專利名稱：凸點的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造"t支術領域，特別涉及凸點的形成方法。
背景技術：
在半導體集成電路后端工藝中，最后一層圖形化的金屬層形成陣列的金屬墊層作為輸入/輸出(1/0)或者電源/接地信號提供連接；接著在金屬墊層上 沉積第一鈍化層，比如氧化硅或者氧化硅/氮化硅共同組成的絕緣層以進行鈍 化，然后在第一鈍化層中形成開口暴露出金屬墊層，然后在第一鈍化層上形 成第二鈍化層，第二鈍化層為相對較厚的高分子聚合物(通常采用聚酰亞胺) 以二提供進一步的絕緣和防止在隨后的劃片過程中半導體集成電路被污染和發(fā) 生機械損傷，然后在開口中和第二鈍化層上形成凸點下金屬層，所述凸點下 金屬層一般通過電鍍方式形成， 一般采用Ti、 Ni、 Cu中一種或者它們的組合 構成，然后在凸點下金屬層上形成凸點，蝕刻凸點下金屬層，去除金屬墊層 上以外的部分，隨后把半導體襯底進行劃片，把這些小片即集成電路的芯片 的凸點連接到引線框架上進行封裝。
近年來，聚酰亞胺以其較低的介電常數(shù)、高溫穩(wěn)定性(高達450。C)、平 整性以及低成本的特性在金屬墊層上作為鈍化層吸引了人們的關注，但是， 當在半導體襯底上電鍍形成凸點之后，在去除凸點下金屬層工藝中，由于高 分子聚合物比如聚酰亞胺表面容易和金屬離子結合在碳-碳鍵上，殘余的金 屬離子會導致漏電流，因此在現(xiàn)有技術中，通常采用微波(13.56MHz)產(chǎn)生 的氧氣或者四氟化碳等離子體灰化(等離子氣體去膠)步驟來去除金屬離子。 但是，采用這種等離子體灰化方法只能將表面電導率降至皮安培(pA)級， 隨著半導體器件尺寸越來越小，電路密度越來越大，芯片上輸入/輸出(I/0)接 口數(shù)量也越來越多，金屬墊層之間的距離會越來越小，為了提高電路性能，減小漏電流顯得格外重要，為了獲得更為優(yōu)良電路性能，漏電流要求也由原來的皮安培數(shù)量級(pA， 1E-12)提高至飛安數(shù)量級(fA， 1E-15),因此， 以往的皮安培(pA)數(shù)量級的漏電流標準已經(jīng)不能滿足現(xiàn)在器件的需要，在 半導體工業(yè)界亟需一種將集成電路的漏電流降低到飛安(fA)數(shù)量級的技術。
專利號為5807787的美國專利公開了 一種降低聚酰亞胺表面漏電流的方 法，上述發(fā)明專利通過在金屬墊層上形成聚酰亞胺鈍化層，然后在聚酰亞胺 鈍化層中形成開口，暴露出金屬墊層，但是由于聚酰亞胺在金屬墊層上有殘 留，會造成接觸電阻增大，因此采用微波技術產(chǎn)生等離子體蝕刻金屬墊層，但是在等離子體蝕刻金屬墊層后，鈍化層表面電導率的升高，上述發(fā)明通過 在等離子體蝕刻工藝之后增加一道熱處理工藝，降低鈍化層表面漏電流，但是上述發(fā)明只是針對由于聚酰亞胺吸收了空氣中的水汽形成在鈍化層表面形 成導電離子造成表面導電率的升高問題給出了解決方法。
在實際半導體工藝中，在去除鈍化層上凸點下金屬層時候，由于凸點下 金屬層會有殘留，造成鈍化層表面的電導率的升高，在現(xiàn)有技術中，通常采 用微波技術產(chǎn)生等離子體來灰化去除鈍化層上殘留的金屬離子，但是因為在 微波灰化工藝中，會產(chǎn)生化學反應，盡管去除了鈍化層表面少量的高分子聚 合物，在灰化中， 一些金屬離子可能陷在高分子聚合物鈍化層表面，去除不 千凈，導致漏電流。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種降低鈍化層表面漏電流的方法和一種形成 半導體器件的方法，避免了現(xiàn)有技術中采用微波技術去除鈍化層表面殘留金 屬離子造成的鈍化層漏電流問題。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種凸點的形成方法，包括提供半導體 襯底；在半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層
中，且通過鈍化層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層為高分子聚合物；
