專利名稱：功率金氧半導(dǎo)體組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種半導(dǎo)體裝置，特別是指一種雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體
(DMOS)功率組件及其制作流程。
背景技術(shù)：
功率金氧半導(dǎo)體組件普遍應(yīng)用于電子電路中，基于其應(yīng)用，不同裝置各 有其特征。 一普通應(yīng)用為直流-直流轉(zhuǎn)換器，其中包含了作為同步整流器的功 率金氧半導(dǎo)體組件(也參考單結(jié)型場效晶體管的低電壓端)及另一作為控制 開關(guān)的功率金氧半導(dǎo)體組件(也參考單結(jié)型場效晶體管的高電壓端)。單結(jié)型 場效晶體管的低電壓端需要一小型的開啟電阻來達到良好的功率切換效能， 而單結(jié)型場效晶體管的高電壓端則需要一小型的柵極電容以得到快速的切換 及良好的執(zhí)行。
晶體管的開啟電阻值(Rdson)是與通道長度(L)成正比，而與每單位區(qū)
域的主動胞數(shù)量(w)成反比。為了降低開啟電阻值，可利用較淺薄的源極
與基體來減少通道長度，并利用降低主動胞的大小以增加每單位區(qū)域中主動
胞的數(shù)量。然而，由于穿透現(xiàn)象使通道長度L有了極限，而由于制造技術(shù)及 為使主動胞中源極和基體范圍兩者間具有良好的接觸，使得每單位區(qū)域的主 動胞數(shù)量受到局限。由于溝道長度及主動胞密度的增加，柵極電容數(shù)也隨之 增加，低組件電容可減少切換損失。在一些應(yīng)用中，如同步整流器，基體二 極管的儲存電量與順向壓降也造成效能的流失，這些因素一同使雙倍擴散型 金氧半導(dǎo)體的執(zhí)行效能受到限制。
雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體的功率組件中開啟電阻與門極電容若可利用當前 可達成的技術(shù)而減少，以改進功率切換的可靠度和功率消耗。其更可應(yīng)用于 發(fā)展實用流程提升雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體功率組件的產(chǎn)品可靠度。


本發(fā)明的若干實施例將在隨后的具體描述和相關(guān)附圖中進一步說明
圖1為雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體(DMOS)組件之一實施例的剖視圖2為降壓型轉(zhuǎn)換器電路范例的示意圖3A至圖3P為圖1中一種制造組件100的流程剖視圖4為雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件的另一實施例的剖視圖，其中的反穿
透植入?yún)^(qū)域是沿著溝槽壁及溝槽底部連續(xù)植入；
圖5為雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件的另一實施例的剖視圖，在接觸溝槽
中包含一肖特基晶體管；
圖6為雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件的另一實施例的剖視圖，其中包含一
肖特基晶體管；
圖7為本發(fā)明中利用雙倍接觸蝕刻流程形成組件的剖視圖； 圖8為雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體的另一實施例的剖視圖。
具體實施例方式
本發(fā)明是提供一種功率金氧半導(dǎo)體組件，其可利用眾多方法來實現(xiàn)，包 括利用一流程、裝置、系統(tǒng)、成分組成、以及計算機讀取媒體，如計算機存 取媒體或計算機網(wǎng)絡(luò)，其中程序指令是透過光學或電力通訊連結(jié)來傳送。在 本說明書中所述的實施方式或本發(fā)明可達成的其它形式，皆為相關(guān)技術(shù)，一 般來說，本發(fā)明所公開的步驟順序在本發(fā)明的范疇中可進行更改。
