專利名稱：疊層型陶瓷電子部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種疊層陶瓷電容器等的疊層型陶瓷電子部件的制造方法，更詳細(xì)地，涉及一種能夠抑制裂紋的產(chǎn)生，降低短路不良率及耐壓不良率，并且具有高的靜電容量的疊層型陶瓷電子部件的制造方法。
背景技術(shù)：
作為疊層型陶瓷電子部件的一個(gè)例子的疊層陶瓷電容器，作為小型、大容量、高可靠性的電子部件被廣泛利用，在一臺(tái)電子設(shè)備中使用的個(gè)數(shù)也大量地增加。近年來，隨著設(shè)備的小型·高性能化，對(duì)疊層陶瓷電容器的更小型化、大容量化、低價(jià)格化、高可靠性化的要求越來越嚴(yán)格。
為了推進(jìn)這種小型化及高容量化，進(jìn)行減薄(薄層化)電介質(zhì)層及內(nèi)部電極層的厚度，并且盡可能多地層疊這些層(多層化)。但是，進(jìn)行薄層化·多層化時(shí)，基于增加電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層之間的界面等的理由，會(huì)很容易地發(fā)生層間剝離現(xiàn)象(分層)和裂紋，由此所引起的短路不良的這樣的問題會(huì)存在。
相對(duì)于此，例如，專利文獻(xiàn)1特開2000-277369號(hào)公報(bào)中，作為用于形成疊層陶瓷電容器的內(nèi)部電極層的導(dǎo)體糊劑，公開了含有粒徑不同的第一陶瓷粉末、第二陶瓷粉末作為共材料(共材)的導(dǎo)體糊劑。特別地，在此文獻(xiàn)中，作為第一陶瓷粉末，使用微細(xì)的陶瓷粉末，作為第二陶瓷粉末，使用具有比內(nèi)部電極的厚度(具體地，在實(shí)施例中約為2.5μm)更大的粒徑的陶瓷粉末(具體地，在實(shí)施例中，粒徑3μm)。
并且，根據(jù)此專利文獻(xiàn)1，通過使用這樣的導(dǎo)體糊劑，使得在內(nèi)部電極層內(nèi)含有具有從通過此內(nèi)部電極層相鄰的一方的陶瓷層到另一方的陶瓷層的大粒徑的陶瓷粒子，由此，以抑制分層和裂紋。但是，在該專利文獻(xiàn)1中，由于在內(nèi)部電極層內(nèi)含有的具有大粒徑的陶瓷粒子，會(huì)形成電極斷續(xù)部分，所以由于此斷續(xù)部分的影響，靜電容量就會(huì)下降，其結(jié)果，還存在所謂無法對(duì)應(yīng)高容量化的問題。
并且，此文獻(xiàn)中，如上所述，作為第二陶瓷粉末，由于使用具有大粒徑的陶瓷粉末(特別地具有比內(nèi)部電極的厚度大的粒徑的陶瓷粉末)，所以會(huì)發(fā)生以下這樣的問題。即，使用這樣的粒徑大的陶瓷粉末時(shí)，由于此粒徑大的陶瓷粉末，鄰接的電介質(zhì)層的厚度就會(huì)受到影響，特別地，產(chǎn)生所謂鄰接的電介質(zhì)層會(huì)部分變薄的現(xiàn)象。而且，此情況為原因，其結(jié)果，還會(huì)存在短路不良率和耐壓不良率惡化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于這些情況實(shí)施本發(fā)明，其目的在于提供有效防止裂紋發(fā)生，降低短路不良率及耐壓不良率、且具有高靜電容量的疊層陶瓷電容器等的疊層型電子部件的制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的疊層型陶瓷電子部件的制造方法是制造具有電介質(zhì)層、內(nèi)部電極層的疊層型陶瓷電子部件的方法，具有形成燒結(jié)后將成為上述電介質(zhì)層的生片的工序；使用導(dǎo)體糊劑，在上述生片上，以規(guī)定圖形形成燒結(jié)后將成為上述內(nèi)部電極層的燒結(jié)前電極層的工序；接連地層疊上述生片和上述燒結(jié)前電極層，形成生芯片(green chip)的工序；和燒結(jié)上述生芯片的工序；其中，用于形成上述燒結(jié)前電極層的導(dǎo)體糊劑，包含第1共材料，其至少由導(dǎo)體粒子和陶瓷粉末構(gòu)成；第2共材料，其由陶瓷粉末構(gòu)成，具有比上述第1共材料大的平均粒徑；上述第1共材料的平均粒徑是上述導(dǎo)體粒子的平均粒徑的1/20～1/2的尺寸；上述第2共材料的平均粒徑是燒結(jié)后的上述內(nèi)部電極層的平均厚度的1/10～1/2的尺寸。
在本發(fā)明中，作為用于形成內(nèi)部電極層的導(dǎo)體糊劑，使用含有具有規(guī)定的平均粒徑的第1共材料的糊劑。因此，能夠在燒結(jié)過程中，有效地防止導(dǎo)體粒子生長(zhǎng)引起的內(nèi)部電極層的球狀化，能夠保持高靜電容量。
再有，本發(fā)明中，在上述導(dǎo)體糊劑中，還包含具有比上述第1共材料大的平均粒徑的第2共材料，主要地，在內(nèi)部電極層和電介質(zhì)層的界面附近燒結(jié)此第2共材料，在燒結(jié)后，將作為從電介質(zhì)層側(cè)向內(nèi)部電極層中突出的陶瓷粒子存在。而且，根據(jù)此突出的陶瓷粒子對(duì)上述內(nèi)部電極層的固著效果，能夠提高內(nèi)部電極層和電介質(zhì)層之間的結(jié)合強(qiáng)度，其結(jié)果，能夠有效地防止裂紋的發(fā)生(特別是分層引起的裂紋的發(fā)生)。