在鈍化層及其第一開口內形成金屬層；在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬 墊層形狀，形成第二開口，暴露出金屬層；在第二開口內、金屬層上依次形 成電鍍籽晶層和凸點層；去除光刻膠；蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴 露出鈍化層；采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體灰化處理鈍化層；形成 凸點。
所述反應離子刻蝕裝置中通入氣體為氧氣或氫氣，產(chǎn)生氧等離子體或氬 等離子體，所述氣體的流量為100至500sccm。
產(chǎn)生等離子體的功率為100至750 W，所述反應離子刻蝕裝置中壓強范 圍為1.3 x 10'至1.33 x 102 Pa。
等離子體灰化處理時間范圍為15至120s，等離子體灰化處理溫度為25 至90。C。
所述鈍化層為聚酰亞胺。
本發(fā)明還提供一種凸點的形成方法，包括提供半導體襯底；在半導體 襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化 層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層依次由第一鈍化層和第二鈍化層 組成，所述第二鈍化層為高分子聚合物；在鈍化層及其第一開口內形成金屬 層；在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬墊層形狀，形成第二開口，暴露出 金屬層；在第二開口內、金屬層上依次形成電鍍籽晶層和凸點層；去除光刻 膠；蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴露出第二鈍化層；采用反應離子刻 蝕裝置產(chǎn)生的等離子體灰化處理鈍化層；形成凸點。
所述反應離子刻蝕裝置中通入氣體為氧氣或氬氣，產(chǎn)生氧等離子體或氬 氣的等離子體，所述氣體的流量為100至500 sccm。
產(chǎn)生等離子體的功率為100至750 W，所述反應離子刻蝕裝置中壓強范 圍為1.3x 1.33 x 102 Pa。
等離子體灰化處理時間范圍為15至120 s，等離子體灰化處理溫度為25 至90°C。
所述鈍化層為聚酰亞胺。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明通過采用反應離子刻蝕 裝置進行等離子體灰化處理鈍化層，去除了鈍化層表面殘留的金屬離子，降 低了鈍化層表面的漏電 流。
本發(fā)明通過采用反應離子刻蝕裝置進行等離子體灰化處理第二鈍化層， 去除了第二鈍化層表面殘留的金屬離子，降低了第二鈍化層表面的漏電流。


圖1A至1J是本發(fā)明形成凸點的結構示意圖。 圖2A至2K是本發(fā)明形成凸點的另 一種結構示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的實質是采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生等離子體灰化去除高分子聚 合物表面殘留金屬離子的方法，所述等離子體為氣氣的等離子體或者氫氣的
等離子體。
本發(fā)明首先給出一種凸點的形成方法實施例，包括提供半導體村底； 在半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中，且
通過鈍化層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層為高分子聚合物；在鈍 化層及其第一開口內形成金屬層；在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬墊層 形狀，形成第二開口，暴露出金屬層；在第二開口內、金屬層上依次形成電 鍍籽晶層和凸點層；去除光刻膠；蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴露出 鈍化層；采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體灰化處理鈍化層；形成凸點。 參考圖1A至1J給出本發(fā)明在半導體襯底上形成鈍化層和焊點下金屬層 的結構示意圖，參照圖1A所示，提供半導體襯底21,所述半導體襯底21為