本發(fā)明所提供的一個或多個實施例是由圖式詳細說明如下，本發(fā)明雖由 這些實施例來描述，但并不以此些實施例局限本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范疇 僅以權(quán)利要求為限，并包含數(shù)種替代方案、修改及等價物。為了使本發(fā)明被 詳細了輛，以下敘述是陳述數(shù)種具體描述，其是提供范例，并且依據(jù)權(quán)利要 求所述者實行，不包含部分或所有的具體描述。為使目的明確，在本發(fā)明技 術(shù)領(lǐng)域內(nèi)所使用的技術(shù)材料不再詳細敘述。
一種經(jīng)改良的雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件及其制造流程是被公開。此組 件中包含一漏極(drain)、 一基體(body)及一源極(source),本組件的柵 極(gate)是設(shè)置于一柵極溝槽(gatetrench)中，穿過源極與基體而延伸至 漏極內(nèi)；鄰近柵極溝槽且在源極附近設(shè)有一源極基體接觸溝槽(source body contacttrench)，其中包含有一沿著溝槽壁設(shè)置的反穿透植入?yún)^(qū)域(anti-punch
through implant);柵極的頂表面從基體的頂表面上方延伸而過，以確保柵極 與源極有交迭(overlap),并使源極區(qū)域較淺。制造本組件的流程包括在基板 上形成一硬屏蔽(hard mask),再穿過硬屏蔽于基板上形成一柵極溝槽，于 柵極溝槽中置入柵極材料，接著移除硬屏蔽而留下一柵極結(jié)構(gòu)，形成一具有 溝槽壁的源極基體接觸溝槽，最后形成一反穿透植入?yún)^(qū)域。
此部分所舉范例的目的在于詳細探討利用N型材料制作源極和漏極，并 用P型材料制作基體的N型溝道組件，此處所公開的技術(shù)與結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于 P型溝道組件。圖1所示為一雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體(DMOS)組件之一具 體實施例的剖示圖，在本例中，組件100包含一漏極，其形成于一N+型半導(dǎo) 體基板103上，延伸至基板103上之一磊晶(epi)層104內(nèi)，其為N—型半 導(dǎo)體。復(fù)數(shù)柵極溝槽lll、 113、 115是在磊晶層104中蝕刻而成，柵極氧化 層121、 123、 125則形成于該柵極溝槽中。復(fù)數(shù)柵極131、 133、 135分別設(shè) 置于柵極溝槽lll、 113、 115中，并透過柵極氧化層而與磊晶層隔離。柵極 是利用具傳導(dǎo)性的材料所制作，如多晶硅，而氧化層則利用絕緣材料來制作， 如熱氧化層。
源極區(qū)域151、 153、 155是分別內(nèi)嵌于基體區(qū)域141、 143、 145中，源 極區(qū)域從基體的頂表面向下延伸至基體本身，如附圖所示，柵極131具有一 柵極頂表面，其是延伸在內(nèi)嵌有源極的基體頂表面的上方，如此的架構(gòu)配置 可確保源極與柵極的交迭，使源極區(qū)域可比具有凹陷柵極的源極區(qū)域來的淺， 增加組件效率及效能。在不同實施例中，從源極與基體交叉點上方延伸過的 柵極頂表面總數(shù)可不同。當柵極并未從基體頂表面上方延伸時的架構(gòu)也可應(yīng) 用于組件中。
在柵極之間形成一系列的源極基體接觸溝槽112、 114、 116。舉例如下， 接觸溝槽112穿透源極區(qū)域151形成兩個與柵極相鄰的區(qū)域151a及151b， 而穿過基體區(qū)域141則形成與溝槽相鄰的區(qū)域141a及141b。當操作時，漏 極和基體區(qū)域如一個二極管般一同動作，就如同基體二極管。 一介電材料層 設(shè)置于柵極上方，用以隔離柵極與源極和基體的接觸，適當?shù)慕^緣材料包括 熱氧化層、低溫氧化層(LTO)及硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)等，此絕緣材料 在柵極、基體與源極區(qū)域頂端形成隔離區(qū)域132、 134、 136。
