專利名稱：側(cè)面發(fā)光二極管封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種大功率發(fā)光二極管(LED)封裝件，具體地，在該封裝件中，側(cè)壁高度被縮短，以改進(jìn)發(fā)射光的光束孔徑角特性、增加光通量、并防止側(cè)壁的模塑缺陷。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)不具備自身的光源，因此需要通常被稱為背光單元的外部照明。背光單元從后方照亮LCD，并使用冷陰極熒光燈(CCFL)或LED作為光源。
圖1和圖2示出了LCD常用的背光單元1。參照圖1和圖2，背光單元1包括多個(gè)LED封裝件10、光導(dǎo)向板20、反射片24、散射片26、和一對棱鏡片28。對于這樣的布置，從LED封裝件10入射到光導(dǎo)向板20的光射向上方的LCD面板30，為LCD提供背光。
對其進(jìn)行更詳細(xì)的描述，LED封裝件10包括LED芯片12；陰極和陽極引線14，用于為置于其上的LED芯片12供電；封裝件本體16，其保持引線14；以及透明樹脂的密封劑18，其被填充到封裝件本體16的腔室C中，以封裝LED芯片12，如圖3和圖4所示。
由LED芯片12產(chǎn)生的光束L1至L3被引導(dǎo)到光導(dǎo)向板20內(nèi)，并在光點(diǎn)圖形22處分散之前在光導(dǎo)向板20內(nèi)傳播。當(dāng)光束L1在光點(diǎn)圖形22處向上分散時(shí)，其退出光導(dǎo)向板20，從而穿過散射板26和棱鏡片28而到達(dá)LED面板30。
參照圖3和圖4更詳細(xì)地描述LED封裝件10，其中LED封裝件10的填充有密封劑18的腔室C的深度d通常為600μm至650μm。深度d主要取決于LED芯片12的安裝高度t、導(dǎo)線W的環(huán)路高度h1、以及從導(dǎo)線W直到密封劑18的頂表面的高度h2。
當(dāng)深度d具有更大的值時(shí)，從LED芯片12頂表面到密封劑18頂表面的高度h1+h2也增加。但是，這將帶來以下問題。
首先，這限制了從LED封裝件10發(fā)射出的光的光束孔徑角α。當(dāng)光束孔徑角α更小時(shí)，背光單元1將使用更多的LED封裝件10。
第二，如從圖5所看到的，當(dāng)由LED芯片12產(chǎn)生的光束L1沿箭頭A方向發(fā)射時(shí)，部分光束L1撞到LED封裝件10的側(cè)壁17。當(dāng)撞到側(cè)壁17時(shí)，光束L1由于例如吸收/分散而損失。這減少了從LED封裝件10發(fā)射出來的總體光通量。當(dāng)側(cè)壁17越高，即圖4中的腔室深度d越大時(shí)，光通量減少的越多。
第三，更高的側(cè)壁17可能更容易導(dǎo)致諸如側(cè)壁17的上部或下部中空虛(void)等的模塑缺陷。所述的模塑缺陷尤其可能發(fā)生在圖3中以附圖標(biāo)記I表示的部分中。由于模塑缺陷，LED封裝件10的性能會降低，并且有時(shí)將被棄用。

發(fā)明內(nèi)容
已經(jīng)構(gòu)思了本發(fā)明來解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，因此，本發(fā)明的一方面在于提供一種側(cè)面發(fā)光LED封裝件，其中側(cè)壁的高度被縮短，以改進(jìn)發(fā)射光的光束孔徑角特性、增加光通量、并防止側(cè)壁的模塑缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，用于背光單元的側(cè)面發(fā)光LED封裝件包括封裝件本體，其具有腔室，該腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內(nèi)側(cè)壁；第一和第二引線框架，其布置于封裝件本體中，封裝件本體的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引線框架中的至少一個(gè)的一部分暴露于外部；發(fā)光二極管芯片，其安裝在腔室的底部，以電連接至第一和第二引線框架；以及透明密封劑，其布置于圍繞發(fā)光二極管芯片的腔室中。腔室具有的深度大于發(fā)光二極管芯片的安裝高度，并且不超過該安裝高度的六倍。
