專利名稱：：安裝體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及安裝體及其制造方法，特別是涉及半導(dǎo)體元件安裝在安裝基板上的安裝體及其制造方法。
背景技術(shù)：
：隨著近年的電子設(shè)備的小型化、高功能化，推進(jìn)構(gòu)成電子設(shè)備的半導(dǎo)體元件的多針腳化及各種部件的小型化，搭載它們的印制基板的布線數(shù)量和密度飛快地增加。特別是，從半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片)引出的引腳數(shù)、端子數(shù)快速增加，從而印制基板(布線基板)的微細(xì)化發(fā)展，其結(jié)果，微細(xì)節(jié)距連接技術(shù)變得重要。若對(duì)微細(xì)節(jié)距連接技術(shù)大致進(jìn)行區(qū)分，有引線接合(WB)法、倒裝片接合法(FC)法、帶式自動(dòng)接合(tapeautomatedbonding,TAB)法，以下簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明。在引線接合(WB)法中，主要使用金線(直徑2025um)，連接半導(dǎo)體芯片的電極和引腳框的電極，賦予熱和超聲波，通過(guò)固相擴(kuò)散進(jìn)行金線和兩者的電極的連接。WB法例如在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)。在倒裝片接合(FC)法中，在半導(dǎo)體芯片上形成凸塊(突起電極)，將該凸塊連接在布線基板的電極上。其特征是形成半導(dǎo)體芯片的電極形成面和布線基板的電極形成面相對(duì)置的形態(tài)。FC法例如在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)。在TAB法中，將半導(dǎo)體芯片暫時(shí)連接在帶引腳布線的長(zhǎng)形帶上，然后，在帶引腳芯片的狀態(tài)下從帶上脫離，將其引腳連接在基板上。在TAB法中，基本上是以巻到巻的方式自動(dòng)地進(jìn)行該工藝。TAB法例如在專利文獻(xiàn)3中公開(kāi)。專利文獻(xiàn)1:(日本)特開(kāi)平4—286134號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:(日本)特開(kāi)2000—36504號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:(日本)特開(kāi)平8—88245號(hào)公報(bào)參照?qǐng)D21A及21B說(shuō)明專利文獻(xiàn)1公開(kāi)的WB法。并且，圖21A是表示引線接合狀態(tài)的俯視圖，圖21B是沿著圖21A中的I-1線的截面圖。在WB法中，將半導(dǎo)體芯片501管芯接合(粘片)在引腳框504的一部分(管芯焊盤(pán))上之后，通過(guò)利用接合線503而將半導(dǎo)體芯片501的引線接合焊盤(pán)502和引腳框504的外部端子505(內(nèi)引腳部)進(jìn)行引線接合來(lái)執(zhí)行。然后，包含半導(dǎo)體芯片501及外部端子505的內(nèi)引腳部的區(qū)域通過(guò)密封樹(shù)脂506進(jìn)行樹(shù)脂密封，例如，制作如圖22所示那樣的樹(shù)脂密封體(半導(dǎo)體模塊)500。從密封樹(shù)脂506露出的外部端子505連接在布線基板(未圖示)上，由此，半導(dǎo)體芯片501和布線基板被電連接。但是，WB法中存在如下的問(wèn)題。首先，有半導(dǎo)體元件部件(這里是包含半導(dǎo)體芯片501的模塊500)的安裝面積增大的問(wèn)題。即，在WB法中，不是將半導(dǎo)體芯片501直接安裝在布線基板上，而是通過(guò)接合線503在引腳框504的外部端子505上連接半導(dǎo)體芯片501，因此，不管半導(dǎo)體模塊500的尺寸(元件尺寸或部件尺寸)怎樣，都比半導(dǎo)體芯片501大，因此，半導(dǎo)體模塊500的安裝面積增大。并且，將半導(dǎo)體芯片501的引線接合焊盤(pán)502和引線框504的外部端子505—個(gè)一個(gè)用接合線503連接，存在端子數(shù)量越多，越費(fèi)作業(yè)工夫的問(wèn)題。而且，根據(jù)排列在引腳框504上的外部端子505的節(jié)距，規(guī)定半導(dǎo)體元件500的節(jié)距，因此限制節(jié)距變窄。接著，參照?qǐng)D23說(shuō)明專利文獻(xiàn)2所示的FC法。圖23示出了利用FC法安裝的半導(dǎo)體器件600的截面結(jié)構(gòu)。FC法是在設(shè)置于基板601的布線圖案602上隔著凸塊603連接半導(dǎo)體芯片605的電極604的方法。若詳細(xì)描述，在設(shè)置于基板601的規(guī)定的布線圖案602上，隔著凸塊603連接具備形成有晶體管等的靈敏區(qū)606的半導(dǎo)體芯片605的電極604，從而安裝成在基板601和半導(dǎo)體芯片605之間具有間隙。然后，在基板601和半導(dǎo)體芯片605之間的間隙以埋設(shè)布線圖案602、凸塊603、電極604的方式充入樹(shù)脂進(jìn)行樹(shù)脂密封，從而形成密封樹(shù)脂607。這樣，構(gòu)成利用FC法形成的半導(dǎo)體器件600。但是，F(xiàn)C法存在如下的問(wèn)題。首先，有半導(dǎo)體芯片605的位置對(duì)準(zhǔn)困難的問(wèn)題。這是因?yàn)?，在FC法中，使半導(dǎo)體芯片605的電極形成面朝向下方，將半導(dǎo)體芯片605安裝在基板601上，不能從外面直接看到半導(dǎo)體芯片605的凸塊603，因此，位置對(duì)準(zhǔn)變得非常嚴(yán)格。進(jìn)而，F(xiàn)C法中的半導(dǎo)體芯片605的電極604的節(jié)距比WB法中的外部端子505的節(jié)距狹窄，這種情況也成為位置對(duì)準(zhǔn)變得困難的主要原因之一。并且，存在基板601容易變得高價(jià)格的問(wèn)題。其原因是需要形成有與半導(dǎo)體芯片605的電極604的節(jié)距對(duì)應(yīng)的精細(xì)圖案的布線圖案602的基板601，除此之外，半導(dǎo)體芯片605的電極604排列成分區(qū)陣列式的情況下，基板601容易形成多層。并且，在FC法中，由于是半導(dǎo)體芯片605和基板601通過(guò)凸塊603連接的結(jié)構(gòu)，若不盡力使半導(dǎo)體芯片605和基板601的線膨脹系數(shù)一致，則會(huì)對(duì)凸塊603等施加應(yīng)力。因此，需要使兩者的線膨脹系數(shù)一致，并且，該線膨脹系數(shù)的匹配變得嚴(yán)格，從這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，也會(huì)提高基板601的成本。并且，半導(dǎo)體芯片605通過(guò)凸塊603與基板601連接，因此，散熱性惡化。S卩，半導(dǎo)體芯片605不是通過(guò)如WB法時(shí)那樣的面配置在基板601上，而是通過(guò)點(diǎn)配置在基板601上，因此，散熱性差。因此，需要最初不得不形成凸塊603的工夫。接著，參照?qǐng)D24及圖25說(shuō)明專利文獻(xiàn)3所示的TAB法。