專利名稱：Led照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED照明裝置，具體講涉及利用商用電源直接亮燈的LED照明裝置。
背景技術(shù)：
以往，LED照明裝置的亮燈方法有(1)通過從干電池和電池等直流電源直接施加直流電壓而亮燈的方法，(2)施加來自如商用電源的交流電源的交流電壓通過恒壓源轉(zhuǎn)換后的直流電壓而亮燈的方法，(3)使來自如商用電源的交流電源的交流電壓不通過恒壓源而直接以交流電壓施加而亮燈的方法。
其中，像方法(3)那樣，把交流電壓作為源電壓不通過恒壓源而保持交流電壓狀態(tài)，使LED照明裝置亮燈時，一般采用圖8～圖10所示的電路結(jié)構(gòu)。其結(jié)構(gòu)有以下結(jié)構(gòu)，如圖8中的電路圖所示結(jié)構(gòu)，串聯(lián)連接多個LED并接線電流限制電阻，對其兩端施加將基于商用電源的交流輸入電壓通過變壓器降壓為合適電壓后通過整流器全波整流得到的脈動電流，使LED亮燈，如圖9中的電路圖所示結(jié)構(gòu)，相反并行連接兩個LED并使其無極性后作為LED組，串聯(lián)連接多個LED組并接線電流限制電阻，對其兩端施加將基于商用電源的交流輸入電壓通過變壓器降壓為合適電壓后的交流電壓，從而使LED亮燈，如圖10中的電路圖所示結(jié)構(gòu)，橋接LED并使其無極性后作為LED組，串聯(lián)連接多個LED組并接線電流限制電阻，對其兩端施加將基于商用電源的交流輸入電壓通過變壓器降壓為合適電壓后的交流電壓，使LED亮燈等(例如，參照專利文獻1和2。)。
上述圖9和圖10的電路結(jié)構(gòu)基本是基于相同的思考方式而做成，但在圖9中的電路結(jié)構(gòu)中，對施加給相反并行連接的LED組的一方LED的逆向電壓，利用另一方LED的順向電壓進行鉗制，從而防止因逆向電壓造成的LED的破壞，不需要在電路上設(shè)置整流器。
另外，在圖9中的電路結(jié)構(gòu)中，所有LED借助半波整流電壓而亮燈，但在圖10中的電路結(jié)構(gòu)中，只有成為橋式接線電路的中央負荷的LED 5借助全波整流電壓而亮燈，其他4個LED 1～LED 4借助半波整流電壓而亮燈。并且，對4個LED 1～LED 4分別施加約相當于兩個LED的順向電壓的電壓，作為逆向電壓。
圖10中的電路結(jié)構(gòu)的LED照明裝置具體用于所有LED都利用紅色LED構(gòu)成的防災(zāi)燈等異常報警燈中。
專利文獻1日本實開昭58-158458號公報專利文獻2日本特開平5-2942號公報可是，在按照圖8的電路結(jié)構(gòu)制作LED照明裝置時，由于在照明裝置內(nèi)設(shè)置全波整流用的整流器，所以部件數(shù)量增加，導(dǎo)致照明裝置大型化，而且制作成本上升。
另一方面，在按照圖9和圖10的電路結(jié)構(gòu)制作LED照明裝置時，不需要設(shè)置整流器，但借助商用電源的半波整流電壓而亮燈的LED由于光量脈動的頻率較低，所以給人眼帶來閃爍感，存在欠缺作為照明裝置的照明質(zhì)量、商品性的問題。
這是因為人眼的視覺特性的臨界柔和頻率(觀看以一定頻率斷續(xù)發(fā)光的光時，不會感覺到閃爍的極限頻率)約為20Hz，借助商用頻率(東日本為50Hz，西日本為60Hz)的半波整流電壓而亮燈的LED的光還有視覺對明亮度變化的跟蹤性，而且臨界柔和頻率與平均亮度的大致對數(shù)成正比，所以亮度較高的點光源即LED具有臨界柔和頻率升高的趨勢，平面設(shè)置了多個LED的LED照明裝置中，為了縮短實現(xiàn)閃爍感覺的降低的時間條件，而容易感覺到面亮度分布波動。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的，其目的在于，提供一種LED照明裝置，該LED照明裝置為在通過直接施加商用電源而亮燈的、由多個LED構(gòu)成的LED照明裝置中，不需在內(nèi)部設(shè)置整流單元，即可降低閃爍感和面亮度分布波動感，而且照明質(zhì)量、商品性良好。
