遷移來(lái)切割的熔絲。電熔絲比傳統(tǒng)的激光熔絲具有下列優(yōu)點(diǎn)。
(1)電熔絲面積小。
(2)即使當(dāng)去除了電熔絲，也可以隨意使用其上層的連線(激光熔絲使用所有的層)。
(3)電熔絲可在被置于測(cè)試器上期間切割。由于不需要激光噴射儀器來(lái)切割電熔絲，因此減少了測(cè)試的時(shí)間和成本。在使用激光熔絲的情況下，需要“測(cè)試器(測(cè)試)→熔斷設(shè)備→測(cè)試器(確認(rèn))”的過(guò)程。
(4)即使在封裝組裝之后也可以切割電熔絲。
圖7示出了包含電熔絲并且根據(jù)是否切割熔絲來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)的傳統(tǒng)的信號(hào)發(fā)生電路。
在圖7中，F(xiàn)j表示由多晶硅構(gòu)成的電熔絲，TC1-j、TC2-j、TC3-j、TC4-j和TC5-j表示晶體管，LAj表示鎖存電路，并且INVCj表示反相器。當(dāng)切割熔絲時(shí)使用晶體管TC1-j、TC2-j和TC3-j并且晶體管TC1-j、TC2-j和TC3-j中的每一個(gè)都由耐高壓晶體管構(gòu)成?！癹”為后綴并且j＝0，1，2。
為了切割電熔絲Fj，晶體管TC2-j和TC3-j由信號(hào)SAC、SBC關(guān)斷。此外，將用于指定要被切割的電熔絲的數(shù)據(jù)DAT提供到由鎖存器Lj組成并基于時(shí)鐘信號(hào)CK進(jìn)行操作的移位寄存器。因此，將根據(jù)數(shù)據(jù)DAT的信號(hào)φCj輸出以接通與要被切割的電熔絲Fj對(duì)應(yīng)的晶體管TC1-j。
在這種狀態(tài)下，給焊盤(PAD)PC1加電壓會(huì)引起電流流過(guò)要被切割的電熔絲Fj和晶體管TC1-j以使得通過(guò)遷移燒斷電熔絲Fj。
此外，為了讀取電熔絲Fj上的切割信息，首先，在通電時(shí)刻將復(fù)位信號(hào)RST設(shè)定為“L”(低電平)以將鎖存電路LAj的節(jié)點(diǎn)NDj設(shè)定為“H”(高電平)。此時(shí)，晶體管TC1-j是截止的(OFF)并且晶體管TC2-j和TC3-j是導(dǎo)通的(ON)。
然后，在完全通電之后，將復(fù)位信號(hào)RST設(shè)定為“H”以關(guān)斷晶體管TC4-j并且接通晶體管TC5-j。因此，在電熔絲Fj被切割的情況下，節(jié)點(diǎn)NDj的電位保持為“H”，但是在沒(méi)有切割電熔絲Fj的情況下，由于電荷被放電，因此節(jié)點(diǎn)NDj的電位變?yōu)椤癓”。這樣，電熔絲Fj上的切割信息被保持在鎖存電路LAj中以通過(guò)反相器INVCj輸出。
日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_(kāi)No.平6-124599描述了包含熔絲并且能切斷電源之間的貫通電流的控制信號(hào)發(fā)生電路，并且日本專利申請(qǐng)?jiān)缙诠_(kāi)No.2002-15594描述了電檢測(cè)是否已正常切割熔絲的技術(shù)。
然而，在圖7所示的傳統(tǒng)電路中，由于工藝變得更加細(xì)微，因此對(duì)保持電熔絲Fj上的切割信息的鎖存電路LAj的軟錯(cuò)誤的抵抗力變低，這造成了由鎖存電路引起的錯(cuò)誤鎖存問(wèn)題。
另一個(gè)問(wèn)題是連在電熔絲Fj上的鎖存電路LAj的電路面積很大。例如，在記錄RAM宏等的冗余信息的情況下，每個(gè)RAM宏提供十多條熔絲。由于在芯片中安裝了大量的RAM宏并且其容量增加得越來(lái)越多，因此為記錄冗余信息提供的熔絲的數(shù)目也在增加(例如，從100到1000條)。傳統(tǒng)地，由于為圖7所示的每條熔絲都提供了鎖存電路，因此鎖存電路需要的總面積增加了。
此外，為了讀取電熔絲Fj上的切割信息，必須總是在通電時(shí)刻從外部輸入復(fù)位信號(hào)RST。在通電時(shí)刻輸入信號(hào)的要求可對(duì)設(shè)計(jì)施加很大的約束。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于用熔絲記錄并輸出信息而不使用保持熔絲上的切割信息的鎖存電路。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括具有第一電熔絲和第二電熔絲的熔絲電路；以及為熔絲電路提供用于切割電熔絲的電流的第一焊盤和第二焊盤。在熔絲電路中，第一電熔絲的一端通過(guò)第一開(kāi)關(guān)連接到第一電源，第二電熔絲的一端通過(guò)第二開(kāi)關(guān)連接到第二電源，并且第一電熔絲的另一端和第二電熔絲的另一端通過(guò)切割開(kāi)關(guān)連接到第三電源。此外，第一電熔絲的所述一端連接到第一焊盤并且第二電熔絲的所述一端連接到第二焊盤。