圖24表示利用TAB法的半導(dǎo)體器件700的截面結(jié)構(gòu)，圖25表示將該半導(dǎo)體器件700安裝在安裝基板709上的結(jié)構(gòu)。圖24所示的半導(dǎo)體器件700包括薄膜載帶的基膜702和配置在基膜702上開(kāi)孔的器件孔702b中的半導(dǎo)體IC芯片701。在基膜702上形成有銅箔布線703,并且，半導(dǎo)體IC芯片701的電極701a與設(shè)置在銅箔布線703的內(nèi)側(cè)前端部的內(nèi)引腳703a連接。銅箔布線703中的內(nèi)引腳703a的外側(cè)部分設(shè)有外部連接用焊接區(qū)703b，在焊接區(qū)703b上形成有釬料凸塊706。在基膜702上開(kāi)設(shè)有器件孔702a，在焊接區(qū)703b的中央部設(shè)有通孔703c。在除了焊接區(qū)703b以外的薄膜載帶上形成有涂覆阻焊層704，在器件孔702b中形成有保護(hù)半導(dǎo)體IC芯片701的密封樹(shù)脂705。在該半導(dǎo)體器件700中，釬料凸塊706具有外引腳的作用，如圖25所示，釬料凸塊706連接在安裝基板709上的焊盤(pán)709a上，通過(guò)成批回流焊方式，由TAB法得到的半導(dǎo)體器件700安裝在安裝基板709上。但是，TAB法中存在如下的問(wèn)題。首先，內(nèi)引腳接合(ILB)工序和外引腳接合(OLB)工序是不同的工序，所以，執(zhí)行TAB法需要人工。即，在圖24所示的例子中，在半導(dǎo)體IC芯片701的電極701a上連接內(nèi)引腳703a的工序和在焊接區(qū)703b上形成半導(dǎo)體凸塊706的工序是不同類型的工序，很復(fù)雜。并且，需要用密封樹(shù)脂705密封配置在器件孔702b中的半導(dǎo)體IC芯片701，這也需要人工。進(jìn)而，使用面積大于半導(dǎo)體IC芯片701的基膜702，所以有擴(kuò)大安裝面積那樣的其它方面的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述各點(diǎn)而做出的，提供一種使用了不同于引線接合(WB)法、倒裝片接合(FC)法、帶式自動(dòng)接合(TAB)法的新的微細(xì)節(jié)距連接技術(shù)的安裝體及其制造方法。本發(fā)明的安裝體包括半導(dǎo)體元件和安裝基板，該半導(dǎo)體元件具備形成有元件電極的表面和與上述表面相對(duì)的背面，該安裝基板形成有具備電極端子的布線圖案；其特征在于，上述半導(dǎo)體元件的背面與上述安裝基板相接；上述半導(dǎo)體元件的上述元件電極和形成在上述安裝基板上的上述布線圖案的上述電極端子，通過(guò)釬料粒子聚合而成形為橋形狀的釬料接合體電連接。本發(fā)明的安裝體的制造方法，其特征在于，包括工序(a)，將半導(dǎo)體元件的背面配置在安裝基板上，其中，該半導(dǎo)體元件具備形成有元件電極的表面和與上述表面相對(duì)的上述背面，該安裝基板形成有具備電極端子的布線圖案；工序(b)，將樹(shù)脂中含有釬料粉和該樹(shù)脂被加熱時(shí)沸騰的對(duì)流添加劑的釬料樹(shù)脂膏，提供給包含上述元件電極及上述電極端子的區(qū)域；工序(c)，在具有形成電極圖案的第一面和與上述第一面相對(duì)的第二面的基板中，使上述基板的第一面夾著上述釬料樹(shù)脂膏與上述半導(dǎo)體元件的上述表面及上述安裝基板對(duì)置，以便上述基板的上述電極圖案覆蓋上述元件電極及上述電極端子；以及工序(d)，通過(guò)加熱上述釬料樹(shù)脂膏，使上述對(duì)流添加劑沸騰，從而在上述樹(shù)脂中產(chǎn)生對(duì)流，使上述釬料樹(shù)脂膏中的上述釬料粉自聚合，形成至少連結(jié)上述元件電極和上述電極圖案之間、及上述電極端子和電極圖案之間的釬料部件。圖1是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的安裝體的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的安裝體結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3A圖3E是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的安裝體的制造方法的工序截面圖。圖4是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式2涉及的安裝體的截面圖。圖5是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式3涉及的安裝體的截面圖。圖6A是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式3涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖，圖6B是該電極圖案的平面結(jié)構(gòu)圖，圖6C是該電極圖案42的平面結(jié)構(gòu)圖。圖7是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式4涉及的安裝體的截面圖。圖8是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式5涉及的安裝體的截面圖。圖9是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式5涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖。圖10是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式5涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖。圖11是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式5涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖。圖12是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的安裝體的截面圖。圖13是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖。圖14是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖。圖15A圖15E是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的安裝體的制造方法的工序截面圖。圖16是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖。圖17是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的安裝體的應(yīng)用例的截面圖。圖18是示意地表示本發(fā)明實(shí)施方式6涉及的安裝體的應(yīng)用例的平面圖。圖19是用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式7涉及的安裝體的釬料接合體的自聚合形成狀態(tài)的截面的顯微鏡照片。