發(fā)光二極管芯片的安裝高度可以是50μm到200μm。這里，腔室的深度優(yōu)選地是200μm到480μm。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種降低導(dǎo)線高度的方法，因?yàn)閷?dǎo)線是限制腔室深度的降低的一個(gè)因素。根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)方面的側(cè)面發(fā)光LED封裝件包括封裝件本體，其具有腔室，該腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內(nèi)側(cè)壁；第一和第二引線框架，其布置于封裝件本體中，封裝件本體的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引線框架中的至少一個(gè)的一部分暴露于外部；發(fā)光二極管芯片，其安裝在腔室的底部，以電連接至第一和第二引線框架；透明密封劑，其布置于圍繞發(fā)光二極管芯片的腔室中；以及導(dǎo)線，用于將發(fā)光二極管芯片電連接至第一和第二引線框架中的至少一個(gè)，該導(dǎo)線的一端連接至發(fā)光二極管芯片的隆起焊球(bump ball)，而另一端自動點(diǎn)焊至引線框架。這里，腔室的深度是200μm至480μm。
在這種情況下，導(dǎo)線的從LED芯片頂部到導(dǎo)線頂部的高度可以優(yōu)選地降低至100μm或更少，并且更優(yōu)選地降低到大約70μm。因此，上述的結(jié)合對于將腔室深度設(shè)置成較小值是有利的。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，提供了一種適于設(shè)計(jì)腔室的方法，該方法考慮到了相對于封裝件本體的相對較低的深度和塑?？沙尚涡远?，在透明的密封液態(tài)樹脂的填充過程中的方便性。此方面的側(cè)面發(fā)光LED封裝件包括封裝件本體，其具有腔室，該腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內(nèi)側(cè)壁；第一和第二引線框架，其布置于封裝件本體中，封裝件本體的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引線框架中的至少一個(gè)的一部分暴露于外部；發(fā)光二極管芯片，其安裝在腔室的底部，以電連接至第一和第二引線框架；以及透明密封劑，其布置于圍繞發(fā)光二極管芯片的腔室中。這里，腔室的深度可以是200μm至480μm，腔室可以具有沿短軸方向的第一寬度和沿垂直于短軸方向的長軸方向的第二寬度，并且腔室的第二寬度在腔室的底部處可以是1.5mm至1.7mm?？紤]到側(cè)壁的傾斜角度，腔室的第二寬度在腔室的頂端處優(yōu)選地是2.0mm至2.5mm。


通過以下結(jié)合附圖對實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更易于理解，附圖中圖1是示出了結(jié)合側(cè)面發(fā)光LED封裝件的普通背光單元的透視圖；圖2是圖1所示的背光單元的透視平面圖；圖3是傳統(tǒng)側(cè)面發(fā)光LED封裝件的正視圖；圖4是沿圖3中的線4-4截取的橫截面視圖；
圖5是示出了由圖4所示LED封裝件中的側(cè)壁吸收光的橫截面視圖；圖6是示出了本發(fā)明的LED封裝件的橫截面視圖；圖7是示出了本發(fā)明的LED封裝件內(nèi)的典型引線接合的橫截面視圖；圖8是示出了本發(fā)明的LED封裝件內(nèi)的另一典型引線接合的橫截面視圖；圖9是示出了從本發(fā)明的LED封裝件發(fā)射光的橫截面視圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明LED封裝件的幾個(gè)變型的亮度水平的示圖；圖11是示出了本發(fā)明LED封裝件的光束孔徑角特性的示圖；圖12是示出了傳統(tǒng)LED封裝件的光束孔徑角特性的示圖；圖13至圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明LED封裝件的幾個(gè)變型的光束孔徑角特性的示圖；圖16是示出了依照LED封裝件中的凹部寬度而注射模塑封裝件本體時(shí)的缺陷百分率的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下文將參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述，附圖中示出了本圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED封裝件100的橫截面視圖。
