專利名稱：半導體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法，特別是涉及一種在電絕緣基板表面形成有金層的電極端子上安裝了半導體芯片的半導體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導體器件很大程度上有助于信息通信設備、事務用電子設備、家庭用電子設備、測量裝置、組裝機器人等工業(yè)用電子設備、醫(yī)療用電子設備等的小型化、薄型化、高性能化。特別地，信息通信設備領(lǐng)域的小型化的要求強烈，以半導體器件的高密度化、高功能化為目的，在將層疊半導體芯片結(jié)構(gòu)的疊層半導體芯片安裝在電絕緣基板、和在電絕緣基板的表面上安裝電子部件的現(xiàn)有的二維安裝方法基礎(chǔ)上，正在不斷地開發(fā)在電絕緣基板中內(nèi)置電子部件、大幅縮小安裝面積的三維安裝方法。
在半導體器件的制作中，需要半導體芯片和裝載它的電絕緣基板。在電絕緣基板上裝載半導體芯片的安裝技術(shù)大致分為引線接合(ヮイャボンディング)安裝和倒裝芯片(フリップチップ)安裝。如圖9所示，作為以前技術(shù)的引線接合安裝是如下的一種方法，其使用粘片材料910將半導體芯片901的、與形成有元件電極902的面相反的面管芯焊接在電絕緣基板904上，用金引線903從半導體芯片的元件電極、和在電絕緣基板的表面上形成有金908的電極端子906之間電連接，并且用模鑄樹脂909整體模鑄半導體芯片、金引線部分。
另一方面，可使半導體芯片的安裝面積減小、最近成為主流的倒裝芯片的安裝是，將半導體芯片的元件電極面面向電絕緣基板的電極端子而進行電連接的方法。如圖10所示，倒裝芯片安裝是一種通過凸起1003電連接半導體芯片1001的元件電極1002和電絕緣基板1004的電極端子1006的方法，用密封樹脂1009保護著電連接部分。根據(jù)密封樹脂的種類、電連接方式，倒裝芯片安裝具有如下方法，即所謂ACF(各向異性導電膜，AnisotropicCondctive Flim)連接、ACP(各向異性導電膏，Anisotropic Condctive Paste)連接的、在半導體芯片的元件電極和電絕緣性基板的電極端子間設置導電性粒子進行連接的方法；以及，所謂NCF(非導電性接合膜，Non Condctive Flim)連接、NCP(非導電性焊膏，Non Condctive Paste)連接、超聲波接合的、將半導體芯片的元件電極和電絕緣基板的電極端子相互直接接觸進行電連接的方法。
通常，引線接合安裝、倒裝芯片安裝都是在電絕緣基板的半導體芯片安裝面的金屬布線中，包含安裝半導體芯片的電極端子，在一面上通過電鍍等在表面形成金，通過主要保證表面的清潔性，使半導體芯片和電絕緣基板的電極端子間良好地電連接。
此外，為了進一步實現(xiàn)半導體器件的高密度化、高功能化，開發(fā)出如下器件在電絕緣基板上安裝了圖11所示的層疊半導體芯片的半導體器件(專利文獻1、2)；以及在電絕緣基板中內(nèi)置圖12所示的電子部件，在與內(nèi)置的半導體芯片和相同的電絕緣基板的層內(nèi)，通過填充了導電樹脂組成物的內(nèi)部通孔進行電連接，相對于二維安裝大幅度提高了安裝密度的部件內(nèi)置模塊(專利文獻3)。此外，如專利文獻4所示，還提出了在將半導體芯片倒裝芯片安裝的半導體器件中，在半導體芯片和電絕緣基板之間形成加固用的金屬布線的技術(shù)方案。
但是，引線接合安裝和倒裝芯片安裝中通常所必需的電絕緣基板的金屬布線表面的金層，對電連接的可靠性產(chǎn)生不良影響。金層是未經(jīng)氧化就清洗的，此外在對用于引線接合安裝的金引線、和倒裝芯片安裝時的半導體芯片的凸起進行壓接時具有適當?shù)娜彳浶?，并且容易進行良好的半導體芯片和電絕緣基板的電極端子之間的電連接，但另一方面，存在以下課題，由于金層是平滑的，所以與樹脂的粘接性差，例如，難以像銅表面那樣通過表面粗糙化處理就能簡單地提高與樹脂的粘接性。
作為此金層的特性所引起的半導體器件的課題，第一，存在這樣的課題，在通過ACF連接、ACP連接、NCF連接、NCP連接、超聲波接合這樣的對形成在半導體芯片的元件電極上的金凸起、和電絕緣基板的金屬布線的金層進行壓接而電連接的倒裝芯片安裝中，為了物理地保持半導體芯片的金凸起和電絕緣基板的金屬布線的金層的接觸、以及電連接部分而配置在半導體芯片與電絕緣基板之間的密封樹脂和電絕緣基板的粘接性劣化，例如，在吸濕回流試驗這樣的半導體封裝可靠性試驗中施加熱沖擊時，密封樹脂、電絕緣基板間容易剝離，剝離的界面擴大到電連接部分，成為引起連接部的電連接不良的原因。
第二，存在這樣的課題，在使用金引線電連接半導體芯片的元件電極和電絕緣基板的金屬布線的金層，包含半導體芯片和金引線而使用模鑄樹脂進行模鑄的引線接合安裝中，在吸濕回流試驗中對用于維持、保護金引線和金屬布線的金層的接觸部分、金引線的形狀的的模鑄樹脂施加熱沖擊時，在引線接合安裝的方式下，樹脂、電絕緣基板間容易剝離，同樣，在此剝離的界面成為根源，就成為引起電連接不良的原因。
第三，存在這樣的課題，通過引線接合安裝、或者引線接合安裝和倒裝芯片安裝，在電絕緣基板的電極端子電連接了層疊有多個半導體芯片的層疊半導體芯片的方式中，在吸濕回流試驗中，與第一～第二的例子相同，會產(chǎn)生因引線接合安裝的模鑄樹脂和倒裝芯片安裝的密封樹脂的電絕緣基板的粘接力不足引起的剝離，容易產(chǎn)生半導體安裝的電連接不良。
第四，在內(nèi)置了倒裝芯片安裝的半導體的部件內(nèi)置模塊的方式下，如通常的半導體芯片的安裝形態(tài)那樣，不在表面露出，內(nèi)置于電絕緣基板。因此，存在這樣的課題，如果在吸濕回流試驗中施加熱沖擊，則在半導體芯片和電絕緣基板之間施加比第一～第三個例子更大的剝離應力，密封樹脂、電絕緣基板間容易剝離，成為引起電連接不良的原因。此外，存在這樣的課題，由于電絕緣基板的金屬布線的表面金層平滑、且樹脂非常容易滑移，所以在部件內(nèi)置模塊中形成的、填充了由導電樹脂構(gòu)成的導電膏的內(nèi)部通孔滑移而容易引起位置偏移。而且，難以獲得導電膏中的熱固化樹脂和金層的充分的粘接性，容易引起填充了導電膏的內(nèi)部通孔的剝離斷線。