圖20是用于說(shuō)明圖19所示的釬料接合體的自聚合形成狀態(tài)的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖21A是表示現(xiàn)有的引線接合(WB)狀態(tài)的俯視圖、圖21B是沿圖21A中的I-I線的截面圖。圖22是現(xiàn)有的樹(shù)脂密封體(半導(dǎo)體模塊)的截面圖。圖23是利用現(xiàn)有的倒裝片接合(FC)法安裝的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖24是利用了現(xiàn)有的帶式自動(dòng)接合(TAB)法的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖25是將現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件安裝在安裝基板上的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖26A-C是說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例中的釬料接合體的形成機(jī)理的截面圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明的安裝體的半導(dǎo)體元件的元件電極和形成在安裝基板上的布線圖案的電極端子通過(guò)釬料粒子聚合成形為橋狀的釬料接合體電連接。成形為該橋狀的釬料接合體通過(guò)加熱包含釬料粒子、樹(shù)脂和對(duì)流添加劑的釬料樹(shù)脂膏，使對(duì)流添加劑沸騰，從而在樹(shù)脂中產(chǎn)生對(duì)流，使釬料粒子聚合，通過(guò)將元件電極和電極端子之間連接成橋狀而形成。艮P，通過(guò)加熱，膏中的對(duì)流添加劑產(chǎn)生沸騰，隨著該沸騰，釬料粒子聚合(以下稱為"自聚合")，在電極間形成橋狀的釬料接合體。這時(shí)，若釬料粒子也已熔融，則釬料粒子自聚合在浸潤(rùn)性高的元件電極和電極端子上，可形成釬料接合體。在本發(fā)明中，還包括形成了電極圖案的對(duì)置基板，優(yōu)選電極圖案夾著釬料接合體配置在半導(dǎo)體元件上。優(yōu)選對(duì)置基板是透光性基板。這是因?yàn)?，能夠在觀察釬料接合體的接合狀態(tài)的同時(shí)形成。此外，對(duì)置基板可以是撓性基板。并且，還可以在對(duì)置基板的相反面也形成有電極圖案。并且，還可以在上述對(duì)置基板的相反面上形成有屏蔽層。此外，在安裝基板的一部分形成有凹部，半導(dǎo)體元件的背面與凹部的底面相接。此外，安裝基板的上表面和半導(dǎo)體元件的上述表面最好是位于大致相同面上。并且，上述半導(dǎo)體元件最好是厚度10um以上100ym以下的薄型半導(dǎo)體芯片。這樣，可以減小整體的厚度。并且，釬料接合體最好是埋設(shè)在樹(shù)脂中。上述樹(shù)脂由在包含于上述釬料樹(shù)脂膏中的樹(shù)脂中減少釬料成分的樹(shù)脂構(gòu)成。該樹(shù)脂最好也是透光性樹(shù)脂。這是因?yàn)椋梢砸贿呌^察釬料接合體的接合狀態(tài)，一邊形成。接著，在本發(fā)明方法中，可以在形成連結(jié)成橋狀的釬料接合體之后，再除去對(duì)置基板。由此，可以通過(guò)電極圖案進(jìn)行電檢測(cè)。并且，最好在元件電極、電極端子、或電極圖案的表面預(yù)先實(shí)施提高釬料浸潤(rùn)性的涂覆處理。這樣，容易形成釬料接合體。所謂提高釬料浸潤(rùn)性的涂覆處理是指例如形成厚度為0.0530nm的釬料鍍層、鍍金層等的處理。此外，釬料接合體可以具有沿著電極圖案延伸的部位。釬料樹(shù)脂膏由樹(shù)脂、釬料粒子、及上述樹(shù)脂被加熱時(shí)沸騰的對(duì)流添加劑構(gòu)成，作為樹(shù)脂使用熱硬化性樹(shù)脂(例如環(huán)氧樹(shù)脂)，作為釬料粒子使用無(wú)Pb釬料粒子。作為對(duì)流添加劑可以使用溶劑(例如有機(jī)溶劑)，若舉出一例，可以使用異丙醇(沸點(diǎn)82.4'C)、醋酸丁酯(沸點(diǎn)125126°C)、丁基卡必醇(沸點(diǎn)201.9。C)、乙二醇(沸點(diǎn)197.6。C)等。對(duì)流添加劑在樹(shù)脂中的含量沒(méi)有特別限制，但最好是以0.120重量％的比例包含在樹(shù)脂中。此外，對(duì)流添加劑的"對(duì)流"是指作為運(yùn)動(dòng)方式的對(duì)流，通過(guò)使沸騰的對(duì)流添加劑在釬料樹(shù)脂膏中運(yùn)動(dòng)，從而只要是對(duì)分散在樹(shù)脂中的金屬粒子(釬料粒子)賦予運(yùn)動(dòng)能量、提供促進(jìn)金屬粒子的移動(dòng)的作用的運(yùn)動(dòng)，是哪種方式都沒(méi)有關(guān)系。并且，對(duì)流添加劑除了其本身沸騰產(chǎn)生對(duì)流之外，還可以使用通過(guò)樹(shù)脂的加熱而產(chǎn)生氣體(H20、C02、&等氣體)的對(duì)流添加劑，作為這樣的例子可以舉出包含結(jié)晶水的化合物、通過(guò)加熱分解的化合物、或發(fā)泡劑。釬料粒子可以選擇任一種來(lái)使用。例如，可以舉出下面的表l所示的粒子。作為一個(gè)例子舉出的表l所示的材料可以單獨(dú)使用，也可以適當(dāng)組合來(lái)使用。此外，若使用釬料粒子的融點(diǎn)低于熱硬化性樹(shù)脂的硬化溫度的材料，則使樹(shù)脂流動(dòng)進(jìn)行自聚合之后，再加熱樹(shù)脂使其硬化，進(jìn)行電連接和樹(shù)脂的密封這一點(diǎn)較好。(表l)<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>釬料粒子的較好的融點(diǎn)是100300°C，更好是如表1所示那樣為139240°C。融點(diǎn)低于100。C時(shí)，有耐久性產(chǎn)生問(wèn)題的傾向。若融點(diǎn)超過(guò)30(TC，樹(shù)脂的選擇變得困難。釬料粒子的較好的平均粒子直徑是l30iam的范圍，更好是520iim的范圍。平均粒子直徑小于lum時(shí)，由于釬料粒子的表面氧化，熔融變得困難，并且，具有過(guò)多地將時(shí)間花費(fèi)在形成電連接體的傾向。若平均粒子直徑超過(guò)30um時(shí)，由于沉降，難以得到電連接體。并且，平均粒子直徑可以用市售的粒度分布儀來(lái)測(cè)量。例如，可以使用堀場(chǎng)制作所激光衍射粒度測(cè)量?jī)x(LA920)、島津制作所激光衍射粒度測(cè)量?jī)x(SALD2100)等進(jìn)行測(cè)量。接著，對(duì)樹(shù)脂進(jìn)行說(shuō)明。作為樹(shù)脂的代表性的例子，可以使用環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯、呋喃樹(shù)脂、三聚氰酰胺樹(shù)脂等熱硬化性樹(shù)脂，聚酯彈性體、含氟樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、芳香族聚酰胺樹(shù)脂等熱塑性樹(shù)脂、或光(紫外線)硬化樹(shù)脂等，或者使用組合它們的材料。釬料粒子和樹(shù)脂的配合比例，按重量比最好是導(dǎo)電粒子樹(shù)脂=7030:3070的范圍，更好是釬料粒子樹(shù)脂=6040:4060。釬料粒子和樹(shù)脂最好是均勻混合之后使用。