專利名稱：可去除累積在基底上的電荷的連續(xù)沉積多層膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的工藝方法，尤其涉及一種在含等離子體 的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積多層膜的方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相沉積工藝是一種將反應(yīng)氣體導(dǎo)入高溫的反應(yīng)腔室之中，藉由 反應(yīng)氣體之間的化學(xué)反應(yīng)來沉積薄膜的技術(shù)。化學(xué)氣相沉積工藝是許多半 導(dǎo)體工藝中經(jīng)常使用的 一種沉積方法?；瘜W(xué)氣沉積工藝可包括低壓化學(xué)氣
相沉積(LPCVD)、常壓化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體增強型化學(xué)氣相 沉積(PECVD)以及高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)等工藝，其中等 離子體增強型化學(xué)氣相沉積工藝和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝因為 工藝的溫度低而被廣泛應(yīng)用。
以化學(xué)氣相沉積工藝來連續(xù)沉積多層膜時，僅需將不同的反應(yīng)氣體通 入反應(yīng)室中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，即可得到所需的堆疊膜層。然而，以含有等離 子體的化學(xué)氣相沉積工藝來沉積多層膜時，工藝中的電荷會因為靜電吸附 而殘留在晶片上，導(dǎo)致下一膜層在沉積過程中射頻延遲(RF delay)以及反射 功率(reflective power)過高，使得所沉積的膜層的品質(zhì)變差。另一方面，也 有可能因為晶片上累積過多的電荷，而在沉積結(jié)束以頂針頂起晶片時，造 成晶片破片的情形。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種以含有等離子體的化學(xué)氣相沉積工藝來連續(xù) 沉積多層膜的方法，其可以減少電荷累積在基底上。
本發(fā)明的目的是提供一種以含有等離子體的化學(xué)氣相沉積工藝來連續(xù) 沉積多層膜的方法，其可以提升沉積膜的品質(zhì)。
本發(fā)明的又一 目的是提供一種以含有等離子體的化學(xué)氣相沉積工藝來 連續(xù)沉積多層膜的方法，其可以避免晶片在沉積結(jié)束取出時發(fā)生破片。
本發(fā)明提出 一種在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積多層膜 的方法。此方法包括在化學(xué)氣相沉積機臺中進(jìn)行第 一等離子體沉積工藝，
以在基底上形成第一膜層；進(jìn)行第二等離子體沉積工藝，以在第一膜層上 形成一第二膜層；以及進(jìn)行一電荷去除步驟。電荷去除步驟包括通入一鈍
氣，再抽去鈍氣。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中，鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧 化碳、氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連
續(xù)沉積多層膜的方法中，鈍氣的流量為10-1000sccm,時間持續(xù)1-10秒。 依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連
續(xù)沉積多層膜的方法，還包括在通入鈍氣之后，抽去鈍氣之前，點燃一等
離子體，在持續(xù)一段時間后再關(guān)掉等離子體。點燃等離子體的功率為5-1000
瓦特，優(yōu)選的是10-200瓦特。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連
續(xù)沉積多層膜的方法中，在通入鈍氣之前，還包括抽去化學(xué)氣相沉積機臺
中的氣體。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中，電荷去除步驟是在形成第一膜層與形成第二膜層 之間進(jìn)行，及/或在形成第二膜層之后進(jìn)行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中第二膜層為該多層膜的最后 一層膜。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中，第一膜層與第二膜層其中之一為一含氮膜層，且 電荷去除步驟是在形成含氮膜層之后進(jìn)行。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中第 一膜層/第二膜層包括氧化硅層/無機抗反射層、氮 化硅層/無機抗反射層、阻障層/低介電常數(shù)材料層、氮化硅層/氧化硅介電層 或氮氧化硅/氧化硅介電層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中，阻障層的材質(zhì)選自于氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、
