專利名稱：：使用雙頻率射頻源的等離子體產(chǎn)生與控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體基材處理系統(tǒng)，更明確地說(shuō)，有關(guān)于使用雙頻率射頻源的等離子體產(chǎn)生與控制。
背景技術(shù)：
：等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體處理室已經(jīng)被廣泛用于制造集成電路裝置。于多數(shù)等離子體加強(qiáng)室中，多個(gè)射頻(radiofrequency,RF)源被用以形成及控制等離子體。例如，具有高頻的RF源典型被用于等離子體形成及離子解離。另外，具有較低頻的RF源經(jīng)常被用以調(diào)制等離子體鞘層，以控制直流電壓(即偏壓)的累積于基材上。各種來(lái)源與其相關(guān)匹配電路的成本很大并對(duì)制造集成電路所需的設(shè)備造成了高成本。降低RF基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，而不犧牲任何制程優(yōu)點(diǎn)將造成顯著的成本節(jié)省。因此，在等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體基材處理中，有需要一種用于等離子體產(chǎn)生與控制的改良方法與設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N控制半導(dǎo)體基材處理室內(nèi)的等離子體的方法。該方法包含施加在第一頻率的第一RF信號(hào)給在處理室內(nèi)的第一電極，該第一頻率是被選擇以使得等離子體鞘層振蕩第一頻率；及由來(lái)源施加在第二頻率的第二RF信號(hào)給第一電極，該第二頻率是被選擇以使得等離子體鞘層振蕩第二頻率，其中第二頻率是與第一頻率間差別有一等于想要頻率的差值，該想要頻率被選擇以使得等離子體鞘層振蕩于該想要頻率。于另一實(shí)施例中，一種控制在等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體基材處理室中的等離子體的方法，包含步驟供給分別在第一頻率的第一RF信號(hào)與第二頻率的第二RF信號(hào)給在處理室內(nèi)的第一電極，該第一頻率與第二頻率被選擇以使得一反應(yīng)遠(yuǎn)快于離子被從等離子體體加速時(shí)越過(guò)等離子體鞘層的橫過(guò)時(shí)間；及控制于第一與第二頻率間的頻率差值等于一想要頻率，該想要頻率被選擇以控制等離子體內(nèi)的離子能量分布。本發(fā)明的上述特性、優(yōu)點(diǎn)及目的可以通過(guò)參考其顯示于附圖中的實(shí)施例加以取得并詳細(xì)了解。然而，應(yīng)注意的是，附圖只例示本發(fā)明的典型實(shí)施例，因此，并不被認(rèn)為是限定范圍用，因?yàn)楸景l(fā)明可以適用至其他等效實(shí)施例。圖1為具有雙頻率RF源的等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體處理室的方塊圖；圖2為在電極上的輸入波形的頻譜圖；圖3為鞘層電壓的頻譜圖；圖4A為反射系數(shù)大小對(duì)頻率的圖；圖4B為用于匹配元件模型的史密斯圖；圖5為具有雙頻率RF源的處理室的一實(shí)施例簡(jiǎn)化圖；圖6為具有雙頻率RF源的處理室的另一實(shí)施例簡(jiǎn)化圖；及圖7A及7B為圖表，比較具有雙頻率源的處理室的一實(shí)施例的離子能量分布與耦合至室中的分開電極的分開頻率源的另一處理室。主要元件符號(hào)說(shuō)明<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>550節(jié)流閥552電氣接地600反應(yīng)器602處理室610介電頂板612支撐托架614基材616進(jìn)入端口618氣體面才反620真空泵634室壁636控制器638感應(yīng)線圈646氣體混合物648等離子體650節(jié)流閥652電氣4妄地660匹配元件662電源具體實(shí)施方式本發(fā)明為一種在使用雙頻率RF源的等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體處理室中，形成及控制等離子體特性的方法與設(shè)備。