而且，在本發(fā)明中，由于將上述第2共材料的平均粒徑控制在燒結(jié)后的內(nèi)部電極層的厚度的1/10～1/2的范圍，就能夠使由此第2共材料形成的、突出到內(nèi)部電極層的陶瓷粒子構(gòu)成不貫通內(nèi)部電極層這樣的結(jié)構(gòu)。由此，沒有成為內(nèi)部電極層斷續(xù)的原因，可實(shí)現(xiàn)高的靜電容量。此外，由于第2共材料的平均粒徑處于上述范圍，由于不會(huì)影響鄰接的電介質(zhì)層的厚度，所以也就不會(huì)使短路不良率和耐壓不良率發(fā)生惡化。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述第2共材料的平均粒徑是0.2～0.5μm。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述導(dǎo)體糊劑中的、上述第1共材料的含量相對(duì)于上述導(dǎo)體粒子100重量份為5～35重量份。第1共材料的含量過少時(shí)，很難得到抑制內(nèi)部電極層球狀化的效果。另一方面，第1共材料的含量過多時(shí)，燒結(jié)后的內(nèi)部電極層的覆蓋率就會(huì)下降，其結(jié)果，就會(huì)存在靜電容量下降的傾向。
在本發(fā)明中，優(yōu)選，上述導(dǎo)體糊劑中的、上述第2共材料的含量相對(duì)于上述導(dǎo)體粒子100重量份，大于1重量份、小于15重量份。第2共材料的含量過少時(shí)，很難得到因形成突出到上述內(nèi)部電極層的陶瓷粒子而對(duì)內(nèi)部電極層的固著效果。另一方面，第2共材料的含量過多時(shí)，就會(huì)存在短路不良率及耐壓不良率惡化的傾向。
作為本發(fā)明的疊層型陶瓷電子部件，沒有特別地限定，舉例示出有疊層陶瓷電容器、壓電元件、片狀電感、片狀壓敏電阻器、片狀熱敏電阻、片狀電阻、其它表面安裝片式電子部件(SMD)等。
再有，在本發(fā)明中，上述覆蓋率是，在假定在內(nèi)部電極層完全沒有上述斷續(xù)部分的情況下，相對(duì)于內(nèi)部電極層覆蓋電介質(zhì)層的理想面積，內(nèi)部電極層實(shí)際覆蓋電介質(zhì)層的面積的比例。此外，在本發(fā)明中，各粒子和粉末的平均粒徑表示通過SEM觀察的SEM直徑的平均值。
根據(jù)本發(fā)明時(shí)，作為用于形成內(nèi)部電極層的導(dǎo)體糊劑，使用含有具有規(guī)定的平均粒徑的第1共材料，和具有比此第1共材料大的平均粒徑的第2共材料的糊劑。因此，除通過第1共材料防止內(nèi)部電極層的球狀化的效果外，還可利用通過在內(nèi)部電極層和電介質(zhì)層的界面附近燒結(jié)第2共材料形成的、突出到內(nèi)部電極層的陶瓷粒子，有效地防止裂紋的發(fā)生(特別是分層引起的裂紋的發(fā)生)。
特別地，在本發(fā)明中，作為此第2共材料，使用平均粒徑被控制在燒結(jié)后內(nèi)部電極層的厚度的1/10～1/2的范圍的共材料。為此，在上述專利文獻(xiàn)1(特開2000-277369號(hào)公報(bào))中，不存在作為問題的電極斷續(xù)引起的靜電容量的下降，和使對(duì)鄰接的電介質(zhì)層的厚度產(chǎn)生影響所引起的短路不良率和耐電壓不良率惡化。因此，根據(jù)本發(fā)明，既有效地防止裂紋的產(chǎn)生，而且又能降低短路不良率及耐壓不良率，還能保持高靜電容量。


下面根據(jù)附圖所示的實(shí)施方式說明本發(fā)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器的剖面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器的放大剖面圖。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的突出到內(nèi)部電極層的陶瓷粒子的微細(xì)結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式
疊層陶瓷電容器如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的疊層陶瓷電容器1具有電介質(zhì)層2和內(nèi)部電極層3交替層疊構(gòu)成的電容器本體10。在此電容器本體10的兩側(cè)端部，形成與在本體10的內(nèi)部交替配置的內(nèi)部電極層3分別導(dǎo)通的一對(duì)外部電極4、4。層疊內(nèi)部電極層3，以使各側(cè)端面交替露出在電容器本體10的相對(duì)的2個(gè)端部的表面上。一對(duì)外部電極4、4被形成在電容器本體10的兩端部上，并連接到交替配置的內(nèi)部電極層3的露出端面上，構(gòu)成電容器電路。
沒有特別地限定電容器本體10的外形和尺寸，可按照用途適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，通常，外形為大致長(zhǎng)方體形狀，尺寸通?？蔀殚L(zhǎng)(0.4～5.6mm)×寬(0.2～5.0mm)×高(0.2～2.5mm)左右。
沒有特別地限定內(nèi)部電極層3中包含的導(dǎo)電材料，作為電介質(zhì)層2的構(gòu)成材料，在使用具有耐還原性的材料的情況下，能夠使用賤金屬。作為導(dǎo)電材料所使用的賤金屬，優(yōu)選Ni、Cu、Ni合金或Cu合金。在內(nèi)部電極層3的主要成分為Ni情況下，采用通過低氧分壓(還原氣氛)燒結(jié)的方法，以使電介質(zhì)不被還原。
可以按照用途等適當(dāng)決定內(nèi)部電極層3的厚度，通常優(yōu)選0.5～5μm，特別優(yōu)選為1～2.5μm左右。
電介質(zhì)層2由多個(gè)陶瓷粒子構(gòu)成。沒有特別限定構(gòu)成電介質(zhì)層2的陶瓷粒子的組成，例如，由具有用{(Ba(1-x-y)CaxSry)O}A(Ti(1-z)Zrz)BO2表示的主成分的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成。再有，A、B、x、y、z是任意的范圍。作為在電介質(zhì)陶瓷組合物中與主成分一起含有的副成分，舉例示出了含有選自Sr、Y、Gd、Tb、Dy、V、Mo、Ho、Zn、Cd、Ti、Sn、W、Ba、Ca、Mn、Mg、Cr、Si及P的氧化物中的一種以上的副成分。