碳氧化硅(SiCO)、碳氮化硅(SiCN)、碳氮氧化硅(SiCNO)及其組合所組成的族群。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中，還包括在形成第二膜層之后，在基底上形成一第 三膜層。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中，還包括在形成該第三膜層之后，進(jìn)行另一電荷去 除步驟。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連 續(xù)沉積多層膜的方法中，中該第 一膜層/該第二膜層/該第三膜層包括氧化硅 層/氮化硅層/氧化硅層。
本發(fā)明提出 一種在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上的電荷的 方法，此方法是在機臺中通入一鈍氣，再抽去鈍氣。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在機臺中去除等離子體工藝后累積在基 底上的電荷的方法中，鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化 碳、氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。
依照本發(fā)明實施例所述，在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上 的電荷的方法中，鈍氣的流量為10-1000sccm,時間持續(xù)1-10秒。
依照本發(fā)明實施例所述，上述在機臺中去除等離子體工藝后累積在基 底上的電荷的方法，還包括在通入鈍氣之后，抽去鈍氣之前，點燃一等離 子體，再關(guān)掉等離子體。等離子體的功率為5-1000瓦特，優(yōu)選的是10-200 瓦特。
依照本發(fā)明實施例所述，在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上 的電荷的方法中，在通入鈍氣的步驟之前，還包括抽去化學(xué)氣相沉積機臺 中的氣體。
本發(fā)明的連續(xù)沉積多層膜的方法可以減少電荷累積在基底上，提升沉 積膜的品質(zhì)，避免晶片在沉積結(jié)束取出時發(fā)生破片。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉 優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。
圖1是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種在含等離子體的化學(xué)氣相沉積
機臺中連續(xù)沉積雙層膜的方法的流程圖1A繪示本發(fā)明實施例的一種電荷去除步驟的流程圖1B繪示本發(fā)明實施例的另 一種電荷去除步驟的流程圖1C繪示本發(fā)明實施例的又一種電荷去除步驟的流程圖2是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種具有雙層堆疊膜層的基底的剖
面示意圖3是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種應(yīng)用雙層堆疊膜層的雙重金屬 鑲嵌工藝的剖面示意圖4是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種應(yīng)用雙層堆疊膜層的接觸窗工 藝的剖面示意圖5是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種應(yīng)用雙層堆疊膜層的保護(hù)層的 剖面示意圖6是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種在含等離子體的化學(xué)氣相沉積 機臺中連續(xù)沉積三層堆疊膜的方法的流程圖7是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種具有三層堆疊膜層的基底的剖 面示意圖。
主要元件符號說明
200、 700:基底
202、 204、 702、 704、 706:膜層 10~18、 102- 108、 602 ~ 612:步驟
具體實施例方式
本發(fā)明的沉積多層膜的方法，是在最后一層膜層沉積之后，及/或是在 進(jìn)行相鄰兩膜層的沉積工藝之間，進(jìn)行一電荷去除步驟，以減少累積在基 底上的電荷。其詳細(xì)說明如下。
圖1是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種在含等離子體的化學(xué)氣相沉積 機臺中連續(xù)沉積雙層膜的方法的流程圖。圖2是依照本發(fā)明實施例所繪示
的一種具有雙層堆疊膜層的基底的剖面示意圖。
請參照圖1與圖2，步驟102,首先，在基底200上形成一第一膜層202。 其工藝方法是在一含有等離子體的化學(xué)氣相機臺，例如是等離子體增強型
化學(xué)氣相沉積機臺或是高密度等離子體沉積機臺的反應(yīng)腔室之中通入反應(yīng)
