專(zhuān)利名稱(chēng)：集成電路堆棧構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型為集成電路堆棧構(gòu)造，特別是指一種可有效降低生產(chǎn)成本及使封裝體積減小，使其更為實(shí)用。
背景技術(shù)：
在科技的領(lǐng)域，各項(xiàng)科技產(chǎn)品皆以輕、薄、短小為其訴求，因此，對(duì)于集成電路的體積是越小越理想，更可符合產(chǎn)品的需求。而以往集成電路即使體積再小，亦只能并列式地電連接于電路板上，而在有限的電路板面積上，并無(wú)法將集成電路的容置數(shù)量有效地提升，所以，欲使產(chǎn)品達(dá)到更為輕、薄、短小的訴求，將有其困難之處。
因此，將若干個(gè)集成電路予以迭合使用，可達(dá)到輕、薄、短小的訴求，然而，當(dāng)若干個(gè)集成電路迭合時(shí)，上層集成電路將會(huì)壓到下層集成電路的導(dǎo)線(xiàn)，以致將影響到下層集成電路的訊號(hào)傳遞。
所以，現(xiàn)有一種集成電路的堆棧構(gòu)造，請(qǐng)參閱圖1，其包括有一基板10、一下層集成電路12、一上層集成電路14、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)16及一間隔層18。下層集成電路12是設(shè)置于基板10上，上層集成電路14是由間隔層18迭合于下層集成電路12上方，使下層集成電路12與上層積體電14形成一適當(dāng)間距20，如是復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)16即可電連接于下層集成電路12邊緣，使上層集成電路14迭合于下層集成電路12上時(shí)，不致于壓損復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)線(xiàn)16。
如是，上述現(xiàn)有的集成電路的堆棧構(gòu)造，其具有如下的缺點(diǎn)；即1.必需另外粘設(shè)一間隔層18，不但制造上較為不便，且制造成本相對(duì)提高。
2.上層集成電路14必需打線(xiàn)于基板10，其打線(xiàn)距離較長(zhǎng)，且所產(chǎn)生的線(xiàn)弧較大，較易產(chǎn)生斷線(xiàn)的情形。
有鑒于此，本實(shí)用新型人乃本著精益求精、創(chuàng)新突破的精神，至力于集成電路封裝的研發(fā)，而發(fā)明出本實(shí)用新型集成電路的堆棧構(gòu)造，使其更為實(shí)用。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的，在于提供一種集成電路堆棧構(gòu)造，其具有便于制造的功效，以達(dá)到降低生產(chǎn)成本。
本實(shí)用新型的又一目的，在于提供一種集成電路堆棧構(gòu)造，其可有效防止下層集成電路在與上層集成電路在迭設(shè)時(shí)造成的損壞情形的產(chǎn)生，以達(dá)到提高封裝良率的目的。
為達(dá)上述的目的，本實(shí)用新型的特征在于包括一基板，其設(shè)有一上表面及一下表面，該上表面形成有多數(shù)個(gè)第一電極，該下表面形成有多數(shù)個(gè)第二電極連接該對(duì)應(yīng)的第一電極；一下層集成電路，是設(shè)置于該基板的上表面，其上形成有多數(shù)個(gè)焊墊；多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)，其是電連接該芯片的焊墊至該基板的第一電極；一第一接著劑，是涂設(shè)于該下層集成電路上，并使其硬化，而形成同樣高度的圓點(diǎn)；一第二接著劑，是涂布于該下層集成電路上，并位于該第一接著劑四周；一上層集成電路，是設(shè)置于該下層集成電路上，并由該第一接著劑支撐，且粘著于該第二接著劑上；多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)，是電連接該上層集成電路至基板的第一電極電；及封膠層，其是用以包覆該上、下層集成電路及導(dǎo)線(xiàn)。
通過(guò)如上的構(gòu)造組合，本實(shí)用新型具有如下的優(yōu)點(diǎn)；1.其不必另行設(shè)置一間隔層，在制造上較為便利。
2.在堆棧時(shí)因第一接著劑4已固化故可撐住上層集成電路而不會(huì)壓損其下層集成電路。


