專利名稱：器件制造方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用光刻設(shè)備的器件制造方法以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是將所希望的圖形應(yīng)用到襯底上的機(jī)器，通常應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上。光刻設(shè)備可以用在例如集成電路(IC)的制造中。在那種情況下，可使用可選地稱為掩?；驑?biāo)線的構(gòu)圖裝置來產(chǎn)生將要形成在IC的單獨(dú)層上的電路圖形?？梢詫⒃搱D形轉(zhuǎn)印到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括部分、一個(gè)或若干管芯)上。轉(zhuǎn)印圖形一般是通過在提供于襯底上的一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上成像。通常，單一襯底將包含被連續(xù)圖形化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)和所謂的掃描儀，在步進(jìn)機(jī)中每個(gè)目標(biāo)部分都通過將整個(gè)圖形一次曝光到目標(biāo)部分上來照射，在掃描儀中每個(gè)目標(biāo)部分都通過在給定方向(“掃描”-方向)上通過輻射束掃描該圖形來照射，同時(shí)平行或反平行于該方向同步地掃描襯底。還能夠通過將圖形壓印到襯底上來將圖形從構(gòu)圖裝置轉(zhuǎn)印到襯底。
為了增加集成電路上的器件密度，必需減小線條和其它特征(feature)的尺寸和間距。然而，多數(shù)光刻設(shè)備在它們的分辨極限處或附近運(yùn)行。已發(fā)研制各種處理技術(shù)以能夠使特征比由將產(chǎn)生的光刻設(shè)備可成像的最小尺寸小。例如，為了蝕刻比抗蝕劑中的線條寬更窄的線條，可以用電子束處理暴露的蝕刻劑，致使剩余的抗蝕劑液化或增塑并流動(dòng)以部分接近暴露的線條。然后，可以將線條蝕刻到比抗蝕劑中印刷的線條更窄的底層襯底中。為了暴露出間距比由光刻設(shè)備可成像的最小間距小的線條，可以使用雙曝光技術(shù)，即，第一組線條以雙倍的所希望間距成像，接著第二組再次以雙倍所希望的間距成像，但具有等于所希望間距的位置偏移。US專利No.6,589,713公開了一種利用這兩種技術(shù)來印刷減小的寬度和間距的特征的方法。這些技術(shù)對于門電路限定(gate definition)尤其是有用的，但也可用于其它特征類型上。
雙曝光技術(shù)出現(xiàn)的問題是，在兩個(gè)曝光步驟印刷的特征寬度不同。這示例于附圖的圖2中，其示出了已在第一步驟中以間距2P成像的特征A和在第二步驟中再次以間距2P但具有位置偏移P成像的特征B。得到的圖形具有間距P。A特征具有寬度(臨界尺寸-CD)W1以及B特征具有寬度W2。由于成像或處理偏差，例如聚焦和計(jì)量偏差，W1不等于W2。CD的這種偏差會(huì)防止由此制備的器件正確地運(yùn)行，減少了工藝產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，希望提供一種通過雙曝光制造器件的改進(jìn)方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種利用光刻設(shè)備的器件制造方法，該方法包括將第一組特征印刷到襯底的目標(biāo)部分上，測量第一組特征的臨界尺寸，計(jì)算印刷處理的設(shè)置以在具有與第一組特征的所測臨界尺寸匹配的臨界尺寸的目標(biāo)部分上印刷第二組特征，和利用計(jì)算的設(shè)置印刷與第一組特征交叉(interleaved with)的第二組特征。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種利用光刻投影設(shè)備的器件制造方法，包括將第一組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上以形成潛像；顯影該潛像以顯示出第一組特征為實(shí)像；測量實(shí)像的至少一個(gè)特征的臨界尺寸；計(jì)算一組成像參數(shù)，以成像具有與所測臨界尺寸匹配的目標(biāo)臨界尺寸的第二組特征；和利用計(jì)算的設(shè)置將第二組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上，以便第二組特征與第二組特征至少部分交叉，以形成具有比第一和第二組特征的間距小的間距的特征陣列。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括控制光刻簇(lithographic cluster)的程序代碼，該光刻簇包括光刻設(shè)備和布置以測量印刷在襯底上的特征臨界尺寸的測量裝置，以執(zhí)行一種器件制造方法，該方法包括將第一組特征印刷到襯底的目標(biāo)部分上；測量第一組特征的臨界尺寸；計(jì)算印刷處理的設(shè)置，以在具有與第一組特征的所測臨界尺寸匹配的臨界尺寸的目標(biāo)部分上印刷第二組圖形；和利用計(jì)算的設(shè)置，印刷與第一組特征交叉的第二組特征。