氣體以及載氣，當(dāng)壓力穩(wěn)定之后，點燃(ignite)等離子體，進(jìn)行等離子體沉 積工藝，以在基底200上形成一第一膜層202,之后，關(guān)掉等離子體。
接著，請參照步驟104，進(jìn)行一電荷去除步驟，以去除基底200上累積 的電荷。請參照圖1'A,在一實施例中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔 室之中通入鈍氣，步驟12，在一段時間之后，再利用泵將此鈍氣抽除，步 驟18。反應(yīng)腔室的溫度為攝氏350度至450度。通入的鈍氣選自于惰性氣 體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的 族群。惰性氣體例如是氦氣、氖氣。所通入的鈍氣的流量約為10-1000sccm。 時間持續(xù)約1-10秒。請參照圖1B，在另一實施例中，電荷去除步驟可以在 機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣，步驟12。之后，先點燃等離子體，持續(xù)一 段時間，步驟14。之后，關(guān)掉等離子體，步驟16，再將鈍氣抽除，步驟18。 等離子體的功率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。請參照圖1C， 在又一實施例中，電荷去除步驟是先抽去反應(yīng)腔室中殘留的氣體，步驟IO, 再通入鈍氣，步驟12。之后，先點燃等離子體，持續(xù)一段時間，步驟14。 之后，關(guān)掉等離子體，步驟16，再利用泵將鈍氣抽除，步驟18。等離子體 的功率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。點燃該等離子體的時 間持續(xù)約1-10秒。
進(jìn)行步驟106，在基底200上形成一第二膜層204。此工藝是在反應(yīng)腔 室之中通入反應(yīng)氣體以及載氣，當(dāng)壓力穩(wěn)定之后，點燃等離子體，進(jìn)行另 一次的等離子體沉積工藝，以在基底上形成一第二膜層，之后，關(guān)掉等離 子體。
進(jìn)行步驟108,再次進(jìn)行一電荷去除步驟，以去除基底200上累積的電 荷。在一實施例中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣， 在一段時間之后，再利用泵將此鈍氣抽除。反應(yīng)腔室的溫度為攝氏350度 至450度。通入的鈍氣選自于惰性氣體、氬氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、 氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。惰性氣體例如是氦氣、氖氣。 所通入的鈍氣的流量約為10-1000sccm。時間持續(xù)約1-10秒。在另一實施例 中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣之后，先點燃等離 子體，持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再利用泵將鈍氣抽除。等離子 體的功率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。在又一實施例中，
電荷去除步驟是先抽去反應(yīng)腔室中殘留的氣體，再通入鈍氣，之后，先點 燃等離子體，持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再將鈍氣抽除。等離子
體的功率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。點燃該等離子體的 時間持續(xù)約1-10秒。
在連續(xù)沉積雙層膜的實例中，在基底200上的第一膜層202/第二膜層 204的實例例如是作為雙層硬掩模(dual hard mask)的氧化硅層/無機抗反射 層(DARC)或氮化硅層/無機抗反射層。請參照圖3，上述第一膜層202/第二 膜層204例如是雙重金屬鑲嵌工藝中，形成在介電層310上方，光致抗蝕 劑層316下方，由氧化硅層312/無機抗反射層(DARC)314或氮化珪層312/ 無機抗反射層314所構(gòu)成的雙層硬掩模。在另一實施例中，請參照圖3，第 一膜層202/第二膜層204例如是雙重金屬鑲嵌工藝中的阻障層308/低介電 常數(shù)材料層310，其中阻障層308的材質(zhì)例如是氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、 碳氧化硅(SiCO)、碳氮化硅(SiCN)、碳氮氧化硅(SiCNO)等，低介電常數(shù)層 310例如是氟摻雜硅玻璃(FSG)與聚對二曱苯(Parylene)等。在又一實施例中， 請參照圖4,第一膜層202/第二膜層204例如是接觸窗工藝中的氮化硅蝕刻 終止層420/氧化硅內(nèi)層介電層(ILD)422或氮氧化硅蝕刻終止層420/氧化硅 內(nèi)層介電層422。在又一實施例中，請參照圖5，第一膜層202/第二膜層204 例如是金屬內(nèi)連線形成之后覆蓋在基底上的保護(hù)層中的氧化硅層530/氮化 石圭層532。
