專利名稱：圖形形成方法、膜結(jié)構(gòu)體、電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖形形成方法、膜結(jié)構(gòu)體、電光裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，作為導(dǎo)電性圖形的形成方法，已知有例如在玻璃襯底等的表面上形成疏液部和親液部，通過在親液部配置含有金屬微粒的液體來形成圖形的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。該方法為在襯底上形成由有機(jī)分子構(gòu)成的疏液膜后，通過除去該疏液部的一部分形成親液部，再向噴頭填充成為導(dǎo)電性圖形的材料的含有金屬微粒等的液體，一邊使該噴頭和襯底相對移動、一邊從噴頭向親液部噴出液體。
此外，在進(jìn)行如此的液體噴出法之前，在襯底上預(yù)先設(shè)置稱為校準(zhǔn)標(biāo)記的記號，液體噴出裝置的檢測部檢測該校準(zhǔn)標(biāo)記，通過調(diào)整達(dá)到規(guī)定位置，將襯底確定在規(guī)定位置，設(shè)定噴頭噴出液體的起點。
專利文獻(xiàn)1日本特開2002-164635號專利公報但是，在上述的以往技術(shù)中，存在以下的問題。
在采用抗蝕劑等形成校準(zhǔn)標(biāo)記的時候，雖然形成與校準(zhǔn)標(biāo)記的形狀對應(yīng)的圍堰(隔壁)，但由于圍堰的透射率高，所以即使采用CCD攝像機(jī)等校準(zhǔn)顯微鏡觀察校準(zhǔn)標(biāo)記，識別精度也降低，結(jié)果，有校準(zhǔn)精度下降的可能性。
尤其，在形成由疊層膜構(gòu)成的布線圖形的時候或在襯底整面上形成薄膜的時候，有可以導(dǎo)致疊層精度下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上的事實而提出的，其目的在于提供一種能夠用高的校準(zhǔn)精度形成圖形的圖形形成方法、及采用該圖形形成方法制造的膜結(jié)構(gòu)體、電光裝置及電子設(shè)備。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下構(gòu)成。
本發(fā)明的圖形形成方法，利用校準(zhǔn)標(biāo)記在襯底上的隔壁間配置含有圖形形成材料的液體材料，形成圖形，其特征在于，具有在所述圖形的形成前，形成與所述校準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的標(biāo)記用隔壁的工序；在所述標(biāo)記用隔壁之間，配置含有所述校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料的液體材料的工序。
因此，在本發(fā)明的圖形形成方法中，通過在標(biāo)記用隔壁間配置含有透射率低的校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料的液體材料，能夠以高識別精度計測校準(zhǔn)標(biāo)記。因此，圖形形成時的校準(zhǔn)精度高，能以高的位置精度形成圖形。
另外，所述方法，在圖形由布線圖形構(gòu)成時特別有效。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選包含表面處理所述襯底的表面的工序。
由此，在本發(fā)明中，由于能夠抑制配置在襯底上的液滴的活動，所以能夠形成所要求的圖形。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選包含測定配置在所述標(biāo)記用隔壁之間的含有所述校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料的液體材料的伸長距離來判斷所述表面處理是否適當(dāng)?shù)墓ば颉?br> 由此，在本發(fā)明中，由于能夠在襯底上的表面狀態(tài)良好時進(jìn)行掃描，在不好時中止掃描，再生襯底，所以能夠減少材料的浪費。
此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選采用同一工序形成所述隔壁和所述標(biāo)記用隔壁。
由此，在本發(fā)明中，由于不需要另外工序形成兩隔壁，所以能夠提高制造效率。
此外，在本發(fā)明中，能夠采用作為所述圖形具有用不同材料依次疊層在所述襯底上的第一圖形及第二圖形的構(gòu)成。在此種情況下，在本發(fā)明中，能夠更簡單地形成校準(zhǔn)精度高的疊層圖形。
此外，在此種情況下，通過用相同的材料形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記和所述第一圖形，準(zhǔn)備作業(yè)容易進(jìn)行，同時還能夠防止污染。
另外，在該構(gòu)成中，能夠用同一工序形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記和所述第一圖形，能夠提高制造效率，所以優(yōu)選。
此外，作為所述第一圖形，優(yōu)選用與所述襯底的密接性比所述第二圖形高的材料形成。
由此，在本發(fā)明中，通過在第一層配置賦予密接性的層(中間層)，能夠形成與襯底的密接性高的不易發(fā)生剝離等的不良的圖形。
此外，在本發(fā)明中，具有利用所述校準(zhǔn)標(biāo)記形成半導(dǎo)體層或像素電極的工序的方法也適合采用。
由此，在本發(fā)明中，能夠高精度地對位布線圖形等圖形和半導(dǎo)體層或像素電極。
此外，本發(fā)明的膜結(jié)構(gòu)體，其特征在于具備利用上述的方法形成的圖形。在該膜結(jié)構(gòu)體中，由于能夠高精度地進(jìn)行圖形的校準(zhǔn)，所以能夠使圖形高密度化。此外，由于能夠采用液滴噴出法進(jìn)行校準(zhǔn)標(biāo)記的形成，所以能夠廉價地形成膜結(jié)構(gòu)體。
此外，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于具備上述的膜結(jié)構(gòu)體。此處，作為電光裝置，能夠例示例如液晶顯示裝置、有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置、等離子型顯示裝置等。此外，本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于具備上述的電光裝置。
根據(jù)本構(gòu)成，能夠廉價地提供具有高品質(zhì)的圖形的電光裝置、電子設(shè)備。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖2是表示該液晶顯示裝置的整體構(gòu)成的平面圖。
圖3是表示該液晶顯示裝置的1像素區(qū)域的平面構(gòu)成圖。
圖4是表示該液晶顯示裝置的TFT陣列襯底的局部剖面構(gòu)成圖。
圖5(a)是表示一例液滴噴出裝置的圖示，(b)是噴頭的概略圖。
圖6是柵電極形成工序中的襯底的平面圖。
圖7是用于說明TFT陣列襯底的制造方法的剖面工序圖。
圖8是用于說明TFT陣列襯底的制造方法的剖面工序圖。
圖9是用于說明TFT陣列襯底的制造方法的剖面工序圖。
圖10是用于說明TFT陣列襯底的制造方法的剖面工序圖。
圖11是用于說明TFT陣列襯底的制造方法的剖面工序圖。
圖12是表示將本發(fā)明的電光裝置用于等離子型顯示裝置的例子的分解立體圖。
圖13是表示一例電子設(shè)備的立體構(gòu)成圖。