參照圖6，本發(fā)明的側(cè)面發(fā)光LED封裝件100適用于圖1所示的背光單元1。LED封裝件100包括LED芯片102；第一和第二引線框架104，用于為置于其上的LED芯片102供電；封裝件本體106，其被注射塑模以保持第一和第二引線框架104；以及透明樹脂的密封劑108，其填充在封裝件本體106的腔室C中，以封裝LED芯片102。
根據(jù)本發(fā)明此實(shí)施例的LED封裝件100在腔室C方面具有改進(jìn)，以便改進(jìn)光通量和光束孔徑角。LED封裝件100的側(cè)壁的高度，即腔室C的深度，被設(shè)置為大于LED芯片102的高度t，但不會超過高度t的六倍。考慮到普通LED芯片的安裝高度(例如，在50μm到200μm范圍內(nèi))，腔室C的深度d被設(shè)定為200μm至480μm。這明顯地小于前述的傳統(tǒng)LED封裝件10的腔室深度(600μm至650μm)(見圖4)。
因此，從LED封裝件100發(fā)射出的光的光束孔徑角可以被改進(jìn)成有利地適用于背光單元。對其進(jìn)行更詳細(xì)的描述，在用于背光單元的情況下，具有較大光束孔徑角的LED封裝件相對于具有較小光束孔徑角的LED封裝件來說在數(shù)量上可以減少。
這種結(jié)構(gòu)還降低了從LED芯片102產(chǎn)生的光撞到側(cè)壁107的可能性，從而可以降低通過側(cè)壁107的光吸收/分散，以提高LED封裝件100發(fā)射出的光通量。
圖9示出了由本實(shí)施例的LED封裝件100發(fā)射的光。如圖9所示，當(dāng)光束L從LED芯片102的焦點(diǎn)F發(fā)射時(shí)，大多數(shù)的光束L沿箭頭A的方向前進(jìn)，而不會撞到側(cè)壁107。這可以大大地減少光損失，從而大大地提高了光強(qiáng)度。
而且，隨著腔室C深度d的降低，側(cè)壁107的高度也降低。這可以有利地防止由圖3中的附圖標(biāo)記I表示的模塑缺陷，否則的話，該模塑缺陷在封裝件本體的注射塑模時(shí)很容易發(fā)生。
由于本實(shí)施例的LED封裝件100在腔室C的深度d方面被調(diào)節(jié)，可以改進(jìn)作為光源的LED封裝件100的性能，并且減少注射塑模中的任何缺陷。
通常，如圖6所示，側(cè)面發(fā)光LED封裝件100具有LED芯片102與第一和第二LED框架104的電連接，該電連接可以通過導(dǎo)線W實(shí)現(xiàn)。
在這種情況下，需要腔室深度大于導(dǎo)線高度h11+t，從而作為電連接件而設(shè)置的導(dǎo)線W可以布置在透明密封劑內(nèi)部。這樣，導(dǎo)線W變成限制腔室C的深度d降低的一個(gè)因素。為了克服這個(gè)問題，本發(fā)明的一方面提供了一種降低導(dǎo)線高度的方法。
現(xiàn)在，將參照圖7和圖8描述LED封裝件內(nèi)部的引線接合。
圖7和圖8中的每個(gè)均示出了借助于粘合層103安裝在引線框架104上的LED芯片102。
參照圖7，導(dǎo)線W的一端利用隆起焊球連接至LED芯片102。在另一端，導(dǎo)線W端接于連接至引線框架104的接縫(stitch)S。
對于這種類型的引線接合，導(dǎo)線W的從LED芯片102到導(dǎo)線環(huán)路頂部的高度h′11可以被降低至150μm。但是，進(jìn)一步降低導(dǎo)線W的高度h′11是有困難的。這是因?yàn)閷?dǎo)線在結(jié)合到LED芯片102之后應(yīng)該在LED芯片102上方形成環(huán)路。
相反，參照圖8，導(dǎo)線W在一端利用隆起焊球B被結(jié)合到引線框架104，而在另一端端接于LED芯片102上的接縫S，以將LED芯片102與引線框架104電連接。
在這種布置中，導(dǎo)線在LED芯片102之上的高度h″11可以進(jìn)一步從如圖7所示的高度降低。這是因?yàn)?，?dāng)導(dǎo)線W從引線框架104(導(dǎo)線W利用隆起焊球B結(jié)合于此)向上形成環(huán)路至總高度(＝h″11+t)時(shí)，LED芯片的安裝高度t被包含在導(dǎo)線環(huán)路的總高度之內(nèi)。
即，當(dāng)利用相同設(shè)備和方法進(jìn)行圖7和圖8所示的引線接合過程時(shí)，圖8所示的導(dǎo)線W的總高度h″11+t可以與圖7所示的導(dǎo)線在LED芯片102之上的高度h′11基本相同。因此，圖8的腔室深度d可以被設(shè)定為顯著地小于圖7的腔室深度。
