專利名稱：半導(dǎo)體工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種在半導(dǎo)體工藝中使用到金 屬材料硬掩模的工藝。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工業(yè)的進(jìn)展，為了符合該等高密度集成電路的開發(fā)與設(shè)計(jì)， 各式元件的尺寸皆降至亞微米以下,，而半導(dǎo)體工藝中不乏使用到掩模的技術(shù)。例如，隨著目前持續(xù)縮小集成電路尺寸的趨勢，集成電路工藝已朝向 多重金屬內(nèi)連線方向發(fā)展。為了解決在多層(multi-layer)中制作金屬內(nèi)連線 的困難，鑲嵌工藝(damascene process)受到廣泛研究與發(fā)展。鑲嵌工藝中使 用到硬掩模。另外，由于銅(Cu)具有比鋁(Ai)和絕大多數(shù)金屬更低的電阻系 數(shù)和優(yōu)異的電子遷移(electromigration)抗拒性，且低介電常數(shù)(low-k)材料可 幫助降低金屬導(dǎo)線之間的電阻-電容延遲效應(yīng)(resistance-capacitance, RC delay effect)，因jt匕4同4皮大量用于制估支單4t嵌結(jié)構(gòu)(single damascene structure) 與雙鑲嵌結(jié)構(gòu)(dual damascene structure)。銅工藝亦被認(rèn)為是解決未來深亞微 米(deep sub-half micron)集成電路金屬連線問題的新技術(shù)。鑲嵌內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制法，是先在介電材料薄膜上蝕刻出電路圖案，然 后再將銅金屬填入這個(gè)圖案凹槽中。請參照圖1,其繪示的是一現(xiàn)有的雙鑲 嵌工藝的剖面示意圖。首先，基材1上具有一底層或低介電常數(shù)介電層10。 在低介電常數(shù)介電層10中形成有下層銅導(dǎo)線12，并且覆蓋有一蓋層14, 通常是摻雜氮的碳化硅(SiCN)。接著依序在蓋層14上形成低介電常數(shù)介電 層16、硅氧蓋層18、硬掩模層20以及底部抗反射層(bottom anti-reflective coating, BARC)。然后，在底部抗反射層上形成光致抗蝕劑圖案(未示出)， 其具有一溝渠開口，定義出鑲嵌導(dǎo)線的溝渠圖案(trench pattem)。接著，進(jìn) 行一干蝕刻工藝，經(jīng)由光致抗蝕劑圖案的溝渠開口蝕刻硬掩模層20直到硅 氧蓋層18，藉此在硬掩模層20中定義形成一溝渠凹口 44。前述的千蝕刻 步驟一般停止在硅氧蓋層18中。接著，去除剩下的光致抗蝕劑圖案以及底部抗反射層，暴露出剩下的硬掩模層20。然后，于基材l上另沉積一底部 抗反射層38，使底部抗反射層38填滿溝渠凹口 44,并覆蓋在硬掩模層20 上。 <接著，再于底部抗反射層38上形成一光致抗蝕劑圖案39，其具有一介 層洞開口 42,其位置恰好在溝渠凹口 44的正上方。上述的介層洞開口 42 是利用現(xiàn)有的光刻技術(shù)形成。接著，利用光致抗蝕劑圖案39作為蝕刻硬掩 模，進(jìn)行干蝕刻工藝，經(jīng)由介層洞開口 42蝕刻底部抗反射層38、硅氧蓋層 18以及4氐介電常lt介電層16,藉此在4氐介電常lt介電層16上半部形成部 分介層洞(partial via) 46。接著，請參照圖2，利用氧氣等離子體等方式去除剩下的光致抗蝕劑圖 案39以及底部抗反射層38，并且暴露出已定義有溝渠凹口 44的硬掩模層 20。接著，利用硬掩模層20作為蝕刻硬掩模，進(jìn)行一干蝕刻工藝，向下蝕 刻未被硬掩模層20覆蓋到的硅氧蓋層18以及低介電常數(shù)介電層16，并同 時(shí)經(jīng)由部分介層洞46繼續(xù)蝕刻低介電常數(shù)介電層16,直到暴露出部分的蓋 層14，藉此將先前形成的溝渠凹口 44以及部分介層洞46圖案轉(zhuǎn)移至低介 電常數(shù)介電層16中，形成雙鑲嵌開口 22,其包括一溝渠開口 24以及—-介 層洞開口 26。