專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種被有效施加共電壓的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于與其他平板顯示器相比，有機(jī)發(fā)光二極管(“OLED”)顯示裝置具有諸如低電壓驅(qū)動(dòng)、重量輕、薄、廣視角、和快速反應(yīng)等很多有利的優(yōu)點(diǎn)，所以它正獲得廣泛普及。可以將OLED顯示器分類為無(wú)源矩陣型或有源矩陣型。無(wú)源矩陣型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但隨著顯示面積和分辨率的增加，功耗也會(huì)快速增加。因此，無(wú)源矩陣型OLED顯示器主要是應(yīng)用于小尺寸的應(yīng)用中。相反，雖然有源矩陣型顯示器具有制造過(guò)程復(fù)雜的缺點(diǎn)，但它卻具有能夠?qū)崿F(xiàn)寬屏幕和高分辨率的優(yōu)點(diǎn)。
在有源矩陣型OLED中，薄膜晶體管(“TFT”)與每個(gè)像素區(qū)相連接并且它們控制著每個(gè)各自的像素區(qū)的有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光。像素電極也位于每個(gè)像素區(qū)中，其中每個(gè)都與其他相鄰像素電極電隔離，以用于單獨(dú)驅(qū)動(dòng)。另外，位于比像素電極更高的堤槽(bank)形成在像素區(qū)之間，并用于防止在像素電極之間的短路并且進(jìn)一步充當(dāng)了像素區(qū)之間的絕緣體?？昭ㄗ⑷雽雍陀袡C(jī)發(fā)光層順序形成在用于分隔像素區(qū)的堤槽之間的像素電極上。接下來(lái)，共電極形成在有機(jī)發(fā)光層上。
根據(jù)從有機(jī)發(fā)光層產(chǎn)生的光的方向，可以將OLED顯示器進(jìn)一步分類成底部發(fā)射型和頂部發(fā)射型。
底部發(fā)射型的OLED顯示器將來(lái)自有機(jī)發(fā)光層的光指向朝向TFT的方向。底部發(fā)射型的制造工藝很好建立，但是它有一個(gè)固有的問(wèn)題，即由于TFT和布線要求，它的孔徑比會(huì)被減小。特別是，由于使用了非晶硅的TFT的電子遷移率較低，所以為了提供充分的從源極到漏極的電流，TFT通常較大，并且通常使用兩個(gè)或多個(gè)TFT的這樣的OLED的孔徑比也會(huì)被進(jìn)一步減小。
頂部發(fā)射型OLED顯示器將來(lái)自有機(jī)發(fā)光層的光通過(guò)共電極指向外部。因此，頂部發(fā)射型可以被構(gòu)造為具有較大的孔徑比。在頂部發(fā)射型中，共電極應(yīng)該是透明的。目前，透明的共電極是通過(guò)使用諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的材料的薄金屬層沉積方法(例如，濺射)制成的。然而，當(dāng)建造大尺寸顯示器時(shí)，目前的制造方法會(huì)產(chǎn)生具有非常大阻抗的共電極。這已經(jīng)成為制造更大顯示器的障礙。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種能有效施加共電壓的顯示裝置。
可以通過(guò)顯示裝置的示例性實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明以上和/或其他方面，該顯示裝置包括薄膜晶體管，形成在第一絕緣基板上；像素電極，電連接到薄膜晶體管；有機(jī)層，形成在像素電極上；共電極，形成在有機(jī)層上；導(dǎo)電層，形成在共電極上；透明電極層，形成在導(dǎo)電層上；以及第二絕緣基板，位于透明電極層上。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電層可以包括導(dǎo)電聚合物。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電層可以包括從由聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩所構(gòu)成的組中選擇的至少一種。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電層可以包括導(dǎo)電粒子。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電粒子可以包括Ag或Ni。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，有機(jī)層上的導(dǎo)電層被除去。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，導(dǎo)電層的上面可以基本上是平的。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，共電極可以包括Mg和Ag。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，共電極可以包括Ca和Ag。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，共電極的厚度是大約50到大約200。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，透明電極層可以包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，從有機(jī)層產(chǎn)生的光通過(guò)第二絕緣基板指向外部。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以在第一絕緣基板上設(shè)置顯示區(qū)域和限定在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且非顯示區(qū)域可以使用非導(dǎo)電的密封劑形成，用于使第一絕緣基板和第二絕緣基板相連。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，非導(dǎo)電密封劑與透明電極層接觸。