實施例中顯示，場效晶體管FET通道是在源極與基體之間沿著柵極溝槽
的側(cè)壁成形，在一短溝道組件中，當源極和漏極間的電壓增加時，空乏區(qū)擴 大且最后可能影響到源極周遭，此現(xiàn)象歸因于穿透，限制了通道長度，使其
可能會變短。為防止穿透，沿著源極基體接觸溝槽壁的區(qū)域161a、 161b、 163a、 163b、 165a、 165b以P型材料進行重摻雜，以形成P+型區(qū)域，此P+型區(qū)域 可防止空乏區(qū)侵蝕到源極區(qū)域。因此，這些植入有時與反穿透植入?yún)^(qū)域有關(guān)， 在一些實施例中，為了達到所宣稱的反穿透功效，將P+型區(qū)域盡可能的設(shè)置 于溝道區(qū)域附近，且/或在制造校準可允許的范圍及P+型區(qū)域側(cè)壁的摻雜穿 透控制內(nèi)與溝道區(qū)域愈近愈好。而在一些實施例中，溝槽接觸與柵極溝槽間 的空間對準是利用對接觸面自行對準來達到最小化，且溝槽接觸是盡可能的 設(shè)置于柵極溝槽與柵極溝槽的中間?；诮Y(jié)構(gòu)上的提高，可將溝道縮短以使 溝道中每單位區(qū)域的靜電荷在理想無保護架構(gòu)中防止穿透所需的最小電量的 下。反穿透植入?yún)^(qū)域可制造相當淺的溝槽短溝道裝置，因此而改良開啟電阻 Rd，及減小柵極體積，且反穿透植入?yún)^(qū)域也可增加基體接觸電阻。
具有輕摻雜漏極(如鈦、鉑、釩、鎢或其它任何適用的材料)、適用于制 造肖特基接觸的金屬層是設(shè)置于源及基體接觸溝槽112、 114、 116底部，以 分別形成接觸電極122、 124、 126。由于穿透植入是沿著溝槽壁設(shè)置但不沿 著溝槽的底部，故接觸電極與N—型漏極區(qū)域104連接。此接觸電極與漏極一 起形成與基體二極管平行的肖特基晶體管，此肖特基晶體管可減少基體二極 管的順向壓降并將儲存電量最小化，使金氧半場效晶體管具有更高的效率。 金屬層180設(shè)置于肖特基金屬上方，與源極、基體接觸。在一些實施例中， 金屬層180是由鋁(Al)或鈦/氮化鈦/鋁的堆棧所制成。
在部分實施例中，單一金屬可同時形成N—型漏極的肖特基接觸與P+型 基體和N+型源極所用的良好歐姆接觸，因此，肖特基金屬不需以栓塞型態(tài)放
置于源極基體接觸溝槽的底部。換言的，將肖特基金屬以栓塞型態(tài)放置于源 極-基體溝槽中有利于阻止反穿透植入?yún)^(qū)域進入N—型漏極區(qū)域。
圖2為降壓型轉(zhuǎn)換器的簡單電路圖，在此例中，電路200是利用高電壓 端場效晶體管組件201及低電壓端場效晶體管組件207而組成。高電壓端組 件201包含一晶體管202及一基體二極管204，低電壓端組件207的結(jié)構(gòu)則 與圖l所示相似，包含一晶體管208、 一基體二極管210及一肖特基晶體管 212。加載端包括一誘導(dǎo)器214、 一電容器216及一電阻218。在一般操作狀
態(tài)時，高電壓端組件201是為開啟的，以將電源由輸入源傳送到加載端，使誘導(dǎo)器中產(chǎn)生一電流。當高電壓端組件201為關(guān)閉時，誘導(dǎo)器電流仍繼續(xù)流 動并使電流方向轉(zhuǎn)換置低電壓端組件207中的基體二極管210。經(jīng)過一段短 暫的延遲后，控制電流將低電壓端組件207開啟，其啟動晶體管208的通道， 并明顯地減少組件208中漏極至源極端的順向壓降。若沒有肖特基晶體管 212，則基體二極管會傳導(dǎo)遺失，而在移除組件207中基體二極管210的儲存 電量時所造成的遺失是相當重要的。然而，若肖特基晶體管212是建立在組 件207中且具有低的順向壓降，則傳導(dǎo)遺失將大幅降低。由于跨越肖特基晶 體管的低順向壓降較基體二極管的交叉點壓降為低，故當肖特基晶體管在傳 導(dǎo)時不投入儲存電量，更可因二極管恢復(fù)而改進遺失。
