專利名稱：一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體晶圓制造工藝，具體涉及一種半導體晶圓蝕刻灰化后 的清洗方法。
背景技術(shù)：
在通常的半導體制造工藝中，通過在金屬層上形成光致抗蝕劑的掩模， 曝光后用等離子體刻蝕形成導電金屬層的圖案。由于在金屬層等離子體刻 蝕中，使用很多的含鹵氣體，激發(fā)等離子體來刻蝕金屬。在晶圓上，特別是 刻蝕殘余物中有很多含鹵族元素的物質(zhì)，這些鹵元素，特別是含氯的物質(zhì)在和水接觸的過程中，會對金屬造成嚴重的腐蝕。在pH較高的水中單獨的OH— 離子也會腐蝕金屬。在用化學清洗液去除金屬刻蝕后殘余物的過程中，金屬 腐蝕是一個很普遍而且很嚴重的問題，會造成晶圓良率的下降。因此，解決半導體晶圓蝕刻灰化后清洗過程中的金屬腐蝕問題迫在眉睫。但現(xiàn)有的技術(shù)都存在各自的缺陷，不能從根本上解決此問題。如專利 文獻US5175124先利用含胺的化學清洗液去清除晶圓上等離子體刻蝕產(chǎn)生 的殘余物，然后用加入C02的去離子水來清洗晶圓上的化學殘留液，從而 減少金屬層上腐蝕的發(fā)生；專利文獻US522637在溢流(Over Flow)裝置 的去離子水中通入C02，清洗含有化學清洗液的晶圓至少5分鐘，來達到減 少金屬腐蝕的目的。這兩項專利的主要策略是在去離子水中通入C02，使去
離子水變?nèi)跛嵝?，降低氫氧根離子對金屬的腐蝕。但是C02的加入速率難 以有效的控制，并且這樣并不能降低氯離子對金屬的腐蝕，而氯離子的腐蝕才是半導體金屬腐蝕的主要原因。叉如專利文獻JP618191通過在水洗前 加一步有機溶劑的清洗，來減少晶圓上氯元素及其它可以引起金屬腐蝕的物 質(zhì)的含量，進而減少金屬的腐蝕。但是有機溶劑增加了成本并且?guī)砹谁h(huán)境問題，也不能從根本上去除含鹵元素的刻蝕殘余物。再如專利文獻US5533635通過把晶圓放入一個溫度在150-25(TC，充滿四氟化碳和氧氣的 腔體內(nèi)5-60秒，把含氯元素的刻蝕殘余物轉(zhuǎn)化成穩(wěn)定的含氯聚合物，來防 止金屬腐蝕。這樣很難把所有的氯都轉(zhuǎn)化成穩(wěn)定的形式，對降低氫氧根離子 的濃度無效，也降低了機臺的設(shè)備吞吐率，且操作復雜，難以執(zhí)行。再如 專利文獻CN1466173A在用堿性的化學清洗液去除刻蝕殘余物以后，利用至 少一個循環(huán)的熱快速降液浸洗(QDR)來降低晶圓上氯的含量，減少對金屬的 腐蝕。其中去離子水的溫度在70-80°C。隨著溫度的升高雖然可以加大化學 清洗液的清洗效果，但是降低了C02的溶解度，不利于pH值的降低，也不 能有效地降低氯元素的腐蝕，且操作復雜，難以執(zhí)行。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是從根本上解決半導體晶圓蝕刻灰化后清洗過程中的金 屬腐蝕問題，提供一種操作簡易且效果顯著的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗 方法。本發(fā)明的上述目的是通過下列技術(shù)方案來實現(xiàn)的在用光阻清洗液去除 晶圓上刻蝕殘余物以后，用含有水溶性金屬緩蝕劑的金屬保護液清洗晶圓，
之后甩干即可。在本發(fā)明實例中，所述的水溶性金屬緩蝕劑較佳的為聚羧酸類金屬緩蝕 劑。所述的聚羧酸類金屬緩蝕劑為含羧基的均聚物及/或共聚物。在本發(fā)明的 優(yōu)選實例中，所述的含羧基的均聚物及/或共聚物選自下列中的一個或多個-,聚馬來酸酐(HPMA)、聚丙烯酸(PAA)、聚甲基丙烯酸、丙烯酸與馬來酸 共聚物、苯乙烯與丙烯酸共聚物、苯乙烯與馬來酸共聚物、丙烯腈與馬來酸 共聚物和上述聚合物的銨鹽、鉀鹽和鈉鹽。所述的含羧基的均聚物及/或共聚 物在金屬保護液中的重量百分比較佳的為0.001-10%。在本發(fā)明實例中，所述的金屬保護液還可另包含其他腐蝕抑制劑、表 面活性劑和/或螯合劑。本發(fā)明實例中，所述的金屬保護液處理步驟優(yōu)選氮氣鼓泡或噴淋清洗方 式，時間較佳的為0.1到15分鐘。在本發(fā)明中，所述的光阻清洗液為本領(lǐng)域公知的一類常用試劑的統(tǒng)稱， 一般包括胺類、羥胺類或半水性清洗液。在本發(fā)明實例中，較佳的為半水性 清洗液。所述的光阻清洗液處理步驟優(yōu)選采用低溫操作光阻清洗液，溫度較 佳的為室溫至40。C，時間較佳的為0.5-30分鐘。本發(fā)明實例中，用金屬保護液清洗晶圓后，可另加入一個步驟用去離 子水對晶圓進行清洗。其清洗的方式較佳的采用快速降液或者噴淋方式，時 間較佳的為O.l到15分鐘。本發(fā)明實例中，甩干步驟較佳的在氮氣下進行，轉(zhuǎn)速較佳的為 500 6000RPM，更佳的為500 3000RPM，最佳的為1000 2000RPM，時間 較佳的為0.1 10分鐘。
氮氣鼓泡清洗、噴淋清洗及快速降液清洗方式為本領(lǐng)域公知技術(shù)?？焖俳狄呵逑?QuickDumpRinse，QDR)指的是把晶圓放入清洗槽后，清洗液由 底部涌出或同時由上部的噴嘴噴出，等清洗液充滿整個清洗槽，溢流指定時 間，打開清洗槽底部的門，快速把溶液排掉，然后重復以上的動作若干次， 完成整個清洗的任務(wù)。本發(fā)明的積極進步效果在于清洗過程中的金屬保護液可以降低晶圓表 面氯、溴等陰離子離子含量，同時在金屬表面形成的幾層分子厚的金屬保護 膜，可阻止氯離子，氧氣，氫氧根離子對金屬的攻擊，從而極大地降低了對 金屬的腐蝕。該方法操作簡便，且效果顯著，解決了現(xiàn)有技術(shù)因各自的缺陷 而難于從根本上解決的技術(shù)難題。其效果將通過實施例中的對比實驗進一步 說明。