帶有半導體器件的半導體襯底，為了簡化示圖，此處僅以空白半導體襯底示意。
參照圖IB,在半導體襯底21上形成鈍化層22和金屬墊層23,所迷金屬 墊層23鑲嵌于鈍化層22中，所述鈍化層22中形成有第一開口，金屬墊層23 通過鈍化層22的第一開口暴露出來。
所述形成鈍化層22和金屬墊層23工藝為本領域技術人員公知技術，作 為本發(fā)明的一個實施方式，首先在半導體襯底上形成第一金屬層，所述第一 金屬層為Al、 Cu或者它們的合金構成，所述第一金屬層的厚度范圍為100至 300nm,所述第一金屬層為采用物理氣相沉積(PVD )方法制備，然后采用現(xiàn) 有光刻和蝕刻技術圖形化第一金屬層，形成金屬墊層23。
接著在半導體襯底21和金屬墊層23上形成鈍化層22，所述鈍化層22為 高分子聚合物，可以為苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚四氟乙烯、聚酰亞胺等高分子 聚合物，比較優(yōu)化的鈍化層22為聚醜亞胺，所述鈍化層22為采用旋涂方法 制備，所述鈍化層22的厚度范圍為2至10|im,然后采用現(xiàn)有的光刻和顯影 技術，在鈍化層22上形成第一開口，所述第一開口暴露出金屬墊層23。
參照圖1C，在鈍化層22和金屬墊層23上形成金屬層24，所述金屬層 24為A1、 Ni、 Cu、 Ti、 Cr中的一種或者它們的組合構成，作為本發(fā)明的一個 實施方式，金屬層24為A1、 Ni和Cu的合金組成，所述金屬層24的厚度范 圍為200至1500nm。
參照圖1D所示，在金屬層24上形成光刻膠層25，通過現(xiàn)有光刻技術定 義出金屬墊層23形狀，然后進行曝光，被曝光的金屬墊層23區(qū)域的光刻膠 變成水溶性物質，直接去除，在光刻膠層25中形成第二開口暴露出下層的金 屬墊層23上的金屬層24。
參照圖1E所示，以光刻膠層25為掩模，在第二開口內、金屬層24上形 成電鍍籽晶層26，所述電鍍籽晶層26為Cu、 Ni或其組合構成，所述電鍍籽晶層26作為電鍍形成凸點層24的籽晶層，厚度范圍為I至1Oμm,。
參照圖1F所示，繼續(xù)以光刻膠層25為掩模，在電鍍籽晶層26上形成凸
點層27。形成所述凸點層27為本領域技術人員公知技術，作為本發(fā)明的一個
實施方式，通過電鍍方法形成凸點層27，所述凸點層27為Sn、 SnPb合金構
成，所述凸點層27的厚度范圍為50至300μm。
參照圖1G所示，去除光刻膠層25,去除所述光刻膠層25為本領域技術
人員公知技術。
參照圖1H所示，蝕刻金屬層24。作為本發(fā)明的一個實施方式，如果金 屬層24為金屬A1，采用熱磷酸腐蝕金屬層24,金屬層24比較薄，在很短時 間內被去除，同時熱磷酸對凸點層27也有腐蝕作用，但是由于凸點層27較 厚，僅僅腐蝕凸點層27表面的極小部分。蝕刻金屬層24之后，位于第二開 口內的金屬墊層23上的金屬層24形成凸點下金屬層24a。
在蝕刻金屬層24之后，容易在鈍化層22表面殘留有金屬離子，造成泄 漏電流。
參照圖II所示，采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體28灰化處理鈍化 層22。所述反應離子刻蝕裝置中通入氣體為氧氣或者氮氣，所述氧氣或氫氣 的流量為100至500 sccm,因此所述等離子體28為氧氣或者氫氣的等離子體， 產(chǎn)生氧氣或者氫氣的等離子體的功率為100至750 W。在蝕刻時候，所述反 應離子刻蝕裝置中壓強范圍為1.33 xl01 至1.33 xl02 Pa，采用等離子體灰化 處理鈍化層22的時間范圍為15至120 s;灰化處理時候，半導體襯底21的溫 度范圍為25至9(TC。
作為本發(fā)明的一個實施方式，采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生氧氣的等離子 體，所述通入的氧氣的流量為200 sccm,所述產(chǎn)生氧氣的等離子體的功率為 300W;在蝕刻時候，所述反應離子刻蝕刻蝕裝置中的壓強為1.7xlO1 Pa，采 用等離子體灰化處理鈍化層22的時間為100 s;灰化處理時候，半導體襯底21的溫度為30℃。
