專利名稱：發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種應(yīng)用于高電壓環(huán)境 下的高功率的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
美國專利^^開第6， 853， Oil號，揭露了一種發(fā)光磊晶層結(jié)構(gòu)，其一端 包含有一吸光型的臨時(shí)基材，而另一端則藉由笨環(huán)丁烯粘著一透光的透明 基材。然后將吸光型臨時(shí)基材的部份被移除。接著發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)形成一 連接通道以連接第一歐姆接觸電極，以及形成一絕緣溝槽以將發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)的作用層分離成兩個(gè)部分。然后， 一第二歐姆接觸電極形成在披覆層 上、 一接合金屬層充填于第 一通道內(nèi)并且成功的形成在第二歐姆接觸電極 上。因?yàn)閮蓚€(gè)接合金屬層具有相同的高度，因此所產(chǎn)生的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 能更方^更的適用于覆晶結(jié)構(gòu)中。美國專利公開第6,998,642號，揭露了 一種具有二個(gè)發(fā)光二極管在串 聯(lián)狀態(tài)下的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含了兩個(gè)具有相同堆疊結(jié)構(gòu) 的發(fā)光二極管，并且藉由絕緣溝槽使兩者隔離。上述堆疊結(jié)構(gòu)，從底部起 形成一導(dǎo)熱基材、 一絕緣保護(hù)層、 一金屬粘著層、 一反射保護(hù)層、一 P型 歐姆連接磊晶層、 一上披覆層、 一作用層以及一下^L覆層。屬于兩個(gè)發(fā)光 二極管的兩個(gè)P型歐姆接觸金屬電極，被形成于一個(gè)介于反射保護(hù)層及歐 姆接觸磊晶層間的介面上，并且被埋設(shè)于反射保護(hù)層內(nèi)。上述的堆疊結(jié)構(gòu)，具有一第一溝槽形成于上披覆層內(nèi)以及電性至P型 電極。絕緣溝槽被形成自上披覆層至絕緣保護(hù)層。兩個(gè)N型電極被形成在 兩個(gè)發(fā)光二極管的下披覆層上。 一介電層被沉積填滿絕緣溝槽以及覆蓋第 一溝槽的側(cè)邊。所以當(dāng)一金屬連接體用以連接第一發(fā)光二極管的P型歐姆 接觸電極及第一發(fā)光二極管的N型歐姆電極時(shí)，它可以電性隔離第二發(fā)光 二極管的堆疊結(jié)構(gòu)。上述的美國專利公開第6， 853, 011號，雖然可以應(yīng)用于覆晶結(jié)構(gòu)中，但 是若無第二基材(submount)，則無法進(jìn)行兩個(gè)發(fā)光二極管間的連接，且在 作覆晶制程時(shí)，需要處理多個(gè)晶片，增加了制程復(fù)雜度。上述的美國專利 公開第6,998，642號案，雖然可以進(jìn)行兩顆發(fā)光二極管間的電性連接，但是 利用金屬接合，必須藉由復(fù)雜的制程方能達(dá)成，因此在生產(chǎn)效能及成本上 均容易產(chǎn)生問題。再者，因?yàn)檎^緣層經(jīng)設(shè)置于兩發(fā)光二極管交界處，因此
金屬連接體僅能連接于兩個(gè)導(dǎo)電板之間，若無第二基材則無法進(jìn)行更復(fù)雜 的電路布局。由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在 有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一歩改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān) 廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā) 展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān) 業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，實(shí)屬 當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此 類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極 加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有 的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反 復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提 供一種新型的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其能更便利的進(jìn) 行發(fā)光二極管間的交互連接，使得更復(fù)雜可操作在高壓環(huán)境下的發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)單體，能夠更容易的制造，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括 一第一基材,具有一第一表 面及一第二表面； 一粘著層，形成于該第一表面上；至少二第一歐姆連接 層，形成于該粘著層上；至少二磊晶層，該任二該磊晶層間形成有一第一溝 槽，每一該磊晶層，其具有 一下4皮覆層，形成于一該第一歐姆連接層上；一 作用層，形成于該下披覆層上；及一上披覆層，形成于該作用層上; 一第一絕 緣層，覆蓋于每一該第一歐姆連接層及每一該上披覆層其棵露的表面，且形 成于任二該第一歐姆連接層間，該第一絕緣層在每一該上披覆層及每一該 第一歐姆連接層其棵露部處，分別形成有一第一開孔及一第二開孔；至少 二第一導(dǎo)電板，分別形成于每一該第一開孔內(nèi)，且電性連接于一該上披覆 層；以及至少二第二導(dǎo)電板，分別形成于每一該第二開孔內(nèi)，且電性連接于 一該第一歐姆連接層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第 一歐姆連接層是為一 P型歐姆連 接層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的下披覆層是為一 P型磷化鋁銦鎵披 覆層，且該上披覆層是為一 N型磷化鋁銦鎵披覆層。