例如，釬料粒子5(B重量比、環(huán)氧樹(shù)脂50%重量比，利用混合器形成均勻的混合狀態(tài)，對(duì)其添加對(duì)流添加劑，在仍保持釬料粒子的分散狀態(tài)的情況下形成膏狀。并且，在本發(fā)明的優(yōu)選例子中，作為釬料粒子例如可以使用無(wú)鉛且融點(diǎn)200230'C的釬料合金粒子。并且，樹(shù)脂是熱硬化性樹(shù)脂的情況下，最好是樹(shù)脂的硬化溫度比釬料的融點(diǎn)高。這樣，可以形成電連接體，在形成金屬凸塊的工序中硬化樹(shù)脂，可以縮短作業(yè)工序。并且，在形成釬料接合體之后，清洗未硬化狀態(tài)的釬料樹(shù)脂膏，填充其它樹(shù)脂(也可以是相同種類的樹(shù)脂)進(jìn)行硬化。該情況下，作為包含在用于形成釬料接合體的釬料樹(shù)脂膏中的樹(shù)脂，不需要使用熱硬化性或光硬化性的樹(shù)脂。并且，從后面填充的樹(shù)脂是熱硬化性樹(shù)脂的情況下，最好是樹(shù)脂的硬化溫度比釬料的融點(diǎn)低。這是因?yàn)殁F料接合體在樹(shù)脂硬化時(shí)不再變形的緣故。根據(jù)本發(fā)明，半導(dǎo)體元件的元件電極和安裝基板的電極端子通過(guò)自聚合形成的釬料接合體電連接，因此，可以提供不同于引線接合(WB)法、倒裝片接合(FC)法、帶式自動(dòng)接合(TAB)法的新的微細(xì)節(jié)距連接技術(shù)。接著，利用附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的形成釬料接合體的機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖26A所示，在形成有多個(gè)連接端子211的電路基板210上供給包含金屬粒子(例如釬料粉)212及對(duì)流添加劑213和樹(shù)脂214的釬料樹(shù)脂膏215。對(duì)流添加劑213是釬料樹(shù)脂膏215被加熱時(shí)沸騰而產(chǎn)生對(duì)流的添加劑。接著，如圖26B所示，在釬料樹(shù)脂膏215的表面抵接具有多個(gè)電極端子221的半導(dǎo)體芯片220。這時(shí)，半導(dǎo)體芯片220的電極端子221配置成與電路基板210的連接端子211對(duì)置。并且，在該狀態(tài)下加熱釬料樹(shù)脂膏215。在此，釬料樹(shù)脂膏215的加熱溫度設(shè)為比金屬粒子212的融點(diǎn)及對(duì)流添加劑213的沸點(diǎn)高的溫度。通過(guò)加熱而熔融的金屬粒子212在釬料樹(shù)脂膏215中相互結(jié)合，如圖26C所示，在浸潤(rùn)性高的連接端子211和電極端子221之間進(jìn)行自聚合。由此，形成將半導(dǎo)體芯片220的電極端子221和電路基板210的連接端子211之間進(jìn)行電連接的釬料接合體222。然后，使樹(shù)脂214硬化或固化，在電路基板210上固定半導(dǎo)體芯片220。該技術(shù)的特征在于，在加熱了釬料樹(shù)脂膏215時(shí)，對(duì)流添加劑213沸騰，通過(guò)沸騰的對(duì)流添加劑213在釬料樹(shù)脂膏215中產(chǎn)生對(duì)流，促進(jìn)分散在釬料樹(shù)脂膏215中的金屬粒子212的移動(dòng)。由此，均勻地進(jìn)行金屬粒子212的結(jié)合，自聚合地形成釬料接合體(釬料凸塊)222。在此，釬料樹(shù)脂膏215中的樹(shù)脂214進(jìn)一步考慮了金屬粒子能夠自由地浮游、移動(dòng)的"海"的作用，但是金屬粒子212彼此的結(jié)合過(guò)程在極短的時(shí)間內(nèi)結(jié)束，因此無(wú)論設(shè)置多少金屬粒子212可自由移動(dòng)的"海"，也只能進(jìn)行局部的結(jié)合，所以成為該"海"的樹(shù)脂214和對(duì)流添加劑212的對(duì)流促進(jìn)是重要的。通過(guò)該樹(shù)脂214和對(duì)流添加劑212的組合，自聚合地形成釬料凸塊222。并且，釬料凸塊222在自聚合地形成的同時(shí)，作為釬料凸塊的性質(zhì)自聚合地形成。本發(fā)明者們得到上述那樣的設(shè)想，進(jìn)一步進(jìn)行應(yīng)用展開(kāi)，完成了本發(fā)明。以下，參照本發(fā)明實(shí)施方式。在以下的附圖中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，對(duì)于實(shí)質(zhì)上具有相同功能的構(gòu)成要素用相同的參照符號(hào)表示。并且，本發(fā)明不限于以下的實(shí)施方式。(實(shí)施方式l)首先，參照?qǐng)D1說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式涉及的安裝體。圖1示意地表示本實(shí)施方式的安裝體100的截面結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式的安裝體100由具有元件電極12的半導(dǎo)體元件10和形成有具備電極端子32的布線圖案35的安裝基板30構(gòu)成。半導(dǎo)體元件10具備形成有元件電極12的表面10a和與表面10a相對(duì)的背面10b，半導(dǎo)體元件10的背面10b與安裝基板30相接。并且，半導(dǎo)體元件10的元件電極12和布線圖案35的電極端子32通過(guò)自聚合形成的釬料接合體20電連接。這里，自聚合地形成的釬料接合體20不是預(yù)先制作圖1所示的釬料制的部件并將其配置在元件電極12、電極端子32上，而是經(jīng)過(guò)規(guī)定的工藝，在元件電極12及電極端子32上生長(zhǎng)形成的。其工藝的內(nèi)容后面敘述。在本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，具有形成了電極圖案42的基板40，基板40夾著樹(shù)脂25配置在半導(dǎo)體元件10上，以便使形成有電極圖案42的面40a與半導(dǎo)體元件10的表面10a相對(duì)置。并且，釬料接合體20與基板40的電極圖案42相接的同時(shí)形成在樹(shù)脂25中?；?0優(yōu)選為透光性基板，例如可以使用玻璃基板、透光性樹(shù)脂基板。在本實(shí)施方式中使用玻璃基板。圖1所示的安裝基板30是硬性基板(典型的印制基板)，在安裝基板30的一部分形成有凹部37。并且，半導(dǎo)體元件10的背面10b與凹部37的底面相接。在該例子中，安裝基板30的上表面30a和半導(dǎo)體元件10的表面10a位于大致相同面(作為一例土50um)上，因此，元件電極12的上表面和電極端子32的上表面也大致位于相同的高度。半導(dǎo)體元件10例如是裸片。并且，半導(dǎo)體芯片(裸片)IO的厚度例如是50500um。在圖l所示的例子中，元件電極12排列(周邊排列)在芯片表面10a的周邊區(qū)域。具有外圍排列的元件電極12的半導(dǎo)體元件10通過(guò)本實(shí)施方式的釬料接合體20連接在安裝基板30上的平面結(jié)構(gòu)例表示在圖2中。如圖1及圖2所示，半導(dǎo)體芯片10的元件電極12通過(guò)釬料接合體20與電極端子32電連接。電極端子32形成在布線圖案35的一端，最好是形成島狀。釬料接合體20從元件電極12向上方延伸，沿著基板40的電極圖案42形成，到達(dá)電極端子32。