通過添加副成分，可不使主成分的介質(zhì)特性劣化，能夠進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，能夠降低使電介質(zhì)層2薄層化的情況下的可靠性不良，可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命化。但是，本發(fā)明中，構(gòu)成電介質(zhì)層2的陶瓷粒子的組成不限定于上述組成。
電介質(zhì)層2的層疊數(shù)和厚度等各條件，可按照目的和用途適當(dāng)?shù)貨Q定，本實(shí)施方式中，電介質(zhì)層2的厚度優(yōu)選為0.5μm～5μm，更優(yōu)選0.5～2.0μm。
在本實(shí)施方式中，如圖2所示，電介質(zhì)層2中，含有突出到內(nèi)部電極層3的陶瓷粒子20(再有，在圖2中，對(duì)于突出到內(nèi)部電極層3的陶瓷粒子20以外的、構(gòu)成電介質(zhì)層2的其它陶瓷粒子，省略圖示)。而且，此突出的陶瓷粒子20，突出到內(nèi)部電極層3中的同時(shí)，與構(gòu)成電介質(zhì)層2的其它陶瓷粒子(省略圖示)結(jié)合。再有，本實(shí)施方式中，主要地，通過在內(nèi)部電極層3和電介質(zhì)層2的界面附近燒結(jié)在用于形成后述的內(nèi)部電極層的導(dǎo)體糊劑中含有的第2共材料(陶瓷粉末)，來形成此突出的陶瓷粒子20。
并且，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)體糊劑中含有的第2共材料在燒結(jié)后成為此突出的陶瓷粒子20，利用通過此陶瓷粒子20對(duì)內(nèi)部電極層3的固著效果，能夠提高內(nèi)部電極層3和電介質(zhì)層2之間的結(jié)合強(qiáng)度，其結(jié)果能夠有效地防止裂紋的發(fā)生(特別是分層引起的裂紋的產(chǎn)生)。
而且，在本實(shí)施方式中，由于將用于形成內(nèi)部電極層的導(dǎo)體糊劑中所含有的第2共材料的平均粒徑控制在后述的規(guī)定范圍內(nèi)，所以主要通過在內(nèi)部電極層3和電介質(zhì)層2界面附近燒結(jié)第2共材料而形成的此突出的陶瓷粒子20可構(gòu)成為不貫通內(nèi)部電極層3的結(jié)構(gòu)。由此，沒有成為內(nèi)部電極層3斷續(xù)的原因，能夠提高內(nèi)部電極層和電介質(zhì)層之間的結(jié)合強(qiáng)度，有效地防止裂紋的產(chǎn)生，能夠?qū)崿F(xiàn)高的靜電容量。
不特別限定外部電極4中含有的導(dǎo)電材料，通常使用Cu和Cu合金或Ni和Ni合金等。再有，不用說也可以使用Ag和Ag-Pd合金等。再有，在本實(shí)施方式中，能夠使用廉價(jià)的Ni、Cu和它們的合金。
可以按照用途等適當(dāng)決定外部電極的厚度，通常優(yōu)選為10～50μm左右。
疊層陶瓷電容器的制造方法接著，說明疊層陶瓷電容器1的制造方法。本實(shí)施方式中，利用使用糊劑的常規(guī)的印刷法和薄片法制作生芯片，對(duì)其燒結(jié)后，經(jīng)印刷或轉(zhuǎn)印并燒結(jié)外部電極為制造。
下面，具體說明制造方法。
首先，準(zhǔn)備電介質(zhì)層用糊劑中含有的電介質(zhì)原料，對(duì)它們進(jìn)行涂料化，調(diào)制電介質(zhì)層用糊劑。
電介質(zhì)層用糊劑，既可以是將電介質(zhì)原料和有機(jī)載體捏和的有機(jī)類涂料，也可以是水系涂料。
作為電介質(zhì)原料，可以從將成為復(fù)合氧化物和氧化物的各種化合物，例如碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機(jī)金屬化合物等中適當(dāng)選擇，混合使用。電介質(zhì)原料通常使用平均粒徑0.4μm以下，優(yōu)選0.1～0.3μm左右的粉體。再有，為了形成極其薄的陶瓷生片，優(yōu)選使用比陶瓷生片厚度還要薄的粉體。
有機(jī)載體是將粘合劑溶解于有機(jī)溶劑中的物質(zhì)。沒有特別限定用于有機(jī)載體中的粘合劑，可以適當(dāng)?shù)貜囊一w維素、聚乙烯醇縮丁醛等的常規(guī)的各種粘合劑中進(jìn)行選擇。此外，也沒有特別限定使用的有機(jī)溶劑，根據(jù)印刷法和薄片法等所利用的方法，可以從萜品醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各種有機(jī)溶劑中適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。
此外，電介質(zhì)層用糊劑為水系涂料的情況下，可以將使水溶性的粘合劑和分散劑等溶解于水中的水系載體和電介質(zhì)原料捏和。沒有特別限定水系載體中使用的水溶性粘合劑，例如，可以使用聚乙烯醇、纖維素、水溶性丙烯酸樹脂等。
在本實(shí)施方式中，作為用于形成內(nèi)部電極層3的導(dǎo)體糊劑，使用將由導(dǎo)體粒子和陶瓷粉末構(gòu)成的第1共材料和陶瓷粉末構(gòu)成的、具有比此第1共材料更大的平均粒徑的第2共材料以及上述有機(jī)載體捏和、調(diào)制成的糊劑。
本實(shí)施方式，具有的最大特征是，作為用于形成內(nèi)部電極層3的導(dǎo)體糊劑，使用除導(dǎo)體粒子還含有第1共材料和第2共材料的糊劑。特別地，通過使用此種糊劑，在能夠有效地防止裂紋的產(chǎn)生(特別是分層引起的裂紋的產(chǎn)生)的同時(shí)，還能夠?qū)崿F(xiàn)短路不良率及耐壓不良率的下降。