等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體處理室一般利用以兩頻率饋入的功率一用于等離子體激勵(lì)及離子解離的高頻；及一用于等離子體鞘層調(diào)制的低頻。于一實(shí)施例中，本發(fā)明利用由單一RF源產(chǎn)生的兩高頻輸入，來(lái)產(chǎn)生等離子體。等離子體的一或更多特性，例如鞘層調(diào)制是利用波包現(xiàn)象加以控制，該現(xiàn)象在等離子體鞘層造成等于兩輸入信號(hào)間的頻率差值的低頻成份。圖1描繪具有一雙頻率RF源的等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體處理室的簡(jiǎn)化方塊圖。依據(jù)本發(fā)明的等離子體加強(qiáng)處理室100包含一室102、一雙頻率RF電源104、及單一匹配電路106。室102包含一經(jīng)由匹配電路106連接至源104的通電電極108及一接地電極110。除了減少的RF基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)外，室102是類似于傳統(tǒng)等離子體加強(qiáng)處理室。電源104為具有雙頻率激勵(lì)的RF產(chǎn)生器。該電源104大致能產(chǎn)生范圍由約100KHz至約200MHz的兩頻率。電源104—般能產(chǎn)生多達(dá)5000瓦的連續(xù)或脈沖功率。于一特定實(shí)施例中，電源產(chǎn)生約13MHz及約14MHz,每一頻率于約3千瓦。于操作中，為電源104所產(chǎn)生的兩頻率在電源104的輸出大致具有相同的大小，并被選擇使得每一個(gè)別頻率控制預(yù)定次組的等離子體特性，例如高頻等離子體激勵(lì)、離子解離、離子能量分布函數(shù)等等。頻率也被選擇以彼此接近，以允許如下所述經(jīng)由匹配電路106作共同匹配。于兩選擇頻率間的差產(chǎn)生一波包效應(yīng)，該效應(yīng)可以被利用以控制第二次組的等離子體特性，例如，低頻等離子體激勵(lì)、鞘層電壓調(diào)制等等。此波包效應(yīng)是如圖2與圖3所示?；蛘?，于電源104所產(chǎn)生的兩頻率信號(hào)的大小間的比可以加以變化，以控制為兩頻率間的差所建立的波包效應(yīng)的大小。由雙頻率所控制的等離子體特性與由其差所建立的波包效應(yīng)可以重迭。(即部份或全部控制特性，例如等離子體激勵(lì)、離子能量分布函數(shù)、鞘層調(diào)制等等可以至少部份為電源104所提供的雙頻率與兩頻率間的差所建立的所得波包效應(yīng)所控制。)再者，相同或其他等離子體特性或次組等離子體特性可以為其他耦合至該等離子體的RF信號(hào)所控制。例如，第三次組的等離子體特性可以為耦合至另一安排在室內(nèi)的電極的另一RF電源所提供的RF信號(hào)所控制，這將如下參考圖6加以說(shuō)明。圖2描繪入射在等離子體室102的通電電極108上的輸入波形的傅氏成份的大小210成為頻率220的函數(shù)，及圖3描繪鞘層電壓波形300的頻率分析，顯示在鞘層中的所得頻率成份的振幅310成為頻率320的函數(shù)。可以由圖2看出，輸入波形200的頻譜包含兩期待波峰202、204，對(duì)應(yīng)于為電源104所產(chǎn)生的頻率1與頻率2。然而，可以由圖3看出，除了來(lái)自電源104來(lái)的一主驅(qū)動(dòng)頻率(波峰302與304)與其期待諧波外，一低頻項(xiàng)(波峰306)是產(chǎn)生于鞘層中。此鞘層具有非線性特性曲線，其如同RF混波二極體影響輸入RF信號(hào)般地影響RF信號(hào)，即一內(nèi)調(diào)制頻率成份被形成，其等于兩輸入頻率間的差值。因此，低頻項(xiàng)(波峰306)等于為電源104所產(chǎn)生的兩頻率間的差值。為電源104所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)頻率的最大差值是由匹配電路106的特性所決定。更確地說(shuō)，匹配電路106的諧振頻寬是對(duì)中于驅(qū)動(dòng)頻率的間。匹配電路106必須具有一Q,其定義有效耦合兩頻率至電極108與等離子體的頻寬。只要兩驅(qū)動(dòng)頻率實(shí)質(zhì)落在匹配電路的頻寬內(nèi)，則RF基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)能支援兩分開的頻率。