專利名稱：可撓性陣列基板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板的制造方法，特別涉及一種可撓式陣列基板的制造方法。
背景技術：
平面顯示器是否具備可撓性，取決于其所使用的基板材料。當平面顯示器所使用的基板為硬質基板(如玻璃基板)時，平面顯示器將不具有可撓性。反之，平面顯示器所使用的基板為可撓性基板(如塑料基板)時，平面顯示器即具有良好的可撓性。目前，在硬質基板上制作薄膜晶體管的技術已漸趨成熟，但在可撓性基板上制作薄膜晶體管的技術仍有待開發(fā)。一般來說，若要在可撓性基板上制作薄膜晶體管，通常需要先將可撓性基板黏著于硬質基板上，之后才進行一系列的成膜工藝。由于可撓性基板與硬質基板的熱膨脹系數(shù)差異(thermal expansion coefficient mis-match)很大，在可撓性基板上進行不同的成膜工藝(高溫工藝)、光刻工藝以及蝕刻工藝時，常會因為操作溫度升高而使可撓性基板產生翹曲。值得注意的是，在嚴重翹曲的可撓性基板上進行各式成膜工藝，將會使得膜層與膜層之間發(fā)生嚴重的誤對準(mis-alignment)，進而導致工藝失敗。因此，可撓性陣列基板的工藝產品合格率一直很難提高。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種可撓性陣列基板的制造方法，其能夠提高可撓性陣列基板的工藝產品合格率。
本發(fā)明的另一目的是提供一種基板模塊，其能夠改善可撓性基板上膜層與膜層之間的誤對準問題。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種可撓性陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首先，將一可撓性基板黏著于一硬質基板。接著，將黏著于硬質基板上的可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊。之后，在可撓性區(qū)塊上進行一成膜工藝。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提出了另一種可撓性陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首先，將一可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊。然后，將可撓性區(qū)塊黏著于一硬質基板上。之后，在可撓性區(qū)塊上進行一成膜工藝。
為實現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明還提出了一種可撓性陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首先，將一可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊。之后，在可撓性區(qū)塊上進行一成膜工藝。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的成膜工藝包括有源元件陣列工藝、彩色濾光片工藝，或有源元件陣列工藝和彩色濾光片工藝的組合。其中，有源元件陣列工藝例如是非晶硅薄膜晶體管陣列工藝、多晶硅薄膜晶體管陣列工藝或有機薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor)陣列工藝。
在本發(fā)明的一實施例中，在完成成膜工藝后，可撓性陣列基板的制造方法可進一步使可撓性區(qū)塊與硬質基板分離。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的可撓性基板例如為一塑料基板，而硬質基板例如為一玻璃基板。
在本發(fā)明的一實施例中，將可撓性基板切割成可撓性區(qū)塊的方法包括激光切割(laser cutting)或機械切割(mechanical cutting)。
在本發(fā)明的一實施例中，將可撓性基板黏著于硬質基板的方法例如是先在硬質基板上形成膠體，再通過膠體接合可撓性基板以及硬質基板。在本發(fā)明的另一實施例中，將可撓性基板黏著于硬質基板的方法也可以是先在可撓性基板上形成膠體，再通過膠體接合可撓性基板以及硬質基板。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明還提出了一種基板模塊，其包括一硬質基板以及一黏著于硬質基板上的可撓性基板。其中，可撓性基板包括多個可撓性區(qū)塊，且各可撓性區(qū)塊的面積小于硬質基板的面積。
在本發(fā)明的一實施例中，可撓性區(qū)塊例如是以陣列方式排列或是以非陣列方式排列于硬質基板上。
在本發(fā)明的可撓性陣列基板的制造方法中，由于可撓性基板被切割成多個小尺寸的可撓性區(qū)塊，而各個小尺寸的可撓性區(qū)塊在成膜工藝中所發(fā)生的翹曲程度較小，因此本發(fā)明可改善翹曲所導致的誤對準問題，進而提高可撓性陣列基板的工藝產品合格率。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1A、圖1B、圖1C以及圖1D示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的可撓性陣列基板的制造方法。
圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的可撓性陣列基板的制造方法。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的基板模塊的立體示意圖。
其中，附圖標記說明如下100、200可撓性陣列基板 110、210、320可撓性基板110a、210a、320a可撓性區(qū)塊 120、220、3 10硬質基板130、230膠體 140、240成膜工藝300基板模塊具體實施方式