為了解決上述課題，本發(fā)明之一的LED照明裝置，該LED照明裝置利用橋式接線電路構(gòu)成，該電路具有由將陰極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第1LED芯片組；由將陽極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第2LED芯片組；在所述第1LED芯片組的陰極側(cè)連接陽極，在所述第2LED芯片組的陽極側(cè)連接陰極的第3LED芯片；以及所述第1LED芯片組的各個陽極和所述第2LED芯片組的各個陰極一對一連接的一對接點，該LED照明裝置的特征在于，所述第3LED芯片的活性層的面積為構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的活性層的面積的1.5～3倍。
此外，本發(fā)明之二的LED照明裝置，其特征在于，在上述發(fā)明中，所述第3LED芯片的活性層的面積為構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的活性層的面積的2.0～2.5倍。
并且，本發(fā)明之三的LED照明裝置，該LED照明裝置利用橋式接線電路構(gòu)成，該電路具有由將陰極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第1LED芯片組；由將陽極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第2LED芯片組；在所述第1LED芯片組的陰極側(cè)連接陽極，在所述第2LED芯片組的陽極側(cè)連接陰極的第3LED芯片；以及所述第1LED芯片組的各個陽極和所述第2LED芯片組的各個陰極一對一連接的一對接點，該LED照明裝置的特征在于，所述第3LED芯片的額定電流值為構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的額定電流值的兩倍。
此外，本發(fā)明之四的特征在于，在本發(fā)明之一至三中的任一發(fā)明中，構(gòu)成所述第1LED芯片組的兩個LED芯片和構(gòu)成所述第2LED芯片組的兩個LED芯片，分別被設(shè)置在隔著所述第3LED芯片呈十字狀相對的位置。
此外，本發(fā)明之五的特征在于，在本發(fā)明之一至三中的任一發(fā)明中，涂覆了至少一種熒光體，以覆蓋構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片及所述第3LED芯片。
本發(fā)明之六的特征在于，在本發(fā)明之一至三中的任一發(fā)明中，構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片被設(shè)置成為如下狀態(tài)構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的側(cè)邊與所述第3LED芯片的各個側(cè)面相對。
本發(fā)明之七的特征在于，在本發(fā)明之一至三中的任一發(fā)明中，所述第3LED芯片的設(shè)置面的高度與構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的設(shè)置面的高度不同。
本發(fā)明之八的特征在于，在本發(fā)明之一至三中的任一發(fā)明中，設(shè)置構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片以及所述第3LED芯片的范圍在直徑8mm的圓內(nèi)。
通過施加商用電源而亮燈的本發(fā)明的LED照明裝置，利用橋式接線電路結(jié)構(gòu)使5個LED芯片無電極化，而且隔著全波整流電流流過的1個LED芯片，使同相的半波整流電流流過的LED芯片彼此呈十字狀對峙，并且使相位偏移了180°(半周期)的半波整流電流流過被大致設(shè)置于垂直方向的各個LED芯片之間。另外，限定5個LED芯片的設(shè)置范圍，利用熒光體密封所有LED芯片。