此外，上述課題容易依賴于金層的金屬布線的面積，即使在相同制作條件下，可靠性也常會根據(jù)電絕緣基板的金屬布線的設計圖形而改變，很難確保確實的可靠性。
此外，存在這樣的課題，如專利文獻4所示，在將半導體芯片倒裝芯片安裝的半導體器件中，還存在在半導體芯片和電絕緣基板間形成加固用金屬布線的方法，但由于需要多余的金屬布線，所以就會降低金屬布線的設計圖形的自由度。
專利文獻1日本特開2000-349228號公報專利文獻2日本特開2004-228323號公報專利文獻3日本特開平11-220262號公報專利文獻4日本特開2004-153210號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為了解決上述的現(xiàn)有問題而提出，其目的在于提供一種提高安裝了半導體芯片的半導體器件的電連接可靠性的半導體器件及其制造方法。
本發(fā)明的半導體器件，在具有多個金屬布線的電絕緣基板的表面安裝半導體芯片，至少上述多個金屬布線的一部分被樹脂覆蓋；在形成于上述電絕緣基板的多個金屬布線中的、至少與上述半導體芯片電連接的金屬布線的表面，形成金層；在形成于上述電絕緣基板的多個金屬布線中的、與上述樹脂接觸的金屬布線的表面，形成粗糙部。
本發(fā)明的半導體器件的制造方法，工序(a)，準備半導體芯片和電絕緣基板，該電絕緣基板具有形成了金屬布線的主面，上述金屬布線包含倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的電極端子、且具有多個經(jīng)粗糙化處理的表面；工序(b)，通過光刻方法，在上述電絕緣基板的倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的主面的、上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述電絕緣基板的倒裝芯片安裝的主面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面形成金之后，去除光刻膠；以及工序(d)，在上述半導體芯片的元件電極面和上述電絕緣基板的電極端子面之間，通過密封樹脂，將上述半導體芯片倒裝芯片安裝在上述電絕緣基板上。
本發(fā)明的另一種半導體器件的制造方法，包括工序(a)，準備半導體芯片和電絕緣基板，該電絕緣基板具有形成了金屬布線的主面，上述金屬布線包含引線接合安裝了上述半導體芯片的電極端子、且具有多個經(jīng)粗糙化處理的表面；工序(b)，在上述電絕緣基板的引線接合安裝了上述半導體芯片的主面的、上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述電絕緣基板的引線接合安裝的主面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面形成金之后，去除光刻膠；工序(d)，將上述半導體芯片的與形成有元件電極的面相反的主面接合在上述電絕緣基板上；工序(e)，在上述電絕緣基板上引線接合安裝上述半導體芯片；以及工序(f)，對上述半導體芯片和上述引線接合安裝部分進行樹脂模鑄。
本發(fā)明的再一種半導體器件的制造方法，包括工序(a)，準備半導體芯片、第1電絕緣基板、具有形成了多個金屬布線的主面的第2電絕緣基板、以及作為由包含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成的第3電絕緣基板的板狀體，該第1電絕緣基板具有形成了金屬布線的主面，該金屬布線包含倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的電極端子且具有多個經(jīng)粗糙化處理的表面；工序(b)，通過光刻方法，在上述第1電絕緣基板的倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的主面的、上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述第1電絕緣基板的倒裝芯片安裝的主面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面形成金之后，去除光刻膠；工序(d)，在上述半導體芯片的元件電極面和上述電絕緣基板的電極端子面之間，通過密封樹脂，將上述半導體芯片倒裝芯片安裝在上述電絕緣基板上；工序(e)，在上述板狀體中形成貫通孔，在上述貫通孔中填充由導電性樹脂組成物構(gòu)成的導電膏；工序(f)，對上述第1和第2電絕緣基板及上述板狀體進行位置對準、層疊，以使上述第1電絕緣基板的倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的主面朝向上述板狀體的一個主面，使上述第2電絕緣基板的形成了金屬布線的主面朝向上述板狀體的另一個主面；以及工序(g)，通過加熱加壓，將上述第1和第2電絕緣基板粘接到上述板狀體上，在上述板狀體中埋設上述半導體芯片進行一體化，并固化上述板狀體及由上述導電樹脂組成物構(gòu)成的導電膏。


圖1是本發(fā)明的第一實施方式的半導體器件的剖面圖。
圖2是本發(fā)明的第二實施方式的半導體器件的剖面圖。
圖3是本發(fā)明的第三實施方式的半導體器件的剖面圖。
圖4是本發(fā)明的第四實施方式的半導體器件的剖面圖。
圖5是本發(fā)明的第五實施方式及第一實施例的半導體器件的剖面圖。
圖6A-6D是表示本發(fā)明的第六實施方式的半導體器件的制造方法的工序剖面圖。
圖7A-7E是表示本發(fā)明的第七實施方式的半導體器件的制造方法的工序剖面圖。
圖8A-8I是表示本發(fā)明的第八實施方式的半導體器件的制造方法的工序剖面圖。
圖9是表示現(xiàn)有半導體器件的一個例子的剖面圖。
圖10是表示現(xiàn)有半導體器件的另一個例子的剖面圖。
圖11是表示現(xiàn)有半導體器件的另一個例子的剖面圖。