上述的多層膜的制造流程是在每一膜層沉積之后，均進(jìn)行一次的電荷 去除步驟。然而，在實際應(yīng)用時，并不限于此，其可以依照需要來加以調(diào) 整。
在一實施例中，在第一膜層沉積之后，基底上的殘留電荷不會在第二 膜層的沉積過程中造成射頻延遲以及反射功率過高而使得所沉積的膜層的 品質(zhì)變差時，則在沉積第二膜層之前，可以不需要施行電荷去除步驟，而 僅需在第二膜層沉積之后施行電荷去除步驟。
圖6是依照本發(fā)明實施例所繪示的一種在含等離子體的化學(xué)氣相沉積 機臺中連續(xù)沉積三層膜的方法的流程圖。圖7是依照本發(fā)明實施例所繪示 的一種具有三層堆疊膜層的基底的剖面示意圖。
請參照圖6與圖7,步驟602，在一含有等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺， 例如是等離子體增強型化學(xué)氣相沉積機臺或是高密度等離子體沉積機臺的
反應(yīng)腔室之中通入反應(yīng)氣體以及載氣，當(dāng)壓力穩(wěn)定之后，點燃(ignite)等離 子體，進(jìn)行等離子體沉積工藝，以在基底700上形成一第一膜層702，之后， 關(guān)掉等離子體。
接著，請參照步驟604，進(jìn)行一電荷去除步驟，以去除基底700上累積 的電荷。在一實施例中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍 氣，在一段時間之后，再利用泵將此鈍氣抽除。反應(yīng)腔室的溫度為攝氏350 度至450度。通入的鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、 氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。惰性氣體例如是氦氣、氖氣。 所通入的鈍氣的流量約為10-1000sccm。時間持續(xù)約1-10秒。在另一實施例 中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣之后，先點燃等離 子體，持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再將鈍氣抽除。等離子體的功 率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。在又一實施例中，電荷去 除步驟是先抽去反應(yīng)腔室中殘留的氣體，再通入鈍氣，之后，先點燃等離 子體，持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再利用泵將鈍氣抽除。等離子 體的功率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。點燃該等離子體的 時間持續(xù)約1-10秒。
進(jìn)行步驟606，在反應(yīng)腔室之中通入反應(yīng)氣體以及載氣，當(dāng)壓力穩(wěn)定之 后，點燃等離子體，進(jìn)行另一次的等離子體沉積工藝，以在基底700上形 成一第二膜層704,之后，關(guān)掉等離子體。
進(jìn)行步驟608，再次進(jìn)行一電荷去除步驟，以去除基底700上累積的電 荷。在一實施例中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通厶鈍氣， 在一段時間之后，再利用泵將此鈍氣抽除。反應(yīng)腔室的溫度約為攝氏350 度至450度。通入的鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、 氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。惰性氣體例如是氦氣、氖氣。 所通入的鈍氣的流量約為10-1000sccm。時間持續(xù)約1-10秒。在另一實施例 中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣之后，先點燃等離 子體，持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再利用泵將鈍氣抽除。等離子 體的功率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。在又一實施例中， 電荷去除步驟是先抽去反應(yīng)腔室中殘留的氣體，再通入鈍氣，之后，先點 燃等離子體，持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再將鈍氣抽除。等離子 體的功率約為5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。點燃該等離子體的
時間持續(xù)約1-10秒'。
步驟610，在反應(yīng)腔室之中通入反應(yīng)氣體以及載氣，當(dāng)壓力穩(wěn)定之后，
點燃等離子體，進(jìn)行又一次的等離子體沉積工藝，以在基底700上形成一 第三膜層706,之后，關(guān)掉等離子體。