因此，盡管內(nèi)部沒有整流單元，但能夠直接利用商用電源亮燈，而且減輕亮燈時基于商用頻率的亮燈閃爍，并且降低面亮度分布波動感，從而可以實現(xiàn)照明質(zhì)量、商品性良好的LED照明裝置。


圖1是本發(fā)明的LED照明裝置的實施例1的俯視圖。
圖2是圖1的A-A剖面圖。
圖3是本發(fā)明的LED照明裝置的實施例1的電路圖。
圖4是本發(fā)明的LED照明裝置的實施例1的電流波形圖。
圖5是本發(fā)明的LED照明裝置的實施例2的俯視圖。
圖6是圖5的A-A剖面圖。
圖7是本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的LED芯片的配置圖。
圖8是以往的LED照明裝置的電路圖。
圖9是以往的其他LED照明裝置的電路圖。
圖10是以往的其他LED照明裝置的電路圖。
具體實施例方式
在利用商用電源直接亮燈的LED照明裝置中，通過優(yōu)化LED芯片的電路結(jié)構(gòu)和設(shè)置方法，實現(xiàn)了減輕閃爍感、提高照明質(zhì)量和商品性的目的。
以下，參照圖1～圖7具體說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式(對相同部分賦予相同符號)。另外，以下敘述的實施方式是本發(fā)明的優(yōu)選具體示例，所以在技術(shù)上進行了各種優(yōu)選限定，但本發(fā)明的范圍只要在以下說明中沒有特別限定本發(fā)明的描述，就不限于這些實施方式。
實施例1圖1是本發(fā)明的LED照明裝置的實施例1的俯視圖，圖2是圖1的A-A剖面圖，圖3是電路圖，圖4是電流波形圖。
本發(fā)明的LED照明裝置1的光源部利用LED芯片1～LED芯片5這5個LED芯片構(gòu)成，所有LED芯片在上側(cè)形成有陽極電極，在下側(cè)形成有陰極電極。用于安裝LED芯片的管殼2使用金屬管或陶瓷載體，具有大致圓形狀的內(nèi)底面3、和從該內(nèi)底面3的緣部相對內(nèi)底面3大致垂直立起的側(cè)壁4，在管殼2的下方設(shè)有被從該管殼2的內(nèi)底面3導(dǎo)出到外部的引線5a、5b。
在管殼的內(nèi)底面形成有被分離為4個部分的導(dǎo)體圖形6a、6b、6c、6d，其中的兩個導(dǎo)體圖形6a、6b分別連接引線5a、5b并且電氣導(dǎo)通。
并且，在內(nèi)底面3的中央部，在導(dǎo)體圖形6d上設(shè)有LED芯片5，在隔著LED芯片5相對的位置，在導(dǎo)體圖形6c和導(dǎo)體圖形6a上分別設(shè)有LED芯片1和LED芯片3，同樣在與連接所述LED芯片1和LED芯片3的線大致垂直的方向上隔著LED芯片5相對的位置，在導(dǎo)體圖形6c和導(dǎo)體圖形6b上分別設(shè)有LED芯片2和LED芯片4。由此，各個LED芯片的下側(cè)電極與設(shè)有該LED芯片的導(dǎo)體圖形電氣導(dǎo)通。
LED芯片1的上側(cè)電極通過接合線7連接導(dǎo)體圖形6b，LED芯片2的上側(cè)電極通過接合線7連接導(dǎo)體圖形6a，LED芯片3和LED芯片4的上側(cè)電極通過接合線7連接導(dǎo)體圖形6d，LED芯片5的上側(cè)電極通過接合線7連接導(dǎo)體圖形6c。由此，各個LED芯片的上側(cè)電極與通過接合線連接的導(dǎo)體圖形電氣導(dǎo)通。
并且，LED芯片1～LED芯片5是對峙的，使得LED芯片1～LED芯片4的各個側(cè)面與LED芯片5大致平行。
該情況時，優(yōu)選LED芯片1～LED芯片4的所有高度和主光射出面的面積(相當于活性層的面積)大致相等，但LED芯片5的高度與LED芯片1～LED芯片4大致相等，而主光射出面的面積約為它們的1.5～3倍。