典型用于此制程加強(qiáng)的類似低頻范圍的頻率差可以自現(xiàn)行匹配4支術(shù)加以取得。圖4A顯示以典型L形匹配的大小表示的反射系數(shù)的線圖400,其沿著軸402描述以MHz為單位的頻率，對(duì)上沿著軸404描述的以分貝為單位的反射系數(shù)大小。所選擇的頻率應(yīng)使得反射系數(shù)大小很小并實(shí)質(zhì)相等，對(duì)于電源104所產(chǎn)生的頻率1與2，是如所繪的點(diǎn)406與408。圖4B顯示用于典型L形匹配的實(shí)/虛空間中的頻率位置。描繪于圖4B中的例示史密斯圖450指明一50歐姆負(fù)載，例如，于一般出現(xiàn)于標(biāo)準(zhǔn)RF電源中者。頻率應(yīng)加以選擇，使得它們盡可能落于接近史密斯圖450的中心452,以提供合理低的反射功率，如圖4B中的例示頻率454、456所繪。例如，為了激勵(lì)等離子體于60MHz及2MHz,在標(biāo)準(zhǔn)等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體處理室，通常將需要用于這些頻率的兩分離電源及匹配。然而，在本發(fā)明中，兩個(gè)選擇頻率被對(duì)中于高頻值附近，即兩頻率的平均將為高頻成份，及兩頻率將分開一等于想要低頻的間隔。于本例子中，在59MHz與61MHz的頻率將由共同電源104經(jīng)由共同匹配電路106被饋送，因而，施加一等離子體激勵(lì)(59及61Hz信號(hào))及一2MHz調(diào)制信號(hào)于等離子體鞘層間。這架構(gòu)降低了在現(xiàn)行雙頻率技術(shù)中的RF基礎(chǔ)架構(gòu)，從兩個(gè)電源及兩個(gè)獨(dú)立匹配元件或單一雙頻率匹配元件至單一電源及單一頻率匹配元件，顯著降低系統(tǒng)成本，而不會(huì)犧牲制程優(yōu)點(diǎn)。于另一例子中，由電源104所饋?zhàn)酝婋姌O108的兩頻率可以被選擇，以控制相同等離子體特性，如同為內(nèi)調(diào)制頻率元件所控制(即兩主頻率間的差調(diào)諧與電源104所產(chǎn)生的主頻率相同的等離子體參數(shù))。于一實(shí)施例中，離子能量分布函數(shù)也可以為主頻率與內(nèi)調(diào)制頻率元件所控制。即，離子能量分布函數(shù)可以為主頻率的選擇與主頻率間的差的控制所加以控制。明確地說(shuō)，由電源104饋到電極108的兩頻率造成鞘層分別振蕩于該兩頻率。另外，鞘層振蕩也在兩頻率間(即由于內(nèi)調(diào)制頻率成份)的差值，有一特性頻率。如果等離子體鞘層振蕩較一離子可以反應(yīng)的為快，則因?yàn)橛捎赗F振蕩，在鞘層的電位變化是等于鞘層頻率的倒數(shù)(例如鞘層振蕩頻率愈高，則離子行進(jìn)鞘層的速度調(diào)制愈少),所以，離子對(duì)鞘層的時(shí)間平均或直流成份及離子經(jīng)歷的投射的偏折量作反應(yīng)。通過(guò)選擇頻率，使得頻率差值的倒數(shù)低于當(dāng)離子由等離子體體加速行經(jīng)鞘層所花的時(shí)間，則頻率差值的鞘層振蕩可以將時(shí)間可變性加入離子的最終能量。因此，離子能量分布函數(shù)可以通過(guò)控制鞘層中的振蕩頻率加以控制，該鞘層跨于鞘層中的離子橫過(guò)時(shí)間(例如，在鞘層中的振蕩頻率大于及小于在鞘層中的離子橫過(guò)時(shí)間的倒數(shù))。于一實(shí)施例中，主頻率可以選擇以大于離子橫過(guò)時(shí)間的倒數(shù)。另外，在主頻率間的差值可以被選擇為小于離子橫過(guò)時(shí)間的倒數(shù)。控制主頻率與主頻率間的差值允許了對(duì)離子能量分布函數(shù)的控制。例如，于一實(shí)施例中，電源104可以產(chǎn)生具有約13.56MHz及約13.86MHz的主頻率的兩信號(hào)給電極108。這使得等離子體鞘層分別振蕩于13.56及13.86MHz。另外，鞘層將由于產(chǎn)生于兩主頻率間的差值的內(nèi)調(diào)制頻率成份，而具有振蕩于300KHz的特性振蕩?？梢酝ㄟ^(guò)圖7A及圖7B所繪的圖表間的比較看出，如上所述的具有約13.56MHz及約13.86MHz的主頻率的雙頻率電源的處理室的離子能量分布函數(shù)700(描繪于圖7A)是非常類似于具有兩分開RF電源的處理室所造成的離子能量分布函數(shù)(描繪于圖7B)。