前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的作用層是為一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、 一雙異 質(zhì)結(jié)構(gòu)或一多量子阱結(jié)構(gòu)。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的上披覆層與該第一導(dǎo)電板間形成 有一第二歐姆連接層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第一基材為一透明基材及該粘著 層為一透明粘著層，且該第二表面上形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的粘著層為一透明粘著層，且該第一 基材與該粘著層間，形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括一第二基材，其具有一第三表 面，該第三表面形成有至少二第三導(dǎo)電板及至少二第四導(dǎo)電板，又該第二基 材形成有復(fù)數(shù)條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接該些第三導(dǎo)電板及第四導(dǎo)電板,且 每一該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板，分別藉由焊點(diǎn)電性連接于相對應(yīng)的該 第一導(dǎo)電板及該第二導(dǎo)電板，又該第一基材是為一透明基材且該粘著層為 一透明粘著層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第三表面上，在該第三導(dǎo)電板及該 第四導(dǎo)電板以外的部位，形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第一絕緣層上，形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一包括一第一導(dǎo)體層，其形成有至少一 導(dǎo)體并覆蓋于該第 一絕緣層上，且每一該導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同 單元的該第二導(dǎo)電板或第一導(dǎo)電板。另外，本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括 一第一基材，具有一第一表 面及一第二表面； 一粘著層，形成于該第一表面上；至少二第一歐姆連接層，形成于該粘著層上；至少二磊晶層，每一該磊晶層，其具有 一下披覆 層，形成于一該第一歐姆連接層上； 一作用層，形成于該下披覆層上； 一上披 覆層，形成于該作用層上；及一第二溝槽，垂直貫穿該上披覆層及該作用 層，又局部貫穿該下披覆層； 一第二絕緣層，覆蓋于每一該上披覆層上，并 形成于任二該磊晶層及任二第一歐姆連接層間，該第二絕緣層在該上披覆 層上及第二溝槽內(nèi)側(cè)，分別形成有一第三開孔及一第四開孔；至少二第五導(dǎo) 電板，分別形成于每一該第三開孔內(nèi)，且電性連接于一該上披覆層；以及至 少二第六導(dǎo)電板，分別形成于每一該第四開孔內(nèi)，其具有向下延伸的一延 伸部，該延伸部垂直貫穿該磊晶層，且電性連接于該第一歐姆連接層。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下4支術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第一歐姆連接層是為一 P型歐姆連 接層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的下披覆層是為一P型磷化鋁銦鎵披
覆層，且該上披覆層是為一N型磷化鋁銦鎵披覆層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的作用層是為一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、 一雙異 質(zhì)結(jié)構(gòu)或一多量子阱結(jié)構(gòu).，前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第二溝槽內(nèi)形成有該第二絕緣層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的上披覆層與該第五導(dǎo)電板間形成 有一第二歐姆連接層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第 一基材為 一透明基材及該粘著 層為一透明粘著層，且該第二表面上形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的粘著層為一透明粘著層，且該第一 基材與該粘著層間，形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括一第二基材，其具有一第三表 面，該第三表面形成有至少二第三導(dǎo)電板及至少二第四導(dǎo)電板，又該第二基 材形成有復(fù)數(shù)條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接該些第三導(dǎo)電板及第四導(dǎo)電板，且 每一該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板，分別藉由焊點(diǎn)電性連接于相對應(yīng)的該 第五導(dǎo)電板及該第六導(dǎo)電板，又該第一基材是為一透明基材且該粘著層為 一透明粘著層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第二基材上，在該第三導(dǎo)電板及該 第四導(dǎo)電板以外的部位，形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的第二絕緣層上,形成有一反射層。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中所述的該些第五導(dǎo)電板及該些第六導(dǎo)電 板的表面高度，是為相同水平的高度。前述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括一第二導(dǎo)體層，其形成有至少一 導(dǎo)體并覆蓋于該第二絕緣層上，且每一該導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同 單元的該第五導(dǎo)電板或該第六導(dǎo)電板。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。借由上述技術(shù)方 案，本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及功效1、 本發(fā)明藉由第一溝槽、第二溝槽的設(shè)置，使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，可以 方便發(fā)光二極管進(jìn)行復(fù)雜的串/并聯(lián)電路連結(jié)，進(jìn)而可使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)能 以單體的型態(tài)在高壓環(huán)境下更容易及多樣化的操作。2、 本發(fā)明能更便利的進(jìn)行發(fā)光二極管間的交互連接，使得更復(fù)雜可操 作在高壓環(huán)境下的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)單體，能夠更容易的制造，從而更加適 于實(shí)用。3、 本發(fā)明的半導(dǎo)體制程簡單，除了第二基材需要新光罩外，發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)可以沿用現(xiàn)有的制程，制造成本也相對減少，符合成本效益，相當(dāng)具 有產(chǎn)業(yè)的利用價(jià)值。4 、本發(fā)明相同的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，可藉由第二基材進(jìn)行不同的連接電