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以在第一絕緣基板上設(shè)置顯示區(qū)域和限定在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且透明電極層對(duì)應(yīng)于顯示區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以在第一絕緣基板上設(shè)置顯示區(qū)域和限定在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且在非顯示區(qū)域和導(dǎo)電層之間形成絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以在第一絕緣基板上設(shè)置顯示區(qū)域和限定在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且非顯示區(qū)域可以形成有向透明電極層施加共電壓的短路棒。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，顯示裝置可以進(jìn)一步包括環(huán)繞有機(jī)層的堤槽。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，有機(jī)層可以包括順序堆疊在其上的空穴注入層和發(fā)光層。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，空穴注入層可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，發(fā)光層可以包括聚合物。
本發(fā)明的以上和/或其他方面可以通過(guò)制造顯示裝置的方法的示例性實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)，該方法包括在第一絕緣基板上形成薄膜晶體管；形成電連接到薄膜晶體管的像素電極；在像素電極上形成有機(jī)層；在有機(jī)層上形成共電極；在共電極上形成導(dǎo)電層；在第二絕緣基板上形成用于施加共電壓的透明電極層；以及在導(dǎo)電層上形成第二絕緣基板，透明電極層與導(dǎo)電層接觸。


本發(fā)明的上述和其他方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)從以下結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述而更加明顯并易于理解，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例的等效電路示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的圖1中所示的顯示裝置的示例性實(shí)施例的部分截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的圖1和圖2中所示的顯示裝置的示例性實(shí)施例的完整截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的另一個(gè)示例性實(shí)施例的部分截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的又一個(gè)示例性實(shí)施例的部分截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的再一個(gè)示例性實(shí)施例的部分截面圖；以及圖7是根據(jù)本發(fā)明的又一另外示例性實(shí)施例的顯示裝置的完整截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以多種不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)而不局限于在此描述的實(shí)施例。相反地，所提供的這些實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，使得本發(fā)明充分公開(kāi)并且完全覆蓋本發(fā)明的范圍。在整個(gè)說(shuō)明書附圖中，相同的附圖標(biāo)號(hào)表示相同的元件。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提到元件“位于”另一個(gè)元件上時(shí)，是指其直接位于另一個(gè)元件上，或者也可能存在介于其間的元件。相反，當(dāng)某個(gè)元件被提到“直接位于”另一個(gè)元件上時(shí)，意味著不存在介于其間的元件。正如在此所應(yīng)用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括任何的以及所有的一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列術(shù)語(yǔ)的結(jié)合。
應(yīng)當(dāng)理解，盡管在此可能使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述不同的元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分并不局限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層、或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層、或部分相區(qū)分。因此，在不背離本發(fā)明宗旨的情況下，下文所述的第一元件、組件、區(qū)域、層、或部分可以稱為第二元件、組件、區(qū)域、層、或部分。