這是因為LED芯片5的元件結(jié)構(gòu)、即電流擴散層厚度、層電阻、圖形結(jié)構(gòu)和熱擴散結(jié)構(gòu)等存在差異，所以把PN結(jié)溫度和發(fā)光的微分效率等參數(shù)作為指標進行選定。如果LED芯片5的元件結(jié)構(gòu)與LED芯片1～LED芯片4相同，則更優(yōu)選主光射出面的面積約為它們的2.0～2.5倍。
另外，至少涂覆一種熒光體8，并在其上填充透光性樹脂9，以覆蓋LED芯片1～LED芯片5和接合線。
熒光體的作用如下，通過在LED芯片上涂覆熒光體，利用從LED芯片射出的光激勵熒光體并轉(zhuǎn)換波長，可以得到色調(diào)與LED芯片的所發(fā)的光不同的光。例如，如果從LED芯片射出的光是藍色光，通過使用被藍色光激勵并將波長轉(zhuǎn)換為作為藍色的補色的黃色光的熒光體，借助從LED芯片射出的藍色光的一部分激勵熒光體并轉(zhuǎn)換波長后的黃色光、與從LED芯片射出的藍色光的加法混色，可以產(chǎn)生白色光。
同樣，在從LED芯片射出的光是藍色光時，通過使用被藍色光激勵并且波長分別轉(zhuǎn)換為綠色光和紅色光的兩種熒光體的混合物，借助從LED芯片射出的藍色光的一部分激勵熒光體并轉(zhuǎn)換波長后的綠色光和紅色光、與從LED芯片射出的藍色光的加法混色，也可以產(chǎn)生白色光。
并且，在從LED芯片射出的光是紫外光時，通過使用被紫外光激勵并且波長分別轉(zhuǎn)換為藍色光、綠色光和紅色光的三種熒光體的混合物，借助從LED芯片射出的紫外光激勵熒光體并轉(zhuǎn)換波長后的藍色光、綠色光和紅色光的加法混色，也可以產(chǎn)生白色光。另外，通過適當組合從LED芯片射出的光的波長和熒光體種類，可以獲得除白色光以外的各種色調(diào)的光。
圖3利用電路圖表示LED芯片1～LED芯片5的電氣連接。LED芯片1的陰極、LED芯片2的陰極和LED芯片5的陽極相連接，LED芯片3的陽極、LED芯片4的陽極和LED芯片5的陰極相連接。并且，LED芯片1的陽極和LED芯片4的陰極相連接構(gòu)成輸入輸出端a，LED芯片2的陽極和LED芯片3的陰極相連接構(gòu)成輸入輸出端b。
該接線方法被稱為橋式接線，在向輸入輸出端a和輸入輸出端b之間施加像商用電源那樣的交流電源時，在輸入輸出端a的電壓高于輸入輸出端b時，電流按照輸入輸出端a～LED芯片1～LED芯片5～LED芯片3～輸入輸出端b的路徑順序流過，輸入輸出端b的電壓高于輸入輸出端a時，電流按照輸入輸出端b～LED芯片2～LED芯片5～LED芯片4～輸入輸出端a的路徑順序流過。
此時，流過各個LED芯片的電流的波形如圖4所示。在LED芯片1～LED芯片4流過半波整流電流，在LED芯片5流過全波整流電流。并且，LED芯片1～LED芯片4被設(shè)置在隔著全波整流電流流過的LED芯片5大致呈十字狀對峙的位置，隔著LED芯片5相對的LED芯片1和LED芯片3、LED芯片2和LED芯片4分別流過同相的半波整流電流，而且被設(shè)置在大致垂直方向的各個LED芯片(LED芯片1、LED芯片3和LED芯片2、LED芯片4)流過相位相差180°(半周期)的半波整流電流。因此，LED芯片1、LED芯片3和LED芯片2、LED芯片4的亮燈定時也錯開半周期。
在向這樣構(gòu)成的橋式接線電路施加了商用電源時，流過LED芯片1～LED芯片4的是半波整流電流，而流過LED芯片5的電流是全波整流電流。因此，流過各個LED芯片的平均電流為LED芯片5約是LED芯片1～LED芯片4的兩倍。因此，在LED芯片1～LED芯片5的主光射出面(活性層)的面積大致相等時，可以流過的電流按照LED芯片5的額定電流確定，此時的LED芯片1～LED芯片4只流過額定電流的大致一半的電流，處于不能有效發(fā)揮發(fā)光性能的狀態(tài)。
對此，本發(fā)明的LED照明裝置通過把LED芯片5的額定電流設(shè)為LED芯片1～LED芯片4的額定電流的大致兩倍，可以有效活用LED芯片1～LED芯片5的所有LED芯片的額定電流。因此，優(yōu)選把LED芯片5的主光射出面的面積設(shè)為LED芯片1～LED芯片4的大致1.5～3.0倍。另外，在LED芯片5的元件結(jié)構(gòu)與LED芯片1～LED芯片4相同的條件下，更優(yōu)選設(shè)為約2.0～2.5倍。