路(interconnection)布局，使得復(fù)雜的連接電路的變化及設(shè)計(jì)，變得更為 簡單及容易達(dá)成。5、 本發(fā)明相較于高溫金屬接合而言，利用低溫粘著層而具有低溫、高 優(yōu)良率及低成本的功效，符合成本效益，適于產(chǎn)業(yè)界廣泛推廣使用。6、 本發(fā)明將復(fù)雜的連接電路簡化后，更容易制造出體積小、亮度高的 高壓二極管的晶片單體，使得二極管發(fā)光裝置的體積更小、重量更輕。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括第一基材；粘 著層，形成于第一基材上；第一歐姆連接層，形成于粘著層上；磊晶層，形 成于第一歐姆連接層上；第一絕緣層，覆蓋于第一歐姆連接層及磊晶層其 棵露的表面；第一導(dǎo)電板及第二導(dǎo)電板，形成第一絕緣層內(nèi)且電性連接于 第一歐姆連接層及磊晶層的一端。藉由第一溝槽、第二溝槽的設(shè)置，使發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)，可方便發(fā)光二極管進(jìn)行復(fù)雜的串/并聯(lián)電路連結(jié)，進(jìn)而可使發(fā) 光二極管結(jié)構(gòu)能以單體的型態(tài)在高壓環(huán)境下更容易及多樣化的操作。本發(fā) 明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的 改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的 廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方聿的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖1A是一第一基材與前制程發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)尚未結(jié)合的實(shí)施例示意圖。圖1B是一第一基材與前制程發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)結(jié)合后的實(shí)施例示意圖。 圖1C是將圖1B的臨時(shí)基材及蝕刻終止層去除后的實(shí)施例立體圖。 圖2是本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其完成單元分割后的實(shí)施例的剖視圖。 圖3A是圖2進(jìn)行第一次蝕刻的制作方法實(shí)施例的示意圖。 圖3B是圖3A完成后再次進(jìn)行第二次蝕刻的制作方法實(shí)施例的示意圖。 圖4是圖2進(jìn)一步完成第一絕緣層及導(dǎo)電板后的實(shí)施例剖視圖。 圖5A是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步結(jié)合一第二基材的實(shí)施例的剖 視圖。圖5B是圖5A實(shí)施例的俯視圖。 圖5C是圖5A的等效電路圖。圖6A是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步形成一第一導(dǎo)體層的實(shí)施
例的剖^L圖。圖6B是圖6A實(shí)施例的俯視圖。圖7是本實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，已完成單元分割、磊晶層分割及第 二溝槽制作后的實(shí)施例的剖視圖。圖8是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步結(jié)合一第二基材的實(shí)施例的剖視圖。圖9是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步形成一第二導(dǎo)體層的實(shí)施例的剖i見圖。圖IOA至圖IOG分別是各種高壓發(fā)光二極管的實(shí)施例的電路圖。10前制程發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)11:臨時(shí)基材12蝕刻終止層20:發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)21'第一基材211:第一表面212:第二表面22:粘著層23'第一歐姆連接層23,:第一歐姆連接層231:棵露部24:蟲晶層241:下披覆層242:作用層243:上披覆層25:第一絕緣層251:第一開孔252:第二開孔26第一導(dǎo)電板27:第二導(dǎo)電板28發(fā)光二極管291:第一溝槽292:第二歐姆連接層293:第一導(dǎo)體層30發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)31:第二絕緣層32第五導(dǎo)電板33:第六導(dǎo)電板331:延伸部34:第二溝槽35第三開孔36:第四開孔37第二導(dǎo)體層50:第二基材51第三表面52:第三導(dǎo)電板53第四導(dǎo)電板60:焊點(diǎn)Al、A2、 A3…單元A-A:剖面線B-B:剖面線具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)其具 體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的特征與實(shí)施方式，茲配合圖示作最佳實(shí)施例的詳細(xì)說明 如下。在以下實(shí)施例中，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的各層結(jié)構(gòu)，是以現(xiàn)有習(xí)知的半 導(dǎo)體成型技術(shù)加以制造，故其細(xì)節(jié)將不再贅述。又為了避免冗長的描述，特 將"蝕刻制程"或"蝕刻方式"等用詞，定義為涵蓋整個(gè)完整黃光制程的 簡稱。又本發(fā)明的發(fā)光二極管是可形成多維的陣列，并非限定于實(shí)施例中 的數(shù)量。以上說明特此先行敘明。第一實(shí)施例請參閱圖1A、圖1B、圖1C所示，圖1A是一現(xiàn)有習(xí)知的第一基材21 與前制程發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)10尚未結(jié)合的實(shí)施例示意圖，圖1B是一第一基 材21與前制程發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)IO結(jié)合后的實(shí)施例示意圖，圖1C是將圖1B 的臨時(shí)基材11及蝕刻終止層12去除后的實(shí)施例立體圖。