作為導(dǎo)體粒子，可列舉出由上述各種導(dǎo)電金屬和合金形成的導(dǎo)電材料，或燒結(jié)后將成為上述導(dǎo)電材料的各種氧化物、有機(jī)金屬化合物、樹脂酸鹽等。特別地，優(yōu)選使用主要成分為Ni的粒子，更優(yōu)選使用Ni含量為90重量％以上的粒子，進(jìn)一步優(yōu)選使用Ni含量為95重量％以上的粒子。再有，導(dǎo)體粒子的平均粒徑優(yōu)選為0.1μm～0.7μm，更優(yōu)選為0.1μm～0.3μm。
第1共材料的平均粒徑是上述導(dǎo)體粒子的平均粒徑的1/20～1/2的尺寸，優(yōu)選為1/15～1/5的尺寸。第1共材料，主要在燒結(jié)過程中，起防止導(dǎo)體粒子的粒子生長(zhǎng)引起的內(nèi)部電極層的球狀化的作用。并且，由于防止內(nèi)部電極層的球狀化，就能夠有效地防止靜電容量的下降。第1共材料的平均粒徑小于導(dǎo)體粒子的平均粒徑的1/20時(shí)，就會(huì)難于向?qū)w糊劑中分散。另一方面，比1/2大時(shí)，就不能獲得抑制導(dǎo)體粒子的粒子生長(zhǎng)的效果。再有，作為第1共材料，也可以由陶瓷粉末構(gòu)成，雖然沒有特別地限定，但優(yōu)選使用具有與電介質(zhì)層用糊劑中使用的電介質(zhì)原料相同組成的電介質(zhì)材料。
導(dǎo)體糊劑中的第1共材料的含量相對(duì)于導(dǎo)體粒子100重量份，優(yōu)選為5～35重量份，更優(yōu)選10～25重量份。第1共材料含量過少時(shí)，難于獲得抑制內(nèi)部電極層3的球狀化的效果，靜電容量會(huì)下降。另一方面，第1共材料的含量過多時(shí)，就會(huì)降低燒結(jié)后的內(nèi)部電極層3的覆蓋率，其結(jié)果，存在靜電容量下降的傾向。
第2共材料是具有比上述第1共材料更大的平均粒徑的共材料，其平均粒徑是燒結(jié)后的內(nèi)部電極層3的平均厚度的1/10～1/2的尺寸，優(yōu)選為1/5～1/3的尺寸。此第2共材料，主要在內(nèi)部電極層3和電介質(zhì)層2的界面附近燒結(jié)，其結(jié)果，在燒結(jié)后，作為圖2所示的、突出到內(nèi)部電極層3的陶瓷粒子20存在。而且，通過此突出的陶瓷粒子20對(duì)內(nèi)部電極層3的固著效應(yīng)，能夠提高內(nèi)部電極層3和電介質(zhì)層2之間的結(jié)合強(qiáng)度，其結(jié)果，能夠有效地防止裂紋的產(chǎn)生(特別地，分層引起的裂紋的產(chǎn)生)。
特別地，本實(shí)施方式中，通過使第2共材料的平均粒徑為內(nèi)部電極層3的平均厚度的1/10以上，如圖3所示，能夠構(gòu)成此陶瓷粒子20在內(nèi)部電極層3內(nèi)的深度(d)相對(duì)于內(nèi)部電極層3的厚度(t)，優(yōu)選按10％以上的深度突出的結(jié)構(gòu)。即，例如，內(nèi)部電極層3的厚度(t)為1μm的情況下，能夠成為優(yōu)選以0.1μm以上的深度(d)突出到內(nèi)部電極層內(nèi)的結(jié)構(gòu)。通過構(gòu)成這種結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)一步提高陶瓷粒子20對(duì)內(nèi)部電極層3的固著效果。再有，在圖3中，除內(nèi)部電極層3以及陶瓷粒子20以外，省略圖示。深度(d)過小時(shí)，就會(huì)存在上述固著效果下降的傾向。
并且，通過使第2共材料的平均粒徑為內(nèi)部電極層3的平均厚度的1/2以下，就能夠構(gòu)成陶瓷粒子20不貫通內(nèi)部電極層3的結(jié)構(gòu)，利用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠有效地防止因電極斷續(xù)引起的靜電容量的下降。此外，在本實(shí)施方式中，通過將第2共材料的平均粒徑控制在內(nèi)部電極層3的平均厚度的1/2以下，使.此第2共材料成為不影響內(nèi)部電極層3和電介質(zhì)層2的厚度的結(jié)構(gòu)。由此，此第2共材料不影響鄰接的電介質(zhì)層2的厚度，也不產(chǎn)生所謂鄰接的電介質(zhì)層會(huì)部分變薄的現(xiàn)象。因此，在本實(shí)施方式中，能夠有效地防止這種現(xiàn)象引起的短路不良率和耐壓不良率的發(fā)生。
第2共材料的平均粒徑小于內(nèi)部電極層3的平均厚度的1/10時(shí)，燒結(jié)體中含有的陶瓷粒子20的結(jié)晶粒徑(r)就會(huì)變小，陶瓷粒子20的固著效果就會(huì)不足。另一方面，比1/2大時(shí)，陶瓷粒子20的結(jié)晶粒徑(r)就會(huì)變得過大，其結(jié)果，構(gòu)成陶瓷粒子20貫通內(nèi)部電極層3這樣的結(jié)構(gòu)，存在容易發(fā)生電極斷續(xù)的的傾向，此外，存在短路不良率和耐壓不良率惡化的傾向。
第2共材料的平均粒徑也可以根據(jù)內(nèi)部電極層3的厚度在上述范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)丶右栽O(shè)定，優(yōu)選為0.2～0.5μm。
相對(duì)于導(dǎo)體粒子100重量份，導(dǎo)體糊劑中的第2共材料的含量，優(yōu)選比1重量份多、小于15重量份，更優(yōu)選3重量份～8重量份。第2共材料的含量過少時(shí)，難于獲得通過突出到上述內(nèi)部電極層3的陶瓷粒子20對(duì)內(nèi)部電極層3的固著效果。另一方面，第2共材料的含量過多時(shí)，此第2共材料就會(huì)向電介質(zhì)層2側(cè)移動(dòng)，影響鄰接的電介質(zhì)層2的厚度，其結(jié)果，存在短路不良率及耐壓不良率惡化的傾向。再有，作為第2共材料，可以由陶瓷粉末構(gòu)成，沒有特別地限定，但優(yōu)選使用具有與在電介質(zhì)層用糊劑中使用的電介質(zhì)原料相同組成的電介質(zhì)材料。
外部電極用糊劑可以通過將上述導(dǎo)體粉末及有機(jī)載體捏和來調(diào)制。