由于可撓性基板在各種成膜工藝中會因受熱而產生大幅度的翹曲，使得可撓性陣列基板的工藝產品合格率很低。因此，本發(fā)明先將可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊，之后在各個可撓性區(qū)塊上進行成膜工藝，以改善可撓性基板受熱后大幅翹曲的問題。下文中將舉出幾種實施例進行說明，然而這些實施例僅是用以說明本發(fā)明的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。
圖1A、圖1B、圖1C以及圖1D示出了根據(jù)本發(fā)明一實施例的可撓性陣列基板的制造方法。首先，請參照圖1A，將可撓性基板110黏著于一硬質基板120上。其中，將可撓性基板110黏著于硬質基板120的方法例如是先在硬質基板120上形成一膠體130，再通過膠體130接合可撓性基板110以及硬質基板120。當然，將可撓性基板110黏著于硬質基板120的步驟也可以是先在可撓性基板110上形成一膠體130，再通過膠體130接合可撓性基板110以及硬質基板120。在本實施例中，可撓性基板110可以是一塑料基板(如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚酰亞胺(polyimide，PI)等塑料材料所制成的基板)，而硬質基板120例如為一玻璃基板。
接著請參照圖1B，將黏著于硬質基板120上的可撓性基板110切割成多個可撓性區(qū)塊110a。其中，將可撓性基板110切割成可撓性區(qū)塊110a的方法例如是激光切割或機械切割。此時，可撓性基板110會被切割成兩個以上的可撓性區(qū)塊110a，且各個可撓性區(qū)塊110a的面積均小于原本的可撓性基板110的面積。在本實施例中，可撓性區(qū)塊110a的尺寸例如是對應于一個顯示面板(panel)的尺寸或是對應于多個顯示面板的尺寸，且可撓性區(qū)塊110a例如是以陣列方式或以非陣列方式排列于硬質基板120。
接著請參照圖1C，在可撓性區(qū)塊110a上進行一成膜工藝140。在本實施例中，成膜工藝140包括有源元件陣列工藝、彩色濾光片工藝或有源元件陣列工藝和彩色濾光片工藝的組合。其中，有源元件陣列工藝例如是非晶硅薄膜晶體管陣列工藝、多晶硅薄膜晶體管陣列工藝或有機薄膜晶體管陣列工藝。由圖1C可知，由于可撓性基板110已被切割成兩個以上的可撓性區(qū)塊110a，可撓性區(qū)塊110a的尺寸勢必會小于可撓性基板110的尺寸，因此可撓性區(qū)塊110a在受熱后所產生的翹曲量會小于可撓性基板110在受熱后所產生的翹曲量。在翹曲量被有效地抑制的情況下，可撓性區(qū)塊110a上各膜層之間的誤對準問題便獲得一定程度的改善。換言之，本發(fā)明的可撓性陣列基板的制造方法可提高可撓性陣列基板的制作產品合格率。
請參照圖1D，在完成上述的成膜工藝140后，本發(fā)明的可撓性陣列基板的制造方法可進一步使可撓性區(qū)塊110a與硬質基板120分離，以得到可撓性陣列基板100。使可撓性區(qū)塊110a與硬質基板120分離的方法例如可采用加熱的方式，以使得接合于可撓性區(qū)塊110a與硬質基板120之間的膠體130的黏性降低。當然，使可撓性區(qū)塊110a與硬質基板120分離的方法也可以采用其它方式，本發(fā)明對此不作特別的限定。
圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的可撓性陣列基板的制造方法。請參考圖2A，首先，將一可撓性基板210切割成多個可撓性區(qū)塊210a。在本實施例中，將可撓性基板210切割成可撓性區(qū)塊210a的方法包括激光切割或機械切割，而可撓性基板210例如是塑料基板(如聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、聚酰亞胺等塑料材料所制成的基板)。
接著，請參照圖2B，提供一硬質基板220，而此硬質基板220例如為一玻璃基板。之后，將一個或一個以上的可撓性區(qū)塊210a黏著于硬質基板220上。由圖2B可知，黏著于硬質基板220上的可撓性區(qū)塊210a的面積會小于硬質基板220的面積，且一個以上的可撓性區(qū)塊210a例如是以陣列方式排列于硬質基板220，此外可撓性區(qū)塊210a也可以非陣列方式排列于硬質基板220上。在本實施例中，將可撓性區(qū)塊210a黏著于硬質基板220的方法例如是先形成一膠體230于硬質基板220上，再通過膠體230接合可撓性區(qū)塊210a以及硬質基板220(如圖2B所示)。此外，將可撓性區(qū)塊210a黏著于硬質基板220的方法也可以是先在可撓性區(qū)塊210a上形成一膠體230，再通過膠體230接合可撓性區(qū)塊210a以及硬質基板220。
請參照圖2C，在可撓性區(qū)塊210a與硬質基板220接合之后，接著在可撓性區(qū)塊210a上進行一成膜工藝240。與前一實施例類似，此成膜工藝240包括有源元件陣列工藝、彩色濾光片工藝，或前述工藝的組合。其中，有源元件陣列工藝例如是非晶硅薄膜晶體管陣列工藝、多晶硅薄膜晶體管陣列工藝或有機薄膜晶體管陣列工藝。由圖2C可知，由于可撓性區(qū)塊210a的尺寸小于可撓性基板210的尺寸，因此可撓性區(qū)塊210a在受熱后所產生的翹曲量會小于可撓性基板210在受熱后所產生的翹曲量。在翹曲量被有效地抑制的情況下，可撓性區(qū)塊210a上各膜層之間的誤對準問題便獲得一定程度的改善。換言之，本發(fā)明的可撓性陣列基板的制造方法可提高可撓性陣列基板的制作產品合格率。
接著，請參照圖2D，在完成成膜工藝240后，本發(fā)明的可撓性陣列基板的制造方法可進一步使可撓性區(qū)塊210a與硬質基板220分離，以得到可撓性陣列基板200。使可撓性區(qū)塊210a與硬質基板220分離的方法例如可采用加熱的方式，以使得接合于可撓性區(qū)塊210a與硬質基板220之間的膠體230的黏性降低。當然，使可撓性區(qū)塊210a與硬質基板220分離的方法也可以采用其它方式，本發(fā)明對此不作特別的限定。