圖1為按照實施例12方法處理后的AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜的SEM 照片，圖中A、 B為金屬薄膜側(cè)壁照片，C、 D為金屬薄膜表面圖片。由圖 可見，側(cè)壁和表面均沒有孔狀腐蝕。側(cè)壁上的凸起是由前步工序的等離子體 刻蝕引起的。圖2為按照對比實施例1的方法處理后的AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜 的SEM照片，圖中A、 B為金屬薄膜側(cè)壁照片，C、 D為金屬薄膜表面圖片。 圖中所圈區(qū)域為嚴重腐蝕的部位。圖3為按照對比實施例2的方法處理后的AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜的 SEM照片，圖中所圈區(qū)域為輕微孔狀腐蝕的部位。
具體實施方式
下面通過實施例的方式進一步說明本發(fā)明，并不因此將本發(fā)明限制在所 述的實施例范圍之中。下列實施例中各物質(zhì)的含量百分比均為重量百分比。 [實施例1]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在室溫下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓0.5分鐘。該光阻清洗液為74 %甲基吡咯垸酮(NMP)、 1.20%氟化銨、2.6 °/。乙酸銨、2 % 乙酸和20.2%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓噴淋清洗O.l分鐘。該金屬保護液為10%的聚丙烯酸 銨的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行0.1分鐘噴淋法清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為6000RPM，時間為0.1分鐘。 [實施例2]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在20。C下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓5分鐘。該光阻 清洗液為74 %甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、2.6 %乙酸銨、2 % 乙酸和20.2%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗2分鐘。該金屬保護液為0.001%聚 馬來酸酐的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行2分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為3000RPM，時間為4分鐘[實施例3]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法 具體步驟1. 用光阻清洗液在25'C下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓10分鐘。該光阻 清洗液為74 %甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、2.6 %乙酸銨、2 % 乙酸和20.2%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。該金屬保護液為含1%聚甲 基丙烯酸的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行5分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩f，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為5分鐘。 [實施例4]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在30'C下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓15分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗8分鐘。該金屬保護液為0.5%苯乙 烯與丙烯酸共聚物及0.3%膦酸丁烷1，2，4三羧酸的水溶液。3. 去離子水對晶圓進行8分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為1000RPM,時間為8分鐘。 [實施例5]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟1.用光阻清洗液在35i:下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓20分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗10分鐘。該金屬保護液為2%丙烯酸 與馬來酸共聚物及0.5%十二垸基磺酸鈉的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行10分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩千，轉(zhuǎn)速為50ORPM，時間為10分鐘。 [實施例6]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在40。C下清洗等離子體電槳刻蝕后的晶圓25分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗12分鐘。該金屬保護液為5%苯乙烯 與馬來酸共聚物及0.8%羥基亞乙基二磷酸的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行12分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為1500RPM，時間為6分鐘。 [實施例7]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟-1. 