圖14是表示校準(zhǔn)標(biāo)記的其它形狀例的平面圖。
圖15是表示校準(zhǔn)標(biāo)記的其它形狀例的平面圖。
圖中AM-校準(zhǔn)標(biāo)記，B1-第一圍堰(隔壁、標(biāo)記用隔壁)，IJ-液滴噴出裝置，P-玻璃襯底(襯底)，33-半導(dǎo)體層，80a-第一電極層(第一圖形)，80b-第二電極層(第二圖形)，100-液晶顯示裝置(電光裝置)，500-信息處理裝置(電子設(shè)備)，800-手表本體(電子設(shè)備)。
具體實施例方式
以下，參照圖1～圖14說明本發(fā)明的圖形形成方法、膜結(jié)構(gòu)體、電光裝置及電子設(shè)備的實施方式。
另外，在參照的各圖中，為了形成在圖面上可識別的尺寸，有時各層或各元件的縮放比例不同。
(電光裝置)首先，說明本發(fā)明的電光裝置的一實施方式。
圖1是表示本發(fā)明的電光裝置的一實施方式即液晶顯示裝置100的等效電路圖。在該液晶顯示裝置100中，在構(gòu)成像素顯示區(qū)域的矩陣狀配置的多個點上分別形成控制像素電極19和用于控制該像素電極19的開關(guān)元件即TFT60，供給像素信號的數(shù)據(jù)線(電極布線)16與該TFT60的源極電連接。按線順序依次向數(shù)據(jù)線16供給寫入的圖像信號S1、S2、…、Sn，或者按每組向相鄰的多個數(shù)據(jù)線16供給。此外，掃描線(電極布線)18a與TFT60的柵極電連接，對多個掃描線18a，按規(guī)定的定時，以線順序脈沖外加掃描信號G1、G2、…、Gm。此外，像素電極19與TFT60的漏極電連接，通過以一定時間接通開關(guān)元件即TFT60，按規(guī)定的定時寫入從數(shù)據(jù)線16供給的像素信號S1、S2、…、Sn。
經(jīng)由像素電極19寫入液晶的規(guī)定水平的像素信號S1、S2、…、Sn，在與后述的公共電極之間保持一定期間。另外，利用液晶的分子集合的取向或秩序根據(jù)該外加的電壓水平而變化的原理來調(diào)制光，可進(jìn)行任意的灰度等級顯示。此外，在各點上，為了防止寫入液晶的圖像信號泄漏，與形成在像素電極19和公共電極之間的液晶電容并聯(lián)地附加蓄積電容17。符號18b是與該蓄積電容17一側(cè)的電極連接的電容線。
接著，圖2是液晶顯示裝置100的整體構(gòu)成圖。液晶顯示裝置100，具備TFT陣列襯底10和對置襯底25經(jīng)由平面視大致矩形框狀的密封材52貼合在一起的構(gòu)成，夾在所述兩襯底10、25之間的液晶通過密封材52封入在所述襯底間。另外，在圖2中，表示成對置襯底25的外周端在平面視狀態(tài)下與密封材52的外周端一致。
在密封材52的內(nèi)側(cè)的區(qū)域呈矩形框狀形成由遮光性材料構(gòu)成的遮光膜53。在密封材52的外側(cè)的周邊電路區(qū)域，沿著TFT陣列襯底10的一邊設(shè)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路201和安裝端子202，沿著與該一邊相鄰的2邊分別設(shè)置掃描線驅(qū)動電路104、104，在TFT陣列襯底10的剩下的一邊形成連接所述掃描線驅(qū)動電路104、104間的多個布線105。此外，在對置襯底25的角部配設(shè)用于在TFT陣列襯底10和對置襯底25之間電導(dǎo)通的多個襯底間導(dǎo)通材106。
接著，圖3是用于說明液晶顯示裝置100的像素構(gòu)成的圖示，是模式表示平面構(gòu)成的圖示。如圖3所示，在液晶顯示裝置100的顯示區(qū)域，多個掃描線18a向一方向延伸，多個數(shù)據(jù)線16在與這些掃描線18a交叉的方向延伸。在圖3中，被掃描線18a和數(shù)據(jù)線16圍住的平面視矩形狀的區(qū)域是點區(qū)域。與1個點區(qū)域?qū)?yīng)地形成3基色中1色的彩色濾光片，在圖示的3個點區(qū)域，形成具有3色的著色部22R、22G、22B的1個像素區(qū)域。這些著色部22R、22G、22B周期地排列在液晶顯示裝置100的顯示區(qū)域內(nèi)。
在圖3所示的各點區(qū)域內(nèi)設(shè)置由ITO(銦錫氧化物)等透光性的導(dǎo)電膜構(gòu)成的平面視大致矩形狀的像素電極19，在像素電極19和掃描線18a、數(shù)據(jù)線16之間配設(shè)TFT60。TFT60，其構(gòu)成具備半導(dǎo)體層33、設(shè)在半導(dǎo)體層33的下層側(cè)(襯底側(cè))的柵電極80、設(shè)在半導(dǎo)體層33的上層側(cè)的源電極34、漏電極35。在半導(dǎo)體層33和柵電極80對置的區(qū)域形成TFT60的通道區(qū)域，在其兩側(cè)的半導(dǎo)體層上形成源極區(qū)域及漏極區(qū)域。
柵電極80，以向數(shù)據(jù)線16的延伸方向分支掃描線18a的一部分的方式形成，在其前端部經(jīng)由未圖示的絕緣膜(柵絕緣膜)在紙面垂直方向與半導(dǎo)體層33對置。源電極34，以向掃描線18a的延伸方向分支數(shù)據(jù)線16的一部分的方式形成，與半導(dǎo)體層33(源極區(qū)域)電連接。漏電極35的一端(圖示左端)側(cè)與所述半導(dǎo)體層33(源極區(qū)域)電連接，漏電極35的另一端(圖示右端)側(cè)，與像素電極19電連接。
根據(jù)上述構(gòu)成，TFT60，具有作為開關(guān)元件的功能，通過經(jīng)由掃描線18a輸入的柵極信號只在規(guī)定期間形成接通狀態(tài)，將經(jīng)由數(shù)據(jù)線16供給的圖像信號按規(guī)定的定時對液晶寫入。
圖4是沿圖3的B-B’線的TFT陣列襯底10的主要部位剖面構(gòu)成圖。如圖4所示，TFT陣列襯底10，其構(gòu)成是，在玻璃襯底(襯底)P的內(nèi)面?zhèn)?圖示上面?zhèn)?形成本發(fā)明的TFT60，進(jìn)而形成像素電極19。在玻璃襯底P上形成部分開口的第一圍堰B1，在該圍堰B1的開口部埋設(shè)柵電極80和覆蓋其的柵絕緣膜83的一部分。
柵電極80，是通過在玻璃襯底P上疊層具有作為密接層功能的由Mn或Ti、W等金屬材料構(gòu)成的第一電極層(第一圖形)80a、具有作為主導(dǎo)電層的功能的由Ag或Cu、Al等金屬材料構(gòu)成的第二電極層(第二圖形)80b、和由Ni、TiN等金屬材料構(gòu)成的罩層81而構(gòu)成。
在第一圍堰B1上經(jīng)由由SiNx構(gòu)成的柵絕緣膜83，形成第二圍堰B2，在該第二圍堰B2上形成用于露出包含所述柵電極80的區(qū)域的開口。在該開口內(nèi)的與所述柵電極80平面重疊的位置，經(jīng)由所述柵絕緣膜83形成半導(dǎo)體層33。半導(dǎo)體層33，由不定形硅層84、疊層在該不定形硅層84上的N+硅層85構(gòu)成。N+硅層85，在不定形硅層84上被分割成平面間隔開的2個部位，一個N+硅層85，與跨過柵絕緣膜83上和該N+硅層85上形成的源電極34電連接，另一個N+硅層85，與跨過柵絕緣膜83上和該N+硅層85上形成的漏電極35電連接。不定形硅層84、用于形成歐姆接合的N+硅層85，也能夠使用含有硅化合物、及摻雜劑源的液體材料，通過噴墨形成。作為硅化合物的具體的例子，可列舉通過對環(huán)戊硅烷等具有1個以上的環(huán)狀結(jié)構(gòu)的硅烷照射紫外線，成為使其光聚合的高級硅烷的。此外，作為摻雜劑源的具體例，可列舉含有磷等5族元素、或硼等3族元素的物質(zhì)。