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括控制光刻簇的程序代碼，該光刻簇包括光刻設(shè)備和布置以測量印刷在襯底上的特征臨界尺寸的測量裝置，以執(zhí)行一種器件制造方法，該方法包括將第一組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上以形成潛像；顯影該潛像以顯示出第一組特征為實(shí)像；測量實(shí)像的至少一個(gè)特征的臨界尺寸；計(jì)算一組成像參數(shù)，以成像具有與所測臨界尺寸匹配的目標(biāo)臨界尺寸的第二組特征；和利用計(jì)算的設(shè)置將第二組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上，以便第二組特征與第二組特征至少部分交叉，以形成具有比第一和第二組特征的間距小的間距的特征陣列。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在一種器件制造方法中，利用雙曝光處理以減小間距印刷特征陣列，所述改進(jìn)包括測量在雙曝光的第一曝光中印刷的特征臨界尺寸，并以設(shè)置執(zhí)行雙曝光的第二曝光，以提供匹配所測臨界尺寸的目標(biāo)臨界尺寸。


參考示意性附圖，現(xiàn)在將僅借助實(shí)例描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，其中圖1描繪了可用在本發(fā)明實(shí)施例中的光刻設(shè)備；圖2描繪了由雙曝光制備的特征；圖3描繪了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法；圖4描繪了可用在本發(fā)明實(shí)施例中的光刻簇(lithocluster)。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地描繪了可以用在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的光刻設(shè)備。
該設(shè)備包括照明系統(tǒng)(照明器)IL，配置其以調(diào)節(jié)輻射束B(例如，UV輻射或DUV輻射)。
支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT，構(gòu)造該支撐結(jié)構(gòu)以支撐構(gòu)圖裝置(例如，掩模)MA并且該支撐結(jié)構(gòu)連接至第一定位器PM，配置該第一定位器以根據(jù)特定參數(shù)精確地定位構(gòu)圖裝置；襯底臺(tái)(例如，晶片臺(tái))WT，構(gòu)造該襯底臺(tái)以保持襯底(例如，涂布抗蝕劑的晶片)W并且該襯底臺(tái)連接至第二定位器PW，配置該第二定位器以根據(jù)特定參數(shù)精確地定位襯底；和投影系統(tǒng)(例如，折射投影透鏡系統(tǒng))PS，配置該投影系統(tǒng)以將賦予輻射束B的圖形投射到襯底W的目標(biāo)部分C(例如，包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。
照明系統(tǒng)可包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射的、反射的、磁的、電磁的、靜電的或其它類型的光學(xué)部件或其任一組合，用于引入、成形或控制輻射。
支撐結(jié)構(gòu)支撐，即承受構(gòu)圖裝置的重量。其以取決于構(gòu)圖裝置的定向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)和其它條件、例如構(gòu)圖裝置是否保持在真空環(huán)境中的方式來保持構(gòu)圖裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾緊(clamping)技術(shù)來保持構(gòu)圖裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，如所需要時(shí)其可固定或可移動(dòng)。支撐結(jié)構(gòu)可確保構(gòu)圖裝置位于例如相對于投影系統(tǒng)的所希望位置。在此任一使用的術(shù)語“標(biāo)線”或“掩?！笨烧J(rèn)為是與更通用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”同義。
在此使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應(yīng)當(dāng)廣義解釋為涉及可以用于在輻射束的橫截面上賦予圖形的任一裝置以在襯底的目標(biāo)部分建立圖形。應(yīng)當(dāng)注意，例如如果圖形包括相移特征或所謂的輔助特征，則賦予該輻射束的圖形不精確地對應(yīng)于襯底目標(biāo)部分中的所希望圖形。通常，賦予輻射束的圖形將對應(yīng)于在例如集成電路的目標(biāo)部分中建立的器件的特定功能層。