步驟612，再次進(jìn)行一電荷去除步驟，以去除基底700上累積的電荷。 在一實施例中，電荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣，在一 段時間之后，再利用泵將此鈍氣抽除。反應(yīng)腔室的溫度為攝氏350度至450 度。通入的鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。惰性氣體例如是氦氣、氖氣。所通入 的鈍氣的流量約為10-1000sccm。時間持續(xù)約1-10秒。在另一實施例中，電 荷去除步驟可以在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣之后，先點燃等離子體， 持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再將鈍氣抽除。等離子體的功率約為 5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。在又一實施例中，電荷去除步驟 是先抽去反應(yīng)腔室中殘留的氣體，再通入鈍氣，之后，先點燃等離子體， 持續(xù)一段時間之后，關(guān)掉等離子體，再將鈍氣抽除。等離子體的功率約為 5-1000瓦特，優(yōu)選的是約為10-200瓦特。點燃該等離子體的時間持續(xù)約1-10 秒。
若是多層膜為更多層，則可以再進(jìn)行或重復(fù)進(jìn)行步驟610與612。 請參照圖7，在連續(xù)沉積雙層膜的實例中，在基底700上的第一膜層
702/第二膜層704/第三膜層706的實例例如是氧化層/氮化層/氧化層
(0,/N/02)堆疊層，其可以作為氮化硅型非易失性存儲元件的電荷儲存層或
是快閃存儲元件的多晶硅層間介電層等。
上述的多層膜的制造流程是在每一膜層沉積之后，均進(jìn)行一次的電荷
去除步驟。然而，在實際應(yīng)用時，并不限于此，其可以依照需要來加以調(diào)整。
在一實施例中，在第一膜層沉積之后，基底上的殘留電荷不會在第二 膜層的沉積過程中造成射頻延遲以及反射功率過高而使得所沉積的膜層的 品質(zhì)變差時，則在沉積第二膜層之前，可以不需要施行電荷去除步驟。舉 例來說，在沉積氧化硅/氮化硅/氧化硅(0,/N/02)時，若是在進(jìn)行沉積底層的 氧化硅層O,之后，在沉積下一層氮化硅時，并不會受到任何的影響，而使 其膜層的品質(zhì)維持不變，則可以不需進(jìn)行電荷去除步驟。而沉積氮化硅層
之后，其對于沉積下一層的氧化硅層02會有影響，則可以藉由電荷去除步 驟來改善其膜層的品質(zhì)。在許多的實驗證明，多層膜中若含氮膜層例如是 氮化硅層，則在氮化層沉積之后，其下一層的膜層的品質(zhì)會受其影響。這 可能是因為在沉積氮化硅時所通入的反應(yīng)氣體中包含氨氣，在等離子體點 燃之后，氨氣變成含氮的自由基等因素有關(guān)。
在另一實施例中，若是在沉積各層膜時，后一層的沉積品質(zhì)均不會受 到前一層沉積工藝的影響，則可以不需在兩個膜層的沉積工藝之間進(jìn)行電 荷去除步驟，而僅需在最后一層膜層的沉積工藝之后進(jìn)行電荷去除步驟， 以去除基底上的電荷，防止基底在沉積結(jié)束被頂針頂起時發(fā)生破片。
綜合以上所述，本發(fā)明的連續(xù)沉積多層膜的方法可以減少電荷累積在 基底上，提升沉積膜的品質(zhì)，避免晶片在沉積結(jié)束取出時發(fā)生破片。
權(quán)利要求
1.一種在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積多層膜的方法，包括在該化學(xué)氣相沉積機臺中進(jìn)行第一等離子體沉積工藝，以在基底上形成第一膜層；進(jìn)行第二等離子體沉積工藝，以在該第一膜層上形成第二膜層；以及進(jìn)行電荷去除步驟，包括通入鈍氣；以及抽去該鈍氣。
2. 如權(quán)利要求1所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，其中該鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化 碳、氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。
3. 如權(quán)利要求1所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，其中該鈍氣的流量為10-1000sccm。
4. 如權(quán)利要求1所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，還包括在通入該鈍氣之后，抽去該鈍氣之前，點燃等離子體；以及 關(guān)掉該等離子體。
5. 如權(quán)利要求4所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，其中點燃該等離子體的功率為5-1000瓦特。
6. 如權(quán)利要求5所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，其中點燃該等離子體的功率為10-200瓦特。
7. 如權(quán)利要求4所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，其中點燃該等離子體的時間持續(xù)1-10秒。