作為本發(fā)明的另一個實施方式，采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生氫氣的等離 子體，所述通入的氫氣的流量為300 sccm,所述產(chǎn)生氫氣的等離子體的功率為500 W;在蝕刻時候，所述反應離子刻蝕刻蝕裝置中的壓強為4.0 x (10)1 Pa， 采用氫氣的等離子體灰化處理鈍化層22的時間為80s;灰化處理時候，半導體襯底21的溫度為90℃。
本發(fā)明采用化學反應離子刻蝕(RIE)裝置產(chǎn)生的等離子體去除高分子聚 合物表面的金屬離子，在進行RIE工藝中，不但會有化學反應，而且會有物理刻蝕，在灰化處理工藝中可以阻止二次離子陷在陷阱中造成漏電流。
參照圖1J所示，在凸點層27上涂布助焊劑，然后在回流爐內保溫回流， 形成凸點27a。
本發(fā)明還給出另外凸點的形成方法實施例，包括提供半導體襯底；在 半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層依次由第一鈍化層和第二 鈍化層組成，所述第二鈍化層為高分子聚合物；在鈍化層及其第一開口內形 成金屬層；在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬墊層形狀，形成第二開口， 暴露出金屬層；在第二開口內、金屬層上依次形成電鍍籽晶層和凸點層；去 除光刻膠；蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴露出第二鈍化層；采用反應 離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體灰化處理鈍化層；形成凸點。
參考圖2A至2H給出本發(fā)明在半導體襯底上形成凸點的另一結構示意 圖，參照圖2A所示，提供半導體襯底31,所述半導體襯底31為帶有半導體器件的半導體襯底，為了簡化示圖，此處僅以空白半導體襯底示意。
參照圖2B，在半導體襯底31上形成第一鈍化層33和金屬墊層32,所迷 金屬墊層32鑲嵌于第一鈍化層33中，所述第一鈍化層33中形成有第三開口， 金屬墊層32通過第一鈍化層33的第三開口暴露出來。
所述形成第一鈍化層33和金屬墊層32工藝為本領域技術人員公知技術， 作為本發(fā)明的一個實施方式，首先在半導體襯底31上形成第一金屬層，所述 第一金屬層為Al、 Cu或它們的組合構成，所述第一金屬層的厚度范圍為1000 至3000nm，所述第一金屬層為采用物理氣相沉積(PVD )方法制備，然后采 用現(xiàn)有光刻和蝕刻技術圖形化第一金屬層，形成金屬墊層32。
接著在半導體襯底31和金屬墊層32上形成第一鈍化層33,所述第一鈍 化層33可以為高分子聚合物、氧化硅或者氮化硅，所述高分子聚合物可以為 苯并環(huán)丁埽(BCB)、聚四氟乙烯、聚酰亞胺等，作為本發(fā)明的一個實施方式， 所述第一鈍化層33為氮化硅，第一鈍化層33為采用化學氣相沉積方式制備， 然后采用現(xiàn)有的光刻和蝕刻技術，在第一鈍化層33上定義出金屬墊層32形 狀，蝕刻第一鈍化層33,形成第三開口，所述第三開口暴露出金屬墊層32。
參照圖2C,在第一鈍化層33和金屬墊層32上形成第二鈍化層34，所迷 第二鈍化層34為高分子聚合物，所述高分子聚合物為苯并環(huán)丁烯(BCB)、 聚四氟乙烯、聚酰亞胺等，比較優(yōu)化的第二鈍化層34為聚酰亞胺，所述第二 鈍化層34為采用旋涂方法制備，所述第二鈍化層34的厚度范圍為3至10 ,， 然后采用現(xiàn)有的光刻和蝕刻技術，在第二鈍化層34上定義出金屬墊層32的 形狀，蝕刻第二鈍化層34,形成第四開口，所述第四開口暴露出金屬墊層32。
所述第三開口和第四開口構成第一開口 。
參照圖2D所示，在第二鈍化層34和金屬墊層32上形成金屬層35,所 述金屬層35為Al、 Ni、 Cu、 Ti、 Cr中的一種或者它們的組合構成，作為本 發(fā)明的一個實施方式，金屬層35為Cr、 Cu共同組成復合層，所述金屬層35 的厚度范圍為200至1500 nm。