在此使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例而不是限制本發(fā)明。正如在此使用的，單數(shù)形式的“一個(gè)”、“這個(gè)”也包括復(fù)數(shù)形式，除非文中有其它明確指示。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，當(dāng)在本申請(qǐng)文件中使用術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”時(shí)，是指存在所聲稱的特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或部件，但是并不排除還存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它的特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件、和/或其組合。
為了便于說(shuō)明，在此可能使用諸如“在…之下”、“在…下面”、“下面的”、“在…上面”、以及“上面的”等的空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，以描述如圖中所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，除圖中所示的方位之外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)將包括使用或操作中的裝置的各種不同的方位。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中所示的裝置，則被描述為在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件將被定位為在其他元件或部件的“上面”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下面”包括在上面和在下面的方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在此所描述的空間關(guān)系可相應(yīng)地進(jìn)行解釋。
除非另有限定，在此所采用的所有的術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科技術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的相同意思。對(duì)該術(shù)語(yǔ)的進(jìn)一步理解，例如，字典中通常采用的限定術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為與相關(guān)技術(shù)上下文中的意思相一致的意思，并且除非在此進(jìn)行特別限定，其不應(yīng)被解釋為理想的或者過(guò)于正式的解釋。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例的等效電路示意圖。
參考圖1，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置1包括多條信號(hào)線。信號(hào)線包括柵極線，用于傳輸掃描信號(hào)；數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；以及驅(qū)動(dòng)電壓線，用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓。數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線彼此相鄰并平行排列，并且柵極線垂直于數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線延伸。
每個(gè)像素包括有機(jī)發(fā)光元件LD、開(kāi)關(guān)晶體管Tsw、驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr和電容器C。
驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr具有連接到開(kāi)關(guān)晶體管Tsw的控制端、連接到驅(qū)動(dòng)電壓線的輸入端、以及連接到有機(jī)發(fā)光元件LD的輸出端。
有機(jī)發(fā)光元件LD具有連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的輸出端的正極和連接到共電壓Vcom的負(fù)極。有機(jī)發(fā)光元件LD通過(guò)根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的輸出電流發(fā)出具有不同強(qiáng)度的光來(lái)顯示圖像。驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的電流的幅度(magnitude)隨著在控制端和輸出端之間所施加的電壓而變化。
開(kāi)關(guān)晶體管Tsw也具有連接到柵極線的控制端、連接到數(shù)據(jù)線的輸入端、以及連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的控制端的輸出端。根據(jù)施加到柵極線的掃描信號(hào)，開(kāi)關(guān)晶體管Tsw將施加到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管Tdr。
電容器C連接在驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的控制端和驅(qū)動(dòng)電壓線之間。電容器C還連接在驅(qū)動(dòng)電壓線和開(kāi)關(guān)晶體管Tsw的輸出端之間。電容器C充電并保持輸入到驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的控制端的數(shù)據(jù)信號(hào)。
以下將參考圖2和圖3更加詳細(xì)地描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置。圖2是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的本示例性實(shí)施例的部分截面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的本示例性實(shí)施例的完整截面圖。圖2示出了驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr，而沒(méi)有示出開(kāi)關(guān)晶體管Tsw。