8. 如權(quán)利要求4所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，其中在通入該鈍氣之前，還包括抽去該化學(xué)氣相沉積機臺 中的氣體。
9. 如權(quán)利要求1所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積 多層膜的方法，其中該電荷去除步驟是在形成該第一膜層與形成該第二膜 層之間進(jìn)行，及/或在形成該第二膜層之后進(jìn)行。
10. 如權(quán)利要求9所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉積多層膜的方法，其中該第二膜層為該多層膜的最后一層膜。
11. 如權(quán)利要求9所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉 積多層膜的方法，其中該第一膜層與該第二膜層其中之一為含氮膜層，該 電荷去除步驟是在形成該含氮膜層之后進(jìn)行。
12. 如權(quán)利要求9所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉 積多層膜的方法，其中該第 一膜層/該第二膜層包括氧化硅層/無機抗反射 層、氮化硅層/無機抗反射層、阻障層/低介電常數(shù)材料層、氮化硅層/氧化硅 內(nèi)層介電層或氮氧化硅/氧化硅內(nèi)層介電層。
13. 如權(quán)利要求12所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù) 沉積多層膜的方法，其中該阻障層的材質(zhì)選自于氮化硅、氮氧化硅、碳化 硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅及其組合所組成的族群。
14. 如權(quán)利要求9所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù)沉 積多層膜的方法，還包括在形成該第二膜層之后，在該基底上形成第三膜 層。
15. 如權(quán)利要求14所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù) 沉積多層膜的方法，還包括在形成該第三膜層之后，進(jìn)行另一電荷去除步驟。
16. 如權(quán)利要求14所述的在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機臺中連續(xù) 沉積多層膜的方法，其中該第 一膜層/該第二膜層/該第三膜層包括氧化硅層 /氮化硅層/氧化硅層。
17. —種在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上的電荷的方法，包括在該機臺中通入鈍氣；以及抽去該鈍氣。
18. 如權(quán)利要求17所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底 上的電荷的方法，其中該鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧 化碳、氨氣、 一氧化二氮及其組合所組成的族群。
19. 如權(quán)利要求17所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底 上的電荷的方法，其中該鈍氣的流量為10-1000sccm。
20. 如權(quán)利要求17所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上的電荷的方法，還包括在通入該鈍氣之后，抽去該鈍氣之前，點燃等離子體；以及 關(guān)掉該等離子體。
21. 如權(quán)利要求20所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底 上的電荷的方法，其中該等離子體的功率為5-1000瓦特。
22. 如權(quán)利要求20所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底 上的電荷的方法，其中該等離子體的功率為10-200瓦特。
23. 如權(quán)利要求20所述的在機臺中在含等離子體的化學(xué)氣相沉積機 臺中連續(xù)沉積多層膜的方法，其中點燃該等離子體的時間持續(xù)1-10秒。
24. 如權(quán)利要求17所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底 上的電荷的方法，其中在通入該鈍氣之前，還包括抽去該化學(xué)氣相沉積機 臺中的氣體。
全文摘要
一種連續(xù)沉積多層膜的方法，是在最后一層膜層沉積之后，及/或是在進(jìn)行相鄰兩膜層的沉積工藝之間，進(jìn)行一電荷去除步驟，此電荷去除步驟是在機臺的反應(yīng)腔室之中通入鈍氣，在一段時間之后，再將此鈍氣抽除。
文檔編號H01L21/00GK101202207SQ20061016692
公開日2008年6月18日 申請日期2006年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月12日
發(fā)明者姜兆聲, 楊欽偉, 林平偉 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司