專利名稱：一種高出光率的led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及LED，特別是涉及一種具有高出光率的LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
LED從二十世紀六十年代研制出來并逐步走向市場化，其封裝技術(shù)也在不斷 改進和發(fā)展，由最早用玻璃管封裝發(fā)展至支架式環(huán)氧封裝和表面貼裝式封裝， 使得小功率LED獲得廣泛的應用。目前單芯片1W、 3W、 5W甚至更高功率LED已 產(chǎn)業(yè)化并推向市場，這使得超高亮度LED的應用面不斷擴大，由特種照明的市場 領(lǐng)域，逐步向普通照明市場邁進，但是LED要在照明領(lǐng)域發(fā)展,關(guān)鍵要將其發(fā)光 效率、光通量提高到現(xiàn)有照明光源的水平。除了目前在芯片上所做的提高取光 效率、降低熱阻等各種努力來提高器件的光電轉(zhuǎn)換效率，從而獲得較高的光通 量外，器件的封裝技術(shù)也是舉足輕重的。影響LED被廣泛應用于照明領(lǐng)域的解 決方法主要有提高整體封裝的出光效率，降低整體熱阻來提高產(chǎn)品的可靠性等。
目前LED的封裝的主要結(jié)構(gòu)有直插、貼片、表面灌注、側(cè)發(fā)光、模組等； 以及在后續(xù)應用中所需要添加二次光學設(shè)計、防水要求等，都面臨著出光效率 的問題，因為LED芯片被封裝在環(huán)氧樹脂(或硅膠等其他材料等)中，這些材 料的折射率在1. 3-1. 6之間，空氣的折射率約為1，芯片發(fā)出的光線從高折射率 的材料入射到低折射率的空氣(或其他二次光學設(shè)計，然后入射到空氣)中， 都將會有全反射的現(xiàn)象發(fā)生。如圖3所示，其包括一 LED芯片la和一LED封裝 體，將LED簡化為點光源，當光線從折射率大的環(huán)氧樹脂介質(zhì)22a中射到封裝 體的表面21a再射入折射率小的空氣介質(zhì)中時，將有一部分光被全反射，其全
反射角為0，當超過全反射角e的出射光線將會被反射到產(chǎn)品內(nèi)部，或經(jīng)過多 次反射后再射出，或被吸收，這樣形成一部分光的損耗，從而影響到產(chǎn)品的出 光效率，因此整體的產(chǎn)品出光效率較低，不利于普通照明的使用。

實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有LED封裝結(jié)構(gòu)出光率低的問 題，提供一種出光率高的LED封裝結(jié)構(gòu)。
為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案是 一種LED的封裝結(jié)構(gòu)， 其包括一 LED封裝體及一設(shè)置于LED封裝體內(nèi)的LED芯片，所述的封裝體表面 形成有至少一凹陷部或至少一凸出部。
更具體地，所述凹陷部及凸出呈錐狀或棱柱狀。
更具體地，所述的凹陷部的頂部及凸出部的底部是由至少三條邊圍成的多 邊形或圓形。
更具體地，所述的凹陷部或凸出部與封裝體一體形成。 更具體地，所述的凹陷部或凸出部是通過刻蝕或激光處理在封裝體的表面。 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型具有以下有益效果本實用新型提供一種 在LED封裝體的表面設(shè)置凹陷部或凸出部使封體表面粗化，當光線通過封裝體 內(nèi)部的環(huán)氧樹脂介質(zhì)到達封裝體表面時，凹陷部或凸出部給正常超過全反射角 的光線提供直接出射的機會，這樣可以降低光線在封裝體內(nèi)的環(huán)氧樹脂介質(zhì)中 的反射的次數(shù)，也減少了被吸收的可能，因而可以提高產(chǎn)品的整體出光效率， 在正常的SMD LED的模具上進行處理后，其出光會比正常封裝高15%左右。

圖1為本實用新型LED封裝結(jié)構(gòu)第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實用新型LED封裝結(jié)構(gòu)第一實施例中芯片光線射出示意圖； 圖3為本實用新型LED封裝結(jié)構(gòu)第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是本實用新型LED封裝結(jié)構(gòu)第二實施例中芯片光線射出示意圖； 圖5為現(xiàn)有技術(shù)中LED封裝結(jié)構(gòu)中芯片光線射出示意圖。
具體實施方式