在圖8的引線接合中，導(dǎo)線W在LED芯片102之上的高度h″11可以降低至大約100μm或更小，優(yōu)選地，降低至大約70μm。
對于上述的引線接合，可以相對于現(xiàn)有技術(shù)顯著地降低引線接合所需的高度，從而顯著地降低腔室深度d。
因此，對于如圖8所示的引線接合結(jié)構(gòu)，可以容易地制造具有200μm至480μm范圍內(nèi)的腔室深度的側(cè)面發(fā)光LED封裝件。
考慮到在不采用引線接合結(jié)構(gòu)的情況下，導(dǎo)線W的總高度h″11+t或LED芯片的最大安裝高度時(shí)，腔室深度d優(yōu)選地可以是200μm或更大，以確保將封裝LED芯片和/或?qū)Ь€的透明樹脂的適宜厚度，而不會暴露于外部環(huán)境。
考慮到隨后的透明樹脂填充過程，為了進(jìn)一步提高由于腔室方面的改進(jìn)而產(chǎn)生的效果，腔室深度更優(yōu)選地是250μm至400μm，并且進(jìn)一步優(yōu)選地是大約300μm。
在另一方面，本發(fā)明提供了一種適當(dāng)控制腔室寬度的方法，該方法考慮到了用于透明密封劑的樹脂填充過程以及封裝件本體的注射塑模時(shí)的缺陷百分率。
參照圖6所示的側(cè)面發(fā)光LED封裝件100，還可以期望腔室深度d更小。但是，具有的缺點(diǎn)是，更小的腔室深度d導(dǎo)致樹脂填充過程出現(xiàn)困難。因此需要精準(zhǔn)的程序?qū)⒅T如硅樹脂的透明樹脂填充到腔室C內(nèi)，以形成透明密封劑108。具體地說，由于當(dāng)腔室深度d減小時(shí)整個(gè)腔室C變得更小，所以需要精準(zhǔn)地將少量樹脂注射到腔室內(nèi)。
通常，腔室具有沿最短寬度方向的第一寬度(即橫向?qū)挾?和沿垂直于橫向的最長寬度方向的第二寬度(即縱向?qū)挾?。在這種情況下，樹脂填充過程可以有效地執(zhí)行。
但是，當(dāng)腔室的縱向?qū)挾冗^度增加時(shí)，注射塑?？赡苋菀讓?dǎo)致對于封裝件本體107的缺陷，如參照圖3所示和所描述的。因此，腔室的縱向?qū)挾葍?yōu)選地被限制在預(yù)定范圍內(nèi)。
在其它因素保持不變的情況下，通過將腔室縱向?qū)挾葟?.0mm增加至3.0mm，本發(fā)明對所得到的封裝件進(jìn)行注射塑模時(shí)的缺陷百分率進(jìn)行了研究。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)，當(dāng)腔室的縱向?qū)挾萈1超過2.5mm時(shí)，注射塑模時(shí)的缺陷百分率急劇上升，如圖16所示的曲線圖。
鑒于這樣的結(jié)果，腔室C的頂部處的縱向?qū)挾萈1優(yōu)選地設(shè)定為2.0mm至2.5mm?？紤]到內(nèi)側(cè)壁為了反射而傾斜的角度，腔室C的底部處的縱向?qū)挾萈2優(yōu)選地設(shè)定為1.5mm至1.7mm。
這樣，當(dāng)腔室縱向?qū)挾萈(P1、P2)與腔室深度d一起被控制時(shí)，可以提供更好的側(cè)面發(fā)光LED封裝件。
圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明LED封裝件的幾個(gè)變型的亮度水平的示圖。用于此實(shí)施例中的LED封裝件具有如下結(jié)構(gòu)大約80μm的LED安裝高度；以及大約170μm至180μm的導(dǎo)線高度(直到包含LED安裝高度的導(dǎo)線的頂部)。
圖10中，A表示具有300μm的腔室深度以及1.5mm(底部)和2.0mm(頂部)的腔室縱向?qū)挾鹊腖ED封裝件；B表示具有300μm的腔室深度以及1.5mm(底部)和2.2mm(頂部)的腔室縱向?qū)挾鹊腖ED封裝件；C表示具有300μm的腔室深度以及1.7mm(底部)和2.2mm(頂部)的腔室縱向?qū)挾鹊腖ED封裝件；D表示具有400μm的腔室深度以及1.5mm(底部)和2.0mm(頂部)的腔室縱向?qū)挾鹊腖ED封裝件；以及E表示具有400μm的腔室深度以及1.7mm(底部)和2.2mm(頂部)的腔室縱向?qū)挾鹊腖ED封裝件。這里，各封裝件使用具有18mW輸出功率的LED芯片。
如圖10所示，當(dāng)腔室深度越大時(shí)，亮度越大。當(dāng)然，側(cè)壁的角度，即底部處的腔室縱向?qū)挾扰c頂部處的腔室縱向?qū)挾鹊谋戎狄灿绊懥炼?。但是，寬度比值相對于腔室深度來說比較不重要。
