專利名稱：：太陽能電池的制造方法和太陽能電池及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種太陽能電池的制造方法、太陽能電池以及半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別涉及一種低成本的太陽能電池的制造方法、太陽能電池以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)今，降低成本為民用太陽能電池的制造方法的重要課題，因此，一般采用組合熱擴(kuò)散法與網(wǎng)版印刷法的方法。其細(xì)節(jié)如下說明。首先，將以切克勞斯基(cz)法拉上的單晶硅錠、或以鑄造法制成的多結(jié)晶硅錠，通過線切割法切片而得到p型硅基板。其次，以堿性溶液除去表面的切片損傷之后，在表面上形成最大高度約10pm的微細(xì)凹凸(紋理)，再以熱擴(kuò)散法形成n型擴(kuò)散層。此外，在受光面上，堆積例如約70nm厚的二氧化鈦或氮化硅，形成反射防止膜。其次，在受光面的背面整面，印刷、燒結(jié)以鋁為主要成分的材料，形成背面電極。另一方面，將以銀為主成分的材料印刷、燒結(jié)成例如寬度約10020(Him的梳狀，形成受光面電極。此方法的優(yōu)點(diǎn)在于，雖然在構(gòu)成裝置方面，僅有最少程度的工藝數(shù)，但仍有提高特性的各種效果。例如，熱擴(kuò)散通過除氣作用改善容積內(nèi)少數(shù)載子的擴(kuò)散長度。此外，當(dāng)燒結(jié)印刷在背面的鋁時(shí)，在形成電極的同時(shí)，在背面上形成p+高濃度層成為電場層(BSF:Backsurfacefield)。此外，反射防止膜除了有光學(xué)性效果(減低反射率)夕卜，還可減低在硅表面附近發(fā)生的載子再結(jié)合速度。通過最少限度的工藝以及一些有用的效果，謀求降低民用太陽能電池的成本。然而，無法預(yù)期此方法能取得轉(zhuǎn)換效率的更大改善。例如，利用硅單結(jié)晶基板的太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率約16%已達(dá)頂點(diǎn)。為了充分降低受光面電極的接觸電阻，有必要將擴(kuò)散層的磷等摻雜劑的表面濃度設(shè)定在約2.03.05X102Qcm—2。表面成為此種高濃度時(shí)，表面電平變得非常地高，因而會(huì)促進(jìn)受光面附近的載子再結(jié)合，使得短路電流、開路電壓受到限制，轉(zhuǎn)換效率因而到達(dá)頂點(diǎn)。因此，曾有現(xiàn)有技術(shù)活用組合上述熱擴(kuò)散法與網(wǎng)版印刷法的方法，利用減低受光面的擴(kuò)散層表面濃度來改善轉(zhuǎn)換效率，例如關(guān)于此方法的美國專利第6180869號說明書已成為公知技術(shù)。根據(jù)該文獻(xiàn)，即使擴(kuò)散層表面濃度約在1.0Xl(^cn^或其以下，也可形成低歐姆接觸。這是通過在包含于電極漿料中的銀填充物周圍添加含有摻雜劑的化合物來達(dá)成此效果的。借此，燒結(jié)電極時(shí)，摻雜劑會(huì)在電極下方形成高濃度層。然而，在包含于電極漿料中的銀填充物周圍添加含有摻雜劑的化合物的方法，由于無法穩(wěn)定地形成接觸，因此有填充系數(shù)偏低且可靠度偏低的問題。此外，作為僅在電極下方形成含有高濃度摻雜劑的高濃度擴(kuò)散層(射極層)，以降低受光面的其它部分?jǐn)U散層的表面濃度亦即形成二段式射極，而使得轉(zhuǎn)換效率提高的方法，例如有日本特開2004-273826號公報(bào)所示的"光電變換裝置及其制造方法"。該方法是將日本特開平8—3731S號公報(bào)及日本特開平8-191152號公報(bào)所公開的埋入式電極太陽能電池的電極形成方法，從電解電鍍法變更為網(wǎng)版印刷法。借此使得制造管理容易，并使得制造成本減低。然而，這樣的埋入式電極太陽能電池的制造方法最少要進(jìn)行兩次擴(kuò)散工藝，不僅煩雜且增加成本。此外，也有其它通過形成二段射極使轉(zhuǎn)換效率提高的方法，例如"太陽能電池的制造方法"(日本特開2004-221149號公報(bào))。在此文獻(xiàn)中，以噴墨方式同時(shí)進(jìn)行數(shù)種涂劑的區(qū)分涂布，以簡單的工藝來作出摻雜劑濃度與摻雜劑種類不同的區(qū)域。然而，通過此種噴墨方式制作涂布摻雜劑的太陽能電池板，使用磷酸等作為摻雜劑時(shí)，必須有腐蝕對策，裝置因此變得復(fù)雜，維護(hù)也變得煩雜。另外，即使以噴墨方式區(qū)分涂布摻雜劑濃度、種類相異的涂布劑，若以一次熱處理使其擴(kuò)散，也會(huì)因自動(dòng)摻雜而無法得到預(yù)定的濃度差。此外，作為僅在電極下方形成高濃度擴(kuò)散層，以降低受光面的其他部分的擴(kuò)散層表面濃度，從而使得轉(zhuǎn)換效率提高的其他方法，例如有"太陽能電池的制造方法"(日本特開2004-281569號公報(bào))。然而根據(jù)特開2004-281569號公報(bào)的說明書，該方法需要進(jìn)行兩次熱處理，并不簡便。若僅進(jìn)行一次熱處理，則由于自動(dòng)摻雜，使受光面的電極下方以外的部分也有高濃度的摻雜劑，因此轉(zhuǎn)換效率會(huì)變得不高。