圖12是表示現(xiàn)有半導體器件的另一個例子的剖面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的半導體器件，在安裝半導體芯片的電絕緣基板的金屬布線中，在安裝半導體芯片的電極端子的表面之上形成金層，在其它的金屬布線上不形成金層，通過粗糙表面，倒裝芯片安裝中的密封樹脂和電絕緣基板之間、引線接合安裝中的模鑄樹脂和電絕緣基板之間的粘接強度變大。通過提高粘接強度，就能夠提高吸濕回流試驗等的可靠性試驗中的電連接的可靠性。此外，能夠降低倒裝芯片安裝中的密封樹脂部分、引線接合安裝中的模鑄樹脂部分的電絕緣基板的金屬布線的設計圖形對電連接可靠性的影響。
此外，在電絕緣基板上通過引線接合安裝、或引線接合安裝和倒裝芯片安裝，電連接層疊有多個半導體芯片的層疊半導體芯片的方式中，引線接合安裝的模鑄樹脂和電絕緣基板之間，以及倒裝芯片安裝密封樹脂和電絕緣基板間的粘接強度變大，能夠提高吸濕回流試驗等的可靠性試驗中的可靠性。在層疊半導體芯片的方式下，相比于單片半導體芯片，與樹脂粘接面數(shù)和面積增加，而且，在形狀上，容易對角部和半導體芯片的層疊界面等局部上施加大的應力。因此，層疊半導體芯片的安裝可靠性的確保難度在通常確保單片半導體芯片的安裝可靠性之上，但通過增加電絕緣基板的安裝面的粘接強度，也能夠改善層疊半導體芯片的安裝可靠性。
此外，在內(nèi)置倒裝芯片安裝的半導體的部件內(nèi)置模塊的方式下，提高倒裝芯片安裝的密封樹脂和電絕緣基板間的粘接強度，相比于表面安裝的半導體芯片，增大了密封樹脂和電絕緣基板間的剝離應力，能夠提高可靠性高的電連接實現(xiàn)困難的部件內(nèi)置模塊的方式的半導體器件的吸濕回流試驗等可靠性試驗的電連接可靠性。此外，由于粗糙化處理部件內(nèi)置模塊中形成的、填充了導電樹脂組成物的內(nèi)部通孔的電連接的金屬布線的表面，因此就能夠抑制因平滑而使樹脂容易滑移，因金層而易于產(chǎn)生的內(nèi)部通孔的位置偏移，此外，由于內(nèi)部通孔和金屬布線的粘接強度變大，在各種可靠性試驗中，不會產(chǎn)生剝離，能夠確保高可靠的電連接。
優(yōu)選在包含安裝半導體芯片的電絕緣基板的電極端子的一部分的金屬布線的表面之上形成金層、在其它金屬布線的表面之上不形成金層、進行粗糙化處理的方式。能夠進行選擇金屬布線的表面的金層形成。為了安裝半導體芯片，除金層形成所必需的電極端子外，進行金層形成的金屬布線表面的選擇，可以選擇能夠以簡單的設計圖形形成金層形成的光刻膠，此外，可以選擇不使半導體芯片的安裝的電連接可靠性惡化的面積。
電極端子表面的金層的形成方法，優(yōu)選無電解電鍍、電解電鍍、蒸鍍、或濺射中的任意一種。仍舊使用現(xiàn)有的金層的形成技術(shù)就能夠制作本發(fā)明的半導體器件。特別地蒸鍍、濺射能夠通過干燥處理形成，更優(yōu)選簡易的方法。
優(yōu)選通過使用ACF(各向異性導電膜，Anisotropic Condctive Flim)、ACP(各向異性導電膏，Anisotropic Condctive Paste)、NCF(非導電接合膜，Non Condctive Flim)、NCP(非導電性焊膏，Non Condctive Paste)的任意一種的熱壓接方法、或在半導體芯片的元件電極上形成的金凸起和在電絕緣基板的電極端子表面上形成的金的超聲波接合來進行倒裝芯片安裝。仍舊可以使用已有的倒裝芯片安裝技術(shù)。此外，不僅只限于上述已有的倒裝芯片安裝技術(shù)，在安裝電絕緣基板的半導體芯片的電極端子使用金布線，通過密封樹脂、模鑄樹脂等保護安裝部的方式的安裝技術(shù)中，也能夠獲得同樣的效果。
優(yōu)選布線為粗糙化的銅。銅布線基板優(yōu)選購入能夠廉價制作的、各種各樣的市場銷售產(chǎn)品。此外，容易進行表面粗糙化處理。除了銅以外，也可以是含銅的合金。還可以使用粗糙化的銅箔，通過使用腐蝕液的蝕刻處理、等離子體處理、使用研磨劑的研磨處理、電解等的處理能夠形成平滑的銅箔。
優(yōu)選上述第3電絕緣基板由含有無機填充劑和熱固化樹脂的混合物形成。此外，第1～3中含有的熱可塑性樹脂也為相同的材料。由此，通過加大了電絕緣基板1、3間及2、3間的樹脂彼此的粘接強度，增大各電絕緣基板的粘接面的粘接強度，在吸濕回流試驗等的可靠性試驗中，能夠提高電連接的可靠性。此外，此外，相比于由不同材料的異種層疊形態(tài)構(gòu)成的半導體器件，由于應力變小，具有提高電連接可靠性的效果。
優(yōu)選無機填充劑含量為70重量％～95重量％。大于等于95重量％時，相對于粉體量，液體量過少，難于薄片化。此外，小于等于70重量％時，由于混合無機填充劑，降低提高散熱性的效果等。通過加熱加壓將半導體芯片內(nèi)置于電絕緣基板時，如果是不對半導體芯片造成損傷的粘度，更優(yōu)選無機填充劑的配合率高。
優(yōu)選無機填充劑是從Al2O3、MgO、BN、AlN及SiO2中選擇出的至少一種無機填充劑。使用這些無機填充劑，形成散熱性優(yōu)良的半導體器件。此外，作為無機填充劑，使用SiO2的情況下，能夠降低介電常數(shù)。
優(yōu)選熱固化樹脂是從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂及氫酸鹽樹脂中選擇出的至少一種熱固化樹脂。這些樹脂市場上有各種各樣的種類在銷售，通過使用這些樹脂，形成耐熱性和電絕緣性優(yōu)良的半導體器件。
優(yōu)選導電性樹脂組成物包含，作為導電成分，包含從金、銀、銅及鎳中選出的至少一種金屬粒子，作為樹脂成分包含環(huán)氧樹脂。上述金屬，電阻降低，此外，環(huán)氧樹脂耐熱性和電絕緣性優(yōu)良。特別地，優(yōu)選在芯材上用銀涂敷銅粉表面的金屬粒子，其具有機械強度強且廉價的銅粉和難氧化的銀粉兩方面的特性。
在本發(fā)明的制造方法中，優(yōu)選包括工序(a)，準備半導體芯片和電絕緣基板，該電絕緣基板具有形成對包含倒裝芯片安裝上述半導體芯片的電極端子的多個表面進行了粗糙化處理的金屬布線的主表面；工序(b)，通過光刻方法，在倒裝芯片安裝上述電絕緣基板的上述半導體芯片的主表面且在上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述電絕緣基板的倒裝芯片安裝的主表面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面之上形成金之后，去除光刻膠；工序(d)，在上述半導體芯片的元件電極面和上述電絕緣基板的電極端子面之間，通過密封樹脂，將上述半導體芯片倒裝芯片安裝在上述電絕緣基板上。仍舊可以使用現(xiàn)有的倒裝芯片安裝技術(shù)和光刻法，能夠制作本發(fā)明的高可靠性的半導體器件。