接著，再利用一蝕刻工藝，此步驟通常又稱為"襯墊層蝕除 步驟(Hner removal)"或"LRM步驟，'，經(jīng)由介層洞開口26，將暴露出的蓋 層14去除，藉以暴露出下層銅導(dǎo)線12。接下來，就可以繼續(xù)進(jìn)行上層銅導(dǎo) 線的制作，如阻障層的沉積、銅金屬的電鍍等步驟，不再另外贅述。前述 用來去除蓋層14的蝕刻工藝通常是采用含氫的氟烷類氣體等離子體，例如 CH2F2或者CHF3等離子體。然而，當(dāng)使用氟烷類氣體等離子體，例如CH2F2或者CHF3等離子體， 來去除蓋層14的蝕刻工藝時(shí)，往往因?yàn)榉杂苫拇嬖冢c硬掩模的鈦成 分形成鈦-氟化合物顆粒分布于基材表面上，造成工藝缺陷，此并不為所欲， 而是待解決的問題。因此，仍需一種較佳的半導(dǎo)體制造方法，以解決上述使用含鈦的硬掩 模而在含氟自由基的存在時(shí)，在基材上產(chǎn)生顆粒沉淀的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是提供一種半導(dǎo)體工藝，其可于使用硬掩模的蝕刻
工藝中，避免含氟顆粒生成于基材表面上，造成工藝缺陷。依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝包括下列步驟。提供一基材，其具有一硬掩 模及位于硬掩模下方的下層。使用一含有氟自由基的等離子體蝕刻硬掩模 及其下層。 -使用一可與氟自由基反應(yīng)的氣體對基才才進(jìn)4亍處理，7人而^f吏殘留 于基材表面上或周圍氛圍的氟自由基與氣體反應(yīng)，形成含氟化合物而移除。 于依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝中，在使用例如鈦或氮化鈦硬掩模，以含 有氟自由基的等離子體蝕刻硬掩模的下層材料之后，使用一可與氟自由基 反應(yīng)的氣體進(jìn)行處理(亦可稱其為后處理)，以與殘留的氟自由基反應(yīng)，形成 含氟化合物而被移除。如此，可防止現(xiàn)有技術(shù)中氟自由基與硬掩模的例如 鈦成分反應(yīng)，于基材表面形成沉積的顆粒，造成工藝缺陷。


圖1及圖2繪示的是現(xiàn)有技術(shù)的部分介層洞優(yōu)先(partial-via-first)雙鑲嵌 工藝的剖面示意圖；圖3及圖4繪示的是依據(jù)本發(fā)明的鑲嵌工藝的一具體實(shí)施例的剖面示意圖；圖5繪示的是依據(jù)本發(fā)明的鑲嵌工藝的另 一具體實(shí)施例的剖面示意圖； 圖6及圖7繪示的是依據(jù)本發(fā)明的鑲嵌工藝的又一具體實(shí)施例的剖面 示意圖；圖8顯示現(xiàn)有技術(shù)的鑲嵌工藝與依據(jù)本發(fā)明的鑲嵌工藝的具體實(shí)施例 所獲得結(jié)果的SEM照片；圖9顯示現(xiàn)有技術(shù)的鑲嵌工藝與依據(jù)本發(fā)明的鑲嵌工藝的具體實(shí)施例 所獲得結(jié)果的傾角(tilt) SEM照片主要元件符號說明1、 2、 3、 4基材12 下層銅導(dǎo)線16 低介電常數(shù)介電層20 硬掩模層24 溝渠開口28 蓋層32 導(dǎo)電層10低介電常數(shù)介'電層1418硅氧蓋層22雙鑲嵌開口26介層洞開口30介電層34蓋層36介電層38底部抗反射層39光致抗蝕劑圖案40硬掩模層42介層洞開口44溝渠凹口46部分介層洞100干燭刻工藝102氟自由基移除處理步驟具體實(shí)施方式
請參閱圖3及圖4,其繪示的是依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝的一具體實(shí)施 例的剖面示意圖，是使用鑲嵌工藝以做說明。其中仍沿用相同的符號來代 表相同或類似的元件或區(qū)域。需強(qiáng)調(diào)的是，本發(fā)明并不僅限于圖中所揭露 者，凡使用硬掩模，特別是含有鈦(Ti)成分的硬掩模，例如鈦金屬或氮化鈦， 并且使用含氟自由基氣體進(jìn)行蝕刻的工藝，例如，但不限于，若千鑲嵌或 是雙鑲嵌等工藝，均可使用本發(fā)明的方法。