源電極34和漏電極35，通過形成在第二圍堰B2的所述開口內(nèi)的第二圍堰B3相分離，在如后述被區(qū)分為第二圍堰B2、B3的區(qū)域內(nèi)，如后述那樣用液滴噴出法形成。此外，在源電極34和漏電極35上配置絕緣材料86，以填埋所述開口內(nèi)。在該絕緣材料86上形成接觸孔87，經(jīng)由該接觸孔87使形成在第二圍堰B2及絕緣材料86上的像素電極19、與漏電極35導(dǎo)通。然后，根據(jù)如此的構(gòu)成，形成本發(fā)明的TFT60。
另外，如圖3所示，由于數(shù)據(jù)線16和源電極34、及掃描線18a和柵電極80分別一體地形成，所以數(shù)據(jù)線16形成與源電極34同樣被絕緣材料86覆蓋的結(jié)構(gòu)，掃描線18a形成與柵電極80同樣被罩層81覆蓋的結(jié)構(gòu)。
此外，實際上，在像素電極19、及第二圍堰B2、B3、絕緣材料86的表面上，形成用于控制液晶的初期取向狀態(tài)的取向膜，在玻璃襯底P的外面?zhèn)仍O(shè)置相位差板或偏光板，用于控制入射到液晶層的光的偏光狀態(tài)。另外，在TFT陣列襯底10的外側(cè)(面板背面?zhèn)?設(shè)置背光燈，用作透射型或半透射半反射型的液晶顯示裝置時的照明機(jī)構(gòu)。
關(guān)于對置襯底25，省略詳細(xì)的圖示，具有在與玻璃襯底P同樣的襯底的內(nèi)面(與TFT陣列襯底10的對置面)側(cè)疊層排列形成有圖3所示的著色部22R、22G、22B的彩色濾光片層和由平面平坦?fàn)畹耐腹庑詫?dǎo)電膜構(gòu)成的對置電極的構(gòu)成。此外，在所述對置電極上形成與TFT陣列襯底相同的取向膜，在襯底外面?zhèn)雀鶕?jù)需要配置相位差板或偏光板。
此外，封閉在TFT陣列襯底10和對置襯底25之間的液晶層主要由液晶分子構(gòu)成。作為構(gòu)成該液晶層的液晶分子，只要是向列液晶、蝶狀結(jié)構(gòu)的液晶等可取向的液晶分子，可以采用任意液晶分子，但在是TN型液晶面板的時候，優(yōu)選形成向列液晶的液晶分子的，例如，苯基環(huán)己烷衍生物液晶、聯(lián)苯衍生物液晶、聯(lián)苯環(huán)己烷衍生物液晶、三聯(lián)苯衍生物液晶、二苯醚衍生物液晶、苯酚酯衍生物液晶、二環(huán)己烷衍生物液晶、甲亞胺衍生物液晶、氧化偶氮衍生物液晶、嘧啶衍生物液晶、二烷衍生物液晶、立方烷衍生物液晶等。
具備以上構(gòu)成的本實施方式的液晶顯示裝置100，通過利用外加電壓控制了取向狀態(tài)的液晶層調(diào)制從背光燈入射的光，可進(jìn)行任意的灰度等級的顯示。此外，由于在各點上設(shè)置著色部22R、22G、22B，所以能夠按每個像素混合3基色(R、G、B)的色光，能夠進(jìn)行任意的彩色顯示。
(薄膜晶體管的制造方法)接著，以所述TFT60的制造方法為基礎(chǔ)，說明根據(jù)本發(fā)明的圖形形成方法的一實施方式。在所述TFT60上，采用液滴噴出法形成柵電極80、源電極34、漏電極35的圖形，同時對于像素電極19也采用液滴噴出法形成。
首先，說明在本實施方式的制造方法中所用的液滴噴出裝置。在本制造方法中，從液滴噴出裝置具備的液滴噴頭的噴嘴，以液滴狀噴出含有導(dǎo)電性微?；蚱渌δ懿牧系哪?功能液)，形成構(gòu)成薄膜晶體管的各構(gòu)成要素。作為本實施方式所用的液滴噴出裝置，可采用圖5所示的構(gòu)成的裝置。
圖5(a)是表示在本實施方式中所用的液滴噴出裝置IJ的概略構(gòu)成的立體圖。
液滴噴出裝置IJ，具備液滴噴頭301、X軸方向驅(qū)動軸304、Y軸方向?qū)лS305、控制裝置CONT、載物臺307、清洗機(jī)構(gòu)308、底座309、加熱器315。
載物臺307，用于支持通過該液滴噴出裝置IJ設(shè)置墨(功能液)的襯底P，具備將襯底P固定在基準(zhǔn)位置上的未圖示的固定機(jī)構(gòu)。
液滴噴頭301是具有多個噴嘴的多噴嘴式的液滴噴頭，使長度方向和Y軸方向一致。多個噴嘴，在Y軸方向按一定間隔并排設(shè)在液滴噴頭301的下面。從液滴噴頭301的噴嘴，對支持在載物臺307上的襯底P噴出所述的墨(功能液)。
在X軸方向驅(qū)動軸304上連接X軸方向驅(qū)動電機(jī)302。X軸方向驅(qū)動電機(jī)302是步進(jìn)電機(jī)等，如果從控制裝置CONT供給X軸方向的驅(qū)動信號，就使X軸方向驅(qū)動軸304旋轉(zhuǎn)。如果X軸方向驅(qū)動軸304旋轉(zhuǎn)，液滴噴頭301就向X軸方向移動。
Y軸方向?qū)лS305，相對于底座309以不動的方式固定。載物臺307具備Y軸方向驅(qū)動電機(jī)303。Y軸方向驅(qū)動電機(jī)303是步進(jìn)電機(jī)等，如果從控制裝置CONT供給Y軸方向的驅(qū)動信號，就使載物臺307向Y軸方向移動。
控制裝置CONT，向液滴噴頭301供給液滴的噴出控制用的電壓。此外，向X軸方向驅(qū)動電機(jī)302供給控制液滴噴頭301的X軸方向的移動的驅(qū)動脈沖信號，向Y軸方向驅(qū)動電機(jī)303供給控制載物臺307的Y軸方向的移動的驅(qū)動脈沖信號。
清洗機(jī)構(gòu)308用于清洗液滴噴頭301。在清洗機(jī)構(gòu)308上具備未圖示的Y軸方向的驅(qū)動電機(jī)。通過該Y軸方向的驅(qū)動電機(jī)的驅(qū)動，清洗機(jī)構(gòu)，沿著Y軸方向?qū)лS305移動。清洗機(jī)構(gòu)308的移動也由控制裝置CONT控制。
這里，加熱器315是通過燈退火而熱處理襯底P的機(jī)構(gòu)，進(jìn)行涂布在襯底P上的液體材料所含的溶劑的蒸發(fā)及干燥。該加熱器315的電源的投入及斷開也由控制裝置CONT控制。
液滴噴出裝置IJ，一邊相對地掃描液滴噴頭301和支持襯底P的載物臺307、一邊向襯底P噴出液滴。此處，在以下的說明中，將X軸方向作為掃描方向，將與X軸方向正交的Y軸方向作為非掃描方向。因此，液滴噴頭301的噴嘴，按一定間隔并排設(shè)在非掃描方向即Y軸方向。另外，在圖5(a)中，液滴噴頭301相對于襯底P的前進(jìn)方向呈直角配置，但也可以調(diào)整液滴噴頭301的角度，使其與襯底P的前進(jìn)方向交叉。這樣一來，通過調(diào)整液滴噴頭301的角度，能夠調(diào)節(jié)噴嘴間的間距。此外，也可以任意調(diào)整襯底P和噴嘴面的距離。
圖5(b)是用于說明利用壓電方式噴出墨的原理的液滴噴頭的概略構(gòu)成圖。
在圖5(b)中，與收容墨(功能液)的液體室321相鄰地配置壓電元件322。經(jīng)由包括收容墨的材料罐的墨供給系323向液體室321供給墨。壓電元件322與驅(qū)動電路324連接，經(jīng)由該驅(qū)動電路324向壓電元件322施加電壓，使壓電元件322變形，使液體室321彈性變形。然后，根據(jù)該彈性變形時的內(nèi)容積的變化，從噴嘴325噴出液體材料。
在此種情況下，通過使外加電壓的值變化，能夠控制壓電元件322的變形量。此外，通過使外加電壓的頻率變化，能夠控制壓電元件322的變形速度。由于利用壓電方式的液滴噴出不對材料施加熱，所以具有不易影響材料組成的優(yōu)點。
此處，說明在本實施方式的制造方法中，所述柵電極80、源電極34、漏電極35等導(dǎo)電圖形的形成所用的墨(功能液)。