此外，優(yōu)選包括工序(a)，準備半導體芯片和電絕緣基板，該電絕緣基板具有形成包含引線接合安裝上述半導體芯片的電極端子的多個表面進行了粗糙化處理的金屬布線的主表面；工序(b)，通過光刻方法，在引線接合安裝上述電絕緣基板的上述半導體芯片的主表面且在上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述電絕緣基板的引線接合安裝的主表面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面之上形成金之后，去除光刻膠；工序(d)，使形成有上述半導體芯片的元件電極的面的相反的主表面接合在上述電絕緣基板上；工序(e)，在上述電絕緣基板上引線接合安裝上述半導體芯片；工序(f)樹脂模鑄上述半導體芯片和上述引線接合安裝部分。仍舊可以使用現(xiàn)有的倒裝芯片安裝技術(shù)和光刻法，能夠制作本發(fā)明的高可靠性的半導體器件。
此外，在上述電絕緣基板上通過引線接合安裝、或引線接合安裝和倒裝芯片安裝，安裝層疊有多個半導體芯片的層疊半導體芯片。安裝層疊半導體芯片方式的制作，一方面執(zhí)行兩個步驟的高度不同的引線接合安裝，一方面執(zhí)行引線接合安裝和倒裝芯片安裝兩種安裝，因此就成為非常復雜的制作工序，而使用現(xiàn)有技術(shù)就能夠制作高可靠性的半導體器件。
此外，由于粗糙與填充了導電膏內(nèi)部通孔電連接的金屬布線，在加熱加壓工序中，在板狀體中埋設半導體芯片時，阻止構(gòu)成板狀體的熱固化樹脂的流動，很難引起內(nèi)部通孔的位置的偏移。由此，在半導體芯片中，既能夠在更近的區(qū)域形成內(nèi)部通孔，又能夠以更狹窄的間距配置內(nèi)部通孔。
電絕緣基板的電極端子表面的金層的形成方法，優(yōu)選電解電鍍、蒸鍍、或濺射的任意一種構(gòu)成。仍舊使用現(xiàn)有的技術(shù)就能夠執(zhí)行向電極端子表面之上形成金的工作。此外，利用蒸鍍、濺射對電極端子表面之上形成金，由于像電鍍那樣不使用藥品，沒必要進行藥液的處理，能夠以簡單的干燥工藝進行。
在本發(fā)明中，沒有形成上述金的金屬布線表面的粗糙度，優(yōu)選JIS B 0601中規(guī)定的十點平均粗糙度Rz為1～10μm的范圍，更優(yōu)選3～6μm的范圍。如果是上述范圍，就能夠維持與樹脂的高粘接性。在此，JIS B 0601中規(guī)定的十點平均粗糙度(十點平均高度，峰值至峰谷的平均，ten point averageheight，peak to valley average)，在任意基準長度的粗糙度曲線中，通過平均其平均線的高的部分的5個峰及低的部分的5個底之間的距離的差值來進行計算(單位μm)。
根據(jù)本發(fā)明，在安裝半導體芯片的半導體器件中，在安裝電絕緣基板的金屬布線的半導體芯片的電極端子的表面之上形成金層，通過粗糙化處理其它的金屬布線的表面，與引線接合安裝的模鑄樹脂粘接強度變大，就能夠提高半導體芯片安裝的電連接的可靠性。
下面，參照圖1至圖8說明本發(fā)明的實施方式。再有，本發(fā)明不限于以下實施方式。
(第一實施方式)參照圖1的典型剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的一個實施方式。101是半導體芯片，102是半導體芯片的元件電極，103是凸起，104是電絕緣基板，105是金屬布線，106是安裝半導體芯片的電極端子，107是金屬布線的粗糙部分，108是電極端子的金層，109是密封樹脂。
在電絕緣基板104的金屬布線105中，在將半導體芯片101進行倒裝芯片安裝的電極端子106的表面形成厚度0.01～3μm的金108，在其它的金屬布線105的表面不形成金而進行粗糙(107)處理，由此，加大密封樹脂109和電絕緣基板104的粘接強度，提高了由密封樹脂109保持的半導體芯片101的倒裝芯片安裝的電連接可靠性。在實際的半導體器件中，因為接觸密封樹脂109的金屬布線105的面積，使電連接可靠性容易受到其影響，但在電極端子106以外的金屬布線的表面不形成金而進行粗糙化處理，會降低金屬布線105的面積的影響，能夠提高電連接的可靠性。
在本發(fā)明的實施方式中，可以通過對市場銷售的原始粗糙的銅布線基板選擇地實施鍍金，形成粗糙部和平滑的金表面部，也可以使用光澤銅箔之后進行粗糙化處理。作為之后進行粗糙化處理的方法，可以采用通過化學蝕刻的表面微粗糙化處理等。
不形成上述金的金屬布線表面的粗糙度，在JIS B 0601中規(guī)定的十點平均粗糙度Rz中，優(yōu)選1～10μm的范圍，更優(yōu)選3～6μm的范圍。如果是上述范圍，就能夠較高地維持與樹脂的粘接性。
(第二實施方式)參照圖2的典型剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的另一個實施方式。201是半導體芯片，202是半導體芯片的元件電極，203是金引線，204是電絕緣基板，205是金屬布線，206是安裝半導體芯片的電極端子，207是金屬布線的粗糙部分，208是電極端子的金層，209是模鑄樹脂、210是半導體芯片的粘片材料。
在電絕緣基板204的金屬布線中，在引線接合安裝半導體芯片201的電極端子206的表面形成金，在其它金屬布線205的表面不形成金而進行粗糙化(207)處理，由此增加模鑄樹脂209和電絕緣基板204的粘接強度，提高了通過模鑄樹脂209保持的半導體芯片201的引線接合安裝的電連接可靠性。優(yōu)選粗糙度與第一實施方式相同程度。
(第三實施方式)參照圖3的典型剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的另一個實施方式。301是層疊半導體芯片，302是層疊半導體芯片的元件電極，303是金引線，304是電絕緣基板，305是金屬布線，306是安裝層疊半導體芯片的電極端子，307是金屬布線的粗糙部分，308是電極端子的金層，309是模鑄樹脂，310是半導體芯片的粘片材料。