參照圖2E所示，在金屬層35上形成光刻膠層36,通過現(xiàn)有光刻技術定 義出金屬墊層32形狀，然后進行曝光，被曝光的金屬墊層32區(qū)域的光刻膠 變成水溶性物質，直接去除，在光刻膠層36中形成第二開口暴露出下層的金屬墊層32上的金屬層35。
參照圖2F所示，以光刻膠層36為掩模，在第二開口內、金屬層24上形 成電鍍軒晶層37，所述電鍍衧晶層37為所述電鍍衧晶層26為Cu、 Ni或其 組合構成，厚度范圍為1至10pm。
參照圖2G所示，繼續(xù)以光刻膠層36為掩模，在電鍍籽晶層26上形成凸 點層38,形成所述凸點層38為本領域技術人員公知技術，作為本發(fā)明的一個 實施方式，通過電鍍方法形成凸點層38,所述凸點層38為A1、 Cu或者它們 的合金構成，所述凸點層38的厚度范圍為50至300pm。
參照圖2H所示，去除光刻膠層36,去除所述光刻膠層36為本領域技術 人員公知技術。
參照圖2I所示，蝕刻金屬層35，作為本發(fā)明的一個實施方式，如果金屬 層35為金屬A1，采用熱磷酸腐蝕金屬層35,金屬層35比較薄，在很短時間 內被去除，同時熱磷酸對凸點層38也有腐蝕作用，但是由于凸點層38較厚， 僅僅腐蝕凸點層38表面的極小部分，蝕刻金屬層35之后，位于第二開口內 的金屬墊層32上的金屬層35形成凸點下金屬層35a。
在蝕刻金屬層35之后，容易在鈍化層34表面殘留有金屬離子，造成泄 漏電流。
參照圖2J所示，采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體39灰化處理鈍化 層34,所述反應離子刻蝕裝置中通入氣體為氧氣或者氬氣，所述氧氣或氬氣 的流量為100至500 sccm,因此所述等離子體39為氧氣或者氫氣的等離子體， 產(chǎn)生氧氣或者氫氣的等離子體的功率為100至750 W,在蝕刻時候，所述反 應離子刻蝕裝置中壓強范圍為1.33 x 1()i至1.33 x 102Pa,采用等離子體灰化處 理鈍化層34的時間范圍為15s至120s,灰化處理時候，半導體襯底31的溫 度范圍為25至90'C。
作為本發(fā)明的一個實施方式，采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生氧氣的等離子
體，所述通入的氧氣的流量為200 sccm,所述產(chǎn)生氧氣的等離子體的功率為 300 W,在蝕刻時候，所述反應離子刻蝕刻蝕裝置中的壓強為1.06x 102 Pa, 采用等離子體灰化處理鈍化層22的時間為50s，灰化處理時候，半導體襯底 31的溫度為30 °C。
作為本發(fā)明的另一個實施方式，采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生氫氣的等離 子體，所述通入的氫氣的流量為300 sccm,所述產(chǎn)生氫氣的等離子體的功率 為500 W，在蝕刻時候，所述反應離子刻蝕刻蝕裝置中的壓強為5.3 x 101 Pa, 采用氫氣的等離子體灰化處理鈍化層22的時間為120s,灰化處理時候，半導 體襯底31的溫度為90 °C。
本發(fā)明采用化學反應離子刻蝕(RIE)裝置產(chǎn)生的等離子體去除高分子聚 合物表面的金屬離子，在進行RIE工藝中，不但會有化學反應，而且會有物理 刻蝕，在灰化處理工藝中可以阻止二次離子陷在陷阱中。
參照圖2K所示，在凸點層38上形成涂布助焊劑，然后在回流爐內保溫 回流，形成凸點38a。
基于以上工藝實施后，測試了第二鈍化層34表面的漏電流，實驗數(shù)據(jù)顯 示，采用RIE裝置產(chǎn)生的氧氣或者氫氣的等離子體進行灰化處理后，第二鈍 化層34表面的漏電流由現(xiàn)有技術的微波裝置處理后的微安()數(shù)量級降低 至飛安(fA)數(shù)量級。