一般發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造，是以半導(dǎo)體制程方式，將尚未進(jìn)行單元分 割及未完成其它絕緣層及導(dǎo)電板的前制程發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)10,形成于一晶 圓(wafer)上。但是實(shí)際發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在應(yīng)用時(shí)，由于晶圓厚度過厚且具 有不透光的特性，因此無法加以應(yīng)用而必須去除。所以晶圓只是制造發(fā)光 二極管結(jié)構(gòu)過程中一臨時(shí)性的基材，也就是臨時(shí)基材11。一般去除臨時(shí)基材11的方法中，蝕刻方式是最常使用的一種，為了保 護(hù)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在蝕刻過程，不會(huì)因蝕刻過度而造成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的 損傷，因此會(huì)設(shè)置一蝕刻終止層12。該蝕刻終止層12在晶圓蝕刻的過程中大部分亦會(huì)被蝕刻掉，藉由蝕刻終止層12的作用，可以達(dá)到保護(hù)發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)的功效。完成上述制程之后，即可產(chǎn)生前制程的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。請參閱圖2至圖6C所示，本實(shí)施例是為一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20，其包 括 一第一基材21、 一粘著層22、 至少二第一歐姆連接層23、至少二磊 晶層24、 一第一絕緣層25、至少二第一導(dǎo)電板26以及至少二第二導(dǎo)電板 27。上述的第一基材21，其具有一第一表面211及一第二表面212,該第 一基材21主要是用以支撐整個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20。該第一基材21可以為 一單晶體、 一多晶體或一非晶體結(jié)構(gòu)的基材，例如玻璃(glass)、藍(lán)寶石 (sapphire)、碳化硅(SiC)、磷化鎵(GaP )、磷砷化鎵(GaAsP)、硒化鋅 (ZnSe)、硫化鋅(ZnS)或硒硫化镅(AmSSe)……等材料所制成的基材。此 外，第一基材21可以為一透明基材或一非透明基材,其主要是依照發(fā)光二極 管結(jié)構(gòu)20的出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量，若要同時(shí)引導(dǎo)出向上/向下 的雙向出光，則第一基材21必須為一透明基材。上述的粘著層22,形成于第一表面211上，其用以結(jié)合第一基材21及 第一歐姆連接層23。粘著層22是可選自 一苯環(huán)丁烯(B-staged be謡cyclobutene， BCB)、 一環(huán)氧樹脂(epoxy)、 一硅膠(si 1 icone)、 一聚 甲基丙烯酸曱酯(polymethyl methacry， P畫A)、 一聚合物(polymer)及一旋
轉(zhuǎn)涂布玻璃(Spin-on glass, S0G)……等其中的一種材質(zhì)。粘著層22可以 為一透明粘著層22或一非透明粘著層22,其亦依照發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20的 出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量，若要同時(shí)引導(dǎo)出向上/向下雙向出光，則 粘著層22必須為一透明粘著層22。請參閱圖2所示，是本發(fā)明發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20，其完成單元分割后的實(shí) 施例的剖視圖。所有本發(fā)明的發(fā)光二極管28，是包括第一歐姆連接層23及 磊晶層24，其均設(shè)置于相同的第一基材21及粘著層22上，因此單元分割僅 需針對第一歐姆連接層23及磊晶層24進(jìn)行分割，并形成例如Al、 A2、 A3… 或者如圖6A所示的B1、 B2、 B3…等單元。上述的第一歐姆連接層23形成于粘著層22上，第一歐姆連接層23可 以為一 P型歐姆連接層，而且原本在晶圓上成型的第 一歐姆連接層2 3，其可 藉由蝕刻方式，以區(qū)分出不同的單元。上述的蟲晶層24,其為一發(fā)光二極管28單體，其亦藉由蝕刻的方式以 區(qū)分出不同的單元。磊晶層24亦藉由蝕刻制程以形成第一溝槽291。該第 一溝槽291的形成，將使得第一歐姆連接層23產(chǎn)生一局部棵露的棵露部 231，因而能方便第二導(dǎo)電板27的設(shè)置，也因?yàn)榈诙?dǎo)電板27的設(shè)置，所以 不同單元的發(fā)光二極管28,能方便的進(jìn)行串/并聯(lián)的設(shè)計(jì)，因而使得高壓的 發(fā)光二極管28得以輕易的制成。請參閱圖3A、圖3B所示，圖3A是圖2進(jìn)行第一次蝕刻的制作方法實(shí) 施例的示意圖，圖3B是圖3A完成后再次進(jìn)行第二次蝕刻的制作方法實(shí)施 例的示意圖。第一歐姆連接層23的單元分割及第一溝槽291的制作，可以 藉由不同的蝕刻步驟達(dá)成之。在眾多的蝕刻步驟中，第一次蝕刻，是先蝕刻 出與兩個(gè)第 一歐姆連層間相同大小及相對位置的缺口 ，第二次蝕刻，是在第 一次蝕刻后再蝕刻出第一溝槽291的大小，此種方式可使制程較為簡便。每一磊晶層24，其至少具有一下披覆層241、 一作用層242以及一上 披覆層243。每一下披覆層241，形成于一第一歐姆連接層23上，下披覆 層241是可以為一 P型磷化鋁銦鎵(AlGalnP)披覆層。作用層(active layer) 242，形成于下4皮覆層241上，其可以為 一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Single Hetero-structure， SH)、 一雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Double Hetero-structure， DH)或 一多量子阱結(jié)構(gòu)(Multipie Quantum Wells，MQW)。上披覆層243，形成于作 用層242上，上披覆層243可以為一 N型磷化鋁銦鎵披覆層。上 層243 與第一導(dǎo)電板26間，亦可進(jìn)一步形成有一第二歐姆連接層292。請參閱圖4所示，是圖2進(jìn)一步完成第一絕緣層25及導(dǎo)電板后的實(shí)施 例的剖視圖。