在引線接合安裝了層疊2個半導體芯片的層疊半導體芯片301的半導體器件中，與第一實施方式～第二實施方式相同，在電絕緣基板304的金屬布線中，在引線接合安裝了層疊半導體芯片301的電極端子306的表面形成金，在其它的金屬布線305的表面不形成金兒進行粗糙(307)處理，由此，增加模鑄樹脂309和電絕緣基板304的粘接強度，提高了通過模鑄樹脂309保持的層疊半導體芯片301的引線接合安裝的電連接可靠性。層疊的半導體芯片的片數(shù)即使增加到3片，也能夠取得相同的效果。優(yōu)選粗糙度與第一實施方式相同程度。
(第四實施方式)參照圖4的典型剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的另一個實施方式。401是層疊半導體芯片，402是層疊半導體芯片的元件電極，403是金引線，404是凸起，405是電絕緣基板，406是金屬布線，407是安裝層疊半導體芯片的電極端子，408是金屬布線的粗糙部分，409是電極端子的金層，410是模鑄樹脂、411是密封樹脂，412是層疊半導體芯片的粘片材料。
在通過倒裝芯片安裝和引線接合安裝將層疊了2個半導體芯片的層疊半導體芯片401電連接的半導體器件中，與第一實施方式～第三實施方式相同地，在電絕緣基板405的金屬布線中，在通過倒裝芯片安裝和引線接合安裝使層疊半導體芯片401電連接的電極端子407的表面形成金，在其它的金屬布線406表面不形成金而進行粗糙(408)處理，由此增加模鑄樹脂410及密封樹脂411和電絕緣基板405的粘接強度，提高了通過模鑄樹脂410及密封樹脂411保持的層疊半導體芯片401的引線接合安裝及倒裝芯片安裝的電連接可靠性。此外，層疊的半導體芯片的片數(shù)也可以增加到3片，通過將最下段的半導體芯片進行倒裝芯片安裝，將上二段的半導體芯片進行引線接合安裝，也能夠制作半導體器件。優(yōu)選粗糙度與第一實施方式相同程度。
(第五實施方式)參照圖5的典型剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的另一個實施方式。
501是半導體芯片，502是半導體芯片的元件電極，503是凸起，504是電絕緣基板，505是金屬布線，506是安裝半導體芯片的電極端子，507是金屬布線的粗糙部分，508是電極端子的金層，509是密封樹脂，510是由含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成的電絕緣基板，511是填充了導電樹脂組成物的內(nèi)部通孔。
在將倒裝芯片安裝的半導體內(nèi)置在電絕緣基板的部件內(nèi)置模塊形態(tài)的半導體器件中，在電絕緣基板504的金屬布線中，在將半導體芯片501倒裝芯片安裝的電極端子506的表面形成金，在其它的金屬布線505的表面不形成金而進行粗糙(507)處理，能夠增加密封樹脂509與電絕緣基板504的粘接強度，以及由包含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成的電絕緣基板510和電絕緣基板504的粘接強度。此外，能夠提高通過密封樹脂509保持的、內(nèi)置于電絕緣基板510內(nèi)的半導體芯片501的倒裝芯片安裝的電連接可靠性。在該第五實施方式這樣半導體芯片501被內(nèi)置于電絕緣基板510的方式中，雖然與表面安裝的半導體芯片方式相比，密封樹脂509、電絕緣基板504間的剝離應力變大，難以實現(xiàn)高可靠性的電連接，但根據(jù)本實施方式的半導體器件，能夠大大提高半導體芯片的電連接可靠性。此外，填充了導電樹脂組成物的內(nèi)部通孔511電連接的金屬布線的表面被施加粗糙化處理，在平滑的金層情況下，填充了導電樹脂組成物的內(nèi)部通孔511在金層上滑移而容易引起位置偏移，但在本實施方式的半導體器件中，能夠抑制位置偏移。此外，內(nèi)部通孔和電絕緣基板的金屬布線的粘接強度變大，能夠?qū)崿F(xiàn)部件內(nèi)置模塊方式的半導體器件中的高可靠性的內(nèi)部通孔連接。優(yōu)選粗糙度與第一實施方式相同程度。
(第六實施方式)參照圖6A-6D的典型工序剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的制造方法的一個實施方式。601是半導體芯片，602是半導體芯片的元件電極，603是凸起，604是電絕緣基板，605是金屬布線，606是安裝半導體芯片的電極端子，607是金屬布線的粗糙部分，608是電極端子的金層，609是密封樹脂，610是光刻膠。
首先，準備金屬布線605的表面經(jīng)粗糙化處理的電絕緣基板604(圖6A)。
接著，通過光刻法在除了將半導體芯片601(圖6D)倒裝芯片安裝的電極端子606以外的部分形成光刻膠610(圖6B)。接著，在電極端子606的表面形成金608。通過鍍金形成金層608。此后，去除光刻膠610(圖6C)。接著，通過密封樹脂609在電絕緣基板604上將半導體芯片601倒裝芯片安裝，制作本實施方式的半導體器件(圖6D)。按照上述方法，可以直接使用現(xiàn)有的倒裝芯片安裝技術(shù)和光刻法，能夠制造可靠性高的半導體器件。
(第七實施方式)參照圖7A-7E的典型工序剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的制造方法的另一個實施方式。701是半導體芯片，702是半導體芯片的元件電極，703是金引線，704是電絕緣基板，705是金屬布線，706是安裝半導體芯片的電極端子，707是金屬布線的粗糙部分，708是電極端子的金層，709是模鑄樹脂，710是半導體芯片的粘片材料，711是光刻膠。
首先，準備金屬布線705的表面經(jīng)粗糙化處理的電絕緣基板704(圖7A)。接著，通過光刻法在除了將半導體芯片引線接合安裝的電極端子706以外的部分形成光刻膠711(圖7B)。接著，在電極端子706的表面形成金，去除光刻膠710(圖7C)。接著，通過粘片材料710使沒有形成半導體芯片701的元件電極702的面與絕緣基板704接合，使用金引線703將半導體芯片701引線接合安裝(圖7D)。此后，利用模鑄樹脂709對包含半導體芯片701和金引線703的引線接合安裝部進行模鑄，制作本實施方式的半導體器件。(圖7E)。如上所述，可以直接使用現(xiàn)有的引線接合安裝技術(shù)和光刻法，能夠制造高可靠性的半導體器件。