根據(jù)本發(fā)明，根據(jù)要被記錄的信息從第一或第二焊盤提供電流以切割電熔絲中的一條，由此用所述兩條電熔絲記錄一比特信息。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置示例；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一配置示例；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置示例；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一配置示例；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的又一配置示例；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的具體應(yīng)用示例；以及圖7示出了根據(jù)是否切割電熔絲來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)的傳統(tǒng)的信號(hào)發(fā)生電路。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將基于附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
下面將要描述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件能夠根據(jù)是否切割電熔絲而產(chǎn)生并輸出信號(hào)。此外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，兩條電熔絲和與這兩條電熔絲對(duì)應(yīng)的兩個(gè)焊盤組成一個(gè)單元，使用這兩條電熔絲來(lái)記錄一比特信息，并且根據(jù)要被記錄的信息選擇性地切割其中一條熔絲。
——第一實(shí)施例——圖1的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置示例。
在圖1中，F(xiàn)A和FB表示用于記錄一比特信息的電熔絲并且電熔絲例如由多晶硅組成。
電熔絲FA的一端通過(guò)P溝道MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管(在下文中，也稱為“PMOS晶體管”)T2連接到電源。具體地說(shuō)，電熔絲FA的一端連接到PMOS晶體管T2的漏極。PMOS晶體管T2的源極連接到電源并且信號(hào)SA被提供到其柵極。
電熔絲FB的一端通過(guò)N溝道MOS晶體管(在下文中，也稱為“NMOS晶體管”)T3連接到參考電位(地)。具體地說(shuō)，電熔絲FB的一端連接到NMOS晶體管T3的漏極。NMOS晶體管T3的源極連接到地并且信號(hào)SB被提供到其柵極。
電熔絲FA的另一端與電熔絲FB的另一端彼此相連。電熔絲FA的另一端和電熔絲FB的另一端的連接點(diǎn)通過(guò)NMOS晶體管T1連接到參考電位(地)。具體地說(shuō)，電熔絲FA的另一端與電熔絲FB的另一端連接到NMOS晶體管T1的漏極。NMOS晶體管T1的源極連接到地并且切割選擇信號(hào)φ被提供到其柵極。
晶體管T1、T2、T3是當(dāng)切割電熔絲FA、FB時(shí)使用的晶體管并且用耐高壓晶體管組成。在這里，NMOS晶體管T1與本發(fā)明中的切割開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)。此外，PMOS晶體管T2和NMOS晶體管T3與本發(fā)明中的第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)。
電熔絲FA的所述一端(電熔絲FA的一端和PMOS晶體管T2漏極的連接點(diǎn))連接到用于提供切割電流的第一焊盤P1。電熔絲FB的所述一端(電熔絲FB的一端和NMOS晶體管T3的漏極的連接點(diǎn))連接到用于提供切割電流的第二焊盤P2。