用光阻清洗液在25'C下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓30分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗15分鐘。該金屬保護液為5%丙烯 腈與馬來酸共聚物、0.2%膦酸丁烷1，2，4三羧酸、0.5%十二烷基磺酸鈉和 0.8%羥基亞乙基二磷酸的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行15分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為7分鐘。 [實施例8]半導體晶圓蝕刻灰化后釆用金屬保護液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在30'C下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓20分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。該金屬保護液為10%丙烯酸 與馬來酸共聚物及0.001%苯乙烯與丙烯酸共聚物的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行6分鐘快速降液清洗。4. 高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為6分鐘。 [實施例9]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在3(TC下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓20分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。該金屬保護液為0.5%聚馬 來酸酐、0.3%聚丙烯酸和0.2%聚甲基丙烯酸的水溶液。3. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為7分鐘。 [實施例10]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟-1.用ACT-930 (商品代號ACT-930,購于美國Air product company),在7CTC下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓30分鐘。該晶圓為AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜。2. 用有機溶劑異丙醇對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。3. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。該金屬保護液為0.3%聚丙 烯酸鉀、0.5%聚丙烯酸鈉及0.2%丙烯腈與馬來酸銨共聚物水溶液。4. 用去離子水對晶圓進行6分鐘快速降液清洗。5. 氮氣下高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為10分鐘。 [實施例11]半導體晶圓蝕刻灰化后采用金屬保護液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在30。C下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓20分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。該金屬保護液為1%的三乙 醇胺的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行6分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為10分鐘。 [實施例12]半導體晶圓蝕刻灰化后釆用金屬保護液清洗的方法具體步驟1.用光阻清洗液在30。C下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓20分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯垸酮(NMP)、 1.20°/。氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。該晶圓為 AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜。 2. 用金屬保護液對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。該金屬保護液為0.5%聚丙 烯酸(分子量600)的水溶液。3. 用去離子水對晶圓進行6分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為10分鐘。經(jīng)過上述 步驟處理后的AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜的SEM照片見圖1，圖中A、 B 為金屬薄膜側(cè)壁照片，C、 D為金屬薄膜表面圖片。由圖可見側(cè)壁和表面均 沒有孔狀腐蝕。側(cè)壁上的凸起是由前步工序的等離子體刻蝕引起的。 [對比實施例1]半導體晶圓蝕刻灰化后未進行溶液清洗的方法具體步驟1. 用光阻清洗液在3(TC下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓20分鐘。該光阻 清洗液為60%甲基吡咯烷酮(NMP)、 1.20%氟化銨、7.8%乙酸銨、1.6% 乙酸、1.1%乙二醇、0.3%聚丙烯酸(分子量600)和28%去離子水。該晶圓為 AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜。2. 用去離子水對晶圓氮氣進行6分鐘快速降液清洗。3. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為IO分鐘。經(jīng)過上述 步驟處理后的AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜的SEM照片見圖2，圖中A、 B 為金屬薄膜側(cè)壁照片，C、 D為金屬薄膜表面圖片。圖中所圈區(qū)域為嚴重腐 蝕的部位。[對比實施例2]半導體晶圓蝕刻灰化后采用有機溶劑IPA清洗的方法 具體步驟1.用ACT-930 (商品代號ACT-930，購于美國Air product company),在 7(TC下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓30分鐘。該晶圓為AlSiCu (鋁硅銅)