另外，通過增大被全波整流電流驅(qū)動的LED芯片5的光射出面(活性層)的面積，提高從LED照明裝置射出的光量中，從被全波整流電流驅(qū)動的LED芯片5射出的光的比率，所以從照明裝置射出的光的閃爍降低，并且可以降低面亮度分布波動。特別是通過熒光體射出到外部的光，由于從LED芯片射出的光的閃爍而形成的時間性色調(diào)變化顯著。因此，通過優(yōu)化LED芯片的設(shè)置方法和光射出面的大小，可以減少利用商用電源亮燈時產(chǎn)生的閃爍感，從而可以獲得色調(diào)穩(wěn)定的光。
實施例2圖5是本發(fā)明的LED照明裝置的實施例2的俯視圖，圖6是圖5的A-A剖面圖。本實施例除了LED芯片1～LED芯片4和LED芯片5的設(shè)置方向及高度的關(guān)系不同外，其他與實施例1相同。
首先，說明設(shè)置方向，為了減輕接近設(shè)置的LED芯片5和LED芯片1～LED芯片4分別射出的光相互吸收、并降低了光取出效率的吸收損失，確保兩者的間隔約為幾百μm是非常重要的，但如圖5所示，通過設(shè)置成使LED芯片1～LED芯片4的側(cè)邊(棱)11與LED芯片5的側(cè)面相對，也可以減輕吸收損失。
說明LED芯片的高度，如圖6所示，提高設(shè)于中央部的LED芯片5的設(shè)置面12，使LED芯片5的高度高于接近LED芯片5設(shè)置的LED芯片1～LED芯片4，使LED芯片5的活性層的位置高于其他LED芯片1～LED芯片4的高度，從而減輕吸收損失。即，利用上述LED芯片的設(shè)置方向和高度的相乘效果，大幅降低吸收損失，極力減小從LED芯片射出的光中作為照明裝置的射出光沒有貢獻的光的比率，提高光取出效率，實現(xiàn)明亮的LED照明裝置。
LED芯片1～LED芯片5的設(shè)置范圍如圖7所示，被設(shè)定為收納在直徑大約8mm的圓內(nèi)。這是為了在從距離50cm的距離處觀看照明裝置時，對應(yīng)從5個LED芯片分別射出的光相互重疊并相互增強明亮度的范圍的極限視覺1°而設(shè)定的。
另外，在上述實施例1和實施例2中，涂覆熒光體以覆蓋LED芯片和接合線，并在其上填充了透光性樹脂，但也可以利用透光性樹脂對LED芯片和接合線進行樹脂密封。該情況時，可以在透光性樹脂上涂覆熒光體，也可以不涂覆熒光體。
如以上說明的那樣，可以直接利用商用電源亮燈的本發(fā)明的LED照明裝置，將5個LED芯片利用橋式接線電路電連接，并且將流過半波整流電流的其他4個LED芯片設(shè)置在隔著流過全波整流電流的LED芯片5大致呈十字狀對峙的位置，而且使大致被設(shè)置在垂直方向的各個LED芯片流過相位相差180°(半周期)的半波整流電流。另外，限定5個LED芯片的設(shè)置范圍，利用熒光體密封LED芯片。
因此，可以提供一種LED照明裝置，該LED照明裝置盡管內(nèi)部沒有整流單元，但能夠直接利用商用電源亮燈，而且減輕亮燈時基于商用頻率的亮燈閃爍，并且還降低面亮度分布波動感，且照明質(zhì)量、商品性良好。
權(quán)利要求
1.一種LED照明裝置，該LED照明裝置利用橋式接線電路構(gòu)成，該電路具有由將陰極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第1LED芯片組；由將陽極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第2LED芯片組；在所述第1LED芯片組的陰極側(cè)連接陽極，在所述第2LED芯片組的陽極側(cè)連接陰極的第3LED芯片；以及所述第1LED芯片組的各個陽極和所述第2LED芯片組的各個陰極一對一連接的一對接點，該LED照明裝置的特征在于，所述第3LED芯片的活性層的面積為構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的活性層的面積的1.5～3倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED照明裝置，其特征在于，所述第3LED芯片的活性層的面積為構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的活性層的面積的2.0～2.5倍。