本實施方式所用的導(dǎo)電圖形用的墨(功能液)，是由使導(dǎo)電性微粒分散在分散劑中的分散劑或其前身物構(gòu)成的。作為導(dǎo)電性微粒，例如除含有金、銀、銅、鈀、鈮及鎳等的金屬微粒外，也能夠采用它們的前身物、合金、氧化物以及導(dǎo)電性聚合物或銦錫氧化物等微粒等。這些導(dǎo)電性微粒，為提高分散性，還能夠?qū)ζ浔砻嫱糠笥袡C(jī)物等后使用。優(yōu)選導(dǎo)電性微粒的粒徑在1nm～0.1μm。如果大于0.1μm，不僅有在液滴噴頭301的噴嘴產(chǎn)生堵塞的顧慮，而且有可能惡化得到的膜的致密性。此外，如果小于1nm，涂敷劑與導(dǎo)電性微粒的體積比就會增大，得到的膜中的有機(jī)物的比例過大。
作為分散劑，只要是能夠分散所述的導(dǎo)電性微粒且不引起凝聚的即可，不特別限定。例如，除水以外，可例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類，n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、環(huán)己基苯等烴系化合物，此外，乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、p-二烷等醚系化合物，以及碳酸丙烯酯、γ-丁內(nèi)酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、環(huán)己酮等極性化合物。其中，從在微粒的分散性和分散劑的穩(wěn)定性、或在液滴噴出法(噴墨法)中應(yīng)用的容易性等方面考慮，優(yōu)選水、醇類、烴系化合物、醚系化合物，作為更優(yōu)選的分散劑，可列舉水、烴系化合物。
所述導(dǎo)電性微粒的分散劑的表面張力優(yōu)選在0.02N/m～0.07N/m的范圍內(nèi)。如果表面張力低于0.02N/m，則由于墨組成物相對于噴嘴面的潤濕性增大，所以容易產(chǎn)生飛行彎曲，如果超過0.07N/m，則由于噴嘴前端的彎液面的形狀不穩(wěn)定，所以噴出量或噴出定時的控制困難。為了調(diào)整表面張力，優(yōu)選在所述分散劑中，在不使與襯底的接觸角減小太多的范圍內(nèi)，微量添加氟系、硅系、非離子系等表面張力調(diào)節(jié)劑。非離子系表面張力調(diào)節(jié)劑，用于提高液體對襯底的潤濕性，改進(jìn)膜的水平性，防止發(fā)生膜的微細(xì)凹凸等。所述表面張力調(diào)節(jié)劑，也可以根據(jù)需要，含有醇、醚、酯、酮等有機(jī)化合物。
所述分散劑的粘度，優(yōu)選為1mPa·s～50mPa·s。在采用噴墨法作為液滴噴出液體材料時，在粘度小于1mPa·s的情況下，噴嘴周邊部容易被流出的墨污染，此外在粘度大于50mPa·s的情況下，噴嘴孔的堵塞頻率高，不僅難噴出流暢的液滴，而且液滴的噴出量也會減少。
此外，尤其作為形成第一圍堰B1及第二圍堰B2所用的材料，例如可采用聚硅氨烷液。該聚硅氨烷液，是作為固形成分以聚硅氨烷為主成分的，例如可使用含有聚硅氨烷和光氧化發(fā)生劑的感光性聚硅氨烷液。該感光性聚硅氨烷液具有作為正型抗蝕劑的功能，可通過曝光處理和顯影處理直接進(jìn)行圖形加工，另外，作為如此的感光性聚硅氨烷，例如，可例示在特開平2002-72504號公報中記載的感光性聚硅氨烷。此外，對于在該感光性聚硅氨烷中含有的光氧化發(fā)生劑，也可以采用特開平2002-72504號公報中記載的。
如此的聚硅氨烷，例如在聚硅氨烷是以下的化學(xué)式(1)所示的聚硅氨烷的時候，如后述，通過進(jìn)行加濕處理，如化學(xué)式(2)或化學(xué)式(3)所示，部分水解，進(jìn)一步通過進(jìn)行低于350℃的加熱處理，如化學(xué)式(4)～化學(xué)式(6)所示縮合，成為聚甲基硅氧烷[-(SiCH3O1.5)n-]。此外，在化學(xué)式中雖未示出，但如果進(jìn)行350℃以上的加熱處理，會引起側(cè)鏈的甲基的脫離，尤其如果在400℃至450℃進(jìn)行加熱處理，側(cè)鏈的甲基幾乎都脫離，成為聚硅氧烷。另外，在化學(xué)式(2)～化學(xué)式(6)中，為了說明反應(yīng)機(jī)理，簡化化學(xué)式，只示出化合物中的基本構(gòu)成單元(重復(fù)單元)。
如此形成的聚甲基硅氧烷或聚硅氧烷，由于以無機(jī)質(zhì)的聚硅氧烷作為骨架，所以例如與由液滴噴出法配置，再燒成形成的金屬層相比，具有良好的致密性。因此，形成的層(膜)表面的平坦性也良好。此外，由于具有對熱處理的高耐性，所以也適合用作圍堰材料。
·化學(xué)式(1)；-(SiCH3(NH)1.5)n-·化學(xué)式(2)；
·化學(xué)式(3)；·化學(xué)式(4)；·化學(xué)式(5)；·化學(xué)式(6)；[TFT陣列襯底的制造方法]以下，參照圖6～圖11說明包括TFT60的制造方法的TFT陣列襯底10的各制造工序。另外，圖7～圖11，是表示本實施方式的制造方法中的一系列工序的剖面工序圖。
<柵電極形成工序>
在該工序中，如圖6所示，在襯底P上形成柵電極80(及掃描線18a)、和形成該柵電極80或TFT60時所用的十字狀的多個(在圖6中為7個)校準(zhǔn)標(biāo)記AM。
另外，為了對于襯底P實施掃描線18a延伸方向(X方向)及與該方向正交的方向Y方向、以及與襯底P的表面正交的軸(Z軸)圓周方向的校準(zhǔn)標(biāo)記，在3處(圖6中，左上、右上、右下)形成校準(zhǔn)標(biāo)記AM，但這里為了用于形成第二電極層80b或半導(dǎo)體層33，在每處形成多個(其中，在圖6中，只示出位于左上角的多個校準(zhǔn)標(biāo)記)。
如圖7、圖8所示，作為襯底準(zhǔn)備由無堿玻璃等構(gòu)成的玻璃襯底P，在其一面?zhèn)刃纬傻谝粐連1后，通過對形成在該第一圍堰B1上的開口部30滴下規(guī)定的墨(功能液)，在開口部30內(nèi)形成柵電極80。該柵電極形成工序包括圍堰形成工序、疏液化處理工序、第一電極形成工序、第二電極形成工序、燒成工序。
{第一圍堰形成工序}首先，為了在玻璃襯底上按規(guī)定圖形形成柵電極80(及掃描線18a)，在玻璃襯底P上形成具有規(guī)定圖形的開口部的第一圍堰。該第一圍堰，是用于平面區(qū)分襯底面的分隔元件，在該圍堰的形成中，特別優(yōu)選采用光刻法。具體是，首先，用旋涂、噴涂、滾涂、模涂、浸漬涂等方法，如圖7(a)所示，與形成在玻璃襯底P上的圍堰的高度一致地，涂布所述感光性聚硅氨烷液，形成聚硅氨烷薄膜BL1。
接著，例如在熱板上，以110℃、1分鐘左右烘焙得到的聚硅氨烷薄膜BL1。
接著，如圖7(b)所示，采用掩模M曝光聚硅氨烷薄膜BL1。在該掩模M上，形成與柵電極80(及掃描線18a)的形狀·位置對應(yīng)的開口部M1、和與校準(zhǔn)標(biāo)記AM的形狀·位置對應(yīng)的開口部M2。
此時，由于該聚硅氨烷薄膜BL1如前所述具有作為正型抗蝕劑的作用，所以可有選擇地曝光通過后述的顯影處理除去的部位。作為曝光光源，根據(jù)所述感光性聚硅氨烷液的組成或感光特性，從以往的光刻蝕的曝光所用的高壓水銀燈、低壓水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、激元激光器、X射線、電子束等中適當(dāng)選擇。關(guān)于照射光的能量，盡管根據(jù)光源或膜厚確定，但通常在0.05mJ/cm2以上，優(yōu)選規(guī)定在0.1mJ/cm2以上。雖沒有特別規(guī)定上限，但如果過多地設(shè)定照射量，從處理時間的關(guān)系考慮，不實用，所以通常規(guī)定在10000mJ/cm2以下。曝光一般只要在周圍氣氛(大氣中)或氮氣氛下進(jìn)行就可以，但是為了促進(jìn)聚硅氨烷的分解，也可以采用富含氧的氣氛。