圖11是示出了本發(fā)明LED封裝件的光束孔徑角特性的示圖，而圖12是示出了傳統(tǒng)LED封裝件的光束孔徑角特性的示圖。圖11和12中所使用的LED封裝件具有類似于圖10所示的芯片安裝高度和導(dǎo)線高度。
不同之處在于，本發(fā)明的側(cè)面發(fā)光LED封裝件具有300μm的腔室深度，而傳統(tǒng)側(cè)面發(fā)光LED封裝件具有650μm的腔室深度。
觀察LED封裝件的光束孔徑角特性，本發(fā)明的LED封裝件具有沿X軸(LED封裝件的寬度方向)的114.2°的光束孔徑角以及沿Y軸(LED封裝件的垂直于寬度方向的厚度方向)的115.3°的光束孔徑角。另一方面，傳統(tǒng)LED封裝件具有沿X軸的111.5°的光束孔徑角以及沿Y軸的91.7°的光束孔徑角。從這些數(shù)值中可以明顯地看到，本發(fā)明中改進(jìn)了光束孔徑角特性。
圖13至圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明LED封裝件的幾個(gè)變型的光束孔徑角特性的示圖。
制造出了本發(fā)明LED封裝件的三個(gè)變型，并觀察了根據(jù)各LED封裝件變型的光束孔徑角。
圖13中的LED封裝件具有500μm的腔室深度，其中透明樹脂是可從日本的Otsuka公司獲得的NMW114WA，并且熒光材料是G3，它們以12∶1的比例混合。從圖13中觀察到的LED封裝件的光束孔徑角A，沿較長軸線(即LED封裝件的寬度方向)是119.6°，而沿較短軸線是105.8°。
圖14中的LED封裝件具有400μm的腔室深度，其中熒光材料透明樹脂是可從日本Otsuka公司獲得的NMW114WA，并且熒光材料是G3，它們以12∶1的比例混合。圖14中觀察到的LED封裝件的光束孔徑角A沿較長軸線(即LED封裝件的寬度方向)是121.6°，而沿較短軸線是114.8°。
圖15中的LED封裝件具有400μm的腔室深度，其中透明樹脂是可從日本Otsuka公司獲得的NMW114WA，并且熒光材料是TAG，它們以12∶1的比例混合。圖1 5中觀察到的LED封裝件的光束孔徑角A沿較長軸線(即LED封裝件的寬度方向)是120.7°，而沿較短軸線是118.7°。
在上文所描述的本發(fā)明的側(cè)面發(fā)光LED封裝件中，側(cè)壁的高度被縮短了，以改進(jìn)發(fā)射光的光束孔徑角特性，增加光通量、并防止側(cè)壁的模塑缺陷。
雖然參照具體示例性實(shí)施例以及附圖已經(jīng)描述了本發(fā)明，但本發(fā)明并不僅限于此，所附權(quán)利要求將對本發(fā)明做出限定。應(yīng)該理解，在不背離本發(fā)明的范圍和精神的前提下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將實(shí)施例替換、改變、或改進(jìn)成各種形式。
權(quán)利要求
1.一種用于背光單元的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，包括封裝件本體，其具有腔室，所述腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內(nèi)側(cè)壁；第一和第二引線框架，其布置在所述封裝件本體中，所述封裝件本體的所述腔室使得置于所述腔室底部的所述第一和第二引線框架中的至少一個(gè)的一部分暴露于外部；發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述腔室的底部，以電連接至所述第一和第二引線框架；以及透明密封劑，其布置在圍繞所述發(fā)光二極管芯片的所述腔室中，其中，所述腔室具有的深度大于所述發(fā)光二極管芯片的安裝高度，并且不超過所述安裝高度的六倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管芯片的所述安裝高度是50μm至200μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述腔室的所述深度是200μm至480μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，進(jìn)一步包括導(dǎo)線，所述導(dǎo)線用于將所述發(fā)光二極管芯片電連接至所述第一和第二引線框架中的至少一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述導(dǎo)線的一端連接至所述發(fā)光二極管芯片的隆起焊球，而另一端自動點(diǎn)焊至所述引線框架。