(第八實施方式)參照圖8A-8I的典型工序剖面圖，說明本發(fā)明的半導體器件的制造方法的另一個實施方式。801是半導體芯片，802是半導體芯片的元件電極，803是凸起，804是電連接半導體芯片的電絕緣基板，805是電絕緣基板，806是由含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成的板狀體，807是貫通孔，808是填充了由導電樹脂組成物形成的導電膏的內(nèi)部通孔，809是金屬布線，810是安裝半導體芯片的電極端子，811是金屬布線的粗糙部分，812是電極端子的金層，813是密封樹脂，814是光刻膠。
首先，準備金屬布線809的表面經(jīng)粗糙化處理的電絕緣基板804(圖8A)。接著，通過光刻法在除了將半導體芯片倒裝芯片安裝的電極端子810以外的部分形成光刻膠814(圖8B)。接著，在電極端子810的表面形成金層812，去除光刻膠814(圖8C)。接著，通過密封樹脂813將半導體芯片801倒裝芯片安裝在電絕緣基板804上(圖8D)。另一方面，準備由含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成的板狀體806(圖8E)。接著，形成填充了導電膏并成為內(nèi)部通孔的貫通孔807(圖8F)。接著，在貫通孔807內(nèi)填充導電膏(圖8G)。接著，通過內(nèi)部通孔808將倒裝芯片安裝了半導體芯片801的電絕緣基板804、形成有填充了導電膏的內(nèi)部通孔808的板狀體806、和用于形成板狀體806的另一方的金屬布線的電絕緣基板805電連接，并使它們的位置對準(圖8H)。接著，通過加熱加壓，粘接電絕緣基板804、板狀體806和電絕緣基板805，在板狀體806內(nèi)埋設半導體芯片801并進行一體化，固化填充在板狀體806及內(nèi)部通孔808內(nèi)的導電膏，制作本實施方式的半導體器件(圖8I)。如上所述，可以直接使用現(xiàn)有的倒裝芯片安裝技術(shù)和光刻法，能夠制造高可靠性的半導體器件。此外，通過加熱加壓工序向板狀體埋設半導體芯片時，與填充了導電膏的內(nèi)部通孔電連接的金屬布線被施加粗糙化處理，內(nèi)部通孔的位置偏移設置困難，即使金屬布線的微細化、內(nèi)部通孔的通路間隙的狹窄間隙化發(fā)展，在此半導體器件中，能夠以良好的位置精度形成填充了由導電樹脂組成物構(gòu)成的導電膏的內(nèi)部通孔。
實施例下面，根據(jù)實施例更具體地說明本發(fā)明。
(第一實施例)在第一實施例中，按照下面的(i)～(iv)的步驟，制造上述第五實施方式的部件內(nèi)置模塊方式的半導體器件。
(i)形成電絕緣基板中的電極端子的金層作為安裝半導體芯片的電絕緣基板，準備玻璃環(huán)氧基板。玻璃環(huán)氧基板厚200μm，形成有安裝半導體芯片的電極端子、連接填充了由導電樹脂組成物構(gòu)成的導電膏的內(nèi)部通孔的通路區(qū)域、及電連接它們的金屬布線；這些金屬布線厚18μm，表面的粗糙化程度按平均十點粗糙度Rz 5μm進行粗糙。使用光刻法在除了安裝玻璃環(huán)氧基板的半導體芯片的電極端子之外的部分形成光刻膠。光刻膠使用旭化成社制AQ-1558。接著，在此玻璃環(huán)氧基板上形成1μm非電解鎳鍍層，接著形成0.04μm非電解金鍍層。在電鍍液中使用ゥェムラ·國際·新加坡社制的ニムデンNPR-M，ォ一リカル，TKK51M20。按照上述工序制作僅安裝半導體芯片的電極端子的表面形成金的玻璃環(huán)氧基板。
(ii)安裝半導體芯片準備10mm見方、厚0.3mm的半導體芯片，利用金引線焊接法預先在半導體芯片的100個元件電極上形成高70μm的金凸起作為突起狀電極。在倒裝芯片安裝中使用的密封樹脂中，使用日立化成社制的厚40μm的薄片狀密封樹脂UF-511。加工此薄片狀密封樹脂使其面積為100mm2后，將其粘貼在安裝玻璃環(huán)氧基板的半導體芯片的區(qū)域。接著，從未形成元件電極的背面對半導體芯片進行加熱加壓，將其倒裝芯片安裝在玻璃環(huán)氧基板上。設加熱溫度為200℃，壓力為3MPa，加熱加壓時間為15秒。其結(jié)果，通過金凸起電連接半導體芯片的元件電極和玻璃環(huán)氧基板的非電解鍍金的電極端子，使密封樹脂硬化。
(iii)準備由包含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物形成的板狀體首先，按照要求，投入用于粘度調(diào)整的微量溶劑，使用混合攪拌機混合調(diào)整無機填充劑和熱固化樹脂的混合即構(gòu)成板狀體的材料。本實施例中，10分鐘攪拌調(diào)整含有環(huán)氧樹脂10重量％、二氧化硅填充劑90重量％的混合物。接著，通過醫(yī)用刀片法，用這些混合物制作厚100μm的板狀體。接著，重疊4片此板狀體進行碾壓，形成厚400μm的板狀體后，使用穿孔機形成作為內(nèi)部通孔的直徑160μm的貫通孔，使用絲網(wǎng)印刷法在此貫通孔內(nèi)填充導電膏。在此使用的導電膏，使用三個滾筒機混煉調(diào)整球形狀的銅粒子85重量％，作為樹脂成分的雙酚A型環(huán)氧樹脂(油化殼牌環(huán)氧社制“埃比科特828”)3重量％，縮水甘油酯類環(huán)氧樹脂(東都化成社制“YD-171”)9重量％，作為硬化劑的氨絡加合物硬化劑(味の素株式會社制“MY-24”)3重量％。
(iv)半導體芯片的內(nèi)置、一體化接著，準備由(ii)得到的倒裝芯片安裝半導體芯片的玻璃環(huán)氧基板，由(iii)得到的形成有填充了導電膏的內(nèi)部通孔的板狀體，及用于形成板狀體的另一方的住表面的金屬布線的玻璃環(huán)氧基板；將半導體芯片內(nèi)置于板狀體中，通過板狀體的內(nèi)部通孔電連接2個玻璃環(huán)氧樹脂基板及板狀體，使它們位置對準后，通過加熱加壓進行一體化處理，得到本實施例的具有部件內(nèi)置的模塊的半導體器件。加熱加壓使用熱壓機，設加熱溫度為200℃，壓力為3MPa，加熱加壓時間為2小時。板狀體所含有的環(huán)氧樹脂，粘度一旦下降后，進行硬化，粘接板狀體合玻璃環(huán)氧樹脂基板。填充了導電膏的內(nèi)部通孔中所含有的環(huán)氧樹脂也經(jīng)過硬化，通過板狀體電連接2個玻璃環(huán)氧基板。