在由絕緣材料(包括玻璃、石英、陶瓷、或塑料)制成的第一絕緣基板110上形成有柵電極121、第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123。第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123被施加了來(lái)自外部的共電壓，然后將共電壓分別施加給共電極190和透明電極層321。柵電極121、第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123被設(shè)置在相同層中，而第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123位于非顯示區(qū)域中。
將包括氮化硅SiNx或類似物質(zhì)的柵極絕緣膜131形成在第一絕緣基板110和柵電極121上。柵極絕緣膜131僅部分形成在第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123上。
包括非晶硅的半導(dǎo)體層132和包括n+氫化非晶硅(高摻雜有n型雜質(zhì))的阻抗接觸層(resistive contact layer)133順序形成在在柵電極121上方并接近柵電極的柵極絕緣膜131上。阻抗接觸層133被相對(duì)于柵電極121分成兩個(gè)部分。
源電極141和漏電極142被形成在阻抗接觸層133和絕緣膜131上。源電極141和漏電極142被分成兩個(gè)部分，在柵電極121之上留下了一個(gè)縫隙。
鈍化膜151形成在源電極141、漏電極142、和沒(méi)有被源電極141和漏電極142之間的縫隙所覆蓋而留下的半導(dǎo)體層132的上部之上。鈍化膜151可以包括氮化硅SiNx。鈍化膜151并不完全覆蓋漏電極142、第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123。
有機(jī)膜152形成在鈍化膜151上。有機(jī)膜152的類型可以包括苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，BCB)、烯烴(olefin)、丙烯酸樹(shù)脂(acrylic resin)、聚酰亞胺(polyimide)、TEFLON(由Du Pont提供)、氟樹(shù)脂(cytop)或過(guò)氟環(huán)丁烷(perfuorocyclobutane，PFCB)?？梢圆糠值厝コ诼╇姌O142、第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123上的有機(jī)膜152。
像素電極161形成在有機(jī)膜152的上部。也被稱為正極的像素電極161將空穴提供給有機(jī)層180。包括透明導(dǎo)電材料(諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO))的像素電極161通過(guò)接觸孔153連接到漏電極142。
第一接觸元件162和第二接觸元件163與像素電極161形成在相同的層中，并且分別位于第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123上。第一接觸元件162通過(guò)接觸孔154連接到第一共電壓施加單元122，以及第二接觸元件163通過(guò)接觸孔155連接到第二共電壓施加單元123。
堤槽171形成在像素電極161和有機(jī)膜152上。環(huán)繞像素電極161的堤槽171限定了像素區(qū)。另外，堤槽171用于分別防止在驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的源電極141和共電極190之間的短路，以及在驅(qū)動(dòng)晶體管Tdr的漏電極142和共電極190之間的短路。堤槽171可以包括具有耐熱性和抗溶性的感光材料，諸如丙烯酸樹(shù)脂(acrylresin)、聚亞胺樹(shù)脂(polyimide resin)，或者是諸如SiO2、TiO2等的無(wú)機(jī)材料，并且也可以被制成由有機(jī)層和無(wú)機(jī)層構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。堤槽171形成有露出第一接觸元件162的接觸孔172。
有機(jī)層180形成在像素電極161沒(méi)有被堤槽171覆蓋的部分上。有機(jī)層180包括空穴注入層181和發(fā)光層182。
可以通過(guò)使用水相懸浮液(通過(guò)將水與空穴注入材料混合而形成)的噴墨方法來(lái)形成空穴注入層181?？昭ㄗ⑷氩牧峡梢园ň?3，4-乙烯二氧噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene)PEDOT)和聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonic，PSS)。
發(fā)光層182可以使用聚合物，諸如聚芴(polyfluorene)衍生物、聚(對(duì)亞苯基-亞乙烯基)(poly(paraphenylene-vinylene))衍生物、聚亞苯基(polyphenylene)衍生物、聚乙烯咔唑(polyvinyl carbazole)、聚噻吩(polythiophene)衍生物、或摻雜有亞苯基(phenylene)型顏料、羅達(dá)明(rodamine)型顏料、紅熒烯(rubrene)、亞苯基、9，10-二苯基蒽(9，10-diphenylanthracene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮(quinacridone)、或類似材料的分子材料。
來(lái)自像素電極161的空穴和來(lái)自共電極190的電子在發(fā)光層182中彼此組合，形成激子，然后在激子的鈍化過(guò)程中產(chǎn)生光。