圖1為現(xiàn)有集成電路堆棧構(gòu)造示意圖；圖2為本實(shí)用新型集成電路堆棧構(gòu)造的剖示圖；圖3為本實(shí)用新型集成電路堆棧構(gòu)造的第一示圖；圖4為本實(shí)用新型集成電路堆棧構(gòu)造的第二示圖；圖5為本實(shí)用新型集成電路堆棧構(gòu)造的第三示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明基板 30 下層集成電路 32 第一接著劑 34第二接著劑 3 多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn) 36 上表面 38下表面 40 第一電極 44 第二電極 46焊墊 48 上層集成電路 49 封膠層 50具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2，為本實(shí)用新型集成電路的堆棧構(gòu)造的剖示圖，其包括有一基板30、一下層集成電路32、一第一接著劑34、一第二接著劑35、多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36、一上層集成電路49、一封膠層50，其中基板30設(shè)有一上表面38及一下表面40，上表面38的一側(cè)形成有多數(shù)個(gè)第一電極44，下表面40形成有多數(shù)個(gè)第二電極46。
一下層集成電路32，其上形成有多數(shù)個(gè)焊墊48，是設(shè)置于基板30的上表面38上，通過(guò)由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36電連接焊墊48于至基板30的第一電極44上。
一第一接著劑34，其是涂布設(shè)于下層積體路32上，并使其烘烤硬化，而形成四個(gè)同樣高度的圓點(diǎn)。
一第二接著劑35，為環(huán)氧樹(shù)脂(Epoxy)，是涂布于下層集成電路32上，并位于第一接著劑34四周。
多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36是電連接下層集成電路32至基板的第一電極44上。
一上層集成電路49，是設(shè)置于該下層集成電路32上，并由該第一接著劑34支撐，進(jìn)行烘烤，使其與該第二接著劑35相互粘結(jié)。
一封膠層50，其是用以包覆該上、下層集成電路32及多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36，進(jìn)行烘烤固化。
請(qǐng)參閱圖3，為本實(shí)用新型集成電路的堆棧構(gòu)造的第一示意圖，基板30，其設(shè)有一上表面38及一下表面40，上表面38有多數(shù)個(gè)第一電極44，下表面40形成有多數(shù)個(gè)第二電極46。
下層集成電路32，其上形成有多數(shù)個(gè)焊墊48，是設(shè)置于基板30的上表面38上，通過(guò)由復(fù)數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36電連接焊墊48于至基板30的第一電極44上。
第一接著劑34，其是涂布設(shè)于下層積體路32上，并使其烘烤硬化，而形成四個(gè)同樣高度的圓點(diǎn)。
請(qǐng)參閱圖4，為本實(shí)用新型集成電路的堆棧構(gòu)造的第二示意圖。首先提供一下層集成電路32，將第一接著劑34涂布于下層集成電路32上形成四個(gè)相對(duì)應(yīng)同樣高度的圓點(diǎn)，并使其烘烤硬化，再將第二接著劑35涂布于下層集成電路32上，并位于第一接著劑34四周，再以多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36電連接下層集成電路32至基板30的第一電極44上。
請(qǐng)參閱圖5，為本實(shí)用新型集成電路的堆棧構(gòu)造的第三示意圖，將上層集成電路49迭設(shè)于下層積集成電路32上，并由第一接著劑34支撐進(jìn)行烘烤，使其與第二接著劑35相互粘結(jié)。再以多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36電連接上層集成電路49至基板30的第一電極44上。
請(qǐng)配合參閱圖2，為本實(shí)用新型集成電路的堆棧構(gòu)造的制造方法示意圖，其包括有一基板30、下層集成電路32、第一接著劑34、第二接著劑35、上層集成電路49、多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)44及封膠層50提供一基板30，其設(shè)有一上表面38及一下表面40，上表面形成40有多數(shù)個(gè)第一電極44，下表面40形成有多數(shù)個(gè)第二電極46連接對(duì)應(yīng)的第一電極44。
提供一下層集成電路32，是設(shè)置于基板30的上表面38上，其上形成有多數(shù)個(gè)焊墊48。