沒有特別限制上述各糊劑中的有機(jī)載體的含量，常規(guī)含量，例如，粘合劑可為1～5重量％左右，溶劑可為10～50重量％左右。此外，在各糊劑中，也可以含有按照需要從各種分散劑、增塑劑、電介質(zhì)、絕緣體等選擇的添加物。這些總含量，優(yōu)選為10重量％以下。
使用印刷法的情況，在PET等基板上層疊印刷電介質(zhì)層用糊劑及導(dǎo)體糊劑，以規(guī)定形狀切斷后，從基板上剝離形成生芯片。
此外，使用薄片法的情況下，使用電介質(zhì)層用糊劑形成生片，在其上印刷導(dǎo)體糊劑后，層疊之形成生芯片。
燒結(jié)前，對(duì)生芯片實(shí)施脫粘合劑處理。脫粘合劑處理也可以根據(jù)內(nèi)部電極層糊劑中的導(dǎo)電材料的種類適當(dāng)?shù)貨Q定，作為導(dǎo)電材料使用Ni和Ni合金等賤金屬的情況，優(yōu)選脫粘合劑氣氛中的氧分壓為10-45～105Pa。氧分壓不到上述范圍時(shí)，脫粘合劑效果下降。此外，氧分壓超過上述范圍時(shí)，內(nèi)部電極層存在氧化的傾向。
此外，作為除此以外的脫粘合劑條件，升溫速度優(yōu)選5～300℃/小時(shí)，更優(yōu)選10～100℃/小時(shí)，保持溫度優(yōu)選180～400℃，更優(yōu)選200～350℃，溫度保持時(shí)間優(yōu)選0.5～24小時(shí)，更優(yōu)選2～20小時(shí)。此外，燒結(jié)氣氛，優(yōu)選空氣或還原性氣氛，作為還原性氣氛中的氣氛氣體，例如，優(yōu)選加濕使用N2和H2的混合氣體。
生芯片燒結(jié)時(shí)的氣氛可根據(jù)內(nèi)部電極層用的導(dǎo)體糊劑中的導(dǎo)電材料的種類適當(dāng)?shù)貨Q定，作為導(dǎo)電材料，使用Ni和Ni合金等賤金屬的情況，燒結(jié)氣氛中的氧分壓優(yōu)選為10-7～10-3Pa。當(dāng)氧分壓未達(dá)到上述范圍時(shí)，引起內(nèi)部電極層的導(dǎo)電材料的異常燒結(jié)，就會(huì)存在斷續(xù)。此外，氧分壓超過上述范圍時(shí)，內(nèi)部電極層存在氧化的傾向。
此外，燒結(jié)時(shí)的保持溫度優(yōu)選為1100～1400℃，更優(yōu)選為1200～1380℃，進(jìn)一步優(yōu)選為1260～1360℃。保持溫度達(dá)不到上述范圍時(shí)，不夠致密，超過上述范圍時(shí)，容易產(chǎn)生內(nèi)部電極層的異常燒結(jié)引起的電極斷續(xù)、內(nèi)部電極層構(gòu)成材料的擴(kuò)散引起的容量溫度特性的惡化、電介質(zhì)陶瓷組合物的還原。
作為除此以外的燒結(jié)條件，升溫溫度優(yōu)選50～500℃/小時(shí)，更優(yōu)選200～300℃/小時(shí)；溫度保持時(shí)間優(yōu)選0.5～8小時(shí)，更優(yōu)選1～3小時(shí)；冷卻速度優(yōu)選50～500℃/小時(shí)，更優(yōu)選200～300℃/小時(shí)。此外，燒結(jié)氣氛，優(yōu)選還原性氣氛，作為氣氛氣體，例如，優(yōu)選加濕使用N2和H2的混合氣體。
在還原性氣氛中燒結(jié)的情況，優(yōu)選對(duì)電容器元件本體實(shí)施退火。退火是用于再氧化電介質(zhì)層的處理，由此能夠顯著增加IR壽命，所以提高可靠性。
退火氣氛中的氧分壓優(yōu)選為0.1Pa以上，特別是0.1～10Pa。氧分壓達(dá)不到上述范圍時(shí)，電介質(zhì)層的再氧化困難，超過上述范圍時(shí)內(nèi)部電極層存在氧化傾向。
退火時(shí)的保持溫度優(yōu)選1100℃以下，特別是500～1100℃。保持溫度達(dá)不到上述范圍時(shí)，由于電介質(zhì)層的氧化不充分，IR下降，再有，IR壽命容易變短。另一方面，保持溫度超出上述范圍時(shí)，上述內(nèi)部電極層氧化，不僅容量下降，而且內(nèi)部電極層還會(huì)與電介質(zhì)基體反應(yīng)，容易產(chǎn)生容量溫度特性的惡化，IR的下降，IR壽命的降低。再有，退火也可以僅由升溫過程及降溫過程構(gòu)成。即，即使溫度保持時(shí)間為零也是可以的。此情況，保持溫度與最高溫度意義相同。
作為除此之外的退火條件，溫度保持時(shí)間優(yōu)選0～20小時(shí)，更優(yōu)選2～10小時(shí)；冷卻速度優(yōu)選50～500℃/小時(shí)，更優(yōu)選100～300℃/小時(shí)。此外，作為退火氣氛氣體，例如，優(yōu)選使用加濕的N2氣體等。
在上述脫粘合劑處理、燒結(jié)及退火中為了對(duì)N2氣和混合氣體等進(jìn)行加濕，例如也可以使用加濕器等。此情況優(yōu)選水溫為5～75℃左右。
脫粘合劑處理、燒結(jié)及退火既可以連續(xù)執(zhí)行，也可以獨(dú)立執(zhí)行。在連續(xù)執(zhí)行它們的情況，優(yōu)選的是，脫粘合劑處理后，不進(jìn)行冷卻，改變氣氛，接著升溫到燒結(jié)時(shí)的保持溫度，進(jìn)行燒結(jié)，接著進(jìn)行冷卻，在達(dá)到退火保持溫度時(shí)改變氣氛，執(zhí)行退火。另一方面，獨(dú)立執(zhí)行它們的情況，優(yōu)選的是，在燒結(jié)時(shí)，在N2氣或加濕的N2氣氛下升溫到脫粘合劑處理時(shí)的保持溫度后，改變氣氛，進(jìn)一步繼續(xù)升溫；優(yōu)選的是，冷卻到退火時(shí)的保持溫度后，再一次變更為N2氣或加濕的N2氣氛，繼續(xù)冷卻。此外，退火時(shí)，既可以在N2氣氛下升溫到保持溫度后，改變氣氛，也可以是退火的全過程都為加濕的N2氣氛。