反相器INV的輸入端連接到電熔絲FA的另一端與電熔絲FB的另一端的連接點(diǎn)。將反相器INV的輸出作為熔絲切割信息OUT進(jìn)行輸出。
在圖1中所示的半導(dǎo)體器件中，為了切割電熔絲FA和FB，首先，分別將信號(hào)SA和信號(hào)SB設(shè)定為“H”和“L”以關(guān)斷晶體管T2、T3。因此，電熔絲FA的所述一端和電熔絲FB的所述一端分別與電源和地?cái)嚅_(kāi)。
注意到除了在電熔絲FA和FB的切割操作期間之外晶體管T2和T3都導(dǎo)通。也就是說(shuō)，除了在電熔絲FA和FB的所述切割操作期間之外，電熔絲FA的所述一端連接到電源并且電熔絲FB的所述一端連接到地。
為了切割電熔絲FA，通過(guò)切割選擇信號(hào)φ接通晶體管T1并且將電壓加到第一焊盤P1。因此，切割電流流過(guò)電熔絲FA和晶體管T1(如圖1中虛線箭頭所示的路徑PATHA)，由此通過(guò)遷移切割(燒斷)電熔絲FA。
為了切割電熔絲FB，通過(guò)切割選擇信號(hào)φ導(dǎo)通晶體管T1并且將電壓加到第二焊盤P2。因此，切割電流流過(guò)電熔絲FB和晶體管T1(如圖1中虛線箭頭所示的路徑PATHB)，由此通過(guò)遷移切割(燒斷)電熔絲FB。
在這里，在要被切割的電熔絲是電熔絲FA的情況下，在將電壓加到第二焊盤P2時(shí)，用切割選擇信號(hào)φ關(guān)斷晶體管T1。類似地，在要被切割的電熔絲是電熔絲FB的情況下，在將電壓加到第一焊盤P1時(shí)，用切割選擇信號(hào)φ關(guān)斷晶體管T1。也就是說(shuō)，僅當(dāng)要切割電熔絲的時(shí)候才用切割選擇信號(hào)φ選擇將晶體管T1接通。
以上述方式，僅切割電熔絲FA、FB中的一條并且記錄一比特信息。
通過(guò)用切割選擇信號(hào)φ關(guān)斷晶體管T1并且通過(guò)用信號(hào)SA、SB接通晶體管T2和T3可以讀取電熔絲上的切割信息。也就是說(shuō)，當(dāng)電熔絲FA或FB處于不同于切割操作的正常操作中時(shí)，電熔絲上的切割信息是可讀的。
在切割電熔絲FA的情況下，反相器INV的輸入變成“L”，并且輸出“H”作為熔絲切割信息OUT。另一方面，在切割電熔絲FB的情況下，反相器INV的輸入變成“H”，并且輸出“L”作為熔絲切割信息OUT。
如上所述，根據(jù)第一實(shí)施例，根據(jù)要被記錄的信息切割電熔絲中的一條并且兩條電熔絲FA和FB記錄一比特信息。這樣就不需要保持熔絲上的切割信息的鎖存電路，由此不存在由錯(cuò)誤的鎖存器輸出熔絲上的錯(cuò)誤切割信息的風(fēng)險(xiǎn)。因此，可以輸出準(zhǔn)確的熔絲上的切割信息。
另外，由于與保持切割信息的鎖存電路的面積相比電熔絲具有非常小的面積，所以通過(guò)不需要鎖存電路，可以減小電路面積。隨著安裝的熔絲數(shù)目的增加，這種效果變得更加顯著。此外，沒(méi)有必要為了讀取電熔絲上的切割信息而從外部輸入信號(hào)，這有助于芯片的設(shè)計(jì)。
圖2的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一配置示例。
如圖2所示的半導(dǎo)體器件包括多個(gè)圖1所示的熔絲電路，每個(gè)熔絲電路包括一組電熔絲FA、FB、NMOS晶體管T1、T3、PMOS晶體管T2及反相器INV，并且這些熔絲電路并聯(lián)連接。圖2示出了“n”個(gè)熔絲電路并聯(lián)連接的示例。
電熔絲FAi、FBi分別與圖1所示的電熔絲FA、FB對(duì)應(yīng)。晶體管T1-i、T2-i、T3-i分別與圖1所示的晶體管T1、T2、T3對(duì)應(yīng)。反相器INVi與圖1所示的反相器INV對(duì)應(yīng)?！癷”為后綴并且i＝0至(n-1)。具有相同“i”值的電熔絲FAi、FBi、晶體管T1-i、T2-i、T3-i以及反相器INVi組成一個(gè)熔絲電路。
在這里，分別提供選擇控制信號(hào)φi到晶體管T1-i的柵極，由此晶體管T1-i是獨(dú)立可控的。另一方面，分別提供共用信號(hào)SA和SB到晶體管T2-i和T3-i的柵極。
此外，將電熔絲FAi的一側(cè)的端(電熔絲FAi的一側(cè)的端與PMOS晶體管T2-i的漏極的連接點(diǎn))共同連接到用于提供切割電流的第一焊盤P1。將電熔FBi的一側(cè)的端(電熔FBi的一側(cè)的端與NMOS晶體管T3-i的漏極的連接點(diǎn))共同連接到用于提供切割電流的第二焊盤P2。其他的配置與圖1所示的相同，因此，將省略其描述。