共電極190位于堤槽171和發(fā)光層182上。也被稱為負(fù)極的共電極190將電子提供給發(fā)光層182。可以包括Mg和Ag、或Ca和Ag合金的共電極190的厚度可以是大約50到大約200。如果共電極190的厚度小于大約50，則電阻過(guò)度增加而不能充分施加共電壓。如果共電極190的厚度大于大約200，則共電極190可以是不透明的。
共電極190通過(guò)接觸孔172連接到第一接觸元件162。第一接觸元件162連接到第一共電壓施加單元122，因此，共電極190被施加了共電壓。同時(shí)，第一共電壓施加單元122位于顯示區(qū)域的外部，因而，在遠(yuǎn)離第一共電壓施加單元122的共電極190中產(chǎn)生電壓降。在頂部發(fā)射型顯示器的情況下，來(lái)自光發(fā)射層182的光穿過(guò)共電極190，共電極190的厚度受到限制以防止亮度衰減，從而增加了共電極190的阻抗，并且使得電壓降的問(wèn)題變得更嚴(yán)重。
盡管在附圖中沒(méi)有示出，但是共電極190可以由兩個(gè)層構(gòu)成，其下層可以包括金屬合金，而其上層可以由ITO層或IZO層制成。通過(guò)低溫沉積方法形成ITO層或IZO層，以防止下有機(jī)層180受到與其他ITO或IZO形成方法相關(guān)的溫度或等離子體的影響。由于通過(guò)低溫沉積方法形成的ITO層或IZO層具有很差的膜質(zhì)量并且增加了電阻率，所以低溫沉積方法不能夠解決上述的電壓降問(wèn)題。
導(dǎo)電層210位于共電極190上。形成基本平坦的將透明電極層321與共電極190電連接的導(dǎo)電層210。在第一示例性實(shí)施例中，導(dǎo)電層210包括導(dǎo)電聚合物，諸如聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩以及類似的材料。
透明電極層321和第二絕緣基板310位于導(dǎo)電層210的上部。第二絕緣基板310可以包括玻璃或透明塑料。透明電極層321包括ITO或IZO，并且形成在全部的第二絕緣基板310之下。
第二絕緣基板310和透明電極層321可以被分別制造，以使它們?cè)趯?dǎo)電層210上相鄰接。在這一實(shí)施例中，透明電極層321可以通過(guò)高溫沉積來(lái)形成，因?yàn)樗男纬膳c有機(jī)層180的退化無(wú)關(guān)，所以能夠產(chǎn)生高質(zhì)量的膜。因此，無(wú)論與第二共電壓施加單元123的距離如何，透明電極層321總會(huì)保持相對(duì)一致的共電壓。
透明電極層321通過(guò)短路棒230連接到覆蓋第二共電壓施加單元123的第二接觸元件163。
透明電極層321通過(guò)導(dǎo)電層210將共電壓傳輸?shù)焦搽姌O190，因而，共電極190能夠有效地將共電壓施加到有機(jī)層180。
第一絕緣基板110和第二絕緣基板310通過(guò)形成在非顯示區(qū)域中的密封劑220彼此連接。密封劑220是非導(dǎo)電性的并且可以包括丙烯酸樹(shù)脂和/或環(huán)氧樹(shù)脂。
參看圖3，在其上定位了有機(jī)層180的顯示區(qū)域被導(dǎo)電層210所覆蓋，從外部被施加有驅(qū)動(dòng)信號(hào)和共電壓的“焊盤單元”和短路棒230位于非顯示區(qū)域中。
圖4、圖5、和圖6分別是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的可選示例性實(shí)施例的部分截面圖。
在根據(jù)圖4中所示的示例性實(shí)施例的顯示裝置中，導(dǎo)電層210包括導(dǎo)電粒子211和聚合物212。導(dǎo)電粒子211包括Ni或Ag，開(kāi)且為了透明度，其具有非常小的直徑。聚合物212可以包括導(dǎo)電聚合物或者具有與有機(jī)膜152相同的成分。根據(jù)本示例性實(shí)施例，由導(dǎo)電粒子211來(lái)增強(qiáng)共電極190和透明電極層321的電連接。
在根據(jù)圖5中所示的另一個(gè)可選示例性實(shí)施例的顯示裝置中，將短路棒230布置為相比于密封劑220更加靠近顯示區(qū)域。優(yōu)選地，第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123多數(shù)時(shí)候被設(shè)置在顯示區(qū)域周圍。另一方面，可以整體地設(shè)置第一共電壓施加單元122和第二共電壓施加單元123。
根據(jù)圖6中示出的又一可選示例性實(shí)施例的顯示裝置的導(dǎo)電層210設(shè)置有凹陷部215(depression part)，其形成在有機(jī)層180上。由于使得來(lái)自有機(jī)層180的光能夠穿過(guò)透明電極層321而無(wú)需首先必須穿過(guò)導(dǎo)電層210，所以改進(jìn)了光的亮度。在這一實(shí)施例中，優(yōu)選地將導(dǎo)電層210制成黑色，例如，通過(guò)使用顏料等，以使導(dǎo)電層210能夠作為黑底。
雖然在本示例性實(shí)施例中的導(dǎo)電層210是不透明的，但是它的孔徑比或亮度不受影響。因此，如果導(dǎo)電層210與圖5一樣包括導(dǎo)電粒子211，則導(dǎo)電粒子211的尺寸或密度就能夠增加，從而有可能增加共電極190和透明電極層321之間的電連接。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的又一示例性實(shí)施例的完整截面圖。如圖所示，與第一絕緣基板110的寬度相比，根據(jù)該示例性實(shí)施例的顯示裝置的第二絕緣基板310形成為具有稍小的寬度。第一絕緣基板110的較大寬度有利于外部電路與焊盤單元之間的連接。同時(shí)，在焊盤單元和導(dǎo)電層210之間形成絕緣層240。絕緣層240可以包括氮化硅層。雖然在附圖中沒(méi)有示出，但是共電極190和透明電極層321分別電連接到共電壓施加單元122和123。
如上全面描述，提供了一種被有效施加共電壓的顯示裝置。
雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個(gè)示例性實(shí)施例，但是正如所附的權(quán)利要求所述，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明的原則和精神的前提下，可以對(duì)本發(fā)明的這些示例性實(shí)施例進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括薄膜晶體管，形成在第一絕緣基板上；像素電極，電連接到所述薄膜晶體管；有機(jī)層，形成在所述像素電極上；共電極，形成在所述有機(jī)層上；導(dǎo)電層，形成在所述共電極上；透明電極層，形成在所述導(dǎo)電層上，用于施加共電壓；以及第二絕緣基板，位于所述透明電極層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電層包括導(dǎo)電聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電層包括從由聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩所構(gòu)成的組中選擇的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電層包括導(dǎo)電粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電粒子包括Ag或Ni。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述有機(jī)層上的所述導(dǎo)電層被除去。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述導(dǎo)電層的上面基本上是平的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述共電極包括Mg和Ag。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述共電極包括Ca和Ag。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述共電極的厚度是大約50到大約200。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述透明電極層包括氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，從所述有機(jī)層產(chǎn)生的光通過(guò)所述第二絕緣基板指向外部。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述第一絕緣基板上設(shè)置有顯示區(qū)域和限定在所述顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且所述非顯示區(qū)域使用非導(dǎo)電的密封劑形成，用于使所述第一絕緣基板和所述第二絕緣基板相連。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述非導(dǎo)電密封劑接觸所述透明電極層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述第一絕緣基板上設(shè)置有顯示區(qū)域和限定在所述顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且所述透明電極層對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述第一絕緣基板上設(shè)置有顯示區(qū)域和限定在所述顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且絕緣層形成在所述非顯示區(qū)域和所述導(dǎo)電層之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一絕緣基板上設(shè)置有顯示區(qū)域和限定在所述顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域，并且所述非顯示區(qū)域形成有用于向所述透明電極層施加共電壓的短路棒。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括環(huán)繞所述有機(jī)層的堤槽。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述有機(jī)層包括空穴注入層和發(fā)光層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述空穴注入層和所述發(fā)光層順序堆疊在所述有機(jī)層上。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述空穴注入層包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光層包括聚合物。
23.一種制造顯示裝置的方法，包括在第一絕緣基板上形成薄膜晶體管；形成電連接到所述薄膜晶體管的像素電極；在所述像素電極上形成有機(jī)層；在所述有機(jī)層上形成共電極；在所述共電極上形成導(dǎo)電層；在第二絕緣基板上形成用于施加共電壓的透明電極層；以及在所述導(dǎo)電層上形成所述第二絕緣基板，所述透明電極層與所述導(dǎo)電層接觸。
全文摘要
一種顯示裝置及其制造方法，該顯示裝置包括薄膜晶體管，形成在第一絕緣基板上；像素電極，電連接到薄膜晶體管；有機(jī)層，形成在像素電極上；共電極，形成在有機(jī)層上；導(dǎo)電層，形成在共電極上；透明電極層，形成在導(dǎo)電層上；透明電極，施加有共電壓；以及第二絕緣基板，位于透明電極層上。因而，本發(fā)明提供了一種有效施加共電壓的顯示裝置。
文檔編號(hào)H01L21/84GK1945847SQ200610127090
公開(kāi)日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2006年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月8日
發(fā)明者成沄澈, 金勛, 李相必 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社