樹(shù)脂25位于釬料接合體20的周圍，鄰接的釬料接合體20通過(guò)樹(shù)脂25彼此絕緣。并且，形成橋狀。釬料接合體20自聚合形成的同時(shí)，對(duì)元件電極12及電極端子32自聚合地形成。因此，元件電極12及電極端子32與釬料接合體20之間的位置偏移實(shí)質(zhì)上不存在，自動(dòng)地對(duì)應(yīng)于元件電極12及電極端子32的圖案形成釬料接合體20.并且，釬料接合體20在元件電極12和電極端子32之間接合成橋狀。在本實(shí)施方式中，構(gòu)成釬料接合體20的金屬(釬料)是低融點(diǎn)金屬，例如，使用Sn—Ag類釬料(還包括添加了Cu等的釬料)。并且，不限于Sn—Ag類釬料(還包括添加了Cu等的釬料)，只要是融點(diǎn)在10030(TC的范圍的低融點(diǎn)金屬，就可以利用。例如，作為其它釬料粒子，可以使用Sn—Zn類、Sn—Bi類釬料等無(wú)Pb釬料、Pb—Sn共晶釬料、或Cu—Ag合金等低融點(diǎn)金屬等。在本實(shí)施方式中，使用了材料為Sn—Ag—Cu、平均粒子直徑為20iim的釬料粒子。此外，作為樹(shù)脂25使用了環(huán)氧樹(shù)脂等熱硬化性樹(shù)脂。在本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，樹(shù)脂25優(yōu)選使用透光性的樹(shù)脂(例如環(huán)氧樹(shù)脂)。樹(shù)脂25的厚度(即，從芯片表面10a到基板40的下表面40a的距離)例如是500nm以下，更好是lOum以上100ixm以下。樹(shù)脂25至少覆蓋釬料接合體20的周圍、元件電極12的周圍、及電極圖案42的周圍。形成在安裝基板30上的布線圖案35及形成在基板40上的電極圖案42例如由銅構(gòu)成，其厚度例如是5um35ym。本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的連接方法是不同于上述的引線接合法、倒裝片接合法、TAB法的新的連接方法，如下所述，具有各種特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)。首先，根據(jù)本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)雽?dǎo)體元件10的背面配置在基板30上，與WB法同樣地利用管芯接合，可以將半導(dǎo)體元件10設(shè)置在安裝基板30的凹部37內(nèi)。并且，半導(dǎo)體元件10的背面10b與安裝基板30接觸，可以使散熱性變得優(yōu)良。而且，通過(guò)沿著基板40的電極圖案42形成的釬料接合體20，可以將半導(dǎo)體元件10和基板30電連接。g卩，能夠通過(guò)釬料接合體20將元件電極12和電極端子32成批電連接。換言之，不需要像WB法那樣一個(gè)一個(gè)連線。因此，與WB法相比，可以減輕作業(yè)的人工。并且，該釬料接合體20的電連接可以自聚合地進(jìn)行，如果將條件設(shè)定得準(zhǔn)確，與WB法相比可以非常簡(jiǎn)便地進(jìn)行，并且設(shè)備投資較少就能完成。并且，釬料接合體20自聚合地形成，所以可以避免伴隨電連接的高精度的對(duì)準(zhǔn)調(diào)節(jié)或基于公差的位置偏移的問(wèn)題，因此，技術(shù)意義重大。除此之外，可以通過(guò)電極圖案42及電極端子32規(guī)定節(jié)距，與WB法相比，趨向進(jìn)一步的微細(xì)節(jié)距連接。并且，如上所述，該釬料接合體20自聚合且自整合地形成，所以若是這樣的微細(xì)節(jié)距，則進(jìn)一步增大其優(yōu)點(diǎn)。并且，與WB法比較，還可以減小安裝面積。并且，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的情況下，可以通過(guò)基板40確認(rèn)半導(dǎo)體元件IO的元件電極12的位置，因此，與FC法比較，位置對(duì)準(zhǔn)容易。并且，樹(shù)脂25是透明樹(shù)脂的情況下，涂敷由透明樹(shù)脂構(gòu)成的膏之后，也可以容易地進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。同樣地，安裝基板30上的電極端子32的位置對(duì)準(zhǔn)也容易。FC法的情況下，半導(dǎo)體元件10的電極形成面10a會(huì)朝向安裝基板30的方向，因此，觀察半導(dǎo)體元件10和基板30的連接狀況進(jìn)行確認(rèn)是困難的，但是，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的情況下，不僅能夠進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)，還能夠容易地確認(rèn)連接。除此之外，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的情況下，釬料接合體20自整合地形成，從而根本上避免伴隨多個(gè)位置對(duì)準(zhǔn)產(chǎn)生的問(wèn)題。并且，精細(xì)圖案形成在基板40的電極圖案42上即可，所以與FC法相比，可以抑制安裝基板30的成本上升。并且，半導(dǎo)體元件是分區(qū)陣列型的情況下，在FC法中，伴隨在特定的區(qū)域(即，半導(dǎo)體元件面向的基板的區(qū)域)集中數(shù)量較多的端子，需要增加布線基板的層數(shù)的情況較多，但是，本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的情況下，通過(guò)基板40的電極圖案42進(jìn)行布線的繞回,與FC法的情況比較，可以減少安裝基板30的層數(shù)。所以，由此也可以抑制安裝基板30的成本上升。并且，在本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，可以通過(guò)基板40及樹(shù)脂25保護(hù)半導(dǎo)體元件10的表面，并且，保護(hù)半導(dǎo)體元件10的連接部及/或安裝基板30的連接部，因此，連接可靠性也優(yōu)良。并且，釬料接合體20也由樹(shù)脂25及基板40保護(hù)。本實(shí)施方式的安裝體100的情況下，對(duì)于半導(dǎo)體元件10的元件電極12可以使用沒(méi)有形成釬料凸塊的電極，因此，可以抑制這部分的成本上升。特別是，在多針腳、窄節(jié)距的元件電極12上形成凸塊要求高度的技術(shù)，并且，與成本上升有關(guān)，因此能夠省略該部分的優(yōu)點(diǎn)也較大。即，與FC法的情況不同，有不事先在元件電極12上形成凸塊而可以電連接半導(dǎo)體元件10和安裝基板30的優(yōu)點(diǎn)。并且，在TAB法的情況下，需要分別執(zhí)行內(nèi)引腳工序和外引腳工序，在本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)釬料接合體20的一端和另一端，能夠進(jìn)行半導(dǎo)體元件10和基板30的電連接，所以簡(jiǎn)便。進(jìn)而，與TAB法比較，還可以減小安裝面積。進(jìn)而，圖1所示的結(jié)構(gòu)100的情況下，半導(dǎo)體元件10的背面10b與形成在安裝基板30上的凹部37的底面相接，所以可以除去或減薄外觀上的半導(dǎo)體元件10的厚度，所以可以實(shí)現(xiàn)安裝體100的薄型化。