由此就制作出了本實施例的半導體器件。
作為比較例，與現(xiàn)有例相同，在上述(i)的工序中，制作在含有安裝半導體芯片的電極端子的面的所有金屬布線的表面，通過同樣的方法形成金層的半導體器件。
通過吸濕回流試驗進行2個半導體器件的電連接可靠性的評價。具體的條件是在85℃、85％RH條件下，保持168小時后，使用最高溫度260℃的帶式回流試驗機施加熱沖擊。作為半導體器件的可靠性，根據(jù)倒裝芯片安裝的半導體芯片的元件電極合玻璃環(huán)氧樹脂基板的電極端子之間的連接電阻值(以下簡稱凸起電阻)來評價。評價基準，凸起電阻在吸濕回流試驗前后變化10％以上為不良，用相對于100個電連接點的不良率評價的結(jié)果，現(xiàn)有的半導體器件中，產(chǎn)生60％不良，但本發(fā)明的半導體器件中，沒有產(chǎn)生不良。
如此，本實施例的半導體器件在安裝半導體芯片的電極端子的表面之上形成金層，通過對與樹脂粘接的其它的金屬布線的表面進行粗糙化處理，就能夠提高半導體芯片的安裝的電連接可靠性。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，能夠以高可靠性的電連接制造安裝半導體芯片的半導體器件。
權(quán)利要求
1.一種半導體器件，其特征在于，在具有多個金屬布線的電絕緣基板的表面安裝半導體芯片，至少上述多個金屬布線的一部分被樹脂覆蓋；在形成于上述電絕緣基板的多個金屬布線中的、至少與上述半導體芯片電連接的金屬布線的表面，形成金層；在形成于上述電絕緣基板的多個金屬布線中的、與上述樹脂接觸的金屬布線的表面，形成粗糙部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，上述半導體芯片的安裝是倒裝芯片安裝，密封樹脂位于上述半導體芯片的元件電極面和上述電絕緣基板的電極端子面之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，上述半導體芯片的安裝是引線接合安裝；上述半導體芯片的與元件電極面相反的主面，與上述電絕緣基板的引線接合安裝的主面接合，上述半導體芯片、上述引線接合安裝部分進行樹脂模鑄。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，上述半導體芯片是層疊了多個半導體芯片的層疊半導體芯片；該半導體器件包括具有形成了多個金屬布線的主面的電絕緣基板，該多個金屬布線包含引線接合安裝了上述層疊半導體芯片的電極端子；上述層疊半導體芯片中的一個半導體芯片的與元件電極面相反的主面，與上述電絕緣基板的引線接合安裝的主面接合，上述層疊半導體芯片、上述引線接合安裝部分進行樹脂模鑄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的半導體器件，上述半導體芯片是層疊了多個半導體芯片的層疊半導體芯片；該半導體器件包括電絕緣基板，該電絕緣基板具有形成了多個金屬布線的主面，該多個金屬布線包含引線接合安裝及倒裝芯片安裝了上述層疊半導體芯片的電極端子；密封樹脂位于倒裝芯片安裝了上述層疊半導體芯片的半導體芯片的元件電極面和上述電絕緣基板的電極端子面之間；上述層疊半導體芯片、上述引線接合安裝部分進行樹脂模鑄。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的半導體器件，上述半導體芯片的安裝是倒裝芯片安裝，該半導體器件包括倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的第1電絕緣基板；具有形成了多個金屬布線的主面的第2電絕緣基板；在上述第1電絕緣基板和上述第2電絕緣基板之間配置、且具有形成了多個金屬布線的主面并由包含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成的第3電絕緣基板；以及在上述第3電絕緣基板內(nèi)形成的填充了導電樹脂組成物的內(nèi)部通孔；密封樹脂位于上述半導體芯片的元件電極面和上述第1電絕緣基板的電極面之間；上述第1和第2電絕緣基板通過上述第3電絕緣基板成為一體；上述第1～第3電絕緣基板的至少一部分金屬布線通過上述內(nèi)部通孔電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的半導體器件，在安裝了上述半導體芯片的主面的金屬布線中，在包含上述電極端子表面的上述金屬布線的一部分表面形成有金層，其它金屬布線的表面進行粗糙化處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導體器件，利用從非電解電鍍、電解電鍍、蒸鍍、或濺射中選擇的至少一種方法形成上述金層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2、5或6所述的半導體器件，通過使用各向異性導電膜、各向異性導電膏、非導電性接合膜、非導電性焊膏中的某一個的熱壓接方法，或者利用在上述半導體芯片的元件電極上形成的金凸起和在電絕緣基板的電極端子表面形成的金的超聲波接合，進行上述半導體芯片的倒裝芯片安裝。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的半導體器件，上述金屬布線包含表面粗糙化的銅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的半導體器件，上述金屬布線表面粗糙度是，在JIS B 0601記載的十點平均粗糙度Rz為1～10μm的范圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體器件，上述第3電絕緣基板的無機填充劑含量為70重量％～95重量％的范圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求6或12所述的半導體器件，上述無機填充劑包含從Al2O3、MgO、BN、AlN及SiO2中選擇的至少一種無機填充劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求6或12所述的半導體器件，上述熱固化樹脂包含從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂及氫酸酯樹脂中選擇的至少一種熱固化樹脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體器件，上述導電性樹脂組成物包含作為導電成分而含有從金、銀、銅及鎳中選擇的至少一種金屬的金屬粒子，并且作為樹脂成分包含環(huán)氧樹脂。