因此，本發(fā)明的雙頻率電源架構(gòu)相較于具有分開RF電源連接至處理室中的上與下電極的室，對(duì)離子能量分布函數(shù)完成了類似控制，藉以顯著減少有關(guān)于處理室復(fù)雜度與硬體的成本。另外，主頻率與內(nèi)調(diào)制頻率成份的相對(duì)大小可以進(jìn)一步被用以控制離子能量分布函l史。例如，兩主頻率的相對(duì)電流或相對(duì)功率也可以纟皮選4奪地提供，以控制內(nèi)調(diào)制頻率成份的大小。明確地說(shuō)，當(dāng)兩主頻率被施加有相同電流時(shí)，內(nèi)調(diào)制頻率成份的大小可以為最大。降低彼此相關(guān)的兩主頻率的一的電流將降低內(nèi)調(diào)制頻率成份的大小，直到在零電流(即沒(méi)有第二頻率)，內(nèi)調(diào)制頻率成份消失為止。內(nèi)調(diào)制頻率成份的相對(duì)大小面對(duì)主頻率的電流或功率大小對(duì)離子能量分布增加可變性，因此，允許離子能量分布函數(shù)在相對(duì)大小范圍上作控制?？梢赃m用以由本發(fā)明得到利益的等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體處理室的例子包含但并不限定于由美國(guó)加州圣塔卡拉的應(yīng)用材料公司購(gòu)得的DecoupledPlasmaSource(DPS,DPSII)、EMAX、MXP⑧及ENABLER丁M處理室。該EMAXTM處理室被描述于由Shan等人所領(lǐng)證于2000年九月5日的美國(guó)專利第6,113,731號(hào)案。MXP③處理室是描述于由Qian等人所領(lǐng)證于1996年七月9日的美國(guó)專利第5,534,108號(hào)案及由Pu等人所領(lǐng)證于1997年十月7日的美國(guó)專利第5，674,321號(hào)案中。ENABLERTM處理室被描述于由Hoffman等人所領(lǐng)證于2003年三月4日的美國(guó)專利第6,528，751號(hào)案中。前述專利案均并入本申請(qǐng)作為參考。圖5描繪適用于本發(fā)明的蝕刻反應(yīng)器500的例示實(shí)施例的示意圖。于一實(shí)施例中，反應(yīng)器500包含一處理室502與控制器536,處理室502在一導(dǎo)電主體(壁)534內(nèi)具有基材支撐托架512。支撐托架512是經(jīng)由匹配電路106耦合至雙頻率RF電源104。(電源104與匹配電路106是參考圖1i兌明如上。)控制器536包含一中央處理單元(centralprocessingunit,CPU)540、一存儲(chǔ)器542及用于CPU540的支援電路544,并促成處理室502的元件控制，即如下所詳述的蝕刻制程?？刂破?36可以為一般目的電腦處理器的任一形式之一，其可以用于工業(yè)設(shè)定中，用以控制各種室與子處理機(jī)。CPU540的電腦可讀取媒體542或存儲(chǔ)器可以為現(xiàn)行存儲(chǔ)器的一或多個(gè)，例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,RAM)、唯讀存儲(chǔ)器(readonlymemory,ROM)、軟碟、硬碟、或其他數(shù)位儲(chǔ)存形式，遠(yuǎn)端或本地的。支援電路544被連接至CPU540,用以傳統(tǒng)方式支撐處理機(jī)。這些電路包含快取、電源、時(shí)鐘電路、輸入/輸出電路與次系統(tǒng)等等。本發(fā)明的方法大致儲(chǔ)存于存儲(chǔ)器542中作為軟體常式。軟體常式也可以被第二CPU(未示出)所儲(chǔ)存及/或執(zhí)行,該第二CPU是遠(yuǎn)離為CPU540所控制的硬體的執(zhí)行。于基本蝕刻操作中，基材514被放置于托架512上，處理氣體被由氣體面板518經(jīng)由進(jìn)入端口516供給并形成氣體混合物546。通過(guò)自雙RF電源104供給功率給基材支撐托架512,氣體混合物546在室502中被激勵(lì)成為等離子體548。為電源104所產(chǎn)生的兩頻率大致被選擇于高頻范圍中，以提升等離子體激勵(lì)及離子解離。為電源104所產(chǎn)生的兩頻率進(jìn)一步被分隔開一預(yù)定間隔，該間隔等于用于調(diào)制等離子體鞘層的一特定低頻。典型地，使用一節(jié)流閥550及真空泵520加以控制。