并且，在該例子中，半導(dǎo)體元件10的表面10a和安裝基板30的上表面30a位于大致相同面上，所以比較容易形成釬料接合體20。但是，雖然后面敘述，半導(dǎo)體元件io的表面10a和安裝基板30的上表面30a位于不同的面，也可以自聚合且自整合地形成釬料接合體20。此外，基板40的上表面40b變得平坦，所以可以在其上安裝電子部件(例如芯片部件)。并且，可以在基板40的上表面40b上形成布線圖案，或者，也可以形成屏蔽(shield)層。屏蔽層例如可以用由導(dǎo)電材料構(gòu)成的整面層形成。并且，如上所述，基板40不限于玻璃基板，還可以使用其它基板(樹(shù)脂基板)。并且，不限于透光性基板，也可以使用除此之外的基板(例如，半導(dǎo)體基板等)。接著，參照?qǐng)D3A圖犯對(duì)本實(shí)施方式的安裝體100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3A圖3E是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的制造方法的工序截面圖。首先，如圖3A所示，將半導(dǎo)體元件(例如裸片)IO放置在安裝基板(例如硬性印制基板30)上。在該例子中，形成安裝基板30的凹部37來(lái)配置半導(dǎo)體元件10，以便半導(dǎo)體元件10的底面10b位于該凹部37的底面。在半導(dǎo)體元件10的上表面10a上形成有元件電極12。另一方面，在安裝基板30的上表面30a上形成有包含電極端子(焊接區(qū))32的布線圖案35。接著，如圖3B所示，在包含元件電極12及電極端子32的區(qū)域涂敷釬料樹(shù)脂膏21。在實(shí)施方式中，以覆蓋半導(dǎo)體元件10的電極形成面(上表面)10a的整個(gè)面和安裝基板30的一部分(包含電極端子32的部位)的方式提供釬料樹(shù)脂膏21。釬料樹(shù)脂膏21由樹(shù)脂、分散在樹(shù)脂中的釬料粒子(未圖示)、及該樹(shù)脂被加熱時(shí)沸騰的對(duì)流添加劑(未圖示)構(gòu)成。在實(shí)施方式中，作為樹(shù)脂使用熱硬化性樹(shù)脂(例如環(huán)氧樹(shù)脂)，作為釬料粒子使用無(wú)Pb釬料粒子。作為對(duì)流添加劑可以使用溶劑(例如有機(jī)溶劑)，若舉出一例，可以使用異丙醇、醋酸丁酯、丁基卡必醇、乙二醇。對(duì)流添加劑在樹(shù)脂中的含有量沒(méi)有特別限制，最好是以0.120重量％的比例包含在樹(shù)脂中。此外，對(duì)流添加劑的"對(duì)流"是指作為運(yùn)動(dòng)方式的對(duì)流，通過(guò)沸騰的對(duì)流添加劑在樹(shù)脂中運(yùn)動(dòng)，從而只要是對(duì)分散在樹(shù)脂中的金屬粒子(釬料粒子)賦予運(yùn)動(dòng)能量、提供促進(jìn)金屬粒子的移動(dòng)的作用的運(yùn)動(dòng)，是哪種方式都沒(méi)有關(guān)系。并且，對(duì)流添加劑除了其本身沸騰產(chǎn)生對(duì)流之外，還可以使用通過(guò)樹(shù)脂的加熱產(chǎn)生氣體(H20、C02、N2等氣體)的對(duì)流添加劑，作為這樣的例子可以舉出包含結(jié)晶水的化合物、通過(guò)加熱分解的化合物、或發(fā)泡劑。接著，如圖3C所示，在涂敷的釬料樹(shù)脂膏21上放置基板40?；?0最好是透光性基板，在本實(shí)施方式中使用玻璃基板作為基板40。而且，也可以使用樹(shù)脂基板或半導(dǎo)體基板。在基板40的下表面40a形成有電極圖案42，電極圖案42的一部分位于元件電極12的至少一部分的上方，而且，電極圖案42的其它部分位于電極端子32的至少一部分的上方。接著，如圖3D所示，通過(guò)加熱釬料樹(shù)脂膏21，使對(duì)流添加劑(未圖示)沸騰，在樹(shù)脂中產(chǎn)生對(duì)流27。由于對(duì)流添加劑的沸騰而從基板40和安裝基板30之間噴出蒸氣的情況較多。該加熱按照釬料粒子的融點(diǎn)以上、且產(chǎn)生對(duì)流添加劑的沸騰的溫度以上的曲線來(lái)執(zhí)行。通過(guò)由該對(duì)流添加劑產(chǎn)生的對(duì)流27，釬料樹(shù)脂膏中的釬料粒子自聚合在元件電極12、電極圖案42及電極端子32上。并且，若沒(méi)有由對(duì)流添加劑產(chǎn)生的對(duì)流27(沸騰)，就不能實(shí)現(xiàn)促進(jìn)釬料粒子的生長(zhǎng)，成為殘留釬料粒子的凝聚塊(球)的狀態(tài)。若進(jìn)行釬料粒子的自聚合，如圖3E所示，形成連結(jié)元件電極12和電極圖案42之間、以及電極端子32和電極圖案42之間的釬料接合體20。在實(shí)施方式中，釬料接合體20具有沿著電極圖案42延伸的部位，而且，元件電極12和電極端子32通過(guò)釬料接合體20直接連接。從圖3D到3E中的釬料接合體20的形成時(shí)間隨著條件不同，但是，例如是5秒30秒程度(優(yōu)選例中是大致5秒)。并且，在形成釬料接合體20時(shí)，可以導(dǎo)入事先加熱釬料樹(shù)脂膏21的預(yù)熱工序。釬料接合體20是釬料樹(shù)脂膏21中的釬料粒子自聚合而形成的，所以形成釬料接合體20之后，在構(gòu)成釬料樹(shù)脂膏21的樹(shù)脂中，實(shí)質(zhì)上不包含導(dǎo)電粒子，鄰接的釬料接合體20之間通過(guò)樹(shù)脂25絕緣。并且，在形成釬料接合體20之后，清洗未硬化狀態(tài)的釬料樹(shù)脂膏21，填充其它樹(shù)脂(也可以是相同種類的樹(shù)脂)，進(jìn)行硬化。這時(shí)，作為用于形成釬料接合體20的釬料樹(shù)脂膏21中包含的樹(shù)脂不需要一定使用熱硬化性或光硬化性樹(shù)脂。此外，從后面填充的樹(shù)脂是熱硬化性樹(shù)脂的情況下，樹(shù)脂的硬化溫度比釬料的融點(diǎn)低較好。這是因?yàn)殁F料接合體20不在樹(shù)脂硬化時(shí)再變形。若說(shuō)明具體的一例，釬料樹(shù)脂膏21使用將透明環(huán)氧樹(shù)脂(-卞^y工求^VP-:/公司制，商品名稱為"工匕。:n—卜806")57重量部、上述釬料粒子40重量部、由異丙醇構(gòu)成的溶劑3重量部均勻地混合的膏，形成了釬料接合體20。然后清洗釬料樹(shù)脂膏21，填充其它熱硬化性環(huán)氧樹(shù)脂(于$、乂夕7公司制，商品名稱為"8422")之后，進(jìn)行了加熱硬化。當(dāng)使構(gòu)成釬料樹(shù)脂膏21的樹(shù)脂(或其它樹(shù)脂)硬化，則得到本實(shí)施方式的安裝體100。在填充該其它樹(shù)脂的情況下，作為構(gòu)成釬料樹(shù)脂膏21的樹(shù)脂，可以使用熱硬化性樹(shù)脂以外的樹(shù)脂(熱塑性樹(shù)脂、光硬這時(shí)，在FC法的情況下，在半導(dǎo)體元件和安裝基板的間隙填入樹(shù)脂(底填充材料)的情況較多，會(huì)增加工序數(shù)量，但是本實(shí)施方式的制造方法的情況下，能夠?qū)⒂不臉?shù)脂25作為底填充材料那樣使用，能夠回避該增大工序數(shù)的問(wèn)題。在本實(shí)施方式中，基板40使用透光性基板，因此通過(guò)基板40可以進(jìn)行釬料接合體20的連接確認(rèn)。并且，樹(shù)脂25也可以使用透光性樹(shù)脂，進(jìn)而連接確認(rèn)變得更加容易。