在圖2所示的半導(dǎo)體器件中，為了切割電熔絲FAi或FBi，首先，將信號(hào)SA和信號(hào)SB分別設(shè)定為“H”和“L”以關(guān)斷晶體管T2-i、T3-i。為了切割電熔絲FAi，用切割選擇信號(hào)φi接通晶體管T1-i并且將電壓加到第一焊盤P1，藉此切割電熔絲FAi。另一方面，為了切割電熔絲FBi，用切割選擇信號(hào)φi接通晶體管T1-i并且將電壓加到第二焊盤P2，藉此切割電熔絲FBi。在切割電熔絲FAi或FBi時(shí)，控制切割選擇信號(hào)φi，以使得切割電流僅流過(guò)要被切割的電熔絲。
例如，為了切割電熔絲FA0、FA1和電熔絲FB(n-1)，用切割選擇信號(hào)φ0、φ1接通晶體管T1-0、T1-1并且用切割選擇信號(hào)φ(n-1)關(guān)斷晶體管T1-(n-1)。然后，將電壓加到第一焊盤P1。此外，用切割選擇信號(hào)φ(n-1)接通晶體管T1-(n-1)并且用切割選擇信號(hào)φ0、φ1關(guān)斷晶體管T1-0、T1-1。然后，將電壓加到第二焊盤P2。
電熔絲上的切割信息以與圖1所示的半導(dǎo)體器件中的相同的方式輸出，因此，將省略其描述。
——第二實(shí)施例——接下來(lái)，將描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。
在根據(jù)上述第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，由于除了在電熔絲FA、FB的切割操作期間之外晶體管T2、T3都導(dǎo)通，因此貫通電流在電熔絲FA、FB的切割之前的操作(例如，在存儲(chǔ)器冗余測(cè)試之前的操作等)期間流過(guò)。
因此，構(gòu)建根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件以能夠在電熔絲FA、FB的切割之前的操作期間防止貫通電流流過(guò)。
圖3的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置示例。在圖3中，使用相同的數(shù)字和符號(hào)標(biāo)號(hào)來(lái)指定與圖1所示的組成元件相同的組成元件，并且將省略其重復(fù)的描述。
根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件與圖1所示的根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的不同之處僅在于在PMOS晶體管T2的源極和電源之間設(shè)置了PMOS晶體管T4。具體地說(shuō)，PMOS晶體管T4的源極連接到PMOS晶體管T2的源極，源極連接到電源，并且信號(hào)SC被提供到其柵極。在這里，PMOS晶體管T4與本發(fā)明中的貫通電流防止開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)。
在電熔絲FA、FB切割之前的操作期間，晶體管T4由信號(hào)SC保持為截止以斷開(kāi)熔絲電路和電源的連接。在切割電熔絲FA、FB之后，晶體管T4由信號(hào)SC總是保持為導(dǎo)通。
電熔絲的切割、電熔絲上的切割信息的輸出等與上述第一實(shí)施例中的相同，因此，將省略其描述。
如上所述，根據(jù)第二實(shí)施例，不僅可以提供與上述第一實(shí)施例相同的效果，還可以在電熔絲FA、FB的切割之前的操作期間防止貫通電流流過(guò)。這可以降低功耗。
圖4的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一配置示例。在圖4中，使用相同的標(biāo)號(hào)和參考符號(hào)來(lái)指定與圖2所示的組成元件相同的組成元件，并且將省略其重復(fù)的描述。
圖4中所示的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)如下像圖3中所示的半導(dǎo)體器件中那樣，在圖2中所示的半導(dǎo)體器件中的各個(gè)熔絲電路中設(shè)置用于防止貫通電流的PMOS晶體管T4-i。PMOS晶體管T4-i的漏極連接到PMOS晶體管T2-i的源極，源極連接到電源，并且信號(hào)SC被共同提供到其柵極。