壁534的溫度使用含液體導(dǎo)管(未示出)加以控制，導(dǎo)管流穿過(guò)壁534。其他形式的蝕刻室也可以用以實(shí)施本發(fā)明，包含具有遠(yuǎn)端等離子體源的室、微波等離子體室、電子回旋共振(electroncyclotronresonance,ECR)等離子體蝕刻機(jī)等等。此技術(shù)同樣地也不限定于蝕刻，可以適應(yīng)至其他等離子體協(xié)助制程，包含沉積、退火、氮化、布植等等。例如，圖6描繪適用于本發(fā)明的蝕刻反應(yīng)器600的另一例示實(shí)施例的示意圖。于一實(shí)施例中，反應(yīng)器600包含一處理室602與一控制器636，處理室602在導(dǎo)體(壁)634內(nèi)具有基材支撐托架612?？刂破?36是類似于上述參考圖5所述的控制器536。支撐托架612是經(jīng)由一匹配電路106連接至雙頻率RF電源104。(電源104與匹配電路106是參考圖1加以描述。)室602更包含一介電頂板610,其上，安置至少一感應(yīng)線圈638(兩線圈638是被描繪于圖6的實(shí)施例中)。感應(yīng)線圈638是經(jīng)由第二匹配元件660被連接至一第二電源662。電源662大致為一單一RF產(chǎn)生器，其能在范圍由約50KHz至約13.56MHz的可調(diào)頻率下，產(chǎn)生多達(dá)3000瓦。給定用于電源662的頻率范圍是一般用于處理室的范圍，該處理室具有電感耦合的頂電源。其他范圍也是適當(dāng)并可以在其他類型的處理室中與本發(fā)明一起使用。例如，在具有電容耦合頂電源的室中，電源大致產(chǎn)生具有頻率高達(dá)200MHz的信號(hào)?；蛘撸⒉娫纯梢援a(chǎn)生高達(dá)5GHz的頻率。于基本蝕刻操作中，基材614被放置在托架612上及處理氣體被由氣體面板618經(jīng)過(guò)進(jìn)入端口616供給并形成氣體混合物646。通過(guò)施加來(lái)自源662的功率至感應(yīng)線圈638與通過(guò)施加來(lái)自雙RF電源104的功率至基材支撐托架612，在室602中的氣體混合物646被激勵(lì)成為等離子體648。為電源104所產(chǎn)生的兩頻率大致被選擇于高頻范圍，以提升等離子體激勵(lì)及離子解離。然而，功率可能不夠高，而不能完成此功能，及電源104可被用以偏壓基材614。為電源104所產(chǎn)生的兩頻率進(jìn)一步被分隔開一預(yù)定間隔，該預(yù)定間隔等于用以調(diào)制等離子體鞘層的特定低頻。雙頻率RF電源104的利用配合上電源662提供更多處理控制變數(shù)，以控制半導(dǎo)體基材614在室602中的處理。典型地，室壁634是連接至電氣接地652。在室602內(nèi)部的壓力是使用節(jié)流閥650及真空泵620加以控制。壁634的溫度是使用含液體導(dǎo)管(未示出)加以控制，導(dǎo)管穿過(guò)該壁634。雖然前述是有關(guān)于本發(fā)明的例示實(shí)施例，但本發(fā)明的其他實(shí)施例也可以在不脫離本申請(qǐng)的基本范圍下加以想出。權(quán)利要求1.一種用以控制在一等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體基材處理室中的一等離子體的方法，該方法至少包含步驟供給第一頻率的第一RF信號(hào)給處理室內(nèi)的第一電極，該第一頻率被選擇以使得等離子體鞘層振蕩于該第一頻率；由電源供給第二頻率的第二RF信號(hào)給第一電極，該第二頻率被選擇以使得等離子體鞘層振蕩于該第二頻率，其中第二頻率與第一頻率差別有一等于想要頻率的差值，該想要頻率是被選擇使得等離子體鞘層振蕩于想要頻率。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的想要頻率的倒數(shù)是少于一離子被由等離子體體加速時(shí)，橫過(guò)等離子體鞘層所花用的時(shí)間。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一與第二頻率是被選擇以使得一反應(yīng)遠(yuǎn)快于一離子被由等離子體體加速橫過(guò)等離子體鞘層的橫過(guò)時(shí)間。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中上述的想要頻率是被選擇，以控制等離子體的離子能量分布函數(shù)。