雙鑲嵌工藝尚可為，例如，溝 渠優(yōu)先(trench-first)、介層洞優(yōu)先(via-first)、部分介層洞優(yōu)先(partial via-first) 等鑲嵌工藝。如圖3所示，基材2可為半導(dǎo)體基材，包括有一底層或介電層30。在 介電層30中形成有導(dǎo)電層32,例如銅導(dǎo)線。接著，依序在此介電層30及 導(dǎo)電層32上，形成介電層36及硬掩模層40。硬掩模層40可包含有氮化鈦 (TiN)、鈦金屬、或是其他含鈦的材料為其成分。硬掩模層40的厚度約介于 250至450埃之間，優(yōu)選介于300至350埃之間。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例， 介電層30、 36可以是具有有機(jī)硅酸鹽玻璃(organosilicate glass, OSG)等成分 的低介電材料，這類有機(jī)硅酸鹽玻璃是在二氧化硅或氧化硅中摻入碳或氫 原子，使其具有約介于2至3之間的低介電常數(shù)值。接下來在硬掩模層40上形成一光致抗蝕劑圖案(未示出)，其具有一溝 渠開口，定義出鑲嵌導(dǎo)線的溝渠圖案。接著，進(jìn)行一干蝕刻工藝，經(jīng)由光 致抗蝕劑圖案的溝渠開口蝕刻硬掩模層40，藉此形成一溝渠凹口。接著， 利用氧氣等離子體等方式去除剩下的光致抗蝕劑圖案。然后，利用硬掩模層40作為蝕刻硬掩模，進(jìn)行一干蝕刻工藝100，向 下蝕刻未被硬掩模層40覆蓋到的介電層36,并繼續(xù)蝕刻直到暴露出導(dǎo)電層 32。前述用來去除介電層36的蝕刻工藝是采用含氟的混合氣體等離子體， 例如氟碳化物、惰性氣體、及氮?dú)馑纬傻幕旌蠚怏w等離子體，或是氟碳 化合物、惰性氣體、及氧氣所形成的混合氣體等離子體。然后，如圖4所示，使用一可與氟自由基結(jié)合而可被移除的氣體等離子體進(jìn)行氟自由基移除處理步驟102,即，通入氣體等離子體至基材表面或周圍氛圍，以便使殘留的氟自由基與氣體等離子體反應(yīng)而結(jié)合，形成化合 物類或聚合物類產(chǎn)物，而隨著裝置的抽氣系統(tǒng)被抽離基材表面或周圍氛圍。 易言之，使用一氣體等離子體，使其與氟自由基結(jié)合，以去除殘留的氟自由基，可避免鈦氟化合物或聚合物(例如TixFy)顆粒沉淀于基材上，造成工藝 缺陷。經(jīng)過氟自由基移除處理的晶片，可增長閑置時(shí)間(Qtime),例如可長 達(dá)18小時(shí)，不會(huì)有不欲的顆粒形成。氟自由基移除處理可在與干蝕刻相同 的反應(yīng)室(chamber)內(nèi)原位(insitu)進(jìn)行，或是于同一機(jī)臺內(nèi)更換反應(yīng)室進(jìn)行， 或是更換機(jī)臺等等，并無特別限制。但是原位進(jìn)行較為便利。進(jìn)行氟自由 基移除處理時(shí)，所使用的氣體流量及反應(yīng)時(shí)間，并無特別限制，以能充分 與殘留的氟自由基反應(yīng)殆盡為佳。只要是能與氟自由基結(jié)合而可被移除的 氣體等離子體均可使用于本發(fā)明中以進(jìn)行氟自由基移除處理，并無特別限 制，例如一氧化碳(CO)、 二氧化碳(C02)、碳?xì)寤衔?、及氰化?HCN)等 等，均可使用。在使用可與氟自由基反應(yīng)的氣體進(jìn)行處理之后，可進(jìn)一步 使用 一對于基材為惰性的氣體吹掃基材，以移除殘留的可與氟自由基反應(yīng) 的氣體。接下來，可繼續(xù)進(jìn)行上層金屬層的制作，例如阻障層的沉積、銅金屬 的電鍍、化學(xué)機(jī)械拋光等等步驟，以形成鑲嵌導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。請參閱圖5，其顯示于上述的具體實(shí)施例中，基材3可還包括有一蓋層 34覆蓋于介電層30及導(dǎo)電層32之上，并且硬掩模層40下方尚有一蓋層 28覆蓋下方的介電層36的情形。請參閱圖6及7，其繪示的是依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體工藝的另 一具體實(shí)施 例的剖面示意圖，其中仍沿用相同的符號來代表相同或類似的元件或區(qū)域。 