通過如此的曝光處理，含有光氧化發(fā)生劑的感光性聚硅氨烷薄膜BL1，尤其在曝光部分，在膜內(nèi)有選擇地發(fā)生氧，由此聚硅氨烷的Si-N鍵解裂。另外，與氣氛中的水分反應(yīng)，如所述的化學(xué)式(2)或化學(xué)式(3)所示，聚硅氨烷薄膜BL1部分水解，最終生成硅烷醇(Si-OH)鍵，聚硅氨烷分解。
接著，為了更加促進(jìn)如此的硅烷醇(Si-OH)鍵的生成、聚硅氨烷的分解，如圖7(c)所示，例如在25℃、相對濕度85％的環(huán)境下，以5分鐘左右加濕處理曝光后的聚硅氨烷薄膜BL1。若如此向聚硅氨烷薄膜BL1內(nèi)繼續(xù)供給水分，暫時有助于聚硅氨烷的Si-N鍵的解裂的酸就作為反復(fù)解裂催化劑發(fā)揮作用。即使在曝光中也生成該Si-N鍵，但在曝光后，通過加濕處理曝光了的膜，可進(jìn)一步促進(jìn)聚硅氨烷的Si-OH化。
另外，關(guān)于如此的加濕處理中的處理氣氛的濕度，越高越能加快Si-OH化速度。但是，如果太高，有在膜表面結(jié)露的顧慮，因此從此觀點考慮，設(shè)定在相對濕度90％以下是實用的。
此外，關(guān)于如此的加濕處理，只要使含有水分的氣體與聚硅氨烷薄膜BL1接觸就可以，因此，在加濕處理裝置內(nèi)放置曝光過的襯底P，只要向該加濕處理裝置連續(xù)地導(dǎo)入含有水分的氣體就可以?；蛘?，也可以預(yù)先導(dǎo)入含有水分的氣體，在被調(diào)濕的狀態(tài)的加濕處理裝置內(nèi)，裝入曝光過的襯底P，放置所要求的時間。
接著，在25℃，例如通過濃度2.38％的TMAH(氫氧化四甲銨)液顯影處理加濕處理后的聚硅氨烷薄膜BL1，通過有選擇地除去被曝光部，如圖8(a)所示，用一道工序形成第一圍堰的前身物BP1，其具有與柵電極80的形成區(qū)域?qū)?yīng)的開口部30和與校準(zhǔn)標(biāo)記AM的形成區(qū)域?qū)?yīng)的開口部31，成為柵電極80形成時的隔壁及校準(zhǔn)標(biāo)記AM形成時的標(biāo)記用隔壁。另外，作為顯影液，TMAH以外的其他的堿顯影液，還可以采用膽堿、硅酸鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀等。
{疏液化處理工序}接著，在根據(jù)需要用純水漂洗后，對第一圍堰的前身物BP1，根據(jù)需要進(jìn)行疏液化處理，對其表面賦予疏液性。作為疏液化處理，例如能夠采用在大氣氣氛中以四氟甲烷作為處理氣體的等離子處理法(CF4等離子處理法)。CF4等離子處理的條件例如為，等離子功率50kW～1000kW、四氟甲烷氣體流量50ml/min～100ml/min、襯底相對于等離子放電電極的傳送速度0.5mm/sec～1020mm/sec、襯底溫度70℃～90℃。另外，作為處理氣體，也不局限于四氟甲烷(四氟化碳)，也能夠采用其它氟碳系的氣體。
通過進(jìn)行如此的疏液化處理，對第一圍堰的前身物BP1，通過向構(gòu)成其的烷基等導(dǎo)入氟基，賦予高的疏液性。
此外，在所述疏液化處理之前，基于清洗在開口部30、31的底面露出的玻璃襯底P的表面的目的，優(yōu)選進(jìn)行采用O2等離子的灰化處理或UV(紫外線)照射處理。通過進(jìn)行該處理，能夠除去玻璃襯底P表面上的圍堰材料的殘渣，能夠加大與疏液化處理后的前身物BP1的接觸角和與該襯底表面的接觸角的差，能夠準(zhǔn)確地將在后段工序中配置在開口部30、31內(nèi)的液滴封閉在開口部30、31的內(nèi)側(cè)。
所述O2灰化處理，具體是，通過從等離子放電電極對襯底P照射等離子狀態(tài)的氧來進(jìn)行。作為處理條件，例如為等離子功率50kW～1000kW、氧氣流量50ml/min～100ml/min、襯底P相對于等離子放電電極的板傳送速度0.510mm/sec～10mm/sec、襯底溫度70℃～90℃。
另外，對第一圍堰的前身物BP1的疏液化處理(CF4等離子處理)，雖然對在通過前面的殘渣處理被親液化的襯底P表面多少有影響，但是尤其在由玻璃等構(gòu)成襯底P的情況下，由于疏液化處理不易產(chǎn)生氟基的導(dǎo)入，所以實質(zhì)上不會損失襯底P的親液性，即潤濕性。
{第一電極層形成工序}接著，對開口部31，作為校準(zhǔn)標(biāo)記形成用墨，從液滴噴出裝置IJ的液滴噴頭301滴下與第一電極層形成用墨(未圖示)相同材料的墨。此處，噴出配置作為導(dǎo)電性微粒采用Mn(錳)、作為溶劑(分散劑)采用十四烷的墨。此時，由于對第一圍堰B1的表面賦予疏液性，對開口部31的底面部的襯底表面賦予親液性，所以即使噴出的液滴的一部分落在第一圍堰B1上，也經(jīng)圍堰表面反彈，滑落在開口部31內(nèi)。
接著，在噴出由校準(zhǔn)標(biāo)記形成用墨構(gòu)成的液滴后，為了除去分散劑，根據(jù)需要進(jìn)行干燥處理。干燥處理，例如能夠通過利用加熱襯底P的通常的熱板、電爐等的加熱處理來進(jìn)行。在本實施方式中，例如在180℃進(jìn)行60分鐘左右的加熱。該加熱不一定必須在大氣中進(jìn)行，例如可在氮氣等氣氛中進(jìn)行。
此外，也能夠通過燈退火進(jìn)行該干燥處理。作為燈退火所使用的光的光源，不特別限定，但作為光源能夠使用紅外線燈、氙燈、YAG激光器、氬激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等。這些光源一般使用輸出為10W～5000W范圍的，但在本實施方式中，在100W～1000W的范圍就足夠。通過進(jìn)行該中間干燥工序，如圖8(b)所示，在開口部31形成固體的校準(zhǔn)標(biāo)記AM。
接著，用未圖示的CCD攝像機(jī)等攝影在上述工序形成的校準(zhǔn)標(biāo)記AM，基于該攝像結(jié)果，使液滴噴頭301和襯底P對位。其后，向開口部30噴出與形成校準(zhǔn)標(biāo)記AM時相同的材料的墨滴，實施上述的干燥處理。由此，如圖9(a)所示，在開口部30上形成固體的第一電極層80a。
{第二電極層形成工序}接著，采用利用液滴噴出裝置的液滴噴出法，將第二電極層形成用墨(未圖示)配置在第一圍堰的前身物BP1的開口部30內(nèi)。此時，也用未圖示的CCD攝像機(jī)等攝影在上述工序形成的校準(zhǔn)標(biāo)記AM，基于該攝像結(jié)果，使液滴噴頭301和襯底P預(yù)先對位。
此處，噴出配置作為導(dǎo)電性微粒采用Ag(銀)，作為溶劑(分散劑)采用二甘醇二乙醚的墨(液體材料)。此時，由于對第一圍堰的前身物BP1的表面賦予疏液性，對開口部30的底面部的襯底表面賦予親液性，所以即使噴出的液滴的一部分落在前身物BP1上，也被圍堰表面反彈，滑落在開口部30內(nèi)。但是，由于在開口部30的內(nèi)部先形成的第一電極層80a的表面，不局限于對在本工序滴下的墨具有高的親和性，所以也可以在墨滴下前，在第一電極層80a上形成用于改進(jìn)墨的潤濕性的中間層。該中間層，可根據(jù)構(gòu)成墨的分散劑的種類適當(dāng)選擇，但如本實施方式那樣，在墨采用水系的分散劑的情況下，例如只要形成由氧化鈦構(gòu)成的中間層，就能在中間層得到極好的潤濕性。
在噴出液滴后，為了除去分散劑，根據(jù)需要進(jìn)行與上述相同的干燥處理。干燥處理，例如能夠通過利用加熱襯底P的通常的熱板、電爐等的加熱處理來進(jìn)行。在本實施方式中，例如在180℃進(jìn)行60分鐘左右的加熱。該加熱不一定必須在大氣中進(jìn)行，例如也可在氮氣等氣氛中進(jìn)行。
此外，也能夠通過燈退火進(jìn)行該干燥處理。作為燈退火所使用的光的光源，能夠采用在前面的第一電極層形成工序后的中間干燥工序中列舉的光源。此外，加熱時的功率也同樣能夠規(guī)定在10W～1000W范圍。通過進(jìn)行該中間干燥工序，如圖9(b)所示，在第一電極層80a上形成固體的第二電極層80b。