在切割電熔絲FAi、FBi之前的操作期間，所有的晶體管T4-i由信號(hào)SC保持為截止以斷開(kāi)熔絲電路和電源的連接。在切割電熔絲FAi、FBi之后，晶體管T4-i由信號(hào)SC總是保持為導(dǎo)通。
雖然在圖4所示的半導(dǎo)體器件中為各個(gè)熔絲電路設(shè)置用于防止貫通電流的PMOS晶體管T4-i，但是也可以如圖5所示設(shè)置一個(gè)用于防止貫通電流的共用PMOS晶體管。圖5的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的又一配置示例。在圖5所示的根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，僅為多個(gè)熔絲電路設(shè)置一個(gè)用于防止貫通電流的PMOS晶體管T4A，由此與圖4所示的配置相比可以減少電路元件的數(shù)目，這可以減小電路面積。
將要基于圖6描述根據(jù)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的具體應(yīng)用示例。雖然將在下面描述應(yīng)用了圖5所示的根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例，但是應(yīng)該注意到圖2和圖4所示的半導(dǎo)體器件是同樣可以應(yīng)用的。在圖6中，使用相同的數(shù)字和符號(hào)標(biāo)號(hào)來(lái)指定與圖2、圖4和圖5所示的組成元件相同的組成元件，并且將省略其重復(fù)的描述。
在圖6中，S-REG表示移位寄存器，其中存儲(chǔ)用于NMOS晶體管T1-i的導(dǎo)通/截止控制的數(shù)據(jù)的鎖存器Li串聯(lián)連接。指示是否切割各條電熔絲的串行數(shù)據(jù)DAT基于時(shí)鐘信號(hào)CK被輸入到鎖存器L0并且被鎖存器Li順序地傳送。此外，鎖存器Li根據(jù)保持的數(shù)據(jù)分別輸出用于NMOS晶體管T1-i的導(dǎo)通/截止控制的切割選擇信號(hào)φi。
如上所述，使用電熔絲來(lái)記錄芯片ID、存儲(chǔ)器(例如，RAM等)的冗余信息等。作為示例，基于實(shí)際進(jìn)行的測(cè)試處理將給出下列描述，其中假設(shè)使用電熔絲來(lái)記錄用于消除存儲(chǔ)器故障位的冗余信息。
如圖6所示的電路通過(guò)以上述方式選擇性地切割電熔絲可記錄n比特信息。輸出的熔絲切割信息OUT0至OUT(n-1)中的多個(gè)被連接到存儲(chǔ)器，并且為存儲(chǔ)器提供關(guān)于測(cè)試發(fā)現(xiàn)的故障位的信息，并且基于該信息，使存儲(chǔ)器中的故障位成為冗余的。
首先，為了確定存儲(chǔ)器的故障部分，進(jìn)行功能測(cè)試。這時(shí)，由于沒(méi)有切割電熔絲FA0至FA(n-1)、FB0至FB(n-1)，所以測(cè)試是當(dāng)用于防止貫通電流的NMOS晶體管T4A保持為截止時(shí)進(jìn)行的。這可以防止貫通電流流過(guò)熔絲電路。
隨后，基于指示測(cè)試發(fā)現(xiàn)的故障部分的數(shù)據(jù)，執(zhí)行電熔絲FA0至FA(n-1)、FB0至FB(n-1)的切割。首先，切割電熔絲FAi。將基于指示故障部分的數(shù)據(jù)而產(chǎn)生并且指示要被切割的電熔絲的數(shù)據(jù)DAT發(fā)送到組成移位寄存器S-REG的串聯(lián)連接的鎖存器L0至L(n-1)。根據(jù)數(shù)據(jù)DAT，連接到要被切割的電熔絲FAi的鎖存器Li存儲(chǔ)“H”，并且連接到不需要切割的電熔絲FAi的鎖存器Li存儲(chǔ)“L”，并且將它們作為切割選擇信號(hào)φi輸出。
然后，在用信號(hào)SA、SB關(guān)斷晶體管T2-0至T2-(n-1)、T3-0至T3-(n-1)之后，將電壓加到第一焊盤P1。因此，切割電流流過(guò)與被提供“H”切割選擇信號(hào)φi的晶體管T1-i對(duì)應(yīng)的電熔絲FAi，由此切割該電熔絲FAi。
隨后，為了切割電熔絲FBi，類似地將指示要被切割的電熔絲的數(shù)據(jù)DAT發(fā)送到鎖存器Li并且將電壓加到第二焊盤P2。因此，切割電流流過(guò)與被提供“H”切割選擇信號(hào)φi的晶體管T1-i對(duì)應(yīng)的電熔絲FBi，由此切割該電熔絲FBi。在這里，發(fā)送到鎖存器Li的用于切割電熔絲FBi的數(shù)據(jù)DAT是發(fā)送到鎖存器Li的用于切割電熔絲FAi的數(shù)據(jù)DAT的位反相之后的數(shù)據(jù)，也就是說(shuō)，數(shù)據(jù)DAT具有當(dāng)切割電熔絲FAi時(shí)發(fā)送的數(shù)據(jù)DAT的模式的所謂回歸模式(back pattern)。