構(gòu)圖裝置可以是透射的或反射的。構(gòu)圖裝置的實(shí)例包括掩模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括例如二元的、交變相移和衰減相移的掩模類型以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的實(shí)例采用小反射鏡的矩陣布置，其每個(gè)都可以單獨(dú)地傾斜，以在不同的方向上反射引入的輻射束。傾斜的反射鏡在被反射鏡矩陣反射的輻射束上賦予圖形。
在此使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)當(dāng)廣義解釋為包含任一類型的投影系統(tǒng)，包括折射的、反射的、反射折射的、磁的、電磁的和靜電光學(xué)系統(tǒng)或其任一組合，只要適合于所使用的曝光輻射，或適合于其它因素，例如浸沒液體的使用或真空的使用。在此任一使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更通用術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
如在此所描繪的，該設(shè)備是透射型的(例如，采用透射掩模)?？蛇x地，該設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如涉及以上類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙級)或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))的類型。在這種“多級”機(jī)器中，可以并行地使用另外的臺(tái)，或預(yù)備步驟可在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行而一個(gè)或多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。
光刻設(shè)備還可以是其中至少襯底的一部分可以被具有相對高折射率的液體例如水覆蓋的類型，以填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可以被應(yīng)用到光刻設(shè)備中的其它空間，例如掩模和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)在用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的技術(shù)中是公知的。在此所使用的術(shù)語“浸沒”并不意味著結(jié)構(gòu)例如襯底必須浸入液體中，而是僅意味著在曝光期間液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射束。例如當(dāng)源是受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)，源和光刻設(shè)備可以是分離實(shí)體。在這種情況下，源不被認(rèn)為是形成光刻設(shè)備的一部分，并且借助包括例如適合的引入反射鏡和/或束擴(kuò)展器的束傳送系統(tǒng)BD，輻射束從源SO傳送到照明器IL。在其它情況下，例如當(dāng)源是汞燈時(shí)，源是光刻設(shè)備的整體部分。如果需要，源SO和照明器IL與束傳送系統(tǒng)BD一起可以稱為輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括用于調(diào)節(jié)輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)節(jié)器AD。通常，可以調(diào)節(jié)照明器光瞳面內(nèi)強(qiáng)度分布的至少外和/或內(nèi)徑向范圍(共同分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，照明器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。照明器可以用于調(diào)節(jié)輻射束，以在其橫截面具有所希望的均勻性和強(qiáng)度分布。