提供多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36，其是電連接下層集成電路32的焊墊48至該基板30的第一電極44。
提供一第一接著劑34，是涂設(shè)于下層集成電路32上，進(jìn)行烘烤固化，而形成四個(gè)同樣高度的圓點(diǎn)。
提供一第二接著劑35，是涂布于下層集成電路32上，并位于第一接著劑34四周。
提供一上層集成電路49，是設(shè)置于下層集成電路32上，并由第一接著劑34支撐，進(jìn)行烘烤，使其與第二接著劑35相互粘結(jié)。
提供多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36，是電連接上層集成電路49至基板30的第一電極44上；及提供一封膠層50，其是用以包覆該上、下層集成電路32及多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)36，進(jìn)行烘烤固化。
在較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)中所提出的具體實(shí)施例僅為易于說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，并非將本實(shí)用新型狹意地限制于實(shí)施例，凡依本發(fā)的精神及以下申請(qǐng)專(zhuān)利范圍的情況所作的種種變化實(shí)施均屬本實(shí)用新型的范圍。
權(quán)利要求1.一種集成電路堆棧構(gòu)造，其特征在于包括一基板，其設(shè)有一上表面及一下表面，該上表面形成有多數(shù)個(gè)第一電極，該下表面形成有多數(shù)個(gè)第二電極連接該對(duì)應(yīng)的第一電極；一下層集成電路，是設(shè)置于該基板的上表面，其上形成有感測(cè)區(qū)及多數(shù)個(gè)焊墊；多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)，其是電連接該芯片的焊墊至該基板的第一電極；一第一接著劑，是涂設(shè)于該下層集成電路上，并使其硬化，而形成同樣高度的圓點(diǎn)；一第二接著劑，是涂布于該下層集成電路上，并位于該第一接著劑四周；一上層集成電路，是設(shè)置于該下層集成電路上，并由該第一接著劑支撐，且粘著于該第二接著劑上；多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)，是電連接該上層集成電路至基板的第一電極上；及封膠層，其是用以包覆該上、下層集成電路及導(dǎo)線(xiàn)。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路堆棧構(gòu)造，其特征在于，所述該第一接著劑是涂布四個(gè)圓點(diǎn)于該下層集成電路上。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路堆棧構(gòu)造，其特征在于，所述該第二接著劑為環(huán)氧樹(shù)脂或其它密封膠材。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型集成電路堆棧構(gòu)造，包括一基板，設(shè)有一上表面及一下表面，該上表面形成有多數(shù)個(gè)第一電極，該下表面形成有多數(shù)個(gè)第二電極連接該對(duì)應(yīng)的第一電極；一下層集成電路，設(shè)置于該基板的上表面，其上形成有多數(shù)個(gè)焊墊；多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)，其是電連接該芯片的焊墊至該基板的第一電極；一第一接著劑，涂設(shè)于該下層集成電路上，使其硬化，形成同樣高度的圓點(diǎn)；一第二接著劑，涂布于該下層集成電路上，位于該第一接著劑四周；一上層集成電路，設(shè)置于該下層集成電路上，由該第一接著劑支撐，粘著于該第二接著劑上；多數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)，電連接該上層集成電路至基板的第一電極電；及封膠層，是用以包覆該上、下層集成電路及導(dǎo)線(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L23/48GK2914329SQ20062000455
公開(kāi)日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2006年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月8日
發(fā)明者辛宗憲 申請(qǐng)人:勝開(kāi)科技股份有限公司