專利名稱：N型硅太陽(yáng)能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池，具體說(shuō)是一種N型硅太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
目前國(guó)際上通行的是在P型硅片上以絲網(wǎng)印刷方法制造的硅太陽(yáng)能電池。這種電池得到認(rèn)可的最高光電轉(zhuǎn)換率在16％左右。在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高性價(jià)比的空間非常有限。并且，近年來(lái)人們發(fā)現(xiàn)常規(guī)太陽(yáng)能電池用的P型硅切克勞斯直拉單晶(CZ)材料的少數(shù)載流子壽命會(huì)在光照下衰退。因而嘗試著尋找其他性能更好的材料，如超磁直拉單晶(MCZ)、摻鎵直拉單晶等等，但這樣會(huì)提高太陽(yáng)能電池的成本。
目前現(xiàn)有的N型硅太陽(yáng)能電池是美國(guó)SunPower公司生產(chǎn)的N型背面點(diǎn)接觸太陽(yáng)能電池。其結(jié)構(gòu)是電極、接觸金屬全部在電池背面，為實(shí)現(xiàn)金屬與背面10微米的細(xì)小擴(kuò)散區(qū)點(diǎn)陣的互聯(lián)，又要防止背面金屬之間短路，因此要做多次光刻、氧化和擴(kuò)散，結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜，制作難度大，成本高。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種提供一種結(jié)構(gòu)合理，制作工藝簡(jiǎn)單，成本較低，光電轉(zhuǎn)化率較高的N型硅太陽(yáng)能電池。
本實(shí)用新型N型硅太陽(yáng)能電池，以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體，其特征是N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層，隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極；N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層，在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極。
本實(shí)用新型N型硅太陽(yáng)能電池，結(jié)構(gòu)合理，制作工藝簡(jiǎn)單，成本較低，光電轉(zhuǎn)化率較高。


圖1為本實(shí)用新型N型硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)(放大)局部示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施例如圖1所示，本實(shí)用新型N型硅太陽(yáng)能電池，以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體1，N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層2，隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極3；N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層4，在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極3。
本實(shí)用新型N型硅太陽(yáng)能電池是按下述方法制備的將N型硅片進(jìn)行前道化學(xué)預(yù)處理，腐蝕隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層；在N型硅片背面硼擴(kuò)散制備背面的P型發(fā)射結(jié)，生長(zhǎng)氧化層；N型硅片正面PECVD淀積氧化層，絲網(wǎng)印刷正面、背面金屬電極；燒結(jié)金屬即電極金屬化。從而得到本實(shí)用新型N型硅太陽(yáng)能電池。
權(quán)利要求1.一種N型硅太陽(yáng)能電池，以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體(1)，其特征是N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層(2)，隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極(3)；N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層(4)，在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極(3)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種N型硅太陽(yáng)能電池，以N型直拉單晶硅片(CZ)為基體，其特征是N型直拉單晶硅片的正面設(shè)有隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層，隨機(jī)正金字塔絨面結(jié)構(gòu)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極；N型直拉單晶硅片的的背面設(shè)有硼擴(kuò)散制備的P型發(fā)射結(jié)層，在P型發(fā)射結(jié)層上附設(shè)絲網(wǎng)印刷的金屬電極。本實(shí)用新型N型硅太陽(yáng)能電池，結(jié)構(gòu)合理，制作工藝簡(jiǎn)單，成本較低，光電轉(zhuǎn)化率較高。
文檔編號(hào)H01L31/042GK2886808SQ200620068809
公開(kāi)日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月24日
發(fā)明者趙建華, 王愛(ài)華, 張鳳鳴 申請(qǐng)人:中電電氣(南京)光伏有限公司