輻射束B入射在保持于支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái)MT)上的構(gòu)圖裝置(例如，掩模MA)上，并由構(gòu)圖裝置圖形化。橫穿(traversed)掩模MA之后，輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，其使輻射束聚焦到襯底W的目標(biāo)部分C上。借助第二定位器PW和位置傳感器IF(例如，干涉測量裝置、線性編碼器或電容傳感器等)，可以精確地移動(dòng)襯底臺(tái)WT，例如以便在輻射束B的路徑上定位不同的目標(biāo)部分C。同樣，例如在從掩模庫機(jī)械檢索之后或在掃描期間，可以使用第一定位器PM和另一位置傳感器(其未明確地描繪于圖1中)來相對于輻射束B的路徑精確地定位掩模MA。通常，掩模臺(tái)MT的移動(dòng)可借助長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(精細(xì)定位)來實(shí)現(xiàn)，其形成部分第一定位器PM。同樣，襯底臺(tái)WT的移動(dòng)可利用長沖程模塊和短沖程模塊來實(shí)現(xiàn)，其形成部分第二定位器PW。在步進(jìn)機(jī)(如與掃描儀相對的)的情況下，掩模臺(tái)MT可僅連接至短沖程激勵(lì)器，或固定。掩模MA和襯底W可利用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)。盡管所示例的襯底對準(zhǔn)標(biāo)記占用了專用的目標(biāo)部分，但它們可位于目標(biāo)部分(這些公知為劃片線對準(zhǔn)標(biāo)記)之間的空間中。同樣，在掩模MA上提供一個(gè)以上管芯的情形中，掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可位于管芯之間。
所描繪的設(shè)備可以用在以下模式的至少之一中1.在步進(jìn)模式，掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持基本靜止，而賦予輻射束的整個(gè)圖形一次投射到目標(biāo)部分C上(即，單靜態(tài)曝光)。然后在X和/或Y方向上移位襯底臺(tái)WT以便可以曝光不同的目標(biāo)部分C。在步進(jìn)模式，曝光場的最大尺寸限制了以單靜態(tài)曝光成像的目標(biāo)部分C的尺寸。
2.在掃描模式，掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT被同步掃描，而賦予輻射束的圖形投射到目標(biāo)部分C上(即，單動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對于掩模臺(tái)MT的速度和方向可以由投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率((de-)magnification)和圖像反轉(zhuǎn)特性確定。在掃描模式，以單動(dòng)態(tài)曝光，曝光場的最大尺寸限制了目標(biāo)部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運(yùn)動(dòng)的長度決定了目標(biāo)部分的高度(在掃描方向上)。
3.在另一種模式，掩模臺(tái)MT被保持基本上靜止地保持可編程構(gòu)圖裝置，并且移動(dòng)或掃描襯底臺(tái)WT，同時(shí)將賦予輻射束的圖形投射到目標(biāo)部分C上。在這種模式下，通常采用脈沖輻射源，并且如果需要在襯底臺(tái)WT的每次移動(dòng)之后或者在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間更新可編程構(gòu)圖裝置。這種模式的操作可以很容易地應(yīng)用到利用可編程構(gòu)圖裝置、例如如涉及以上類型的可編程反射鏡陣列的無掩模光刻上。
還可以采用使用的上述模式或使用的整個(gè)不同模式的組合和/或變形。
根據(jù)本發(fā)明的方法描繪于圖3中。在該方法中，使用雙曝光技術(shù)，以相比器件的正常界限(normal limit)減小的特征寬度和/或間距來印刷器件的特征。該處理包括印刷第一組特征和接著印刷與第一組交叉的第二組特征，以形成具有比第一或第二組特征的間距小的間距的組合組特征。第二組特征通常不同于第一組特征，但在一些情況下，同一圖形可用于第二次曝光，但具有位置偏移。減小特征寬度的技術(shù)的進(jìn)一步細(xì)節(jié)對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是公知的，并且為了簡短起見將省略其描述。
在該實(shí)施例中，在執(zhí)行S1第一曝光以在輻射敏感層(例如，抗蝕劑)中印刷第一組特征的圖像并顯影S2抗蝕劑以顯示潛像為實(shí)像之后，測量S3第一組特征中至少一個(gè)特征的臨界尺寸。在一個(gè)實(shí)例中，為了正確的或改進(jìn)的裝置的功能，所測量的特征是其相關(guān)尺寸要與第二組特征中的一個(gè)或多個(gè)特征相匹配的特征。
可用任一適合的裝置例如散射計(jì)、掃描電子顯微鏡或雙束裝置(beam device)測量臨界尺寸。如果將用于測量臨界尺寸的裝置與光刻設(shè)備集成到光刻簇中，則將是有用的。為此，散射計(jì)是有用的。這種布置示于圖4中，其描繪了包括光刻設(shè)備1和處理部或軌道TR的光刻簇。這包括多個(gè)處理單元PU，例如旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)、烘焙和冷卻板、顯影器等，其一些可以是多用途的。機(jī)器人R將襯底輸送到負(fù)載鎖LL并從負(fù)載鎖LL輸送走、在處理單元當(dāng)中輸送襯底、以及將襯底輸送到光刻設(shè)備1并將襯底從光刻設(shè)備1輸送走。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還可將襯底輸送到集成散射計(jì)或其它計(jì)量裝置MET來測量臨界尺寸。集成控制系統(tǒng)(未示出)控制各種裝置并將所需數(shù)據(jù)傳達(dá)給光刻設(shè)備。還可以使用獨(dú)立的裝置來測量第一成像特征的CD。