對(duì)通過上述方法獲得的電容器元件本體，通過例如滾筒拋光和噴砂等實(shí)施端面拋光，印刷或轉(zhuǎn)印外部電極層用糊劑，并進(jìn)行燒結(jié)，形成外部電極4。外部電極用糊劑的燒結(jié)條件，例如優(yōu)選，在加濕的N2氣和H2氣的混合氣體中，利用600～800℃溫度，10分鐘～1小時(shí)左右。并且，按照需要，在外部電極4表面通過鍍敷等形成覆蓋層。
如此制造的本發(fā)明的疊層陶瓷電容器，通過釬焊等安裝在印刷基板上等，使用在各種電子設(shè)備等中。
以上，雖然說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限于這樣的實(shí)施方式，只要在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)能夠以各種形態(tài)實(shí)施。
例如，在上述實(shí)施方式中，作為本發(fā)明的疊層型陶瓷電子部件例舉了疊層陶瓷電容器，作為本發(fā)明的疊層型陶瓷電子部件，不限定于疊層陶瓷電容器，只要具有上述結(jié)構(gòu)即可。
實(shí)施例以下根據(jù)更詳細(xì)的實(shí)施例說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1首先，作為用于制作電介質(zhì)原料的原始材料，準(zhǔn)備平均粒徑為0.2μm的主成分原料(BaTiO3)和作為副成分原料的Y2O3、V2O5、CrO、MgO、SiO2及CaO。接著，利用球磨機(jī)通過16小時(shí)濕式混合準(zhǔn)備出的原始材料，調(diào)制電介質(zhì)原料。
利用球磨機(jī)，混合據(jù)上調(diào)制的電介質(zhì)原料100重量份，丙烯酸樹脂4.8重量份，醋酸乙酯100重量份，礦油精6重量份，甲苯4重量份，進(jìn)行糊劑化，得到電介質(zhì)層用糊劑。
接著，利用3輥機(jī)捏和平均粒徑0.2μm的Ni粒子100重量份，作為第1共材料的BaTiO3(平均粒徑0.05μm)20重量份，作為第2共材料的BaTiO3(平均粒徑0.5μm)表1所示的量，有機(jī)載體(將乙基纖維素8重量份溶解在萜品醇92重量份的物質(zhì))40重量份，萜品醇10重量份，進(jìn)行糊劑化，獲得用于形成內(nèi)部電極層的導(dǎo)體糊劑。
接著，捏和平均粒徑0.5μm的Cu粒子100重量份，有機(jī)載體(將乙基纖維素樹脂8重量份溶解在萜品醇92重量份的物質(zhì))35重量份及萜品醇7重量份，進(jìn)行糊劑化，得到外部電極用糊劑。
接著，使用上述電介質(zhì)層用糊劑在PET薄膜上，形成生片，在其上印刷內(nèi)部電極層用的導(dǎo)體糊劑后，將生片從PET薄膜上剝離。接著，層疊、壓著這些生片和保護(hù)用生片(未印刷導(dǎo)體糊劑的)，得到生芯片。具有內(nèi)部電極的薄片的疊層數(shù)量為220層。再有，本實(shí)施例中，導(dǎo)體糊劑的印刷，按燒結(jié)后的內(nèi)部電極厚度成為1.0μm來執(zhí)行。
接著，按規(guī)定尺寸切斷生芯片，執(zhí)行脫粘合劑處理，燒結(jié)及退火，得到疊層陶瓷燒結(jié)體。
按升溫速度15℃/小時(shí)，保持溫度280℃，保持時(shí)間8小時(shí)，空氣氣氛的條件執(zhí)行脫粘合劑處理。
按升溫速度200℃/小時(shí)，保持溫度1280～1320℃，保持時(shí)間2小時(shí)，冷卻速度300℃/小時(shí)，加濕的N2+H2混合氣體氣氛(氧分壓10-9氣壓)的條件執(zhí)行燒結(jié)。
按保持溫度900℃，溫度保持時(shí)間9小時(shí)，冷卻速度300℃/小時(shí)，加濕的N2氣體氣氛(氧分壓10-5氣壓)的條件執(zhí)行退火。再有，在燒結(jié)及退火時(shí)的氣氛氣體的加濕中，使用水溫35℃的加濕器。
接著，利用噴砂拋光疊層陶瓷燒結(jié)體的端面后，在端面上轉(zhuǎn)印外部電極用糊劑，在加濕的N2+H2氣氛中，以800℃進(jìn)行10分鐘燒結(jié)，形成外部電極，得到圖1所示的結(jié)構(gòu)的疊層陶瓷電容器的試樣。在本實(shí)施例中，如表1所示，制造分別改變內(nèi)部電極層用的導(dǎo)體糊劑中含有的第2共材料(平均粒徑0.5μm的BaTiO3)的量的編號(hào)1～11的試樣。再有，編號(hào)1試樣是未在導(dǎo)體糊劑中添加第2共材料的試樣。
如.此得到的各樣品的尺寸是1.0mm×0.5mm×0.5mm，內(nèi)部電極層所夾持的電介質(zhì)層的數(shù)量為220，電介質(zhì)層的厚度是1.0μm，內(nèi)部電極層的厚度是1.0μm。
按以下的方法，對(duì)得到的電容器試樣分別進(jìn)行裂紋發(fā)生率、靜電容量、短路不良率、耐壓不良率及內(nèi)部電極層的覆蓋率的評(píng)價(jià)。
裂紋發(fā)生率對(duì)得到的各電容器試樣，拋光燒成的基體，目視觀察疊層狀態(tài)，確認(rèn)有無基體裂紋。對(duì)10000個(gè)電容器試樣進(jìn)行基體裂紋的有無的確認(rèn)。外觀檢查的結(jié)果，通過計(jì)算出相對(duì)于10000個(gè)電容器試樣的基體裂紋發(fā)生的試樣的比例，來求出裂紋發(fā)生率。在本實(shí)施例中，裂紋發(fā)生率為1000ppm以下為良好。結(jié)果在表1中示出。
靜電容量使用數(shù)字LCR測(cè)量?jī)x，在基準(zhǔn)溫度25℃下，按頻率1kHz、輸入信號(hào)電平1.0Vrms的條件進(jìn)行靜電容量的測(cè)量。結(jié)果在表1中示出。再有，本實(shí)施例中，按相對(duì)于作為未在導(dǎo)體糊劑中添加第2共材料的試樣的編號(hào)1試樣的靜電容量的比率來評(píng)價(jià)靜電容量的測(cè)量結(jié)果，在-10％以內(nèi)為良好。即，作為靜電容量為“-1％”的編號(hào)2試樣，與編號(hào)1試樣相比，結(jié)果是靜電容量下降1％。結(jié)果在表1中示出。