然后，與第一電極層80a及第二電極層80b同樣，向開口部30內(nèi)噴出在有機(jī)系分散劑中分散有Ni等導(dǎo)電性微粒形成的墨，通過干燥處理，如圖9(c)所示，在第二電極層80b上形成罩層81。
{燒成工序}關(guān)于噴出工序后的干燥膜，為提高導(dǎo)電性微粒間的電接觸，需要完全除去分散劑。此外，在為了提高在液中的分散性，對導(dǎo)電性微粒的表面涂敷有機(jī)物等涂敷劑的情況下，也需要除去該涂敷劑。因此，對噴出工序后的襯底實施熱處理及/或光處理。
該熱處理及/或光處理通常在大氣中進(jìn)行，但也可根據(jù)需要在氮氣、氬氣、氦氣等惰性氣體氣氛中進(jìn)行。熱處理及/或光處理的處理溫度，可根據(jù)分散劑的沸點(蒸汽壓)、保護(hù)氣體的種類或壓力、微粒的分散性或氧化性等熱的行為、涂敷劑的有無或含量、襯底的耐熱溫度等適當(dāng)確定，但在上述構(gòu)成中，由于也采用在前面列舉的材料形成所述第一電極層80a及第二電極層80b、罩層81，所以能夠設(shè)定為300℃以下的燒成溫度。
通過以上的工序，噴出工序后的干燥膜可確保微粒間的電接觸，變換成導(dǎo)電性膜，如圖9(c)所示，形成疊層第一電極層80a及第二電極層80b、罩層81而成的柵電極80。此外，如圖3所示，與柵電極80一體的掃描線18a也通過所述工序形成在玻璃襯底P上。
<半導(dǎo)體層形成工序>
接著，如圖10(a)所示，利用等離子CVD法，通過變化原料氣體或等離子條件，形成由SiNx構(gòu)成的柵絕緣膜83、由不定形硅層84及N+硅層85構(gòu)成的半導(dǎo)體層33。不定形硅層84及N+硅層85，通過利用等離子CVD法等疊層形成不定形硅膜和N+硅膜，利用光刻法圖形加工成規(guī)定形狀得到。在圖形加工時，在N+硅膜的表面上選擇配置與圖示的半導(dǎo)體層33的側(cè)斷面形狀相同的大致凹形的抗蝕劑，將上述抗蝕劑作為掩模，進(jìn)行刻蝕。利用如此的圖形加工法，在與柵電極80平面重疊的區(qū)域有選擇地除去N+硅層85，分割成2個區(qū)域，這些N+硅層85、85，分別形成源極接觸區(qū)域及漏極接觸區(qū)域。
在接著半導(dǎo)體層形成工序的第二層的圍堰形成工序中，如圖10(b)所示，在柵絕緣膜83上形成第二圍堰B2，同時在分割成所述2個區(qū)域的N+硅層85、85間，基于光刻法將第二圍堰B3圖形加工形成規(guī)定形狀。通過該第二圍堰B3，使N+硅層85、85間電分離。
在上述半導(dǎo)體層形成工序及第二層的圍堰形成工序中，在利用光刻法進(jìn)行圖形加工時，通過計測上述的校準(zhǔn)標(biāo)記AM，進(jìn)行掩模和襯底P的對位。
此時，在觀察校準(zhǔn)標(biāo)記AM的CCD攝像機(jī)中，由于用對SiNx構(gòu)成的柵絕緣膜83、不定形硅膜及N+硅膜的透射性高的、且對校準(zhǔn)標(biāo)記AM(Mn)的透射性低的光源照明，容易識別校準(zhǔn)標(biāo)記AM，所以優(yōu)選此光源。此外，校準(zhǔn)標(biāo)記AM，由于即使在此后的工序中也能使用，所以在圖形加工不定形硅膜及N+硅膜時，優(yōu)選從校準(zhǔn)標(biāo)記AM形成區(qū)域除去不定形硅膜和N+硅膜。
<電極形成工序>
接著，在形成有半導(dǎo)體層33的玻璃襯底P上，形成圖4所示的源電極34及漏電極35。
{疏液化處理工序}首先，對所述第二圍堰B2、B3進(jìn)行疏液化處理，對其表面賦予疏液性。作為疏液化處理，例如能夠采用在大氣氣氛中以四氟甲烷作為處理氣體的等離子處理法(CF4等離子處理法)。
{電極膜形成工序}接著，再次采用利用校準(zhǔn)標(biāo)記AM與襯底P對位的所述液滴噴出裝置IJ，在被第二圍堰B2、B3圍住的區(qū)域涂布用于形成圖4所示的源電極34、漏電極35的墨(功能液)。此處，噴出作為導(dǎo)電性微粒采用銀微粒、作為溶劑(分散劑)采用二甘醇二乙醚的墨。在如此噴出液滴后，為了除去分散劑，根據(jù)需要進(jìn)行干燥處理。干燥處理，例如能夠通過利用加熱襯底P的通常的熱板、電爐等的加熱處理來進(jìn)行。在本實施方式中，例如在180℃進(jìn)行60分鐘左右的加熱。該加熱不一定必須在大氣中進(jìn)行，例如可在N2等氣氛中進(jìn)行。
此外，也能夠通過燈退火進(jìn)行該干燥處理。作為燈退火所使用的光的光源，能夠采用在前面的第一電極層形成工序后的中間干燥工序中列舉的光源。此外，加熱時的功率也同樣能夠規(guī)定在10W～1000W的范圍。
{燒成工序}噴出工序后的干燥膜，為提高微粒間的電接觸，需要完全除去分散劑。此外，在為了提高分散性，對導(dǎo)電性微粒的表面涂敷有機(jī)物等涂敷劑的情況下，也需要除去該涂敷劑。因此，對噴出工序后的襯底P實施熱處理及/或光處理。關(guān)于該熱處理及/或光處理，與所述柵電極80的形成時的燒成處理條件相同地進(jìn)行。
通過如此的工序，噴出工序后的干燥膜可確保微粒間的電接觸，變換成導(dǎo)電性膜，如圖11(a)所示，形成與一個N+硅層85連接導(dǎo)通的源電極34、和與另一個N+硅層85連接導(dǎo)通的漏電極35。
接著，在通過第二圍堰B2、B3區(qū)分的形成源電極34及漏電極35的凹部(開口)內(nèi)，如圖11(b)所示，填埋該凹部(開口)，配置絕緣材料86。
接著，如圖11(c)所示，在漏電極35側(cè)的絕緣材料86上形成接觸孔87。其后，利用液滴噴出法(噴墨法)或濺射法等氣相法或蒸鍍法形成由ITO等構(gòu)成的透明電極層，或者用液滴噴出法等液相法形成，另外通過根據(jù)需要進(jìn)行圖形加工，形成像素電極19。
在所有工序中，在對位襯底P時，采用觀察上述校準(zhǔn)標(biāo)記AM得到的結(jié)果。
通過以上工序，通過在玻璃襯底P的內(nèi)面?zhèn)?圖示上面?zhèn)?形成本發(fā)明的TFT60，進(jìn)一步形成像素電極19，可得到具有膜結(jié)構(gòu)體的TFT陣列襯底10。
如以上說明，在本實施方式中，由于在第一圍堰B1的開口部31形成透射率低的校準(zhǔn)標(biāo)記AM，所以能夠以高的識別精度識別校準(zhǔn)標(biāo)記AM。因此，在本實施方式中，能夠高精度地使襯底P與在液滴噴頭301或光刻工序等所用的掩模對位，能夠以高精度形成柵電極80或半導(dǎo)體層33等的圖形。
此外，在本實施方式中，由于采用同一校準(zhǔn)標(biāo)記AM形成疊層在上述襯底P上的圖形，所以還能夠提高形成在各層上的圖形(柵電極80等的布線和半導(dǎo)體層33)的重合精度。
此外，在本實施方式中，由于用同一材料形成校準(zhǔn)標(biāo)記AM和在其后的液滴噴出工序形成的第一電極層80a，所以不需要交換墨等的準(zhǔn)備作業(yè)，能夠提高制造效率，同時也能夠防止污染。此外，在本實施方式中，由于形成校準(zhǔn)標(biāo)記AM和柵電極80(掃描線18a)時所用的圍堰是同一圍堰，并且用同一工序形成，所以能夠更加提高制造效率。
另外，在本實施方式中，由于用相對于襯底P的密接性比第二電極層80b高的材料形成第一電極層80a，所以能夠形成與襯底P的密接性高的，不易發(fā)生剝離等造成的不良的柵電極80。
接著，作為本發(fā)明的一例電光裝置，說明等離子型顯示裝置。
圖12表示本實施方式的等離子型顯示裝置500的分解立體圖。
等離子型顯示裝置500，其構(gòu)成包括相互對置配置的玻璃襯底501、502、及形成在它們間的放電顯示部510。