在其后的正常芯片操作中，當(dāng)晶體管T1-0至T1-(n-1)保持為截止時(shí)使用晶體管T1-0至T1-(n-1)，并且當(dāng)晶體管T2-0至T2-(n-1)和T3-0至T3-(n-1)保持為導(dǎo)通時(shí)使用晶體管T2-0至T2-(n-1)和T3-0至T3-(n-1)。故障信息由作為冗余數(shù)據(jù)的熔絲切割信息OUT0至OUT(n-1)給出到存儲(chǔ)器，并且基于該故障信息使存儲(chǔ)器中的故障位成為冗余的。
雖然在上述的實(shí)施例中將NMOS晶體管T1(T1-i)的源極連接到參考電位(地)，但是應(yīng)該注意這并不是限制性的。當(dāng)為了切割電熔絲將電壓加到第一焊盤P1和第二焊盤P2時(shí)，提供到NMOS晶體管T1(T1-i)的源極的電位可能是任何促使切割電流流過(guò)電熔絲FA(FAi)、FB(FBi)和NMOS晶體管T1(T1-i)的電位。
根據(jù)本發(fā)明，根據(jù)要被記錄的信息切割電熔絲中的一條，藉此用兩條電熔絲記錄一比特信息，這樣就不需要保持電熔絲上的切割信息的鎖存電路。這防止了由于錯(cuò)誤的鎖存器而輸出錯(cuò)誤的熔絲切割信息，由此可以記錄并輸出準(zhǔn)確的熔絲切割信息并且可以減小電路面積。
上述實(shí)施例在各個(gè)方面都應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的而不是限制性的，并且希望將所有在權(quán)利要求等同的含義和范圍之內(nèi)的變化都包含在其中。本發(fā)明可能以其他特定的形式實(shí)現(xiàn)而不脫離其精神或必要特征。
本申請(qǐng)基于申請(qǐng)日為2006年3月31日的在先日本專利申請(qǐng)No.2006-098291并要求其優(yōu)先權(quán)，該在先申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括熔絲電路，該熔絲電路包括第一電熔絲，其一端通過(guò)第一開(kāi)關(guān)連接到第一電源；以及第二電熔絲，其一端通過(guò)第二開(kāi)關(guān)連接第二電源，所述第一電熔絲的另一端和第二電熔絲的另一端通過(guò)切割開(kāi)關(guān)連接到第三電源，其中當(dāng)將要切割所述電熔絲時(shí)選擇所述切割開(kāi)關(guān)；以及第一焊盤和第二焊盤，為所述熔絲電路提供用于切割所述電熔絲的電流，其中所述第一電熔絲的所述一端連接到所述第一焊盤并且所述第二電熔絲的所述一端連接到所述第二焊盤。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括輸出電路，該輸出電路所具有的輸入端連接到所述第一電熔絲的所述另一端和第二電熔絲的所述另一端，并且所述輸出電路從輸出端輸出所述第一和第二電熔絲上的切割信息。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中提供多個(gè)所述熔絲電路，并且其中將所述多個(gè)熔絲電路中的第一電熔絲的一側(cè)的端共同連接到所述第一焊盤，并且將所述多個(gè)熔絲電路中的第二電熔絲的一側(cè)的端共同連接到所述第二焊盤。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中通過(guò)控制所述熔絲電路中的切割開(kāi)關(guān)，選擇性地切割所述第一電熔絲或第二電熔絲。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括移位寄存器，關(guān)于要被切割的電熔絲的數(shù)據(jù)被順序地傳送到所述移位寄存器，其中所述移位寄存器根據(jù)所述數(shù)據(jù)將控制信號(hào)輸出到所述熔絲電路中的切割開(kāi)關(guān)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中通過(guò)在所述切割開(kāi)關(guān)關(guān)閉的情況下從所述第一焊盤提供切割電流來(lái)切割所述第一電熔絲，并且通過(guò)在所述切割開(kāi)關(guān)關(guān)閉的情況下從所述第二焊盤提供切割電流來(lái)切割所述第二電熔絲。