專利名稱：發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及"種封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景覆晶封裝技術(shù)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體元件封裝技術(shù)，對于發(fā)光二極管而言， 覆晶封裝技術(shù)具有可提升發(fā)光效率的優(yōu)點。然而，現(xiàn)有適用于覆晶封裝工藝的 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，使用金球用以連接發(fā)光二極管的電極與封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電 引腳，因而所需的設(shè)備有別于傳統(tǒng)發(fā)光二極管封裝工藝設(shè)備?，F(xiàn)有覆晶封裝工藝的設(shè)備至少需要超音波裝置，使發(fā)光二極管電極上的金 球與導(dǎo)電引腳上的金球，在磨擦?xí)r能產(chǎn)生足夠的熱將兩磨擦的金球熔化而連 接。因此，導(dǎo)入此種新技術(shù)往往伴隨很高的設(shè)備投資及新設(shè)備調(diào)整所帶來的成 本增加。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種發(fā)光二極管覆晶封裝結(jié) 構(gòu)，用以適用于現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝設(shè)備。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)。覆晶封裝 結(jié)構(gòu)包含二導(dǎo)電引腳，其中每一導(dǎo)電引腳具有一金球。--發(fā)光二極管芯片具有 二低熔點金屬導(dǎo)電膜分別與對應(yīng)的金球連接。低熔點金屬導(dǎo)電膜為一大氣壓下、熔點低于35(TC的金屬材料。 一透明封裝膠體包裝及固定上述所有元件。 上述的低熔點金屬導(dǎo)電膜的材料可以是金錫合金、錫、鉍或錫鉍合金。上述的二低熔點金屬導(dǎo)電膜分別披覆于發(fā)光二極管芯片的兩電極上。由上述可知，應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，不需要昂貴的覆晶封裝設(shè)備，以現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝設(shè)備即可進(jìn)行覆晶封裝。此外，發(fā)光二極管也可通過覆晶封裝技術(shù)，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附 圖式的詳細(xì)說明如卩圖1為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)。 其中，附圖標(biāo)記100:覆晶封裝結(jié)構(gòu) 106:金球102:發(fā)光二極管芯片 108:導(dǎo)電引腳102a/102b:電極 110:透明封裝膠體104:低熔點金屬導(dǎo)電膜 112:發(fā)光方向具體實施方式
如上所述，本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，能通過一般的發(fā) 光二極管封裝設(shè)備執(zhí)行工藝。以下將配合較佳實施例來詳細(xì)說明此發(fā)光二極管 的覆晶封裝結(jié)構(gòu)。參照圖1，其為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)。覆晶封裝結(jié)構(gòu)100包含一發(fā)光二極管芯片102覆蓋于導(dǎo)電引腳108上。發(fā) 光二極管芯片102具有電極102a及102b的一面朝向?qū)щ娨_108，而利用其 背面朝方向112發(fā)光。低熔點金屬導(dǎo)電膜104披覆于兩電極102a及102b之上， 并借此與兩導(dǎo)電引腳108上的金球106連接。低熔點金屬導(dǎo)電膜104與金球 106連接的工藝只需要以一般的發(fā)光二極管封裝設(shè)備即可執(zhí)行，而不需要配備 有超音波裝置的封裝設(shè)備。較佳的低熔點金屬導(dǎo)電膜104材料選擇為一大氣壓 下、溶點低于35(TC的金屬材料，例如金錫合金、錫、鉍或錫鉍合金。發(fā)光二 極管芯片102與導(dǎo)電引腳108的連接方式為將低熔點金屬導(dǎo)電膜104與金球 106互相接觸，再利用高于金屬導(dǎo)電膜熔點的溫度使低熔點金屬導(dǎo)電膜104熔 化，并與金球106結(jié)合，待冷卻后，發(fā)光二極管芯片102與導(dǎo)電引腳108即有 很好的電性連結(jié)。接著再以現(xiàn)有的透明封裝膠體110將上述所有元件封裝固定 在一起。由上述本發(fā)明較佳實施例可知，應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié) 構(gòu)，不需要昂貴的覆晶封裝設(shè)備，以現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝設(shè)備即可進(jìn)行覆晶 封裝。此外，發(fā)光二極管也可通過覆晶封裝技術(shù)，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變 形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包含二導(dǎo)電引腳，其中每一導(dǎo)電引腳具有一金球；一發(fā)光二極管芯片，具有二低熔點金屬導(dǎo)電膜分別與對應(yīng)的該金球連接，其中該低熔點金屬導(dǎo)電膜為一大氣壓下、熔點低于350℃的金屬材料；以及一透明封裝膠體，包裝該上述所有元件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該低熔點金屬導(dǎo)電 膜的材料包含金錫合金、錫、鉍或錫鉍合金。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片 具有兩電極，而該二低熔點金屬導(dǎo)電膜分別披覆于該兩電極上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片 具有兩電極，而該二低熔點金屬導(dǎo)電膜分別披覆于該兩電極上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，所述覆晶封裝結(jié)構(gòu)包含二導(dǎo)電引腳，其中每一導(dǎo)電引腳具有一金球。一發(fā)光二極管芯片具有二低熔點金屬導(dǎo)電膜分別與對應(yīng)的金球連接。低熔點金屬導(dǎo)電膜為一大氣壓下、熔點低于350℃的金屬材料。一透明封裝膠體包裝及固定上述所有元件。
文檔編號H01L33/00GK101150155SQ200610127010
公開日2008年3月26日 申請日期2006年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月19日
發(fā)明者吳易座 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司