短路不良率準(zhǔn)備100個(gè)電容器試樣，通過調(diào)查發(fā)生短路不良的個(gè)數(shù)來測(cè)量短路不良率。具體地，使用絕緣電阻計(jì)(HEWLETT PACKARD社制E2377A萬用表)，測(cè)量電阻值，將電阻值為100kΩ以下的樣品作為短路不良樣品，設(shè)相對(duì)于所有測(cè)量樣品的短路不良樣品的比率為短路不良率。在本實(shí)施例中，50％以下為良好。結(jié)果在表1中表示。
耐壓不良率對(duì)200個(gè)電容器試樣，施加額定電壓(4.0V)的12倍的直流電壓3秒鐘，將電阻不到104Ω的試樣判定為耐壓不良，通過求出相對(duì)于測(cè)量試樣，成為耐壓不良的試樣的比例，來評(píng)價(jià)耐壓不良率。本實(shí)施例中，50％以下為良好。結(jié)果在表1中示出。
內(nèi)部電極層的覆蓋率采用與上述突出部分的存在率的測(cè)量的情況相同的方法，對(duì)元件本體的切斷面進(jìn)行SEM觀察。然后，根據(jù)得到的SEM照片求出內(nèi)部電極層的覆蓋率。具體地，在假設(shè)內(nèi)部電極層中完全沒有電極斷續(xù)部的情況下，內(nèi)部電極層覆蓋電介質(zhì)層的理想面積為100％，通過計(jì)算內(nèi)部電極層實(shí)際覆蓋電介質(zhì)層的面積的比率來求出。再有，使用10張對(duì)視野50μm×60μm測(cè)量的SEM照片求出覆蓋率。其結(jié)果，編號(hào)3～10的試樣，任何內(nèi)部電極層的覆蓋率均為80％以上。
表1

但是，表1中，導(dǎo)體糊劑中的第1共材料及第2共材料的添加量是相對(duì)于Ni粉末100重量份的比率，靜電容量由相對(duì)于編號(hào)1試樣的靜電容量的比率表示。此外，表1中，所謂“第2共材料粒徑/內(nèi)部電極層厚度”意味著“導(dǎo)體糊劑中的第2共材料的平均粒徑/燒結(jié)后的內(nèi)部電極層的厚度”。以下，在表2～表5中也是相同的。
評(píng)價(jià)由表1，作為內(nèi)部電極層用的導(dǎo)體糊劑，相對(duì)于Ni粉末100重量份，以1.2～13重量份的范圍含有第2共材料(粒徑0.5μm的BaTiO3)的編號(hào)3～10的試樣，成為在裂紋發(fā)生率，靜電容量，短路不良率及耐壓不良率都優(yōu)良的結(jié)果。再有，對(duì)于這些試樣，通過SEM觀察燒結(jié)體的切斷面時(shí)，能夠確認(rèn)出如圖2所示，良好地形成突出到內(nèi)部電極層3的陶瓷粒子20。
另一方面，導(dǎo)體糊劑中未含有第2共材料的編號(hào)1試樣及第2共材料的含量減少為1重量份的編號(hào)2試樣，都存在裂紋發(fā)生率惡化的傾向。再有，對(duì)于這些試樣，通過SEM觀察燒結(jié)體的切斷面時(shí)，如圖2所示的向內(nèi)部電極層3突出的陶瓷粒子20的形成是不充分的。
此外，第2共材料含量為15重量份的編號(hào)11的試樣，存在短路不良率及耐壓不良率惡化的傾向。再有，在此編號(hào)11試樣中，由于導(dǎo)體糊劑中的第2共材料的含量過多，第2共材料向電介質(zhì)層2側(cè)移動(dòng)，對(duì)鄰接的電介質(zhì)層2的厚度造成影響，其結(jié)果，認(rèn)為短路不良率及耐壓不良率惡化。
實(shí)施例2作為在導(dǎo)體糊劑中含有的Ni粉末，在使用平均粒徑為0.1μm的Ni粉末的同時(shí)，按表2所示的那樣改變第2共材料的含量以外，與實(shí)施例1相同，制作疊層陶瓷電容器試樣，進(jìn)行與實(shí)施例1相同的評(píng)價(jià)。結(jié)果在表2中示出。
表2

由表2，作為Ni粉末，在使用平均粒徑0.1μm的Ni粉末的情況下，能夠確認(rèn)出與實(shí)施例1相同的傾向。
實(shí)施例3除按表3所示的那樣改變導(dǎo)體糊劑中含有的第1共材料的比率以外，與實(shí)施例1的編號(hào)6試樣相同，制作疊層陶瓷電容器試樣，與實(shí)施例1相同進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果在表3中示出。
表3

由表3，在未含有第1共材料的編號(hào)18的試樣及第1共材料含量減少為4重量份的編號(hào)19的試樣中，會(huì)因燒結(jié)產(chǎn)生內(nèi)部電極的球狀化，其結(jié)果，在裂紋發(fā)生率惡化的同時(shí)，靜電容量也下降。另一方面，在第1共材料含量增加為40重量份的編號(hào)22的試樣中，同樣地，在裂紋發(fā)生率惡化的同時(shí)，靜電容量也下降。再有，在編號(hào)22的試樣中，認(rèn)為作為裂紋發(fā)生率惡化的原因，是因?yàn)榈?共材料與電介質(zhì)反應(yīng)會(huì)改變燒結(jié)性狀，認(rèn)為作為靜電容量下降的原因，是因?yàn)閮?nèi)部電極層的覆蓋率下降。
相對(duì)于此，在第1共材料的含量為本發(fā)明優(yōu)選的范圍內(nèi)的編號(hào)6、20、21的試樣中，裂紋發(fā)生率、靜電容量、短路不良率及耐壓不良率都在規(guī)定的范圍內(nèi)，得到了良好的結(jié)果。
實(shí)施例4改變內(nèi)部電極層用的導(dǎo)體糊劑的印刷厚度，按表4所示的那樣改變燒結(jié)后的內(nèi)部電極層厚度以外，與實(shí)施例1的編號(hào)6試樣相同，制作疊層陶瓷電容器試樣，與實(shí)施例1相同進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果在表4中示出。
表4