圖3E所示的狀態(tài)之后除去基板40即可。若除去基板40，使電極圖案42或釬料接合體20從樹(shù)脂25的上表面露出，則利用該露出的導(dǎo)電部，可以執(zhí)行電檢測(cè)。例如，除去基板40,使電極圖案42露出，使測(cè)試機(jī)的端子(例如探針)接觸該電極圖案42執(zhí)行電檢測(cè)。(實(shí)施方式2)在圖4所示的安裝體100中，在基板40的電極圖案42的表面形成有提高釬料浸潤(rùn)性的層43。g卩，在該例子中，在電極圖案42的表面實(shí)施了提高釬料浸潤(rùn)性的涂覆處理。通過(guò)提高電極圖案42的表面的釬料浸潤(rùn)性，從而可以容易且更加穩(wěn)定地執(zhí)行釬料接合體20的自聚合形成。作為提高釬料浸潤(rùn)性的涂覆，例如可以舉出作為釬料鍍層的SnBi層的形成。(實(shí)施方式3)在圖5所示的安裝體100中，在電極圖案42的表面的一部分形成有遮蔽(mask)層45，釬料接合體20由連結(jié)元件電極12和電極圖案42之間的釬料凸塊部20a和連結(jié)電極端子32和電極圖案42之間的釬料凸塊部20b構(gòu)成。即使釬料接合體20不直接連結(jié)元件電極12和電極端子32，如該例子那樣，也可以通過(guò)電極圖案42將元件電極12和電極端子32電連接。遮蔽層45由釬料浸潤(rùn)性比電極圖案42差的材料構(gòu)成，例如由阻焊劑構(gòu)成。在電極圖案42的表面中的對(duì)應(yīng)于元件電極12的部位和對(duì)應(yīng)于電極端子32的部位之間形成遮蔽層45，從而如圖5所示，釬料接合體20分為2個(gè)部位(20a、20b)，由此，可以享有釬料接合體20的形狀的預(yù)測(cè)性上升、其特性(電阻、應(yīng)力、強(qiáng)度等)的預(yù)測(cè)變得樂(lè)觀這樣的好處。此外，即使不形成遮蔽層45,也可以改變釬料接合體20的形狀。在圖6A所示的安裝體100中，對(duì)電極圖案42的形狀加以設(shè)計(jì)，例如，如圖6B所示，與電極圖案42中的對(duì)應(yīng)于元件電極12的部位42a和對(duì)應(yīng)于電極端子32的部位42b比較，減小了連結(jié)兩者(42a、42b)的部位42c的面積。通過(guò)這樣，通過(guò)自聚合形成過(guò)程中的釬料接合體20的最初的觸點(diǎn)，容易在部位42a、42b側(cè)產(chǎn)生。此外，連結(jié)部42c如圖6C所示，可以具有傾斜地形成。并且，使對(duì)應(yīng)于電極端子32的部位42b的面積大于對(duì)應(yīng)于元件電極12的部位42a的面積這一點(diǎn)，是對(duì)應(yīng)于元件電極12的面積及電極端子32的面積。(實(shí)施方式4)在圖7所示的安裝體100中，除去了基板40，電極圖案42露出于表面?；?0的除去可以剝離基板40來(lái)執(zhí)行，也可以研磨基板40來(lái)執(zhí)行。通過(guò)露出電極圖案42，可以將其用作檢測(cè)用端子。此外，除去圖7所示的安裝體100的樹(shù)脂25，形成圖8所示的結(jié)構(gòu)。進(jìn)而，如圖9所示，從圖7所示的安裝體100除去電極圖案42來(lái)露出釬料接合體20。除此之外，從這里除去樹(shù)脂25，從而做成圖10所示的結(jié)構(gòu)。(實(shí)施方式5)在圖8及圖10所示的安裝體100中，使元件電極12和電極端子32之間空氣絕緣，但是也可使樹(shù)脂25置于元件電極12和電極端子32之間來(lái)提高絕緣性。并且，如圖11所示，也可以使釬料接合體20的上表面不是平面，而是稍微具有曲線。這是對(duì)圖8所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行短時(shí)間熱處理(例如，回流焊處理)，僅熔融少量的釬料接合體20，從而變形為更能緩和應(yīng)力的形狀。(實(shí)施方式6)在圖12所示的安裝體100中，示出了在安裝基板30的上表面30a平坦的典型的基板上放置了半導(dǎo)體元件10的結(jié)構(gòu)。該情況下，縮小元件電極12的上表面和電極端子32的上表面的階差，使用薄型的半導(dǎo)體芯片作為半導(dǎo)體元件10較好，以便更容易地執(zhí)行釬料接合體20的自聚合形成。該情況下的半導(dǎo)體元件10的厚度是15(Vn以下，最好是10(Him左右。并且，即使是半導(dǎo)體元件10的厚度超過(guò)15(Him(例如200450pm程度)，也可以沒(méi)有問(wèn)題地進(jìn)行釬料接合體20的自聚合形成。如果從圖12所示的結(jié)構(gòu)中除去基板40，則成為圖13所示那樣的安裝體IOO。此外，除去樹(shù)脂25，進(jìn)行回流焊處理等，形成抑制釬料接合體20的應(yīng)力緩和的形狀，則成為圖14所示的安裝體100。并且，在圖14所示的結(jié)構(gòu)中，也可以在元件電極12和電極端子32之間形成樹(shù)脂25。圖12所示的安裝體100與圖3A圖3E同樣地，可以如圖15A圖15E那樣制造。g卩，首先，如圖15A所示，在平坦的安裝基板30上放置半導(dǎo)體元件之后，如圖15B所示，涂敷釬料樹(shù)脂膏21。接著，如圖15C所示，在釬料樹(shù)脂膏21上放置基板40,接著，如圖15D那樣，加熱釬料樹(shù)脂膏21。于是，對(duì)流添加劑(未圖示)沸騰，在樹(shù)脂中產(chǎn)生對(duì)流27，進(jìn)行釬料粒子自聚合。并且，如圖15E所示，形成釬料接合體20，得到安裝體100。安裝基板30不限于硬性印制基板，也可以使用由圖16所示那樣的管芯焊盤(pán)部30b和引腳部30a構(gòu)成的引腳框30。并且，如上所述，可以使用撓性印制基板作為安裝基板30。并且，基板40的上表面也可以不平坦，例如使用撓性基板作為基板40，也可以如圖17所示那樣做成基板40的上表面彎曲的結(jié)構(gòu)。此外，基板40采用撓性基板那樣的柔軟的基板，從而可以減小施加在釬料接合體20的應(yīng)力，其結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)連接部的穩(wěn)定化。除此之外，可以減小因半導(dǎo)體元件10的厚度而變寬的電極端子32和電極圖案42之間的間隙，在電極端子32中也可以得到穩(wěn)定的連接。進(jìn)而，在圖2所示的結(jié)構(gòu)例中，使元件電極12和電極端子32的間隔(節(jié)距)相同地引出，也可以如圖18所示地做成分散開(kāi)的結(jié)構(gòu)，以便電極端子32側(cè)的間隔(節(jié)距)變寬。并且，在上述結(jié)構(gòu)例中，示出了將元件電極12排列在外圍的半導(dǎo)體元IO,但是不限于此，也可以使用排列成陣列狀的半導(dǎo)體元件10。并且，元件電極12的端子數(shù)量不特別限定，針腳多且節(jié)距窄，本發(fā)明實(shí)施方式的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)就增大。(實(shí)施方式7)接著，參照?qǐng)D19及圖20,說(shuō)明本實(shí)施方式的安裝體100中的釬料接合體20的自聚合形成狀態(tài)。圖19所示的截面的顯微鏡照片是對(duì)圖20所示的結(jié)構(gòu)實(shí)際地進(jìn)行研磨露出截面，并用顯微鏡觀察時(shí)的顯微鏡照片。