根據(jù)上述的各種可撓性陣列基板的制造方法，本發(fā)明還提出了一種基板模塊，其立體圖如圖3所示?；迥K300包括一硬質基板3 10以及一可撓性基板320，且可撓性基板320黏著于硬質基板310上。其中，可撓性基板320例如是一塑料基板(如聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、聚酰亞胺等塑料材料所制成的基板)，而硬質基板310包括一玻璃基板。另外，可撓性基板320包括一個或一個以上的可撓性區(qū)塊320a，且各個可撓性區(qū)塊320a的面積小于硬質基板310的面積。在本實施例中，可撓性區(qū)塊320a例如是以陣列的方式排列，而在其它實施例中，可撓性區(qū)塊320a還可以是以非陣列的方式排列在硬質基板310上。
綜上所述，本發(fā)明的可撓性陣列基板的制造方法中，由于可撓性區(qū)塊受熱后翹曲量較小，而在成膜工藝時，不易產生各膜層之間的對準誤差。也就是說，本發(fā)明的可撓性基板的制造方法能夠提高工藝產品合格率。此外，本發(fā)明所提出的基板模塊應用于各種成膜工藝上，可使各膜層之間的對位較為精準。整體來說，本發(fā)明的可撓性陣列基板的制造方法及基板模塊，可提高可撓性陣列基板的工藝產品合格率及制成品的質量。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域的普通技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，應當可作一些更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以所附的權利要求書為準。
權利要求
1.一種可撓性陣列基板的制造方法，包括以下步驟將一可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊；以及在所述可撓性區(qū)塊上進行一成膜工藝。
2.如權利要求1所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中在所述將一可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊的步驟前，還包括將該可撓性基板黏著于一硬質基板的步驟，且在完成該成膜工藝后，還包括使所述可撓性區(qū)塊與該硬質基板分離的步驟。
3.如權利要求2所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中該硬質基板包括一玻璃基板。
4.如權利要求2所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中所述將該可撓性基板黏著于一硬質基板的步驟包括在該硬質基板上形成一膠體；以及通過該膠體接合該可撓性基板以及該硬質基板。
5.如權利要求2所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中所述將該可撓性基板黏著于一硬質基板的步驟包括在該可撓性基板上形成一膠體；以及通過該膠體接合該可撓性基板以及該硬質基板。
6.如權利要求1所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中該成膜工藝有源元件陣列工藝、彩色濾光片工藝或所述有源元件陣列工藝和所述彩色濾光片工藝的組合。
7.如權利要求6所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中該有源元件陣列工藝非晶硅薄膜晶體管陣列工藝、多晶硅薄膜晶體管陣列工藝或有機薄膜晶體管陣列工藝。
8.如權利要求1所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中該可撓性基板包括一塑料基板。
9.如權利要求1所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中將該可撓性基板切割成所述可撓性區(qū)塊的方法包括激光切割或機械切割。
10.如權利要求1所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中在所述將一可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊的步驟后，還包括將至少一個可撓性區(qū)塊黏著于一硬質基板上的步驟。
11.如權利要求10所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中所述將至少一個可撓性區(qū)塊黏著于一硬質基板上的步驟包括在該硬質基板上形成一膠體；以及通過該膠體接合所述至少一個可撓性區(qū)塊以及該硬質基板。
12.如權利要求10所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中所述將至少一個可撓性區(qū)塊黏著于一硬質基板上的步驟包括在所述至少一個可撓性區(qū)塊上形成一膠體；以及通過該膠體接合所述至少一個可撓性區(qū)塊以及該硬質基板。
13.如權利要求10所述的可撓性陣列基板的制造方法，其中在完成該成膜工藝后，還包括使該至少一個可撓性區(qū)塊與該硬質基板分離的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可撓性陣列基板的制造方法。所述制造方法包括下列步驟。首先，將一可撓性基板黏著于一硬質基板。接著，將黏著于硬質基板上的可撓性基板切割成多個可撓性區(qū)塊以形成一基板模塊。之后，于可撓性區(qū)塊上進行一成膜工藝。上述的制造方法可提高可撓性陣列基板的制造產品合格率。
文檔編號H01L21/84GK1971848SQ200610166950
公開日2007年5月30日 申請日期2006年12月13日 優(yōu)先權日2006年12月13日
發(fā)明者方國龍, 黃俊杰, 林漢涂, 蔡佳琪 申請人:友達光電股份有限公司