專利名稱：表面貼裝式多晶片組合器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體組合器件，特別是一種表面貼裝式多晶片組合器件，適用于各種電子線路中。
背景技術(shù)：
表面貼裝半導(dǎo)體器件(SMD)由于其體積小，集成度高，被廣泛的應(yīng)用于電子通訊、計(jì)算機(jī)、電子儀器、彩電、充電器等產(chǎn)品。但是目前市場(chǎng)上大多是直接將單個(gè)三極管或二極管制成表面貼裝式，雖然管子的體積減小了，但是元器件的數(shù)量并沒有減少，所占據(jù)的電路板的面積還是比較大，也沒有簡(jiǎn)化操作，已經(jīng)越來越不能滿足市場(chǎng)的需要了。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種集成度高、封裝體積小的表面貼裝式多晶片組合器件，能夠減小占用線路板的面積，同時(shí)降低因元器件過多而引起的相互干擾，提高可靠性。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是組合器件由兩個(gè)三極管晶片T1、T2和四個(gè)金屬引出腳封裝而成，四個(gè)引腳中對(duì)角的兩個(gè)引腳上各貼裝有一個(gè)三極管晶片并引出三極管的一個(gè)極，其中一個(gè)三極管的另外兩個(gè)極通過金屬內(nèi)引線分別與兩個(gè)空引腳相連，另外一個(gè)三極管的余下兩極中，一個(gè)極通過金屬內(nèi)引線與貼裝有三極管晶片的引腳相連，另一極通過金屬內(nèi)引線跟與之不在同一側(cè)的空引腳相連。
引腳I作為三極管T2的集電極C2與三極管T1的發(fā)射極E1的共同極并用金屬內(nèi)引線相連；引腳II作為三極管T2的基極B2；引腳III作為三極管T1的集電極C1；引腳IV作為三極管T1的基極B1與三極管T2的發(fā)射極E2的共同極并用金屬內(nèi)引線相連。
本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型在封裝體內(nèi)組合了多個(gè)晶片，提高了元器件的集成度，縮小了封裝體積，并進(jìn)一步減小線路板面積，可以簡(jiǎn)化操作、提高生產(chǎn)效率和可靠性、降低生產(chǎn)成本。


圖1是本實(shí)用新型的外形圖。
圖2是本實(shí)用新型的電原理圖。
圖3是本實(shí)用新型的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)施例具有四個(gè)金屬引腳，采用國際通用的SOT-143封裝形式，采用鐵鎳合金鍍銀框架，塑封成型后采用鍍錫工藝，以確保引腳的可焊性，切筋打彎成型后的外形方便操作焊接。
如圖2、圖3所示，本例中封裝塊內(nèi)有兩個(gè)三極管晶片T1、T2，引腳I上用銀漿燒結(jié)工藝貼裝三極管T2，并作為三極管T2的集電極C2的引出腳，同時(shí)用金絲將三極管T2的集電極C2和三極管T1的發(fā)射極E1連接；引腳II作為三極管T2的基極B2的引出腳；用同樣的方法在引腳III上貼裝三極管T1，并作為三極管T1的集電極C1的引出腳；引腳IV通過金絲分別與三極管T1的基極B1和三極管T2的發(fā)射極E2相連。
本例只封裝了兩個(gè)三極管晶片，根據(jù)本實(shí)用新型的思路還可封裝三個(gè)甚至多個(gè)三極管晶片，也可以是三極管和二極管的組合，總之引出腳是四個(gè)，管子與管子之間用金絲連接。
權(quán)利要求1.一種表面貼裝式多晶片組合器件，其特征在于組合器件由兩個(gè)三極管晶片(T1、T2)和四個(gè)金屬引出腳封裝而成，四個(gè)引腳中對(duì)角的兩個(gè)引腳上各貼裝有一個(gè)三極管晶片并引出三極管的一個(gè)極，其中一個(gè)三極管的另外兩個(gè)極通過金屬內(nèi)引線分別與兩個(gè)空引腳相連，另外一個(gè)三極管的余下兩極中，一個(gè)極通過金屬內(nèi)引線與貼裝有三極管晶片的引腳相連，另一極通過金屬內(nèi)引線跟與之不在同一側(cè)的空引腳相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面貼裝式多晶片組合器件，其特征在于引腳(I)作為三極管(T2)的集電極(C2)與三極管(T1)的發(fā)射極(E1)的共同極并用金屬內(nèi)引線相連；引腳(II)作為三極管(T2)的基極(B2)；引腳(III)作為三極管(T1)的集電極(C1)；引腳(IV)作為三極管(T1)的基極(B1)與三極管(T2)的發(fā)射極(E2)的共同極并用金屬內(nèi)引線相連。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種表面貼裝式多晶片組合器件。本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種集成度高、封裝體積小的表面貼裝式多晶片組合器件，能夠減小占用線路板的面積，同時(shí)降低因元器件過多而引起的相互干擾，提高可靠性。解決該問題的技術(shù)方案是組合器件由兩個(gè)三極管晶片T
文檔編號(hào)H01L23/488GK2888649SQ20062010245
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2006年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月6日
發(fā)明者趙成鉅 申請(qǐng)人:趙成鉅