16.一種半導體器件的制造方法，包括工序(a)，準備半導體芯片和電絕緣基板，該電絕緣基板具有形成了金屬布線的主面，上述金屬布線包含倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的電極端子、且具有多個經(jīng)粗糙化處理的表面；工序(b)，通過光刻方法，在上述電絕緣基板的倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的主面的、上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述電絕緣基板的倒裝芯片安裝的主面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面形成金之后，去除光刻膠；以及工序(d)，在上述半導體芯片的元件電極面和上述電絕緣基板的電極端子面之間，通過密封樹脂，將上述半導體芯片倒裝芯片安裝在上述電絕緣基板上。
17.一種半導體器件的制造方法，包括工序(a)，準備半導體芯片和電絕緣基板，該電絕緣基板具有形成了金屬布線的主面，上述金屬布線包含引線接合安裝了上述半導體芯片的電極端子、且具有多個經(jīng)粗糙化處理的表面；工序(b)，在上述電絕緣基板的引線接合安裝了上述半導體芯片的主面的、上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述電絕緣基板的引線接合安裝的主面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面形成金之后，去除光刻膠；工序(d)，將上述半導體芯片的與形成有元件電極的面相反的主面接合在上述電絕緣基板上；工序(e)，在上述電絕緣基板上引線接合安裝上述半導體芯片；以及工序(f)，對上述半導體芯片和上述引線接合安裝部分進行樹脂模鑄。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的半導體器件的制造方法，通過引線接合安裝、或者倒裝芯片安裝及引線接合安裝，在上述電絕緣基板上安裝層疊了多個半導體芯片的層疊半導體芯片。
19.一種半導體器件的制造方法，包括工序(a)，準備半導體芯片、第1電絕緣基板、具有形成了多個金屬布線的主面的第2電絕緣基板、以及作為由包含無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成的第3電絕緣基板的板狀體，該第1電絕緣基板具有形成了金屬布線的主面，該金屬布線包含倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的電極端子且具有多個經(jīng)粗糙化處理的表面；工序(b)，通過光刻方法，在上述第1電絕緣基板的倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的主面的、上述電極端子以外的部分，形成光刻膠；工序(c)，對上述第1電絕緣基板的倒裝芯片安裝的主面進行非電解鍍金，在上述電極端子表面形成金之后，去除光刻膠；工序(d)，在上述半導體芯片的元件電極面和上述電絕緣基板的電極端子面之間，通過密封樹脂，將上述半導體芯片倒裝芯片安裝在上述電絕緣基板上；工序(e)，在上述板狀體中形成貫通孔，在上述貫通孔中填充由導電性樹脂組成物構(gòu)成的導電膏；工序(f)，對上述第1和第2電絕緣基板及上述板狀體進行位置對準、層疊，以使上述第1電絕緣基板的倒裝芯片安裝了上述半導體芯片的主面朝向上述板狀體的一個主面，使上述第2電絕緣基板的形成了金屬布線的主面朝向上述板狀體的另一個主面；以及工序(g)，通過加熱加壓，將上述第1和第2電絕緣基板粘接到上述板狀體上，在上述板狀體中埋設上述半導體芯片進行一體化，并固化上述板狀體及由上述導電樹脂組成物構(gòu)成的導電膏。
20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中的任一項所述的半導體器件，上述電極端子表面的金的形成方法是電解電鍍、蒸鍍或濺射。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導體器件，上述第3電絕緣基板由包含上述無機填充劑和熱固化樹脂的混合物構(gòu)成。
全文摘要
一種半導體器件，在具有多個金屬布線(505)的電絕緣基板(504)的表面安裝半導體芯片(501)，至少上述多個金屬布線(505)的一部分被樹脂(509)覆蓋；在電絕緣基板(504)上形成的多個條金屬布線(505)中的、至少與上述半導體芯片(501)電連接的金屬布線的表面，形成金層(508)；在電絕緣基板(504)上形成的多個金屬布線中的、與上述樹脂(509)接觸的金屬布線的表面，不形成金層而形成粗糙部(507)。由此，提供一種可提高安裝了半導體芯片的半導體器件的電連接可靠性的半導體器件及其制造方法。
文檔編號H01L23/28GK1943029SQ20068000012
公開日2007年4月4日 申請日期2006年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月23日
發(fā)明者小松慎五, 中谷誠一, 平野浩一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社