此具體實(shí)施例仍以一鑲嵌工藝為例，主要特征在于本發(fā)明中進(jìn)行一蝕刻后 的處理以移除氟自由基。首先，基材4上具有一底層或介電層30。在介電層30中形成有導(dǎo)電層 32，例如銅導(dǎo)線，并且覆蓋有一蓋層34,蓋層34可舉例為摻雜氮的碳化硅 (SiCN)的材料，厚度約為300至800埃(angstrom )，優(yōu)選約為500埃左右。 但蓋層34亦可以是其它的材料，例如，氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳 化硅(SiC)、碳氧化硅(SiCO)等。接著，依序在蓋層34上形成介電層36、蓋層28、及硬掩模層40,或 進(jìn)一步形成底部抗反射層(未示出)。硬掩模層40、介電層30及36均如前述。蓋層28可為TEOS石圭氧等材4十，可利用等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 (plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)技術(shù)沉積而成，具有較 低碳含量，其中使用到四乙基氧硅烷(tetraethylorthosilicate, TEOS)作為前驅(qū) 物以及氧氣，且采用比較高的氧氣對TEOS比值(0/TEOS ratio)。接下來在硬掩模層40或底部抗反射層上形成一光致抗蝕劑圖案(未示 出)，其具有一溝渠開口，定義出鑲嵌導(dǎo)線的溝渠圖案。進(jìn)行一干蝕刻工藝， 經(jīng)由光致抗蝕劑圖案的溝渠開口蝕刻硬掩模層40直到蓋層28，藉此形成一 溝渠凹口。前述干蝕刻停止在蓋層28中。接著，利用氧氣等離子體等方式 去除剩下的光致抗蝕劑圖案以及底部抗反射層，暴露出剩下的硬掩模層40。接著，如上述，可于基材4上另沉積一底部抗反射層(未示出)，使底部 抗反射層填滿溝渠凹口，并覆蓋在硬掩模層40上。接著，再于底部抗反射 層上形成一光致抗蝕劑圖案，其具有一介層洞開口，位置恰好在溝渠凹口 的正上方。上述的介層洞開口是利用現(xiàn)有的光刻技術(shù)形成。接著，利用光 致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，進(jìn)行干蝕刻工藝，經(jīng)由介層洞開口蝕刻底部 抗反射層、蓋層28以及介電層36,藉此在介電層36上半部形成部分介層 洞(partial via)。接著，利用氧氣等離子體等方式去除剩下的光致抗蝕劑圖案以及底部 抗反射層，并且暴露出'已定義有溝渠凹口的硬掩模層40，如圖6所示。接著利用硬掩模層40作為蝕刻硬掩模，進(jìn)行一千蝕刻工藝，向下蝕刻 未被硬掩模層40覆蓋到的蓋層28以及介電層36，并同時(shí)經(jīng)由部分介層洞 繼續(xù)蝕刻介電層36，直到暴露出部分的蓋層34,藉此將先前形成的溝渠凹 口以及部分介層洞圖案轉(zhuǎn)移至介電層36中，形成雙鑲嵌開口，其包括一溝 渠開口以及一介層洞開口 。接著再利用LRM步驟，經(jīng)由介層洞開口，將暴露出的蓋層34去除， 藉以暴露出導(dǎo)電層32。依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，前述用來去除蓋層34的 蝕刻工藝是采用含氟烷的混合氣體等離子體，例如含四氟化碳(CF4)的混 合氣體等離子體，例如四氟化碳/一氧化氮、四氟化碳/二氧化氮、四氟化 碳/氮?dú)獾?，或是采用含氫的氟烷類氣體等離子體，例如CH2F，一或者CHF3