上述的第一絕緣層25,是例如氧化硅(SiO)的材質(zhì)，其覆蓋于 每一第一歐姆連接層23及每一上披覆層243其棵露的表面，并形成于任二 第一歐姆連接層23間。藉由第一絕緣層25的設(shè)置，除了可使不同單元的發(fā)光二極管28完全隔離不互相影響外，亦可確保發(fā)光二極管28不受外界 環(huán)境，例如水氣或濕氣的影響而減損壽命。第一絕緣層25在每一上披覆 層243及每一第一歐姆連接層23其棵露部231處，分別形成有一第一開孔 251及一第二開孔252,該第一開孔251及第二開孔252是在第一絕緣層25 制作完成后，再以蝕刻方式加以制成。上述的第一導(dǎo)電板26，分別形成于每一單元的第一開孔251內(nèi)，且電性 連接于相對應(yīng)的上披覆層243。上述的第二導(dǎo)電板27，分別形成于每一單元的第二開孔252內(nèi)，且電性 連接于相對應(yīng)的第一歐姆連接層23。藉由第一導(dǎo)電板26及第二導(dǎo)電板27的設(shè)置以提供電力，使得磊晶層24能接收電力產(chǎn)生發(fā)光的作用。當(dāng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20設(shè)計(jì)成一面上(face up)結(jié)構(gòu)時(shí)。此時(shí)將第一基 材21設(shè)計(jì)為一透明基材，且將粘著層22設(shè)計(jì)為一透明粘著層22,并且在 第一基材21的第二表面212上形成一反射層(圖中未示)，將可藉由反射層 將磊晶層24所發(fā)的光進(jìn)行反射，如此可使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20達(dá)到較佳的 出光效率。除此之外，亦可只將粘著層22設(shè)計(jì)成為一透明粘著層22，并且 將反射層(圖中未示)形成于第一基材21與粘著層22之間，如此亦可達(dá)到 光反射的作用，同樣的使得發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20達(dá)到較佳的出光效率。請參閱圖5A、圖5B、圖5C所示，圖5A是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20 進(jìn)一步結(jié)合有一第二基材50的實(shí)施例沿圖5B中A-A剖面線的剖視圖，圖5B 是圖5A實(shí)施例的俯視圖，圖5C是圖5A的等效電路圖。該發(fā)光二極管結(jié)構(gòu) 20進(jìn)一步包括一第二基材50，如此可產(chǎn)生一覆晶結(jié)構(gòu)(flip-chip)。在覆晶 結(jié)構(gòu)中，第一基材21是為一透明基材且粘著層22是為一透明粘著層22。第 二基材50其至少具有一第三表面51，該第三表面51形成有至少二第三導(dǎo)電 板52及至少二第四導(dǎo)電板53，每一第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53，分別 藉由焊點(diǎn)60電性連接于相對應(yīng)的第一導(dǎo)電板26及第二導(dǎo)電板27。第三導(dǎo) 電板52及第四導(dǎo)電板53間，除了可以直接將導(dǎo)電板的面積擴(kuò)大，而使彼此 互相電性連接外，亦可在第二基材50形成有復(fù)數(shù)條電路結(jié)構(gòu)(圖中未示)，以 使第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53間電性連接。藉由上述的連接方式可形 成復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。使用第二基材50的優(yōu)點(diǎn)，將使得不同發(fā)光二極管28 間的串/并電膝彈以在第二基材50上進(jìn)行。由于第二基材50的面積及厚度 可以具有較大的彈性，因此足以應(yīng)付非常復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。當(dāng)復(fù)雜的電路 結(jié)構(gòu)可以實(shí)踐時(shí)，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20的應(yīng)用將更具有多樣性。該第二基材50,其可以為一硅基材(silicon substrate)、 一印刷電路 板/印刷電路多層板(Printed Circuit Board, PCB )或一陶資基材(ceramic substrate)。例如氧化鋁(A1203)、氮化鋁(A1N)、氧化鈹(Be0)、低溫共
燒多層陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic, LTCC )或高溫共燒多層 陶資(High Temperature Cofired Ceramic, HTCC)…等基材。在覆晶結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，為了使發(fā)光二極管28有較佳的出光效率，可在 第二基材50的第三表面51上，在第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53以外的 部位，進(jìn)一步形成一反射層。亦可在第一絕緣層25上，也就是第一絕緣層 25棵露的表面上形成有一反射層。上述的各個(gè)反射層，是可選自于一鋁(A1)、 一銀(Ag)及一金(Au)…等 其中之一材質(zhì)加以制成。制作反射層時(shí)必須注意，若反射層為一導(dǎo)電材質(zhì) 時(shí)，反射層不能與第三導(dǎo)電板52或第四導(dǎo)電板53接觸，亦不能與第一導(dǎo)電 板26或第二導(dǎo)電板27接觸，而且反射層最好能與各個(gè)導(dǎo)電板保持一定的 間隙，以避免各個(gè)導(dǎo)電板間產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。請參閱圖6A、圖6B所示，圖6A是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20，其進(jìn) 一步形成一第一導(dǎo)體層293的實(shí)施例沿第6B圖的B-B剖面線的剖視圖，圖 6B是圖6A實(shí)施例的俯視圖。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)20，其進(jìn)一包括有一第一導(dǎo) 體層293，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于第一絕緣層25上，且每一導(dǎo)體的 兩端分別電性連接于不同單元的第二導(dǎo)電板27及第一導(dǎo)電板26。如此，將 可輕易的將不同的發(fā)光二極管28進(jìn)行串聯(lián)/并聯(lián)。藉由第一絕緣層25的支 撐，使得第一導(dǎo)體層293亦能進(jìn)行復(fù)雜的電路布局設(shè)計(jì)。第二實(shí)施例請參閱圖7至圖9B所示，本實(shí)施例是為一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30，其包 括 一第一基材21、 一粘著層22、至少二第一歐姆連接層23，、至少二磊 晶層M、 一第二絕緣層31、至少二第五導(dǎo)電板32以及至少二第六導(dǎo)電板33。