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一與第二RF信號(hào)是經(jīng)由一共同匹配電路耦合至處理室，該匹配電路具有單一輸出至該處理室中的電極。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一與第二RF信號(hào)具有約13.56MHz的平均頻率。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中上述的頻率差值范圍由約100KHz至約1MHz。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一與第二RF信號(hào)具有約60MHz的平均頻率。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中上述的頻率差值范圍由約1MHz至約2MHz。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的頻率差值范圍由約100KHz至約2MHz。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一頻率是約13.56MHz及第二頻率是約13.86MHz。12.如權(quán)利要求1所述的方法，更包含步驟將一第三RF信號(hào)耦合至一氣體，以形成等離子體。13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一電極是安置于一基材支撐托架內(nèi)。14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一與第二頻率為一單一RF電源所供給，該單一RF電源能提供兩分開的頻率。15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的第一與第二頻率是以足以形成等離子體的頻率與功率位準(zhǔn)被供給。16.—種用以控制一等離子體加強(qiáng)半導(dǎo)體基材處理室內(nèi)的一等離子體的方法，該方法至少包含步驟分別供給于第一與第二頻率的第一與第二RF信號(hào)給在該處理室內(nèi)的第一電極，該第一與第二頻率是被選擇以使得一反應(yīng)遠(yuǎn)快于一離子被由等離子體體所加速而橫過(guò)等離子體鞘層的橫過(guò)時(shí)間；及控制第一與第二頻率間的頻率差值等于一想要頻率，該想要頻率是被選擇以控制在等離子體內(nèi)的一離子能量分布。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的想要頻率的倒數(shù)是小于一離子被由等離子體體加速橫過(guò)等離子體鞘層所花用的時(shí)間。18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的第一與第二頻率在等離子體內(nèi)產(chǎn)生單能離子能量分布。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中上述的增加頻率差值加寬在等離子體內(nèi)的離子能量分布。20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的第一與第二頻率是以足以形成等離子體的頻率與功率位準(zhǔn)被供給。全文摘要本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N用以控制一半導(dǎo)體基材處理室內(nèi)的一等離子體的方法。該方法包含施加第一頻率的第一RF信號(hào)給在處理室內(nèi)的第一電極，該第一頻率是被選擇以使得等離子體鞘層振蕩第一頻率；及由電源施加第二頻率的第二RF信號(hào)給第一電極，該第二頻率是被選擇以使得等離子體鞘層振蕩第二頻率，其中第二頻率是與第一頻率差別有一等于想要頻率的差值，該想要頻率被選擇以使得等離子體鞘層振蕩于該想要頻率。文檔編號(hào)H01L21/205GK101147237SQ200680009460公開日2008年3月19日申請(qǐng)日期2006年5月4日優(yōu)先權(quán)日2005年5月9日發(fā)明者A·佩特森,D·格里馬德,D·霍夫曼,J·霍蘭,S·香農(nóng),T·帕納古普洛斯申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司