在玻璃襯底501的上面按規(guī)定的間隔條帶狀形成地址電極511，以覆蓋地址電極511和玻璃襯底501的上面的方式形成電介體層519。在電介體層519上，以位于地址電極511、511間并且沿著各地址電極511的方式形成隔壁515。此外，被隔壁515區(qū)分的條帶狀的區(qū)域的內(nèi)側(cè)配置熒光體517。熒光體517，是發(fā)紅、綠、藍(lán)中任一色的熒光的熒光體，在紅色放電室516(R)的底部及側(cè)面配置紅色熒光體517(R)，在綠色放電室516(G)的底部及側(cè)面配置綠色熒光體517(G)，在藍(lán)色放電室516(B)的底部及側(cè)面配置藍(lán)色熒光體517(B)。
另外，在玻璃襯底502側(cè)，沿與前述的地址電極511正交的方向以條帶狀按規(guī)定的間隔形成由多層透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的顯示電極512，并且，為了輔助電阻高的顯示電極512，在顯示電極512上形成總線電極512a。此外覆蓋它們地形成電介體層513，另外形成由MgO等構(gòu)成的保護(hù)膜514。
玻璃襯底501和玻璃襯底502，以使所述地址電極511…和顯示電極512…相互正交的方式對置地相互貼合。
放電顯示部510，用于集中多個放電室516。以被成對的部分和一對顯示電極圍住的區(qū)域構(gòu)成1像素的方式，配置多個放電室516中的紅色放電室516(R)、綠色放電室516(G)、藍(lán)色放電室516(B)的3個放電室516。
所述地址電極511和顯示電極512與未圖示的交流電源連接。通過向各電極通電，在放電顯示部510激發(fā)熒光體517發(fā)光，可進(jìn)行彩色顯示。
在本實施方式中，采用前面所示圖形形成方法，形成所述總線電極512a、及地址電極511。因此，總線電極512a和地址電極511的密接性高，不易發(fā)生布線不良，同時可使其高精度地對位。此外，由于能夠高精度地進(jìn)行布線的校準(zhǔn)，所以能夠使布線高密度化。此外，由于采用液滴噴出手段進(jìn)行校準(zhǔn)標(biāo)記的形成，所以，例如與利用光刻技術(shù)形成其時相比，工序簡單，還能夠抑制設(shè)備成本。
另外，在中間層由錳化合物(錳的氧化物)構(gòu)成時，雖然錳的氧化物是非導(dǎo)電性的，但通過使該錳層形成非常薄且形成多孔狀，可確保顯示電極512和總線電極512a所需的導(dǎo)電性。此外，在此種情況下，由于中間層變黑，所以該中間層還起到黑矩陣的效果，能夠謀求提高對比度。
接著，說明本發(fā)明的電子設(shè)備的具體例。
圖13(a)是表示一例便攜式電話的立體圖。在圖13(a)中，600表示便攜式電話本體，601表示具有上述實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖13(b)是表示一例文字處理機(jī)、筆記本電腦等便攜式信息處理裝置的立體圖。在圖13(b)中，700表示信息處理裝置，701表示鍵盤等輸入部，703表示信息處理本體，702表示具有上述實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖13(c)是表示一例電子手表型電子設(shè)備的立體圖。在圖13(c)中，800表示手表本體，801表示具有上述實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖13(a)～(c)所示的電子設(shè)備，由于具有上述實施方式的液晶顯示裝置，所以可高品質(zhì)化。
另外，本實施方式的電子設(shè)備規(guī)定為具備液晶裝置的，但也能夠規(guī)定為具備有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置、等離子型顯示裝置等其它電光裝置的電子設(shè)備。
以上，參照

了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式，當(dāng)然本發(fā)明并不限定于這些例子。上述的例中所示的各構(gòu)成部件的諸形狀或組合等只是一例，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，可根據(jù)設(shè)計要求等進(jìn)行多種變更。
例如，在上述實施方式中，規(guī)定了以用于形成校準(zhǔn)標(biāo)記AM的液滴噴出工序、和用于形成第一電極層80a的液滴噴出工序作為其它工序的程序，但也不限定于此，也可以作為同一工序，形成更加提高生產(chǎn)性的程序。
此外，在上述實施方式中，將布線圖形規(guī)定為第一電極層80a、第二電極層80b的2層結(jié)構(gòu)，但所述布線圖形也可以是單層膜或3層以上的多層膜。在將圖形規(guī)定為3層以上的多層膜的情況下，優(yōu)選，在第一層(即，最襯底側(cè))配置與襯底的密接力最強(qiáng)的膜。由此，可提高襯底和圖形的密接力，不易發(fā)生剝離等造成的不良。
此外，在上述實施方式中，將校準(zhǔn)標(biāo)記AM規(guī)定為平面視十字狀，但也可以是其以外的形狀。例如，如圖14(a)～(c)所示，也可以形成由寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成的校準(zhǔn)標(biāo)記AM。
在此種情況下，通過向擴(kuò)徑部AM1噴出液滴，利用自流動向縮徑部填充液滴，還能縮短液滴配置所需的時間。
此外，校準(zhǔn)標(biāo)記AM也可以是上述以外的形狀。例如，也可以是圖15(a)～(g)所示的形狀。在圖15(a)中，第一布線圖線901和第二布線圖形902交叉，校準(zhǔn)標(biāo)記AM由寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成。另外，擴(kuò)徑部AM1也是液滴的滴落點。此處，可用寬度b表示該縮徑部AM2的尺寸，用直徑D表示擴(kuò)徑部AM1的尺寸。如該圖所示，直徑D＞寬度b。此外，縮徑部AM2的長度根據(jù)玻璃襯底P的表面狀態(tài)(潤濕性)形成。傾向于只要玻璃襯底P的潤濕性良好(親液性高的狀態(tài))，可加長形成縮徑部AM2的長度，只要潤濕性良好(疏液性高的狀態(tài))，可縮短形成縮徑部AM2的長度。另外，根據(jù)該縮徑部AM2的長度的程度，能夠判定是否對玻璃襯底P的表面實施所要求的表面處理。然后，基于該判定結(jié)果，能夠判斷是否可以在玻璃襯底P上繼續(xù)進(jìn)行描繪。由于只要確認(rèn)玻璃襯底P的表面狀態(tài)是所希望的狀態(tài)，就進(jìn)行描繪，在不是所希望的狀態(tài)時，能夠中止描繪，再生襯底，因此不會浪費材料，同時也不會進(jìn)行無用的作業(yè)。在圖15(b)中，液滴的滴落點有2處，第一線圖形901和第二線圖形902交叉。校準(zhǔn)標(biāo)記AM由寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成，且寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2各有2處。在圖15(c)中，液滴的滴落點有1處，第一線圖形901和第二線圖形902交叉。校準(zhǔn)標(biāo)記AM，由1處的寬幅的擴(kuò)徑部AM1和2處的窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成。在圖15(d)中，矩形狀的液滴的滴落點有2處，第一線圖形901和第二線圖形902交叉。