本實(shí)例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30，可以使用類似第一實(shí)施例圖1A至圖1C 的制程，將涂有粘著層22的第一基材21與形成于晶圓上的前制程發(fā)光二極 管28結(jié)合。然后再將臨時(shí)基材11及蝕刻終止層12以蝕刻等方式去除，以 得到尚未進(jìn)行單元分割的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30。上述的第一基材21,具有一第一表面211及一第二表面212，第一基 材21主要是用以支撐整個(gè)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30。第一基材21可以為一單晶 體、 一多晶體或一非晶體結(jié)構(gòu)的基材，例如玻璃、藍(lán)寶石、碳化硅、磷化 鎵、磷砷化鎵、硒化鋅、疏化鋅或硒硫化镅……等材料所制成的基材。此 外，第一基材21可以為一透明基材或一非透明基材，其主要是依照發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)30的出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量，若要同時(shí)引導(dǎo)出向上/向 下的雙向出光，則第一基材21必須為一透明基材。上述的粘著層22，形成于第一表面211上，其用以結(jié)合第一基材21及
第一歐姆連接層23，。該粘著層22是選自一苯環(huán)丁烯、 一環(huán)氧樹脂、 一硅 膠、 一聚甲基丙烯酸甲酯、 一聚合物以及一旋轉(zhuǎn)涂布玻璃等其中之一材 質(zhì)。粘著層22是可以為一透明粘著層22或一非透明粘著層22，其亦依照 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30的出光方向或反射層的設(shè)計(jì)而考量，若要同時(shí)引導(dǎo)出向 上/向下雙向出光，則粘著層22必須為一透明粘著層22。請參閱圖7所示，是本實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30,已經(jīng)完成單元分 割、磊晶層24分割及第二溝槽34制作后的實(shí)施例的剖視圖。本實(shí)施例的 每一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30亦共用第一基材21及粘著層22，因此單元分割亦 僅針對第一歐姆連接層23'及磊晶層24進(jìn)行分割，分割后亦可形成例如 Al、 A2、 A3…等單元。上述的第一歐姆連接層23，，是形成于粘著層22上。該第一歐姆連接 層23，可以為一 P型歐姆連接層。原本在晶圓上成型的第一歐姆連接層 23，，其可藉由蝕刻方式，以區(qū)分出不同的單元。上述的磊晶層24，其為一發(fā)光二極管28單體，其亦藉由蝕刻的方式以 區(qū)分出不同的單元。每一磊晶層24，其具有 一下披覆層241、 一作用層 242、 一上拔葭層243以及一第二溝槽34。該每一下M層241，形成于一第一歐姆連接層23，上，下披覆層241 是為一 P型磷化鋁銦鎵披覆層。該作用層242，形成于下4^t層241上，其可以為一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、 一雙 異質(zhì)結(jié)構(gòu)或一多量子阱結(jié)構(gòu)。該上披覆層243，形成于作用層242上，上披覆層243可以為一N型磷 化鋁銦鎵披覆層。該第二溝槽34，其是以蝕刻方式加以制成，第二溝槽34垂直貫穿上披 覆層243及作用層242,又局部貫穿下披覆層241,藉由第二溝槽34的間 隙，可以使第二溝槽34兩側(cè)的作用層242、上披覆層243產(chǎn)生電性隔離的作 用。為了制程上制造的方便，第二溝槽34可以圍繞的方式形成于第六導(dǎo)電 板33的周邊，以使作用層242能被有效的電性隔離，使得第六導(dǎo)電板33 的延伸部331能順利的將電力傳導(dǎo)至第一毆姆連接層23。又，為了使后續(xù)制 程更容易4喿作，因此在制作第二絕緣層31時(shí)，可一并將第二溝槽34內(nèi)填 滿第二絕緣層31。上述的第二絕緣層31，是例如氧化硅的材質(zhì)，其覆蓋于每一上披覆層 243其棵露的表面，并形成于任二磊晶層24及任二第一歐姆連接層23'之 間。藉由第二絕緣層31的設(shè)置，除了可使不同單元的發(fā)光二極管28完全 隔離不互相影響外，亦可確保發(fā)光二極管28不受外界環(huán)境，例如水氣或 濕氣的影響而減損壽命。第二絕緣層31在上披覆層243上及第二溝槽34 內(nèi)側(cè)，分別形成有一第三開孔35及一第四開孔36,該第三開孔35及第四
開孔36是在第二絕纟彖層31制作完成后，再以蝕刻方式加以制成。上述的第五導(dǎo)電板32，分別形成于每一第三開孔35內(nèi)，且電性連接于 相對應(yīng)的上披覆層243。又，上披覆層243與第五導(dǎo)電板32間，可再形成 一第二歐姆連接層292。上述的第六導(dǎo)電板33，分別形成于每一第四開孔36內(nèi)，其具有向下延 伸的一延伸部331,該延伸部331垂直貫穿磊晶層24，且電性連接于相對 應(yīng)的第一歐姆連接層23，，藉由第五導(dǎo)電板32及第六導(dǎo)電板33的設(shè)置以 提供電力，使得磊晶層24能夠接收電力產(chǎn)生發(fā)光的作用。當(dāng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30設(shè)計(jì)成一面上結(jié)構(gòu)時(shí)。此時(shí)將第一基材21設(shè)計(jì) 為一透明基材，且將粘著層22設(shè)計(jì)為一透明粘著層22，并且在第一基材 21的第二表面212上形成一反射層，將可藉由反射層將磊晶層24所發(fā)的光 進(jìn)行反射，如此可使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30達(dá)到較佳的出光效率。除此之外，亦 可只將粘著層22設(shè)計(jì)成為一透明粘著層22,并將反射層形成于第一基材 21與粘著層22之間，如此亦可達(dá)到光反射的作用，同樣的使得發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu)30達(dá)到較佳的出光效率。請參閱圖8所示，是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30進(jìn)一步結(jié)合一第二基 材的實(shí)施例的剖視圖。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30,進(jìn)一步包括一第二基材50，如 此可產(chǎn)生一覆晶結(jié)構(gòu)。在覆晶結(jié)構(gòu)中，第一基材21是為一透明基材且粘著 層22是為一透明粘著層22。