專(zhuān)利名稱(chēng)：片式云母電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電容器，特別涉及一種應(yīng)用于微波類(lèi)電子設(shè)備的片式云母電容器。
背景技術(shù)：
電容器是廣泛使用的一種電子元器件，云母電容器是其中一種。一般的云母電容器是用金屬箔或在云母片上印刷銀層做內(nèi)電極，內(nèi)電極和云母一層一層疊合后，再壓鑄在膠木粉或封固在環(huán)氧樹(shù)脂中制成。其特點(diǎn)是介質(zhì)損耗小、絕緣電阻大，溫度系數(shù)小，適用于高頻電路。但現(xiàn)有云母電容器由環(huán)氧樹(shù)脂封固，整體體積大，不適合做片式電容器，不適合應(yīng)用于貼片式電子元器件的表面組裝工藝中；另外，一般片式云母電容器的銀內(nèi)電極采用單層結(jié)構(gòu)，即在云母介質(zhì)的一面印制銀內(nèi)電極，然后將這些印制有銀內(nèi)電極的云母介質(zhì)層層疊壓后由玻璃封裝，這樣，云母介質(zhì)兩面的銀內(nèi)電極中就有一個(gè)與其并沒(méi)有緊密接觸(因?yàn)闆](méi)有印制在其表面)，存在空隙，損耗較大，性能指標(biāo)不高；再則，玻璃粘結(jié)的效果不理想，經(jīng)常出現(xiàn)片式云母電容器內(nèi)電極與云母介質(zhì)分離，影響性能。國(guó)內(nèi)片式云母電容器的絕緣電阻只能達(dá)到1萬(wàn)兆歐，因此，目前國(guó)內(nèi)大多數(shù)片式云母電容器都不能滿足GB/T 6261-1998(idt IEC 384-5-1/1993)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的要求。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的解決現(xiàn)有片式云母電容器存在的損耗大、絕緣電阻低、體積大，不適用于微波設(shè)備的表面組裝工藝的不足，提供一種損耗小、絕緣電阻高、體積小、高頻性能好，適用微波設(shè)備的表面組裝工藝的片式云母電容器。
本實(shí)用新型的目的是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的片式云母電容器，由多層一面印制有第一內(nèi)電極、另一面印制有第二內(nèi)電極或第三內(nèi)電極的云母介質(zhì)疊層后，再由玻璃層燒結(jié)封裝成一體，各內(nèi)電極均為銀質(zhì)，相鄰兩層的云母介質(zhì)上的第一內(nèi)電極分別與兩個(gè)端電極連接，每層云母介質(zhì)的另一面還印制有第二內(nèi)電極并分別與兩個(gè)端電極連接。每層云母介質(zhì)的兩面都印制有內(nèi)電極，形成一個(gè)完整的微電容器，然后各個(gè)內(nèi)電極錯(cuò)位分別與端電極連接，形成并聯(lián)連接，因此，這樣的片式云母電容器內(nèi)電極的歐姆電阻小因而損耗小、高頻性能好。
上述最上層云母介質(zhì)的第一內(nèi)電極和最下層云母介質(zhì)的第二內(nèi)電極上還印制有一層第三內(nèi)電極。由于云母介質(zhì)兩面都印制內(nèi)電極，則中間層云母介質(zhì)的兩面相當(dāng)于兩層內(nèi)電極，為保證最上層云母介質(zhì)和最下層云母介質(zhì)的外側(cè)內(nèi)電極與中間層的內(nèi)電極性能保持穩(wěn)定，因此，分別再印制了一層第三內(nèi)電極。
上述第一內(nèi)電極、第二內(nèi)電極、第三內(nèi)電極的厚度相同。厚度相同，可以保證每層云母介質(zhì)兩面的內(nèi)電極厚度保持一致，保證性能穩(wěn)定。
上述與一個(gè)端電極的第一內(nèi)電極或第二內(nèi)電極和第三內(nèi)電極的另一端由玻璃質(zhì)的內(nèi)封裝層封裝，以與另一個(gè)端電極絕緣隔離。玻璃層封裝密閉性好，產(chǎn)品不易受潮，絕緣電阻高，可達(dá)10萬(wàn)兆歐。
本實(shí)用新型的有益效果是，采用兩層銀內(nèi)電極和玻璃層作為封裝層，云母電容器的體積小，最小可達(dá)1.4×1.4mm，可適用于片式結(jié)構(gòu)，適用于微波設(shè)備的表面組裝工藝中；內(nèi)電極采用兩層銀電極結(jié)構(gòu)，損耗??；玻璃層封裝，粘結(jié)性和韌性好，內(nèi)電極與云母介質(zhì)不易分層，保證了產(chǎn)品的可靠性，產(chǎn)品絕緣電阻高。采用上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有損耗小、絕緣電阻高、體積小、高頻性能好，適用微波設(shè)備的表面組裝工藝的優(yōu)點(diǎn)，而且生產(chǎn)出的產(chǎn)品性能完全達(dá)到GB/T 6261-1998(idt IEC 384-5-1/1993)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的要求，可廣泛適用于微波設(shè)備中。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中標(biāo)號(hào)，1是端電極，2是玻璃層，31是第一內(nèi)電極，第32是第二內(nèi)電極，33是第三內(nèi)電極，4是云母介質(zhì)，5是內(nèi)封裝層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖說(shuō)明對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。