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述導(dǎo)線布置的方式使得，從所述發(fā)光二極管芯片的頂表面到所述導(dǎo)線的頂端的高度是100μm或更少。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求1中任一項(xiàng)所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述腔室具有沿短軸方向的第一寬度以及沿垂直于所述短軸方向的長軸方向的第二寬度，并且其中，所述腔室的所述第二寬度在所述腔室的底部處是1.5mm至1.7mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述腔室的所述第二寬度在所述腔室的頂端處是2.0mm至2.5mm。
9.一種用于背光單元的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，包括封裝件本體，其具有腔室，所述腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內(nèi)側(cè)壁；第一和第二引線框架，其布置在所述封裝件本體中，所述封裝件本體的所述腔室使得置于所述腔室底部的所述第一和第二引線框架中的至少一個(gè)的一部分暴露于外部；發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述腔室的底部，以電連接至所述第一和第二引線框架；透明密封劑，其布置在圍繞所述發(fā)光二極管芯片的所述腔室中；以及導(dǎo)線，用于將所述發(fā)光二極管芯片電連接至所述第一和第二引線框架中的至少一個(gè)，所述導(dǎo)線的一端連接至所述發(fā)光二極管芯片的隆起焊球，而另一端自動點(diǎn)焊至所述引線框架，其中，所述腔室的深度是200μm至480μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述導(dǎo)線布置的方式使得，從所述發(fā)光二極管芯片的頂表面到所述導(dǎo)線的頂端的高度是100μm或更少。
11.一種用于背光單元的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，包括封裝件本體，其具有腔室，所述腔室具有在底部與頂部之間傾斜的內(nèi)側(cè)壁；第一和第二引線框架，其布置在所述封裝件本體中，所述封裝件本體的所述腔室使得置于所述腔室底部的所述第一和第二引線框架中的至少一個(gè)的一部分暴露于外部；發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述腔室的底部，以電連接至所述第一和第二引線框架；以及透明密封劑，其布置在圍繞所述發(fā)光二極管芯片的所述腔室中，其中，所述腔室的深度是200μm至480μm，其中，所述腔室具有沿短軸方向的第一寬度以及沿垂直于所述短軸方向的長軸方向的第二寬度，并且其中，所述腔室的所述第二寬度在所述腔室的底部處是1.5mm至1.7mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的側(cè)面發(fā)光二極管封裝件，其中，所述腔室的所述第二寬度在所述腔室的頂端處是2.0mm至2.5mm。
全文摘要
一種用于背光單元的側(cè)面發(fā)光LED封裝件，包括封裝件本體，其包括具有傾斜內(nèi)側(cè)壁的腔室；第一和第二引線框架，其布置在框架本體中，該封裝件本體的腔室使得置于腔室底部的第一和第二引線框架中的至少一個(gè)的一部分暴露于外部；發(fā)光二極管芯片，其安裝在所述腔室的底部，以電連接至第一和第二引線框架；以及透明密封劑，其布置在圍繞發(fā)光二極管芯片的腔室中。腔室具有的深度大于發(fā)光二極管芯片的安裝高度，且不超過該安裝高度的六倍。側(cè)壁的高度被縮短，以改進(jìn)發(fā)射光的光束孔徑角特性、增加光通量、并防止側(cè)壁的模塑缺陷。
文檔編號H01L23/04GK1971954SQ20061014033
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月25日
發(fā)明者金昶煜, 韓允錫, 宋憐宰, 金炳晚, 盧在基, 洪性在 申請人:三星電機(jī)株式會社