由表4，作為導(dǎo)體糊劑中的第2共材料的平均粒徑和燒結(jié)后的內(nèi)部電極層的厚度比的“第2共材料粒徑/內(nèi)部電極層厚度”為1/10(＝0.1)～1/2(＝0.50)的編號(hào)6、23、24的試樣，任何一個(gè)的裂紋發(fā)生率、靜電容量、短路不良率及耐壓不良率都在規(guī)定的范圍內(nèi)，為良好的結(jié)果。
相對(duì)于此，“第2共材料粒徑/內(nèi)部電極層厚度”比1/2(＝0.50)大的編號(hào)25、26的試樣，結(jié)果為靜電容量下降，特別是編號(hào)26的試樣，結(jié)果為短路不良率及耐壓不良率也惡化。再有，在這些試樣中，作為靜電容量下降的原因，認(rèn)為是因?yàn)殡姌O斷續(xù)部分變多。此外，在編號(hào)26的試樣中，作為短路不良率及耐壓不良率惡化的原因，認(rèn)為是由于第2共材料的平均粒徑過大，鄰接的電介質(zhì)層的厚度會(huì)受到此第2共材料的影響，特別是因?yàn)楫a(chǎn)生所謂鄰接的電介質(zhì)層部分變薄的現(xiàn)象。
實(shí)施例5作為內(nèi)部電極層用的導(dǎo)體糊劑中含有的第2共材料，在使用平均粒徑為0.25μm的BaTiO3的同時(shí)，改變內(nèi)部電極層用的導(dǎo)體糊劑的印刷厚度，按表5所示的那樣改變燒結(jié)后的內(nèi)部電極層厚度以外，與實(shí)施例1的編號(hào)6的試樣相同，制作疊層陶瓷電容器試樣，與實(shí)施例1相同進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果在表5中示出。
表5

由表5，在作為導(dǎo)體糊劑中的第2共材料的平均粒徑和燒結(jié)后的內(nèi)部電極層的厚度的比的“第2共材料粒徑/內(nèi)部電極層厚度”為比1/10(＝0.1)小的編號(hào)27的試樣中，第2共材料的平均粒徑與內(nèi)部電極層的厚度相比就會(huì)變得過小，不能得到第2共材料的添加效果，其結(jié)果，裂紋發(fā)生率會(huì)惡化。
相對(duì)于此，“第2共材料粒徑/內(nèi)部電極層厚度”為1/10(＝0.1)～1/2(＝0.50)的編號(hào)28～30的試樣，在第2共材料的平均粒徑為0.25μm的情況下，任何一個(gè)的裂紋發(fā)生率、靜電容量、短路不良率及耐壓不良率在規(guī)定的范圍內(nèi)，得到良好的結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種疊層型陶瓷電子部件的制造方法，其中制造具有電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層的疊層型陶瓷電子部件，該方法包括形成燒結(jié)后將成為上述電介質(zhì)層的生片的工序；使用導(dǎo)體糊劑，在上述生片上，以規(guī)定圖形形成燒結(jié)后將成為上述內(nèi)部電極層的燒結(jié)前電極層的工序；接連地層疊上述生片和上述燒結(jié)前電極層，形成生芯片的工序；和燒結(jié)上述生芯片的工序；其中，用于形成上述燒結(jié)前電極層的導(dǎo)體糊劑包含第1共材料，其至少由導(dǎo)體粒子和陶瓷粉末構(gòu)成；和第2共材料，其由陶瓷粉末構(gòu)成，具有比上述第1共材料大的平均粒徑；上述第1共材料的平均粒徑是上述導(dǎo)體粒子的平均粒徑的1/20～1/2的尺寸；上述第2共材料的平均粒徑是燒結(jié)后的上述內(nèi)部電極層的平均厚度的1/10～1/2的尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層型陶瓷電子部件的制造方法，上述第2共材料的平均粒徑是0.2～0.5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層型陶瓷電子部件的制造方法，上述導(dǎo)體糊劑中的上述第1共材料的含量相對(duì)于上述導(dǎo)體粒子100重量份為5～35重量份。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層型陶瓷電子部件的制造方法，上述導(dǎo)體糊劑中的上述第2共材料的含量相對(duì)于上述導(dǎo)體粒子100重量份，大于1重量份、小于15重量份。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疊層型陶瓷電子部件的制造方法，上述導(dǎo)體糊劑中的上述第1共材料的含量相對(duì)于上述導(dǎo)體粒子100重量份為5～35重量份；并且，上述第2共材料的含量相對(duì)于上述導(dǎo)體粒子100重量份，大于1重量份、小于15重量份。
全文摘要
一種具有電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層的疊層型陶瓷電子部件的制造方法，其中作為用于形成內(nèi)部電極層的導(dǎo)體糊劑包含至少由導(dǎo)體粒子和陶瓷粉末構(gòu)成的第1共材料，和由陶瓷粉末構(gòu)成的、具有比上述第1共材料大的平均粒徑的第2共材料；通過使用上述第1共材料的平均粒徑是上述導(dǎo)體粒子的平均粒徑的1/20～1/2的尺寸，上述第2共材料的平均粒徑是燒結(jié)后的上述內(nèi)部電極層的平均厚度的1/10～1/2的尺寸的導(dǎo)體糊劑的疊層型陶瓷電子部件的制造方法，本發(fā)明提供一種能夠有效抑制裂紋的產(chǎn)生、降低短路不良率及耐壓不良率并且具有高靜電容量的疊層型陶瓷電容器等疊層型陶瓷電子部件的制造方法。
文檔編號(hào)H01G4/12GK1941233SQ20061014637
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者小島達(dá)也, 政岡雷太郎, 室澤貴子 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社