如圖1所示，先在云母介質(zhì)4的兩面分別將銀電極漿料印刷涂層在其表面，形成銀質(zhì)的第一內(nèi)電極31和第二內(nèi)電極32，然后將兩面分別印有第一內(nèi)電極31和第二內(nèi)電極32的云母介質(zhì)4一層層疊壓，如圖1所示疊成五層，每層云母介質(zhì)4的第一內(nèi)電極31與另一層云母介質(zhì)4的第二內(nèi)電極32緊密接觸，可視為一個(gè)內(nèi)電極，在云母介質(zhì)4上下兩面的內(nèi)電極兩端交錯(cuò)由玻璃燒結(jié)的內(nèi)封裝層5封閉，然后在所有印制涂有內(nèi)電極的云母介質(zhì)4外側(cè)再由玻璃層2燒結(jié)封閉，只是將內(nèi)電極未被內(nèi)封裝層5封閉的一端露出。然后將經(jīng)過(guò)上述處理的大片半成品根據(jù)需要切割成如圖1所示的小片，在小片兩端制備端電極1，端電極1分別與第一內(nèi)電極31、第二內(nèi)電極32、第三內(nèi)電極33的外露端連接。則具有雙層銀內(nèi)電極的片式云母電容器制成。
上述結(jié)構(gòu)的片式云母電容器，具有耐高溫(可達(dá)200℃)、耐充放電電壓高(可達(dá)20000V/μs)、低損耗、高絕緣電阻(可達(dá)10萬(wàn)MΩ)、允許偏差小(可達(dá)±0.25％、損耗角正切值小(一般為≤2×10-4)的良好性能，完全符合GB/T 6261-1998(idt IEC 384-5-1/1993)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的要求。
權(quán)利要求1.片式云母電容器，由多層一面印制有第一內(nèi)電極(31)的云母介質(zhì)(4)疊層后由玻璃層(2)燒結(jié)封裝成一體，第一內(nèi)電極(31)為銀質(zhì)，相鄰兩層的云母介質(zhì)(4)上的第一內(nèi)電極(31)分別與兩個(gè)端電極(1)連接，其特征在于每層云母介質(zhì)(4)的另一面還印制有第二內(nèi)電極(32)。
2.如權(quán)利要求1所述的片式云母電容器，其特征在于最上層云母介質(zhì)(4)的第一內(nèi)電極(31)和最下層云母介質(zhì)(4)的第二內(nèi)電極(32)上還印制有一層第三內(nèi)電極(33)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的片式云母電容器，其特征在于第一內(nèi)電極(31)、第二內(nèi)電極(32)、第三內(nèi)電極(33)的厚度相同。
4.如權(quán)利要求3所述的片式云母電容器，其特征在于與一個(gè)端電極(1)的第一內(nèi)電極(31)或第二內(nèi)電極(32)和第三內(nèi)電極(33)的另一端由玻璃質(zhì)的內(nèi)封裝層(5)封裝，以與另一個(gè)端電極(1)絕緣隔離。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種片式云母電容器，涉及一種電容器，特別涉及一種應(yīng)用于微波類(lèi)電子設(shè)備的片式云母電容器。該電容器解決了現(xiàn)有片式云母電容器存在的損耗大、性能指標(biāo)不符合國(guó)標(biāo)GB/T 6261－1998要求的問(wèn)題。該電容器內(nèi)的云母介質(zhì)兩面分別印制有第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，并且錯(cuò)位由玻璃質(zhì)的內(nèi)封裝層分別將第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的一端封裝，云母電容器的外部由玻璃層封裝。該實(shí)用新型損耗小、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高頻性能好，完全符合GB/T 6261－1998的要求，可廣泛用于微波類(lèi)電子設(shè)備中。
文檔編號(hào)H01G4/08GK2901533SQ20062003432
公開(kāi)日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2006年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月26日
發(fā)明者蔣永昭 申請(qǐng)人:成都市貢峰電子有限公司