圖3A至圖3P為一種制造圖1中裝置100的制造流程的剖視圖。如圖所 示，一N型基板(即一N+型硅晶圓，其上具有一N—型磊晶層)，作為組件 的漏極。在圖3A中，一二氧化硅層402在N型基板400上利用沉淀或熱氧 化所形成；在部分具體實施例中，氧化硅的厚度范圍為500~30000A，其它 厚度則應(yīng)用于其它的實施例中，此厚度是基于柵極的高度來做調(diào)整。光阻層 404涂布于氧化層的頂部，利用溝槽屏蔽形成圖案。
在圖3B中，將無遮蔽處的二氧化硅移除，留下一二氧化硅硬屏蔽410 以進行硅蝕刻。在圖3C中，將硅非等向性蝕刻，留下復(fù)數(shù)溝槽，如溝槽420, 并將柵極材料沉積于溝槽中，接著在溝槽中以與基板頂表面垂直的位置上形 成柵極。在圖3D中，二氧化硅硬屏蔽410適當?shù)叵蚝笪g刻，使溝槽壁在蝕 刻步驟的后與硬屏蔽的邊緣維持約略一直線。二氧化硅在本實施例中是作為 屏蔽的材料，因為蝕刻時使用二氧化硅硬屏蔽可留下相對整齊的溝槽壁，使 其與屏蔽邊壁互相整齊排列，而其它的材料也可適當?shù)厥褂?。傳統(tǒng)上，有其 它材料使用于硬屏蔽蝕刻，如Si3Kp在蝕刻時可能產(chǎn)生彎曲的溝槽壁，降低 后續(xù)的柵極產(chǎn)生步驟的滿意度。
在圖3E中，將基板等向蝕刻以形成溝槽底部，在一些實施例中，溝槽 深度約為0.5-2.5 pm，寬度約為0.2-1.5 pm，其它尺寸也可使用。為提供一光 滑表面給柵極介電材料成長，在溝槽中成長出一由二氧化硅所構(gòu)成的犧牲層 430，接著利用濕式蝕刻將這一層移除。在圖3G中，由于二氧化硅為非導(dǎo)電 性物質(zhì)，將二氧化硅層432設(shè)置于溝槽中。
在圖3H中，將多晶硅440沉積于溝槽中并將的填滿，于本例中，多晶 硅的摻雜可獲得適當?shù)臇艠O阻抗。在一些實施例中，摻雜沉積出多晶硅層， 而在一些實施例中，則在沉積后摻雜多晶硅。在圖3I中，二氧化硅頂端的多 晶硅層往后蝕刻以形成如442的柵極，此時，柵極的頂表面444仍然與二氧 化硅的頂表面448相應(yīng)地嵌入，然而，柵極的頂表面444較硅的頂層446高。 在一些實施例中，不使用多晶硅向后蝕刻，而在一些實施例中，將一屏蔽應(yīng) 用于多晶硅向后蝕刻中，不使用后續(xù)基體植入流程的附加屏蔽。于圖3J中， 將二氧化硅硬屏蔽移除，在一些實施例中是利用干式蝕刻來移除硬屏蔽，當 遇到硅表面的頂端時即停止蝕刻，留下延伸至基板表面另一端的多晶硅柵極， 其源極與基體摻雜將被植入。在一些實施例中，柵極延伸至基板表面另一端 約300Ato20000A處，其它數(shù)值也可。這些實施例中皆使用一二氧化硅硬屏 蔽，是由于在可操作的方式下，其可提供延伸至基板表面另一端所須求的柵 極總數(shù)。接著可于晶圓上成長一屏蔽氧化硅層。
圖3K中，利用一基體屏蔽在基體表面上設(shè)置一光阻層450，并在沒有屏 蔽的區(qū)域利用基體摻雜進行植入，摻雜的材料如硼離子可利用摻雜材料沖擊 基板表面以進行植入，或是其它適合地植入方法。接著移除光阻層并將晶圓 加熱，使植入的基體摻雜透過如基體驅(qū)動的程序進行熱傳導(dǎo)，形成基體區(qū)域 460。在一些實施例中，進行基體摻雜的植入所需能源約在30-200 Kev之間， 劑量約在5E12-4E13離子數(shù)/平方公分之間，而造成的基體深度約為 0.3-2.4^m，改變植入能量和劑量等變量可改變其深度。在一些實施例中，基 體的植入并不使用屏蔽。
在圖3L中設(shè)置有一光阻層610，使源極摻雜可植入到區(qū)域612中，在本 例中，砷離子穿透未屏蔽處的硅而形成N+型源極。在一些實施例中，用來植 入源極摻雜的能源約在5-80 Kev之間，劑量約為1E15-1E16離子數(shù)/每平方 公分之間，而造成的源極深度大約在0.05-0.5pm之間。改變一些變量更可減 少深度，如摻雜能量及劑量。接著移除光阻層并加熱晶圓，以透過一源極驅(qū) 動程序?qū)χ踩氲脑礃O摻雜進行熱傳導(dǎo)，其它植入流程也可適當?shù)厥褂谩５?M 圖中，在源極驅(qū)動后，于組件的頂表面沉積一介電層620 (如BPSG)，并視 情況是否需要而使的更加密實。接著形成一蝕刻屏蔽614。