基于所測量的臨界尺寸，在本發(fā)明的實(shí)施例中，為了將第二組特征的臨界尺寸與第一組匹的臨界尺寸相配計(jì)算S4第二曝光的設(shè)置。曝光步驟的各個(gè)參數(shù)影響成像特征的臨界尺寸并且可調(diào)節(jié)所述參數(shù)以給出所希望的臨界尺寸。便利的參數(shù)是曝光劑量，其可在步進(jìn)模式通過調(diào)節(jié)該源輸出或曝光時(shí)間、或者在掃描模式通過調(diào)節(jié)掃描速度來控制。取決于使用正抗蝕劑還是負(fù)抗蝕劑，如公知的，增加曝光劑量增加或降低臨界尺寸?？梢允褂镁劢埂⑸⒔?水平和垂直焦點(diǎn)差異)、掩模高度和襯底高度的設(shè)置來控制CD。
然后利用計(jì)算的設(shè)置成像S5第二組特征，以產(chǎn)生具有與第一組特征的臨界尺寸匹配的臨界尺寸的特征。在步驟S6，可以任選地進(jìn)行測量以檢驗(yàn)所應(yīng)用的校正提供了所希望的結(jié)果。其后，以常規(guī)的方式完成了該處理。
將明白，用于第二曝光的目標(biāo)CD取決于在第一曝光中成像的特征的所測CD而設(shè)置，并且由此不同于原始確定的目標(biāo)CD和用于第一組曝光的目標(biāo)CD。在一些情況下，用于第二曝光的目標(biāo)CD可以從目標(biāo)部分到目標(biāo)部分是不同的，反映了第一曝光的測量CD中的差異。通過更精確地匹配雙曝光處理的第一和第二曝光之間的CD，能增加產(chǎn)量并且在一些情況下能制備更快操作的裝置。
盡管在本文中對IC制造中的光刻設(shè)備進(jìn)行了具體參考，但應(yīng)當(dāng)理解，在此描述的光刻設(shè)備可具有其它應(yīng)用，例如集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的制導(dǎo)和檢測圖形、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。熟悉技藝者將意識(shí)到，在這種可選應(yīng)用的上下文中，在此任一使用的術(shù)語“晶片”或“管芯”可認(rèn)為是分別與更通用的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。可在曝光之前或之后，以例如軌道(一般將一層抗蝕劑涂覆到襯底上并顯影該暴露的抗蝕劑的工具)、計(jì)量工具和/或檢驗(yàn)工具，處理在此涉及的襯底。如果可應(yīng)用，可將在此的公開應(yīng)用到這種和其它襯底處理工具。而且，例如為了建立多層IC，襯底可被處理一次以上，因此在此所使用的術(shù)語襯底還涉及已經(jīng)包含多個(gè)處理層的襯底。
盡管在光刻技術(shù)的上下文中對本發(fā)明實(shí)施例的使用以上進(jìn)行了具體參考，但將意識(shí)到，本發(fā)明可以用于其它應(yīng)用中，例如壓印光刻，并且其中本文允許并不限制于光刻技術(shù)。在壓印光刻中，構(gòu)圖裝置中的外形限定了建立在襯底上的圖形。構(gòu)圖裝置的外形可以印制到提供給襯底的一層抗蝕劑中，在襯底上的抗蝕劑通過進(jìn)行電磁輻射、加熱、壓力或其組合來固化?？刮g劑固化之后，構(gòu)圖裝置移出抗蝕劑留下圖形在其中。
在此使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，具有約365、355、248、193、157或126nm的波長)和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如，具有在5-20nm范圍的波長)以及粒子束流，例如離子束或電子束。
本文允許的術(shù)語“透鏡”可涉及包括折射的、反射的、磁的、電磁的和靜電光學(xué)部件的各種類型光學(xué)部件的任一種或組合。
雖然以上已描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但將意識(shí)到，除了所描述的外可實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可采取包含描述如上所公開方法的一個(gè)或多個(gè)機(jī)器-可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序或者具有上述計(jì)算機(jī)程序存儲(chǔ)于其中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)的形式。