該結(jié)構(gòu)是在具有銅質(zhì)的整面層35'的撓性基板30上放置半導(dǎo)體元件10，然后，如圖3B圖3E所示，在樹(shù)脂25中自聚合地形成連接元件電極12和電極端子區(qū)域32'的釬料接合體20的結(jié)構(gòu)。如圖19所示，釬料接合體20從元件電極12向上，而且沿著電極圖案42，延伸，到達(dá)下方的電極端子區(qū)域32'。并且，在圖19中的截面中，由于填充有研磨劑的影響，各要素的截面結(jié)構(gòu)的局部很難看到。這里，半導(dǎo)體元件10的厚度是100nm以下(該例子中為厚度50,)。并且，基板30及基板40的厚度是30^im。以上，通過(guò)最佳實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明，這樣的記述不是限定事項(xiàng)，當(dāng)然可以進(jìn)行各種應(yīng)用。在上述的本發(fā)明實(shí)施方式中，對(duì)半導(dǎo)體元件IO是裸片的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限于裸片，例如也可以將芯片尺寸封裝(CSP)那樣的半導(dǎo)體封裝用作半導(dǎo)體元件10。并且，半導(dǎo)體元件10最好是存儲(chǔ)器IC芯片、邏輯IC芯片、或者系統(tǒng)LSI芯片，但是其種類不特別限制。工業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供利用不同于WB法、FC法、TAB法的新的微細(xì)節(jié)距連接技術(shù)的安裝體及其制造方法。權(quán)利要求1.一種安裝體，包括半導(dǎo)體元件和安裝基板，該半導(dǎo)體元件具備形成有元件電極的表面和與上述表面相對(duì)的背面，該安裝基板形成有具備電極端子的布線圖案；其特征在于，上述半導(dǎo)體元件的背面與上述安裝基板相接；上述半導(dǎo)體元件的上述元件電極和形成在上述安裝基板上的上述布線圖案的上述電極端子，通過(guò)釬料粒子聚合而成形為橋形狀的釬料接合體電連接。2.如權(quán)利要求1所述的安裝體，其特征在于，還包括形成有電極圖案的對(duì)置基板，上述電極圖案夾著上述釬料接合體配置在上述半導(dǎo)體元件之上。3.如權(quán)利要求2所述的安裝體，其特征在于，上述對(duì)置基板是透光性基板。4.如權(quán)利要求2所述的安裝體，其特征在于，上述對(duì)置基板是撓性基板。5.如權(quán)利要求2所述的安裝體，其特征在于，在上述對(duì)置基板的相反面也形成有電極圖案。6.如權(quán)利要求2所述的安裝體，其特征在于，在上述對(duì)置基板的相反面形成有屏蔽層。7.如權(quán)利要求1所述的安裝體，其特征在于，上述釬料接合體與位于該釬料接合體的上表面的電極圖案接觸形成。8.如權(quán)利要求1所述的安裝體，其特征在于，在上述安裝基板的一部分形成有凹部，上述半導(dǎo)體元件的上述背面與上述凹部的底面相接。9.如權(quán)利要求8所述的安裝體，其特征在于，上述安裝基板的上表面和上述半導(dǎo)體元件的上述表面大致位于同一平面上。10.如權(quán)利要求l所述的安裝體，其特征在于，上述半導(dǎo)體元件是厚度為100um以下的薄型半導(dǎo)體芯片。11.如權(quán)利要求l所述的安裝體，其特征在于，上述釬料接合體埋設(shè)在樹(shù)脂中。12.如權(quán)利要求11所述的安裝體，其特征在于，上述樹(shù)脂的上表面形成大致平面。13.如權(quán)利要求2所述的安裝體，其特征在于，上述元件電極和上述電極端子通過(guò)上述電極圖案電連接。14.如權(quán)利要求11所述的安裝體，其特征在于，上述樹(shù)脂是透光性樹(shù)脂。15.—種安裝體的制造方法，其特征在于，包括工序a，將半導(dǎo)體元件的背面配置在安裝基板上，其中，該半導(dǎo)體元件具備形成有元件電極的表面和與上述表面相對(duì)的上述背面，該安裝基板形成有具備電極端子的布線圖案；工序b，將樹(shù)脂中含有釬料粉和該樹(shù)脂被加熱時(shí)沸騰的對(duì)流添加劑的釬料樹(shù)脂膏，提供給包含上述元件電極及上述電極端子的區(qū)域；工序c，在具有形成了電極圖案的第一面和與上述第一面相對(duì)的第二面的基板中，使上述基板的第一面夾著上述釬料樹(shù)脂膏與上述半導(dǎo)體元件的上述表面及上述安裝基板對(duì)置，以便上述基板的上述電極圖案覆蓋上述元件電極及上述電極端子；以及工序d，通過(guò)加熱上述釬料樹(shù)脂膏，使上述對(duì)流添加劑沸騰，從而在上述樹(shù)脂中產(chǎn)生對(duì)流，使上述釬料樹(shù)脂膏中的上述釬料粉自聚合，形成至少連結(jié)上述元件電極和上述電極圖案之間、及上述電極端子和電極圖案之間的釬料部件。16.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，在上述工序d中，上述釬料接合體具有沿著上述電極圖案延伸的部位。17.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，上述對(duì)置基板是透光性基板。18.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，構(gòu)成上述釬料樹(shù)脂膏的樹(shù)脂是透光性樹(shù)脂。19.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，在上述工序d之后，再除去上述對(duì)置基板。20.如權(quán)利要求19所述的安裝體的制造方法，其特征在于，在除去上述對(duì)置基板之后，通過(guò)上述電極圖案執(zhí)行電檢測(cè)。21.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，在上述電極圖案的表面實(shí)施了提高釬料浸潤(rùn)性的涂覆處理。22.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，上述安裝基板是撓性基板。23.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，形成有上述電極圖案的基板是撓性基板。24.如權(quán)利要求15所述的安裝體的制造方法，其特征在于，上述釬料接合體埋設(shè)在樹(shù)脂中。全文摘要本發(fā)明的安裝體(100)包括半導(dǎo)體元件(10)和安裝基板(30)，該半導(dǎo)體元件(10)具備形成有元件電極(12)的表面(10a)和與表面(10a)相對(duì)的背面(10b)，該安裝基板(30)形成有具備電極端子(32)的布線圖案(35)；半導(dǎo)體元件(10)的背面(10b)與安裝基板(30)相接；半導(dǎo)體元件(10)的元件電極(12)和形成在安裝基板(30)上的布線圖案(35)的電極端子(32)通過(guò)釬料粒子聚合而成形為橋形狀的釬料接合體(20)電連接。由此，半導(dǎo)體元件的元件電極和安裝基板的電極端子能夠以微細(xì)節(jié)距連接。文檔編號(hào)H01L21/60GK101164151SQ200680013329公開(kāi)日2008年4月16日申請(qǐng)日期2006年2月21日優(yōu)先權(quán)日2006年2月21日發(fā)明者中谷誠(chéng)一,北江孝史,小島俊之,小松慎五,山下嘉久申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社