在圖3N中，執(zhí)行接觸溝槽蝕刻以形成溝槽622、 624、 626，并將源極植
入及基體植入的區(qū)段適當?shù)奈g刻掉。圖3Q中，穿透防護植入630、 632是沿 著溝槽622、 624的垂直壁設(shè)置，在部分實施例中，植入的沉積方式為以一角 度沖擊離子到溝槽的側(cè)壁上，而在一些實施例中，植入630、 632則利用接觸 蝕刻流程所形成，此部份將陳述于下。在圖3P中，沉積一金屬堆棧，如鈦+ 氮化鈦+鋁-硅-銅，以形成一接觸點； 一屏蔽蝕刻640將柵極金屬接觸及源極 -基體接觸分開，由于溝槽如624則可作為金屬及半導(dǎo)體接觸時的接觸開口， 故彎曲的角落區(qū)域可導(dǎo)致高電場及低組件損毀。在組件350中顯示，溝槽是 為圓滑面而不具有棱角，可避免高電場所帶來的低損壞。
圖4為另一雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件的實施例剖面圖，其中沿著溝槽 壁及溝槽底部是設(shè)置有連續(xù)的反穿透植入?yún)^(qū)域。在本實施例中，于組件490 中沿著源極與基體的接觸溝槽設(shè)置有一P+材料的P+層402，在一些實施例中， P+層是由P+型材料沖擊溝槽表面所形成，而在一些實施例中，溝槽及P+層則 在溝槽形成前，利用于基體區(qū)域中沉積P+型材料而成，接著將P+型材料適當 的蝕刻掉。接觸金屬層404 (如鈦或氮化鈦)是如柵極氧化層的頂端般沉積 于溝槽中，溝槽中充滿了材料，如鎢。再沉積一接觸金屬層(如鋁-硅-銅)， 在部分實施例中，溝槽的深度有多種變化，并可與柵極深度相同。較深的溝 槽可提供較佳的溝道區(qū)域防護。雖然本組件中沒有形成肖特基晶體管，但具 有低&，且在部分電路中可作為高電壓端場效晶體管使用。
圖5為另一雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件的實施例剖面圖，其中在接觸溝 槽中是包含一肖特基晶體管。于本實施例的組件500中顯示，P+型材料是以 一角度沉積，使反穿透植入?yún)^(qū)域502、 504沿著溝槽壁而形成，而不是在溝槽 底部。接觸金屬層506與漏極508形成一低順向偏壓的肖特基晶體管。
圖6所示為另一雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件的實施例剖面圖，其中是包 含一肖特基晶體管。在本實施例中，組件600的接觸溝槽中沉積有栓塞602、 604，其可為聚合物、氧化物或顥似材料所制成，利用P+型材料沿著溝槽壁 植入，以形成植入606、 608;栓塞602、 604可防止植入的P+離子向下延伸 到栓塞的頂表面，使其可沿著溝槽壁植入，而不是沿著溝槽底部。肖特基晶 體管由接觸電極610及漏極612所組成。
圖7為利用雙倍接觸蝕刻流程所形成組件的剖視圖，如圖所示，接觸溝 槽蝕刻流程是在與第3M圖中組件340相似的結(jié)構(gòu)上實施而形成組件700，
當蝕刻屏蔽614在該結(jié)構(gòu)上形成后，再利用接觸溝槽蝕刻形成溝槽625，此 溝槽的深度因不同植入物而有所變化。在本實施例中，將溝槽625的底部控 制在與源極底部同一平面上，并將P+型材料植入到溝槽底部以形成P+區(qū)域 607。執(zhí)行一第二接觸溝槽蝕刻，以在基體區(qū)域及N—漏極上蝕刻出溝槽，接 著再沉積金屬層，以形成最后結(jié)構(gòu)，如圖3P的350、圖5的500及圖6的 600。在溝槽與N—漏極之間并設(shè)置一肖特基晶體管。
圖8為另一雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件的實施例剖視圖，如圖所示，雙 倍接觸蝕刻技術(shù)是用于沿著P+植入?yún)^(qū)域607上蝕刻出溝槽，剩余的P+植入?yún)^(qū) 域在溝槽內(nèi)側(cè)沉積形成具有金屬層的歐姆接觸。與圖4的組件490相似，雙 倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件800不包含一完整的肖特基晶體管。此剩余的P+植 入?yún)^(qū)域提供良好的穿透屏蔽，由于在底部沒有P+區(qū)域，故此組件具有較低的 注入效率使得基體二極管所儲存的電量大幅減少。