等離子體。然后，如圖7所示，進(jìn)行一如前述的氟自由基移除處理步驟102，即， 通入例如CO等離子體至基材表面或周圍氛圍，以便與殘留的氟自由基反 應(yīng)，形成可能為氟碳化合物類、或聚合物類的產(chǎn)物，隨著裝置的抽氣系統(tǒng) 被抽離基材表面，以避免鈦氟化合物或聚合物顆粒形成于基材上，造成工藝缺陷。接下來，繼續(xù)進(jìn)行上層銅導(dǎo)線的制作，例如阻障層的沉積、銅金屬的 電鍍、化學(xué)機(jī)械拋光等等步驟，形成鑲嵌導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用CO等離子體進(jìn)行氟自由基移除處理時(shí)，在進(jìn)行氟自由基移除 處理后，可進(jìn)一步使用可與CO結(jié)合而可被移除的氣體或等離子體、或?qū)?材上各材料為無害的鈍性攜帶氣體，進(jìn)行一殘留CO移除處理。因?yàn)楫?dāng)基材 表面殘留有CO時(shí)，易與銅產(chǎn)生反應(yīng)，形成CuC03，此并不為所欲，因此 優(yōu)選將殘留的CO移除。此殘留CO移除處理可便利的以原位(in situ)方式進(jìn) 行，但并不限于此，亦可更換機(jī)臺或反應(yīng)室。進(jìn)行殘留C.O移除處理時(shí)，所 使用的氣體流量及反應(yīng)時(shí)間，并無特別限制，以能充分與殘留的CO反應(yīng)殆 盡或?qū)埩舻腃O吹掃移除或攜帶(cany)離開為佳。只要是符合前述將CO 移除的目的的氣體或等離子體而對基板無害者均可使用，以便進(jìn)行殘留CO 移除處理，并無特別限制。例如氫氣(Hy、氨氣(NH3)等等，均可使用。圖8顯示一依據(jù)先前技術(shù)進(jìn)行鑲嵌工藝做為比較例與依據(jù)本發(fā)明的方 法進(jìn)行鑲嵌工藝做為實(shí)施例所獲得結(jié)果，經(jīng)置放18小時(shí)后的SEM照片。 圖9顯示其傾角(tilt) SEM照片。于比較例中，于40毫托(mTorr)壓力下，使用5 seem的C4F8、 112 seem 的CF4、 150 seem的Ar、 6 sccm的02，上板功率為1200瓦特、下板功率為 250瓦特，氣體流量比為50: 50(中間邊緣)，進(jìn)行蝕刻步驟42秒。接著， 于50毫托(mTorr)壓力下，使用400 sccm的CF4，上板功率為600瓦特、下 板功率為250瓦特，氣體流量比為90: 10(中間邊緣)，進(jìn)行襯墊層蝕除 (LRM)步驟47秒。然后，于60毫托(mTorr)壓力下，使用260 sccm的N2, 上板功率為400瓦特，氣體流量比為50: 50 (中間邊緣)，進(jìn)行第一處理 步驟10秒。再于60毫托(mTorr)壓力下，使用260 sccm的N2，不開啟上下 板的功率，氣體流量比為50: 50 (中間邊緣)，進(jìn)行第二處理步驟10秒。 如此獲得的基材表面，會(huì)有顆粒沉淀發(fā)生，如圖8及圖9的左方SEM照片
所示，可清楚看到經(jīng)過18小時(shí)后的基材上有許多顆粒形成，經(jīng)KLA缺陷 掃描機(jī)臺掃描基材表面，亦發(fā)現(xiàn)許多缺陷。于依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，與上述比較例的步驟相同，但是在進(jìn)行襯 墊層蝕除(LRM)步-銀后，進(jìn)4亍第一處理步-銀時(shí)，添加CO氣體以處理。即， 第一處理步驟是在60毫托(mTorr)壓力下，使用100 sccm的CO及260 sccm 的N2取代比較例的260 sccm的N2,上板功率為400瓦特，氣體流量比為 50: 50 (中間邊緣)的條件下進(jìn)行10秒。如此獲得的基材表面，不會(huì)有顆 粒沉淀發(fā)生，為正常無缺陷的情形，如圖8及圖9的右方SEM照片所示， 經(jīng)過18小時(shí)后的基材表面幾乎沒有顆粒沉淀，清楚顯示依據(jù)本發(fā)明的方法 經(jīng)由CO處理的功效。由KLA缺陷掃描機(jī)臺掃描基材表面，亦可知顆粒形 成極少，幾乎很干凈。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等 變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體工藝，包括提供基材，其具有硬掩模及位于該硬掩模下方的下層；使用含有氟自由基的等離子體蝕刻該硬掩模及該下層；及使用可與氟自由基反應(yīng)的氣體對該基材進(jìn)行處理，從而使殘留于該基材表面上或周圍氛圍的氟自由基與該氣體反應(yīng)，形成含氟化合物而移除。