校準(zhǔn)標(biāo)記AM由寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成，且形成矩形狀的寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2各有2處?？捎脤挾萣表示該縮徑部AM2的尺寸，用寬度B表示形成矩形狀的寬幅的擴(kuò)徑部AM1的尺寸。在圖15(e)中，液滴的滴落點有2處，第一線圖形901和第二線圖形902交叉。校準(zhǔn)標(biāo)記AM由寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成，且形成矩形狀的寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2各有2處。另外，如該圖所示，平面視襯底P，相對于其側(cè)面，傾斜地配置校準(zhǔn)標(biāo)記AM。在圖15(f)中，液滴的滴落點有2處，第一線圖形901和第二線圖形902交叉。校準(zhǔn)標(biāo)記AM由寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成，且寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2各有2處。另外，如該圖所示，第一線圖形901、和第二線圖形902形成的角α小于90度地形成。在圖15(g)中，液滴的滴落點有2處，第一線圖形901和第二線圖形902交叉。校準(zhǔn)標(biāo)記AM由寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2構(gòu)成，且寬幅的擴(kuò)徑部AM1和窄幅的縮徑部AM2各有2處。另外，如該圖所示，第二線圖形902的線寬b2比第一線圖形901的線寬b1窄地形成。另外，作為校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料，通過采用反射率高的材料，在用CCD攝像機(jī)等攝像時照明光的反射增大，也可以采用對比度增大的。如此，作為校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料，優(yōu)選基于攝像手段的攝像特性選擇。
此外，在上述實施方式中把握的技術(shù)思想如下。
(技術(shù)思想1)一種圖形形成方法，在如第1～11項發(fā)明中任何一項所述的圖形形成方法中，其特征在于所述校準(zhǔn)標(biāo)記具有第一線圖形、和與所述第一線圖形交叉形成的第二線圖形。
只要如此進(jìn)行，則交叉地配置第一線圖形901和第二線圖形902，通過利用這些第一線圖形901和第二線圖形902，就能容易實施校準(zhǔn)。
(技術(shù)思想2)一種圖形形成方法，在如第1～11項發(fā)明中任何一項所述的圖形形成方法中，其特征在于所述校準(zhǔn)標(biāo)記，具有第一線圖形、和與所述第一線圖形交叉形成的第二線圖形，所述第一線圖形及所述第二線圖形的線寬，比液滴滴落部的尺寸窄地形成。
只要如此進(jìn)行，則利用第一線圖形901和第二線圖形902，比作為液滴滴落部的擴(kuò)徑部AM1的直徑D窄地形成線寬b，因而能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的校準(zhǔn)，所以可提供品質(zhì)良好的液晶顯示裝置100。
(技術(shù)思想3)一種圖形形成方法，在如第1～11項發(fā)明中任何一項所述的圖形形成方法中，其特征在于所述校準(zhǔn)標(biāo)記具有第一線圖形、和與所述第一線圖形交叉形成的第二線圖形，所述第一線圖形的線寬和所述第二線圖形的線寬中任何一方比較窄地形成。
只要如此進(jìn)行，由于通過第一線圖形901的線寬b1和第二線圖形902的線寬b2中的任何一方比較窄地形成，能夠與各種寬度的布線圖形對應(yīng)，所以可提供品多種液晶顯示裝置100。
權(quán)利要求
1.一種圖形形成方法，利用校準(zhǔn)標(biāo)記在襯底上的隔壁之間配置含有圖形形成材料的液體材料，形成圖形，其特征在于，具有在所述圖形形成前，形成與所述校準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的標(biāo)記用隔壁的工序；在所述標(biāo)記用隔壁之間配置含有所述校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料的液體材料的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形形成方法，其特征在于包括對所述襯底的表面進(jìn)行表面處理的工序。
3.如權(quán)利要求1或2所述的圖形形成方法，其特征在于包括測定被配置在所述標(biāo)記用隔壁之間的含有所述校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料的液體材料的伸長距離，判斷所述表面處理是否適當(dāng)?shù)墓ば颉?br> 4.如權(quán)利要求1～3中任何一項所述的圖形形成方法，其特征在于由同一工序形成所述隔壁和所述標(biāo)記用隔壁。
5.如權(quán)利要求1～4中任何一項所述的圖形形成方法，其特征在于所述圖形具有用不同材料依次疊層在所述襯底上的第一圖形及第二圖形。
6.如權(quán)利要求5所述的圖形形成方法，其特征在于用相同的材料形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記和所述第一圖形。
7.如權(quán)利要求6所述的圖形形成方法，其特征在于由同一工序形成所述校準(zhǔn)標(biāo)記和所述第一圖形。
8.如權(quán)利要求5～7中任何一項所述的圖形形成方法，其特征在于所述第一圖形用與所述襯底的密接性比所述第二圖形高的材料形成。
9.如權(quán)利要求1～8中任何一項所述的圖形形成方法，其特征在于所述圖形是布線圖形。
10.如權(quán)利要求1～9中任何一項所述的圖形形成方法，其特征在于具有利用所述校準(zhǔn)標(biāo)記形成像素電極的工序。
11.如權(quán)利要求1～10中任何一項所述的圖形形成方法，其特征在于具有利用所述校準(zhǔn)標(biāo)記形成半導(dǎo)體層的工序。
12.一種膜結(jié)構(gòu)體，其特征在于具備利用權(quán)利要求1～10中任何一項所述的圖形形成方法形成的圖形。
13.一種電光裝置，其特征在于具備權(quán)利要求12所述的膜結(jié)構(gòu)體。
14.一種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求13所述的電光裝置。
全文摘要
一種圖形形成方法、膜結(jié)構(gòu)體、電光裝置及電子設(shè)備，利用校準(zhǔn)標(biāo)記(AM)在襯底(P)上的隔壁(B1)間配置含有圖形形成材料的液體材料，形成圖形(80)。在圖形(80)的形成前，具有形成與校準(zhǔn)標(biāo)記(AM)對應(yīng)的標(biāo)記用隔壁(B1)的工序和在標(biāo)記用隔壁(B1)之間配置含有校準(zhǔn)標(biāo)記形成材料的液體材料的工序。因此，能以高的校準(zhǔn)精度形成圖形。
文檔編號H01L21/70GK1956631SQ200610137458
公開日2007年5月2日 申請日期2006年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月27日
發(fā)明者平井利充, 守屋克之, 稻垣顯 申請人:精工愛普生株式會社