以上描述意圖是示例性的，不起限制作用。因此，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離以下提出的權(quán)利要求范圍的條件下，可對所描述的本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種利用光刻設(shè)備的器件制造方法，該方法包括將第一組特征印刷到襯底的目標(biāo)部分上；測量第一組特征的臨界尺寸；計(jì)算印刷處理的設(shè)置，以在具有與第一組特征的所測臨界尺寸匹配的臨界尺寸的目標(biāo)部分上印刷第二組特征；和利用計(jì)算的設(shè)置，印刷與第一組特征交叉的第二組特征。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二組特征包括線條。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一和第二組特征限定集成電路的門電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中使用散射計(jì)來測量第一組特征的臨界尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中將散射計(jì)集成到包括光刻設(shè)備的光刻簇中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中印刷第一組特征包括將襯底的輻射敏感層暴露于表示第一組特征的圖形和顯影該輻射敏感層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中印刷第二組特征包括將襯底的輻射敏感層暴露于表示第二組特征的圖形和顯影該輻射敏感層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述設(shè)置包括曝光劑量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一組特征不同于第二組特征。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第二組特征與第一組特征相同，但與第一特征有位置偏移。
11.一種利用光刻投影設(shè)備的器件制造方法，該方法包括將第一組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上以形成潛像；顯影該潛像以顯示出第一組特征為實(shí)像；測量實(shí)像的至少一個(gè)特征的臨界尺寸；計(jì)算一組成像參數(shù)，以成像具有與所測臨界尺寸匹配的目標(biāo)臨界尺寸的第二組特征；和利用計(jì)算的設(shè)置將第二組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上，以便第二組特征與第二組特征至少部分交叉，以形成具有比第一和第二組特征的間距小的間距的特征陣列。
12.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括控制光刻簇的程序代碼，該光刻簇包括光刻設(shè)備和布置以測量印刷在襯底上的特征的臨界尺寸的測量裝置，以執(zhí)行一種器件制造方法，該方法包括將第一組特征印刷到襯底的目標(biāo)部分上；測量第一組特征的臨界尺寸；計(jì)算印刷處理的設(shè)置，以在具有與第一組特征的所測臨界尺寸匹配的臨界尺寸的目標(biāo)部分上印刷第二組特征；和利用計(jì)算的設(shè)置，印刷與第一組特征交叉的第二組特征。
13.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括控制光刻簇的程序代碼，該光刻簇包括光刻設(shè)備和布置以測量印刷在襯底上的特征的臨界尺寸的測量裝置，以執(zhí)行一種器件制造方法，該方法包括將第一組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上以形成潛像；顯影該潛像以顯示出第一組特征為實(shí)像；測量實(shí)像的至少一個(gè)特征的臨界尺寸；計(jì)算一組成像參數(shù)，以成像具有與所測臨界尺寸匹配的目標(biāo)臨界尺寸的第二組特征；和利用計(jì)算的設(shè)置將第二組特征的圖像投射到襯底的輻射敏感層上，以便第二組特征與第二組特征至少部分交叉，以形成具有比第一和第二組特征的間距小的間距的特征陣列。
14.在一種器件制造方法中，利用雙曝光處理以減小的間距印刷特征陣列，所述改進(jìn)包括測量在雙曝光的第一曝光中印刷的特征的臨界尺寸，并以設(shè)置執(zhí)行雙曝光的第二曝光，以提供匹配所測臨界尺寸的目標(biāo)臨界尺寸。
全文摘要
在以減小間距印刷特征的雙曝光處理中，測量在第一曝光中印刷的特征的臨界尺寸，并用作第二曝光的目標(biāo)。
文檔編號H01L21/027GK1987658SQ200610169099
公開日2007年6月27日 申請日期2006年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月21日
發(fā)明者L·H·M·韋爾斯塔彭, E·C·莫斯 申請人:Asml荷蘭有限公司