如圖1所示，本實用新型涉及一種高出光率的LED封裝結(jié)構(gòu)，其包括一封 裝體2及一設(shè)置于LED封裝體2內(nèi)的LED芯片1 ，所述的封裝體2表面21形成 有若干凸出部3，每一凸出部3呈錐狀，在本實施例中，每一凸出部3的底部是 由至少三條邊圍成的多邊形。
如圖2所示，將LED簡化為點光源，當光線從折射率大的環(huán)氧樹脂介質(zhì)22 中射到LED封裝體2的表面21再射入折射率小的空氣介質(zhì)中時，將有一部分光 被全反射，其全反射角為e，但是，當一部分光射入到封裝體2的表面21設(shè)置
的凸出部3時，入射角為ei，反射角ei小于正常全反射角e，光線就會直
接折射到空氣介質(zhì)中，這樣可以降低光線在封裝體內(nèi)的環(huán)氧樹脂介質(zhì)22中反射
的次數(shù)，也減少了被吸收的可能，因而可以提高產(chǎn)品的整體出光效率，在正常
的表面貼裝元件(SMD) LED的模具上進行處理后，其出光率會比正常封裝高
15%左右。
請參閱圖3，是本實用新型的第二實施例，其與第一實施例的不同之處在于， 本實施中封裝體表面21形成有若干凹陷部4，每一凹陷部4呈錐狀，在本實施 例中，凹陷部4的頂部是由至少三條邊圍成的多邊形。如圖4所示，當一部分 光射入到封裝體2的表面21設(shè)置的凹陷部4時，其入射角為8 2，入射角9 2 小于全反射角e，光線就會直接折射到空氣介質(zhì)中，這樣同樣可以降低光線在 封裝體內(nèi)的環(huán)氧樹脂介質(zhì)22中反射的次數(shù)，也減少了被吸收的可能，因而可以 提高產(chǎn)品的整體出光效率。
可以理解，作為本實用新型的其他實施方式，還可同時于封裝體2表面21 形成若干凸出部3及凹陷部4。上述各實施例中的凸出部3及凹陷部4可通過封 裝模具與封裝體2的表面21 —體形成，也可以將成品通過再處理方式形成。
本實用新型所述的在技術(shù)方案還可用于其它LED下游產(chǎn)品的表面處理來達 到出光率高的效果。
權(quán)利要求1、一種LED的封裝結(jié)構(gòu)，其包括一LED封裝體及一設(shè)置于LED封裝體內(nèi)的LED芯片，其特征在于所述的封裝體表面形成有至少一凹陷部或至少一凸出部。
2 、如權(quán)利要求1所述的LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述凹陷部及凸 出呈錐狀或棱柱狀。
3 、根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的凹陷部 及凸出部為多面體，所述凹陷部的頂部及凸出部的底部是由至少三條邊圍成的 多邊形或圓形。
4、根據(jù)權(quán)利要求l、 2或3所述的LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 的凹陷部或凸出部與封裝體一體形成。
5 、根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的凹多面 體或凸多面體是通過刻蝕或激光處理在封裝體的表面。
專利摘要本實用新型涉及一種LED的封裝結(jié)構(gòu)，其包括一LED封裝體及一設(shè)置于LED封裝體內(nèi)的LED芯片，所述的封裝體表面形成有至少一凹陷部或至少一凸出部而使封裝體表面達到粗化的效果，其給正常超過全反射角的光線直接出射的機會，這樣可以降低光線在封裝體內(nèi)的環(huán)氧樹脂介質(zhì)中的反射的次數(shù)，也減少了被吸收的可能，因而可以提高產(chǎn)品的整體出光效率，在正常的SMD LED的模具上進行處理后，其出光會比正常封裝高15％左右。
文檔編號H01L23/28GK201004466SQ200620015489
公開日2008年1月9日 申請日期2006年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日
發(fā)明者胡建華, 龔偉斌 申請人:深圳市瑞豐光電子有限公司