雖然本發(fā)明己以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1. 一種凸點的形成方法，其特征在于，包括提供半導體襯底；在半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層為高分子聚合物；在鈍化層及其第一開口內形成金屬層；在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬墊層形狀，形成第二開口，暴露出金屬層；在第二開口內、金屬層上依次形成電鍍籽晶層和凸點層；去除光刻膠；蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴露出鈍化層；采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體灰化處理鈍化層；形成成凸點。
2. 根據(jù)權利要求1所述的凸點的形成方法，其特征在于所述反應離子刻蝕 裝置中通入氣體為氧氣或氬氣，產(chǎn)生氧等離子體或氫等離子體，所述氣體 的流量為100至500sccm。
3. 根據(jù)權利要求2所述的凸點的形成方法，其特征在于產(chǎn)生等離子體的功 率為100至750 W,所述反應離子刻蝕裝置中壓強范圍為1.3 xl()i至1.33x 102 Pa。
4. 根據(jù)權利要求2所述的凸點的形成方法，其特征在于等離子體灰化處理 時間范圍為15至120 s，等離子體灰化處理溫度為25至9(TC。
5. 根據(jù)權利要求1所述的形成凸點的方法，其特征在于所述鈍化層為聚酰 亞胺。
6. —種凸點的形成方法，其特征在于，包括提供半導體襯底；在半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中， .且通過鈍化層的第 一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層依次由第 一鈍化層和 第二鈍化層組成，所述第二鈍化層為高分子聚合物；在鈍化層及其第一開口內形成金屬層；在金屬層上形成光刻膠，定義出金屬墊層形狀，形成第二開口，暴露出 金屬層；在第二開口內、金屬層上依次形成電鍍籽晶層和凸點層； 去除光刻膠；蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層，暴露出第二鈍化層； 采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體灰化處理鈍化層； 形成凸點。
7. 根據(jù)權利要求6所述的凸點的形成方法，其特征在于所述反應離子刻蝕 裝置中通入氣體為氧氣或氫氣，產(chǎn)生氣等離子體或氫氣的等離子體，所述 氣體的流量為100至500 sccm。
8. 根據(jù)權利要求7所述的凸點的形成方法，其特征在于產(chǎn)生等離子體的功 率為100至750 W,所述反應離子刻蝕裝置中壓強范圍為1.3 x l(V至1.33 x 102 Pa。
9. 根據(jù)權利要求7所述的凸點的形成方法，其特征在于等離子體灰化處理 時間范圍為15至120s,等離子體灰化處理溫度為25至9(TC。
10. 根據(jù)權利要求6所述的凸點的形成方法，其特征在于所述鈍化層為聚酰 亞胺。.
全文摘要
一種凸點的形成方法，包括在半導體襯底上形成金屬墊層和鈍化層，所述金屬墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層的第一開口暴露出金屬墊層，所述鈍化層為高分子聚合物；在鈍化層及其第一開口內形成金屬層；在金屬層上形成第二開口；在金屬層上依次形成電鍍籽晶層和凸點層；去除光刻膠；蝕刻金屬層，形成凸點下金屬層；形成凸點；本發(fā)明還包括在蝕刻金屬層之后，采用反應離子刻蝕裝置產(chǎn)生的等離子體灰化處理鈍化層步驟，去除高分子材料聚合物表面上殘留金屬離子，降低了高分子聚合物鈍化層表面的漏電流，增強了半導體器件的性能。
文檔編號H01L21/02GK101207046SQ200610147430
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月18日 優(yōu)先權日2006年12月18日
發(fā)明者靳永剛 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司