專利名稱：用于高壓工藝的橫向pnp器件結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路半導體器件，尤其涉及一種用于高壓(HV) 工藝的橫向PNP (LPNP)器件結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
橫向PNP (LPNP)器件廣泛用于各種不同的設(shè)計中，在技術(shù)文獻和論 文中，發(fā)表了很多不同種類和Layout (版圖)的結(jié)構(gòu)和設(shè)計。
如圖1所示，現(xiàn)有的用于高壓工藝的常規(guī)LPNP器件結(jié)構(gòu)，由內(nèi)向外 包括Collector (集電極)，Emitter (發(fā)射極)，Base (基極)和Psub (襯 底)，最里面的P+Diff (P+擴散層)為集電區(qū)，其外圍有一圈閉合的Field (場氧化層)作為隔離，F(xiàn)ield外的P+Diff為發(fā)射區(qū)，HVNwell (高壓N 阱)上N+Diff (N+擴散層)區(qū)域為基區(qū)電位引出端，在器件上覆蓋一層 HVOX (厚氧層)，定義高壓氧化層區(qū)域，Psub (襯底)作為P型襯底的電 位引出端。該Collector和Emitter之間采用Field (場氧化層)隔離， 以HVNwell (高壓N阱)作為Base，該LPNP器件有面積較大，噪聲大， 放大系數(shù)小等缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種用于高壓工藝的橫向PNP器件結(jié) 構(gòu)，有耐高壓，成本低，面積小，噪聲小等特點。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種用于高壓工藝的橫向PNP器件結(jié)構(gòu)，由內(nèi)向外包括集電極、發(fā)射極、基極和襯底，還包括柵，該柵設(shè) 于集電極和發(fā)射極之間。
所述的用于高壓工藝的橫向PNP器件作為PNP工作時，在所述的柵上 加正電壓，使晶體管處于完全截止的狀態(tài)。
所述的集電極和所述的發(fā)射極之間設(shè)有一層多晶硅。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明實現(xiàn)了一種用于高 壓工藝的橫向PNP器件結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在Collector和Emitter之間采用 Poly (多晶硅)作為隔離，同時作為Gate (柵)可加電壓，在作為PNP 工作時，在Gate上加正電壓，使晶體管處于完全截止的狀態(tài)，有效地降 低了噪聲；同時與Field氧化膜隔離的LPNP結(jié)構(gòu)相比，Base區(qū)可以做得 更窄，Base/Emitter, Base/Collector結(jié)的面積可以做得更大，有利于 提高LPNP的放大倍數(shù)。因此，本發(fā)明設(shè)計的橫向PNP器件結(jié)構(gòu)可以使用 于各種高壓工藝，具有成本低，無需增加額外工藝步驟，耐高壓，與常規(guī) 高壓工藝兼容，面積小，噪聲低的特點。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明
圖1是現(xiàn)有的用于高壓工藝的常規(guī)LPNP器件結(jié)構(gòu)的版面示意圖2是本發(fā)明用于高壓工藝的LPNP器件結(jié)構(gòu)的版面示意圖3是本發(fā)明用于高壓工藝的LPNP器件結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
具體實施例方式
在高壓工藝下實現(xiàn)耐高壓橫向PNP器件的Layout (版圖)結(jié)構(gòu)如下 如圖2和圖3所示，該LPNP器件包括Collector (集電極)，Base (基
極)，Emitter (發(fā)射極)，Gate (柵)和Psub (襯底)，在Gate (柵)內(nèi) 的P-Diff (P-擴散層)和P+Diff (P+擴散層)區(qū)域為集電區(qū)，其外包圍 一個閉合的多晶硅環(huán)作為Gate (柵)，Gate (柵)外的P-Diff和P+Diff 為發(fā)射區(qū)，HV Nwell (高壓N阱)上N+Diff (N+擴散層)區(qū)域為基區(qū)電 位引出端，在器件上覆蓋一層HVOX(厚氧層)，定義高壓氧化層區(qū)域，Psub (襯底)作為P型襯底的電位引出端。
該LPNP器件結(jié)構(gòu)在Collector和Emitter之間采用Poly (多晶硅) 作為隔離，同時作為Gate可加電壓，在作為PNP工作時，在Gate上加正 電壓，使晶體管處于完全截止的狀態(tài)，有效地降低了噪聲；同時與Field 氧化膜隔離的LPNP結(jié)構(gòu)相比，Base區(qū)可以做得更窄，Base/Emitter、 Base/Collector結(jié)的面積可以做得更大，有利于提高LPNP的放大倍數(shù)。
權(quán)利要求
1、一種用于高壓工藝的橫向PNP器件結(jié)構(gòu)，由內(nèi)向外包括集電極、發(fā)射極、基極和襯底，其特征在于，還包括柵，該柵設(shè)于集電極和發(fā)射極之間。
2、 如權(quán)利要求1所述的用于高壓工藝的橫向PNP器件結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述的用于高壓工藝的橫向PNP器件作為PNP工作時，在所述的柵 上加正電壓，使晶體管處于完全截止的狀態(tài)。
3、 如權(quán)利要求1所述的用于高壓工藝的橫向PNP器件結(jié)構(gòu)，其特征 在于，所述的集電極和所述的發(fā)射極之間設(shè)有一層多晶硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于高壓工藝的橫向PNP器件結(jié)構(gòu)，由內(nèi)向外包括集電極、發(fā)射極、基極和襯底，還包括柵，該柵設(shè)于集電極和發(fā)射極之間。本發(fā)明的橫向PNP器件可以使用于各種高壓工藝，具有成本低，無需增加額外工藝步驟，與常規(guī)高壓工藝兼容，面積小，噪聲低的特點。
文檔編號H01L29/66GK101202303SQ20061011956
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日
發(fā)明者李平梁 申請人:上海華虹Nec電子有限公司