雙倍擴散型金氧半導(dǎo)體組件及其制作方法已于上述內(nèi)容中公開，此項技 術(shù)也可應(yīng)用于其它半導(dǎo)體類型中，如絕緣柵極雙載子晶體管(IGBT)和MOS 控制晶閘管(MCT)，以將溝道區(qū)域利用預(yù)防穿透植入理想地隔開。
上述內(nèi)容，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明的權(quán)利 要求。故凡依本發(fā)明權(quán)利要求所述的特征及精神所作的均等變化或修飾，均 應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種金氧半導(dǎo)體組件，包括一漏極；一基體，其是設(shè)置于該漏極上方，該基體具有一基體頂表面；一源極，其是內(nèi)嵌于該基體中，從該基體頂表面向下延伸至該基體中；一柵極溝槽，其是穿過該源極及該基體而延伸至該漏極中；一柵極，其是設(shè)置于該柵極溝槽中；以及一源極基體接觸溝槽，其具有一溝槽壁及一反穿透植入?yún)^(qū)域，該源極基體接觸溝槽是沿著該溝槽壁設(shè)置。
2. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該源極基體接觸 溝槽是與該柵極溝槽鄰近，并與該源極相鄰。
3. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該柵極是具有一 柵極頂表面，實質(zhì)上從該基體頂表面上方延伸。
4. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該源極基體接觸 溝槽是具有一溝槽底部，且該反穿透植入?yún)^(qū)域并不沿著該溝槽底部設(shè)置。
5. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該源極基體接觸 溝槽是具有一溝槽底部，且該反穿透植入?yún)^(qū)域是沿著該溝槽壁與該溝槽底 部設(shè)置。
6. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該源極基體接觸溝槽是由該基體延伸至該漏極。
7. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包括一接觸電極， 其是設(shè)置于該源極基體接觸溝槽中。
8. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包括一接觸電極， 其是設(shè)置于該源極基體接觸溝槽中，其中該接觸電極包括一金屬，其適合 提供該源極和基體范圍的歐姆接觸。
9. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包括一接觸電極， 其是設(shè)置于該源極基體接觸溝槽中，其中該接觸電極是包括一金屬，其適 合提供該源極和基體范圍的歐姆接觸，且該接觸電極包含一金屬，其適用 于在該漏極范圍內(nèi)形成一肖特基晶體管。
10. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包括一接觸電極， 其是設(shè)置于該源極基體接觸溝槽中，其中該接觸電極及該漏極可形成一肖 特基晶體管。
11. 如權(quán)利要求l所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包括一接觸電極， 其是設(shè)置于該源極基體接觸溝槽中，其中該接觸電極及該漏極可在該組件 之一基體二極管下方形成一肖特基晶體管。
12. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該源極基體接觸 溝槽的形成是用以擁有一平滑外型。
13. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該反穿透植入?yún)^(qū) 域中是包含以P型材料重摻雜之一范圍。
14. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該源極的深度不 超過0.5,。
15. 如權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體組件，其特征在于，其中該源極基體接觸 溝槽是包含一栓塞。
16. —種制造半導(dǎo)體組件的方法，包括以下步驟 于一基板上形成一硬屏蔽，其具有一頂基板表面； 在該基板中形成一柵極溝槽，其是穿過該硬屏蔽； 于該柵極溝槽中置入柵極材料； 移除該硬屏蔽以留下一柵極結(jié)構(gòu)； 形成一源極基體接觸溝槽，其具有一溝槽壁；以及 形成一反穿透植入?yún)^(qū)域。
17. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該反穿 透植入?yún)^(qū)域是沿著該溝槽壁形成。
18. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該形成 反穿透植入?yún)^(qū)域的步驟是包括在該溝槽壁上以一角度植入離子。
19. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該形成 反穿透植入?yún)^(qū)域的步驟是包括在該溝槽壁上以一角度植入P型離子。
20. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中許多該 柵極材料是沿著該頂基板表面設(shè)置于該溝槽中，且移除該硬屏蔽以留下在 該頂基板表面上方延伸之一柵極結(jié)構(gòu)。
21. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該硬屏 蔽是為二氧化硅硬屏蔽。
22. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該源極 基體接觸溝槽具有一溝槽底部，且該方法更包括在該溝槽底部設(shè)置一接觸 電極。
23. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該源極 基體接觸溝槽具有一溝槽底部，且該方法更包括在該溝槽底部設(shè)置一接觸 電極，用以形成一肖特基晶體管。
24. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該形成 該源極基體接觸溝槽的步驟中包括執(zhí)行一接觸蝕刻流程。
25. 如權(quán)利要求16所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，其中該形成 該源極基體接觸溝槽的步驟中包括執(zhí)行一第一接觸蝕刻流程，并形成一包 含植入材料的反穿透植入?yún)^(qū)域，再執(zhí)行一第二接觸蝕刻流程。
全文摘要
本發(fā)明提供一種功率金氧半導(dǎo)體組件，包含一漏極、一設(shè)置于該漏極上的基體，其具有一基體頂表面、內(nèi)嵌于基體中之一源極，其從基體頂表面向下延伸至基體中、一柵極溝槽，其穿過源極及基體并延伸至漏極中，在柵極溝槽中設(shè)置有一柵極、連接溝槽的一源極基體，其具有一溝槽壁及沿著溝槽壁設(shè)置的一反穿透植入?yún)^(qū)域。一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括在基板上形成一具有頂層基本表面之硬屏蔽，在基板內(nèi)形成一柵極溝槽，而在柵極溝槽中穿過硬屏蔽沉積有柵極材料，將硬屏蔽移除留下一柵極結(jié)構(gòu)，形成一源極基體，其連接具有溝槽壁之溝槽，并形成一反穿透植入?yún)^(qū)域。
文檔編號H01L29/94GK101107718SQ200680003301
公開日2008年1月16日 申請日期2006年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月11日
發(fā)明者安荷·叭剌 申請人:萬國半導(dǎo)體股份有限公司