金屬薄膜。2. 用有機溶劑異丙醇對晶圓氮氣鼓泡清洗5分鐘。3. 用去離子水對晶圓進行6分鐘快速降液清洗。4. 氮氣下進行高速旋轉(zhuǎn)甩干，轉(zhuǎn)速為2000RPM，時間為10分鐘。經(jīng)過上述 步驟處理后的AlSiCu (鋁硅銅)金屬薄膜的SEM照片見圖3，圖中所圈區(qū) 域為輕微孔狀腐蝕部位。
權(quán)利要求
1.一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于用含有水溶性金屬緩蝕劑的金屬保護液，對光阻清洗液處理后的晶圓進行清洗，之后甩干。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于所述的水溶性金屬緩蝕劑為聚羧酸類金屬緩蝕劑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于所述的聚羧酸類金屬緩蝕劑是含羧基的均聚物及/或共聚物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于: 所述的含羧基的均聚物及/或共聚物在金屬保護液中的重量百分比為 0.001-10%。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的含羧基的均聚物及/或共聚物選自下列中的一個或多個聚馬來酸酐、 聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、丙烯酸與馬來酸共聚物、苯乙烯與丙烯酸共聚物、 苯乙烯與馬來酸共聚物、丙烯腈與馬來酸共聚物和上述聚合物的銨鹽、鉀鹽和 鈉鹽。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于所述的金屬保護液還包含其他腐蝕抑制劑、表面活性劑和/或螯合劑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的金屬保護液清洗步驟采用氮氣鼓泡或噴淋方式進行清洗。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的金屬保護液清洗步驟的時間為0.1到15分鐘。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于所述的光阻清洗液為半水性清洗液。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于所述的光阻淸洗液處理步驟為，用低溫操作光阻淸洗液，在室溫至 40 °C的溫度下清洗等離子體電漿刻蝕后的晶圓。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的光阻清洗液處理步驟的時間為0.5-30分鐘。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于晶圓經(jīng)過金屬保護液清洗后，再用去離子水清洗。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征 在于所述的去離子水清洗步驟采用快速降液或噴淋方式進行清洗。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于所述的去離子水清洗步驟的時間為0.1到15分鐘。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在于所述的甩干步驟在氮氣下進行。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的甩干步驟轉(zhuǎn)速為500 6000RPM。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的甩干步驟轉(zhuǎn)速為500 3000RPM。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的甩干步驟轉(zhuǎn)速為1000 2000RPM。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法，其特征在 于所述的甩干步驟的時間為0.1 10分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導體晶圓制造工藝中一種半導體晶圓蝕刻灰化后的清洗方法。其具體步驟為晶圓經(jīng)過光阻清洗液處理后，用含有水溶性金屬緩蝕劑的金屬保護液進行清洗，之后甩干。該水溶性金屬緩蝕劑可為聚羧酸類金屬緩蝕劑。本發(fā)明方法利用金屬保護液，在清洗步驟中阻止了等離子體電漿刻蝕過程中和環(huán)境中產(chǎn)生的中鹵離子，氧氣，溴離子，氫氧根離子，H離子等對刻蝕后的金屬腐蝕。該方法從根本上解決了半導體晶圓制造工藝中，蝕刻灰化后清洗過程中的金屬腐蝕問題。
文檔編號H01L21/00GK101162684SQ20061011713
公開日2008年4月16日 申請日期2006年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日
發(fā)明者彭洪修, 楊春曉, 王勝利 申請人:安集微電子(上海)有限公司