第二基材50其至少具有一第三表面51,該第 三表面51形成有至少二第三導(dǎo)電板52及至少二第四導(dǎo)電板53，每一第三 導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53,分別藉由焊點(diǎn)60電性連接于相對應(yīng)的第五導(dǎo) 電板32及第六導(dǎo)電板33。第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53間，除了可以直 接將導(dǎo)電板的面積擴(kuò)大，而使彼此互相電性連接外，亦可在第二基材50形 成有復(fù)數(shù)條電路結(jié)構(gòu)(圖中未示)，以使第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53間 電性連接。藉由上述的連接方式可形成復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。使用第二基材50 的優(yōu)點(diǎn)，將使得不同發(fā)光二極管28間的串/并電路得以在第二基材50上進(jìn) 行。由于第二基材50的面積及厚度可以具有較大的彈性，因此足以應(yīng)付非 常復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)。當(dāng)復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)可以實(shí)踐時(shí)，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30的 應(yīng)用將更具有多樣性。該第二基材50,是可以為一硅基材、 一印刷電路板/印刷電路多層板或 一陶瓷基材。例如氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹?shù)蜏毓矡鄬犹沾苫蚋邷毓?燒多層陶瓷…等基材。在覆晶結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，為了使發(fā)光二極管28有較佳的出光效率，可在 第二基材50的第三表面51上，在第三導(dǎo)電板52及第四導(dǎo)電板53以外的 部位，進(jìn)一步形成有一反射層?；蛘咭嗫稍诘诙^緣層31上，也就是第二絕 緣層31棵露的表面上形成有一反射層。
上述的各個(gè)反射層，是可選自于一鋁、 一銀及一金…等其中之一材質(zhì) 加以制成。制作反射層時(shí)必須注意，若反射層為一導(dǎo)電材質(zhì)時(shí)，反射層不能與第三導(dǎo)電板52或第四導(dǎo)電板53接觸，亦不能與第五導(dǎo)電板32或第六 導(dǎo)電板33接觸，而且反射層最好能與各個(gè)導(dǎo)電板保持一定的間隙，以避免 各個(gè)導(dǎo)電板間產(chǎn)生短路的現(xiàn)象。為了使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30的各發(fā)光二極管28之間能夠更輕易的相互 連接，或者為了使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30與第二基材50,結(jié)合的更為平整及完 整，所有第五導(dǎo)電板32第六導(dǎo)電板33的表面高度，是為相同水平的高度，如 此將有利于制程上的施作。請參閱圖9所示，是本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30進(jìn)一步形成一第二導(dǎo) 體層37的實(shí)施例的剖視圖。發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)30，進(jìn)一步包括一第二導(dǎo)體層 37，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于第二絕緣層31上，且每一導(dǎo)體的兩端分 別電性連接于不同單元的第五導(dǎo)電板32或第六導(dǎo)電板33。如此將可輕易的 將不同的發(fā)光二極管28進(jìn)行串聯(lián)/并聯(lián)。藉由第二絕緣層31的支撐，使得 第二導(dǎo)體層37亦能進(jìn)行復(fù)雜的電路布局設(shè)計(jì)。請參閱圖IOA至圖IOG所示，分別是各種高壓發(fā)光二極管28的實(shí)施例 的電路圖。本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，因?yàn)橛型暾牡谝唤^緣層25及第二 絕緣層31，因此可以在各個(gè)絕緣層上制作出圖IOA至圖IOG相同或類似的 復(fù)雜電路，尤其是使用第二基材50而形成覆晶結(jié)構(gòu)時(shí)，相關(guān)電路的達(dá)成又 更為容易。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、 一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括 一第一基材，具有一第一表面及一第二表面； 一粘著層，形成于該第一表面上； 至少二第一歐姆連接層，形成于該粘著層上；至少二磊晶層，該任二該磊晶層之間形成有一第一溝槽，每一該磊晶 層，其具有一下披覆層，形成于一該第一歐姆連接層上； 一作用層，形成于該下4皮覆層上；及 一上披覆層，形成于該作用層上；一第一絕緣層，覆蓋于每一該第一歐姆連接層及每一該上披覆層其棵 露的表面，且形成于任二該第一歐姆連接層間，該第一絕緣層在每一該上披 覆層及每一該第一歐姆連接層其棵露部處，分別形成有一第一開孔及一第 二開孔；至少二第一導(dǎo)電板，分別形成于每一該第一開孔內(nèi)，且電性連接于一該 上披覆層；以及至少二第二導(dǎo)電板，分別形成于每一該第二開孔內(nèi)，且電性連接于一該 第一歐姆連接層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第 一歐姆連接層是為一 P型歐姆連接層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的下 披覆層是為一 P型磷化鋁銦鎵披覆層，且該上披覆層是為一 N型磷化鋁銦 鎵披覆層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的作 用層是為一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、 一雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)或一多量子阱結(jié)構(gòu)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的上 披覆層與該第一導(dǎo)電板間形成有一第二歐姆連接層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第 一基材為一透明基材及該粘著層為一透明粘著層，且該第二表面上形成有 一反射層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的粘 