3.一種LED照明裝置，該LED照明裝置利用橋式接線電路構(gòu)成，該電路具有由將陰極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第1LED芯片組；由將陽極彼此連接的兩個LED芯片構(gòu)成的第2LED芯片組；在所述第1LED芯片組的陰極側(cè)連接陽極，在所述第2LED芯片組的陽極側(cè)連接陰極的第3LED芯片；以及所述第1LED芯片組的各個陽極和所述第2LED芯片組的各個陰極一對一連接的一對接點，該LED照明裝置的特征在于，所述第3LED芯片的額定電流值為構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的額定電流值的兩倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的LED照明裝置，其特征在于，構(gòu)成所述第1LED芯片組的兩個LED芯片和構(gòu)成所述第2LED芯片組的兩個LED芯片，分別被設(shè)置在隔著所述第3LED芯片呈十字狀相對的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的LED照明裝置，其特征在于，該LED照明裝置涂覆了至少一種熒光體，以覆蓋構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片及所述第3LED芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的LED照明裝置，其特征在于，構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片被設(shè)置成為如下狀態(tài)構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的側(cè)邊與所述第3LED芯片的各個側(cè)面相對。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的LED照明裝置，其特征在于，所述第3LED芯片的設(shè)置面的高度與構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片的設(shè)置面的高度不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項所述的LED照明裝置，其特征在于，設(shè)置構(gòu)成所述第1LED芯片組和所述第2LED芯片組的各個LED芯片以及所述第3LED芯片的范圍在直徑8mm的圓內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供LED照明裝置。以往內(nèi)部沒有整流單元的LED照明裝置，存在利用商用電源亮燈時能夠感覺到閃爍，而且欠缺照明質(zhì)量、商品性的問題。本發(fā)明的LED照明裝置，利用5個LED芯片構(gòu)成橋式接線電路，將流過半波整流電流的其他4個LED芯片設(shè)置在隔著流過全波整流電流的LED芯片(5)大致呈十字狀對峙的位置，而且使大致被設(shè)置在垂直方向的各個LED芯片流過相位相差180°(半周期)的半波整流電流。另外，限定5個LED芯片的設(shè)置范圍，利用熒光體(8)密封所有LED芯片。
文檔編號H01L25/075GK1956191SQ20061013747
公開日2007年5月2日 申請日期2006年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月28日
發(fā)明者滝川洋志 申請人:斯坦雷電氣株式會社