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該可與氟自由基反應(yīng)的氣 體是以等離子體形式對該基材進(jìn)行處理。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該硬掩模包括TiN。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該硬掩模由包括Ti金屬或 Ti化合物的材料所形成。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該可與氟自由基反應(yīng)的氣 體是選自CO、 C02、碳?xì)浠衔?、及HCN所組成的組群。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該形成含氟化合物而移除 是以抽氣方式移除。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該形成含氟化合物而移除 是以洗滌方式移除。
8. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，在使用該可與氟自由基反應(yīng)的氣 體對該基材進(jìn)行處理之后，進(jìn)一步包括使用對于該基材為惰性的氣體吹掃該基材，從而移除殘留的該可與氟 自由基反應(yīng)的氣體。
9. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該下層包括第一介電層、 形成在該第一介電層中的導(dǎo)電層、形成在該第一介電層及該導(dǎo)電層上的第 二介電層，及該硬掩模位于該第二介電層上。
10. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體工藝，其中，使用含有氟自由基的等離 子體蝕刻該硬掩模及該下層，是使用含有氟自由基的等離子體于該硬掩模 及該第二介電層中蝕刻出溝渠或介層洞，從而露出部分的該導(dǎo)電層。
11.如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該導(dǎo)電層包括Cu。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該可與氟自由基反應(yīng)的 氣體是選自CO、 C02、碳?xì)浠衔?、及HCN所組成的組群。
13. 如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體工藝，在使用該可與氟自由基反應(yīng)的氣體對該基材進(jìn)行處理之后，進(jìn)一步包括使用對于該基材為惰性的氣體吹掃該基材，從而移除殘留的CO或co2。
14. 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該惰性的氣體包括H2、或冊3。
15. 如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體工藝，其中，該基材尚具有一蓋層覆蓋 于該第一介電層及該導(dǎo)電層上。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種半導(dǎo)體工藝，包括使用一含有氟自由基的等離子體于硬掩模及其下方的層中蝕刻出一特征圖形；及使用一可與氟自由基反應(yīng)的氣體進(jìn)行處理，使殘留的氟自由基與氣體反應(yīng)，形成含氟化合物而移除。如此，可防止氟自由基與硬掩模的鈦成分反應(yīng)形成沉積于基材上的顆粒，造成工藝缺陷。
文檔編號H01L21/00GK101211753SQ20061017176
公開日2008年7月2日 申請日期2006年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者姚志成, 廖俊雄, 賴育聰, 黃俊仁 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司