專利名稱：量測多晶硅線底部形狀的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體地說，涉及一種量測多晶硅線底部形狀 的方法。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的尺寸日益減小，多晶硅線底部的形狀對(duì)電子設(shè)備的影響越 來越大。有效地監(jiān)控多晶硅線底部的形狀可以保證電子設(shè)備更為優(yōu)異及一致的
性能。傳統(tǒng)的特征尺寸掃描電子顯微鏡(CD - SEM )中采用非破損 (Nondestructive)方法不能精確的獲取多晶硅線底部的信息。如果采用掃描 電子顯微鏡和透射電子顯微鏡(SEM&TEM)量測，需要對(duì)多晶硅進(jìn)行切割，并通 過對(duì)切割后多晶硅線截面的分析以獲取多晶硅線底部的信息，這種方法會(huì)對(duì)多 晶硅本身造成物理損傷，而且所需要的時(shí)間也比較長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種量測多晶硅線底部形狀的方法，利用該方法可 以有效量測多晶硅底部的形狀。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種量測多晶硅線底部形狀的方法，其包括如 下步驟a.捕獲多晶硅線底部上的形狀，并將捕獲到的多晶硅線從上到下劃分 為第一部分和第二部分；b.通過量測獲取第一部分底部的寬度參數(shù)和第二部分 底部的寬度參數(shù)；c.對(duì)比兩個(gè)寬度參數(shù)差值。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的量測方法不會(huì)對(duì)多晶硅表面造成損傷，并可以 有效且精確獲取多晶硅底部的形狀。


通過以下對(duì)本發(fā)明一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為
圖1為本發(fā)明多晶硅線的底部形狀的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明較佳實(shí)施例中，利用0CD (光學(xué)特征尺寸測量)可以模擬出多晶硅 線底部的形狀，圖1是本發(fā)明多晶硅線的底部形狀的示意圖。首先將捕獲到多 晶硅線底部的形狀從上到下劃分為兩個(gè)部分第一部分21是多晶硅線底部的上 半部分，第一部分21的特征尺寸不會(huì)發(fā)生變化，第二部分22是多晶硅線底部 的下半部分，其最容易出現(xiàn)一些凹陷或是斜腳。然后通過量測獲取第一部分21 底部211的寬度參數(shù)和第二部分22底部221的寬度參數(shù)，對(duì)比兩個(gè)寬度參數(shù)差 值，即可以判斷出多晶硅線底部的形狀是否發(fā)生了變化。
如果第一部分21底部211的寬度大于第二部分22底部221的寬度，則說 明第二部分21底部221出現(xiàn)了凹陷；如果第一部分21底部211的寬度小于第 二部分22底部221的寬度，則說明第二部分21底部221出現(xiàn)了斜角。
本發(fā)明提供的量測方法不僅適用于現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程，也適用于65nm以下 的半導(dǎo)體制程。
權(quán)利要求
1、一種量測多晶硅線底部形狀的方法，其特征在于該方法包括如下步驟a.捕獲多晶硅線底部的形狀，并將捕獲到的多晶硅線從上到下劃分為第一部分和第二部分；b.通過量測獲取第一部分底部的寬度參數(shù)和第二部分底部的寬度參數(shù)；c.對(duì)比兩個(gè)寬度參數(shù)差值。
2、 如權(quán)利要求1所述的量測多晶硅線底部形狀的方法，其特征在于所述第一 部分為多晶硅底部的上半部分，其特征尺寸不會(huì)發(fā)生變化。
3、 如權(quán)利要求1所述的量測多晶硅線底部形狀的方法，其特征在于所述第二 部分為多晶硅底部的下半部分，其特征尺寸容易發(fā)生變化。
4、 如權(quán)利要求1所述的量測多晶硅線底部形狀的方法，其特征在于如果第一 部分底部的寬度大于第二部分底部的寬度，則說明第二部分底部出現(xiàn)了凹陷。
5、 如權(quán)利要求1所述的量測多晶硅線底部形狀的方法，其特征在于如果第一 部分底部的寬度小于第二部分底部的寬度，則說明第二部分底部出現(xiàn)了斜角。
6、 如權(quán)利要求1所述的量測多晶硅線底部形狀的方法，其特征在于釆用光學(xué) 特征尺寸測量(0CD)量測多晶硅線底部形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供一種量測多晶硅線底部形狀的方法，其包括如下步驟a.捕獲多晶硅線底部上的形狀，并將捕獲到的多晶硅線從上到下劃分為第一部分和第二部分；b.通過量測獲取第一部分底部的寬度參數(shù)和第二部分底部的寬度參數(shù)；c.對(duì)比兩個(gè)寬度參數(shù)差值。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的量測方法不會(huì)對(duì)多晶硅表面造成損傷，并可以有效且精確獲取多晶硅線底部的形狀。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101202235SQ20061014739
公開日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者張海洋, 杜珊珊, 馬擎天, 怡 黃 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司