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括連接在所述熔絲電路和所述第一電源之間的貫通電流防止開(kāi)關(guān)。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中提供多個(gè)所述熔絲電路，并且其中將所述多個(gè)熔絲電路中的第一電熔絲的一側(cè)的端共同連接到所述第一焊盤，并且將所述多個(gè)熔絲電路中的第二電熔絲的一側(cè)的端共同連接到所述第二焊盤。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中為每個(gè)所述熔絲電路設(shè)置所述貫通電流防止開(kāi)關(guān)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括移位寄存器，關(guān)于要被切割的電熔絲的數(shù)據(jù)被順序地傳送到所述移位寄存器，并且所述移位寄存器根據(jù)所述數(shù)據(jù)將控制信號(hào)輸出到所述熔絲電路中的切割開(kāi)關(guān)，其中通過(guò)由所述控制信號(hào)控制所述切割開(kāi)關(guān)來(lái)選擇性地切割所述第一電熔絲或第二電熔絲。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中為所述多個(gè)熔絲電路設(shè)置單個(gè)貫通電流防止開(kāi)關(guān)。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，還包括移位寄存器，關(guān)于要被切割的電熔絲的數(shù)據(jù)被順序地傳送到所述移位寄存器，并且所述移位寄存器根據(jù)所述數(shù)據(jù)將控制信號(hào)輸出到所述熔絲電路中的切割開(kāi)關(guān)，其中通過(guò)由所述控制信號(hào)控制所述切割開(kāi)關(guān)來(lái)選擇性地切割所述第一電熔絲或第二電熔絲。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括第一開(kāi)關(guān)，其一端連接到第一電源；第一電熔絲，其一端連接到所述第一開(kāi)關(guān)的另一端；第二電熔絲，其一端連接到所述第一電熔絲的另一端；第二開(kāi)關(guān)，其一端連接到所述第二電熔絲的另一端并且其另一端連接到第二電源；第三開(kāi)關(guān)，其一端連接到所述第一電熔絲的所述另一端和所述第二電熔絲的所述一端的連接點(diǎn)；第一焊盤，其連接到所述第一電熔絲的所述一端；以及第二焊盤，其連接到所述第二電熔絲的所述另一端。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，還包括第四開(kāi)關(guān)，該第四開(kāi)關(guān)的一端連接到所述第一電源，其中所述第一開(kāi)關(guān)的所述一端連接到所述第四開(kāi)關(guān)的所述另一端而不連接到所述第一電源。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件，其包括一端通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到電源的電熔絲；一端通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到地的電熔絲；連接在電熔絲的另一端和地之間并且當(dāng)要切割電熔絲時(shí)被選擇的開(kāi)關(guān)；以及分別連接在電熔絲的一側(cè)的端的第一焊盤和第二焊盤。根據(jù)要被記錄的信息從第一或第二焊盤提供切割電流，從而切割電熔絲中的一條，由此用兩條電熔絲來(lái)記錄一比特信息。這樣不需要保持熔絲上的切割信息的鎖存電路，并且能夠記錄并輸出準(zhǔn)確的熔絲切割信息。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101047035SQ20061010935
公開(kāi)日2007年10月3日 申請(qǐng)日期2006年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者蘆澤哲夫 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社