著層為一透明粘著層，且該第一基材與該粘著層間，形成有一反射層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括 一第二基材，其具有一第三表面，該第三表面形成有至少二第三導(dǎo)電板及 至少二第四導(dǎo)電板，又該第二基材形成有復(fù)^L條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接該些第三導(dǎo)電板及第四導(dǎo)電板，且每一該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板，分別 藉由焊點(diǎn)電性連接于相對應(yīng)的該第一導(dǎo)電板及該第二導(dǎo)電板，又該第一基材為一透明基材且該粘著層為一透明粘著層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第 三表面上，在該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板以外的部位，形成有一反射層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 第一絕緣層上，形成有一反射層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一包括 一第一導(dǎo)體層，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于該第一絕緣層上，且每一該導(dǎo) 體的兩端分別電性連接于不同單元的該第二導(dǎo)電板或第一導(dǎo)電板。
12、 一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括 一第一基材，具有一第一表面及一第二表面； 一粘著層，形成于該第一表面上； 至少二第一歐姆連接層，形成于該粘著層上；至少二磊晶層，每一該磊晶層，其具有 一下披覆層，形成于一該第一歐姆連接層上； 一作用層，形成于該下披覆層上； 一上^1覆層，形成于該作用層上；及一第二溝槽，垂直貫穿該上披覆層及該作用層，又局部貫穿該下披覆層；一第二絕緣層，覆蓋于每一該上披覆層上，并形成于任二該蟲晶層及任 二第一歐姆連接層間，該第二絕緣層在該上披覆層上及第二溝槽內(nèi)側(cè)，分別 形成有一第三開孔及一第四開孔；至少二第五導(dǎo)電板，分別形成于每一該第三開孔內(nèi)，且電性連接于一該 上披覆層；以及至少二第六導(dǎo)電板，分別形成于每一該第四開孔內(nèi)，其具有向下延伸的 一延伸部，該延伸部垂直貫穿該磊晶層，且電性連接于該第一歐姆連接層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 第一歐姆連接層是為一 P型歐姆連接層。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 下披覆層是為一 P型磷化鋁銦鎵披覆層，且該上披覆層是為一 N型磷化鋁
15、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 作用層是為一單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、 一雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)或一多量子阱結(jié)構(gòu)。
16、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 第二溝槽內(nèi)形成有該第二絕緣層。
17、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 上披覆層與該第五導(dǎo)電板間形成有 一 第二歐姆連接層。
18、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 第一基材為一透明基材及該粘著層為一透明粘著層，且該第二表面上形成 有一反射層。
19、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 粘著層為一透明粘著層，且該第一基材與該粘著層間，形成有一反射層。
20、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包 括一第二基材，其具有一第三表面，該第三表面形成有至少二第三導(dǎo)電板 及至少二第四導(dǎo)電板，又該第二基材形成有復(fù)數(shù)條電路結(jié)構(gòu)，用以電性連接 該些第三導(dǎo)電板及第四導(dǎo)電板，且每一該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板，分別 藉由焊點(diǎn)電性連接于相對應(yīng)的該第五導(dǎo)電板及該第六導(dǎo)電板，又該第一基 材為一透明基材且該粘著層為一透明粘著層。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 第二基材上，在該第三導(dǎo)電板及該第四導(dǎo)電板以外的部位，形成有一反射 層。
22、 根據(jù)權(quán)利要求2(J所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 第二絕緣層上，形成有一反射層。
23、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的 該些第五導(dǎo)電板及該些第六導(dǎo)電板的表面高度，是為相同水平的高度。
24、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包 括一第二導(dǎo)體層，其形成有至少一導(dǎo)體并覆蓋于該第二絕緣層上，且每一該 導(dǎo)體的兩端分別電性連接于不同單元的該第五導(dǎo)電板或該第六導(dǎo)電板。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括第一基材；粘著層，形成于第一基材上；第一歐姆連接層，形成于粘著層上；磊晶層，形成于第一歐姆連接層上；第一絕緣層，覆蓋于第一歐姆連接層及磊晶層其裸露的表面；第一導(dǎo)電板及第二導(dǎo)電板，形成第一絕緣層內(nèi)且電性連接于第一歐姆連接層及磊晶層的一端。藉由第一溝槽、第二溝槽的設(shè)置，使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，可方便發(fā)光二極管進(jìn)行復(fù)雜的串/并聯(lián)電路連結(jié)，進(jìn)而能使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)能以單體的型態(tài)，在高壓環(huán)境下更容易及多樣化的操作。
文檔編號H01L27/15GK101145570SQ20061012742
公開日2008年3月19日 申請日期2006年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月13日
發(fā)明者溫士逸, 許世昌, 陳明鴻 申請人:海立爾股份有限公司