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能電池的制造方法及太陽能電池以及半導(dǎo)體裝置的制造方法，借此一邊得到歐姆接觸一邊抑制受光面的電極以外部分的表面再結(jié)合以及射極內(nèi)的再結(jié)合，即能以簡便容易的方法便宜地制造出提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種太陽能電池的制造方法，這是在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成PN結(jié)從而制造出太陽能電池的方法，其特征為至少包含下列步驟在該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及至少與該第一涂布劑連接且含有摻雜劑的第二涂布劑后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成第一擴(kuò)散層以及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層是由涂布該第一涂布劑形成的；該第二擴(kuò)散層是由涂布該第二涂布劑形成的，且該第二擴(kuò)散層的導(dǎo)電率低于該第一擴(kuò)散層。如此，通過在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及至少與第一涂布劑連接且含有摻雜劑的第二涂布劑后，通過擴(kuò)散熱處理同時(shí)形成第一擴(kuò)散層、以及其導(dǎo)電率低于第一擴(kuò)散層的第二擴(kuò)散層。因此，目前為止的以形成擴(kuò)散掩模等的煩雜的方式來制造由高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層所組成的二段式射極的工藝就會(huì)變得非常簡便，使得制造成本降低。此外，由于在成為高濃度層區(qū)域的第一擴(kuò)散層中，保持充分的表面濃度，因而可容易地形成低歐姆接觸，且通過摻雜劑飛散防止劑防止第一涂布劑的摻雜劑向外擴(kuò)散，確實(shí)地形成二段式射極的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層的表面濃度差，從而能夠一邊維持高水準(zhǔn)的制造合格率一邊制造高性能的太陽能電池。此時(shí)，優(yōu)選為第二涂布劑含有自動(dòng)摻雜防止劑。如此，若第二涂布劑含有自動(dòng)摻雜防止劑，與第一涂布劑的摻雜劑飛散防止劑互相配合，可進(jìn)一步防止向第二擴(kuò)散層的自動(dòng)摻雜，確實(shí)地形成二段式射極的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層的表面濃度差。此外，本發(fā)明提供一種太陽能電池的制造方法，這是在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成PN結(jié)從而制造出太陽能電池的方法，其特征為至少包含下列步驟先在該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成溝部，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑于整面上之后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成第一擴(kuò)散層以及第二擴(kuò)散層;該第一擴(kuò)散層形成于該半導(dǎo)體基板上的溝部下部；該第二擴(kuò)散層形成于該溝部下部以外的部分，且該第二擴(kuò)散層的導(dǎo)電率低于第一擴(kuò)散層。如此，先在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成溝部，在其整面上涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑之后，通過擴(kuò)散熱處理，使得形成于該半導(dǎo)體基板上的溝部下部中的第一擴(kuò)散層、以及形成于該溝部下部以外部分且導(dǎo)電率低于第一擴(kuò)散層的第二擴(kuò)散層，同時(shí)形成。借此，利用涂布一次涂布劑，即可非常簡便地形成由高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層所構(gòu)成的二段式發(fā)射層，使得制造成本降低。此外，形成于溝部下部而要成為高濃度層區(qū)域的第一擴(kuò)散層中仍保持充分的表面濃度，因而可容易地形成低歐姆接觸，且通過摻雜劑飛散防止劑防止摻雜劑的向外擴(kuò)散或自動(dòng)摻雜，因而可確實(shí)地形成二段式射極的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層的表面濃度差，一邊維持高水準(zhǔn)的制造合格率一邊制造出高性能的太陽能電池。此時(shí)，優(yōu)選為在氣相擴(kuò)散源環(huán)境下進(jìn)行擴(kuò)散熱處理。像這樣，若在氣相擴(kuò)散源環(huán)境下進(jìn)行氣相擴(kuò)散熱處理，則在低濃度擴(kuò)散層中的摻雜劑的濃度面內(nèi)分布會(huì)變均勻，而可制造出性能無參差不齊的太陽能電池。此外，優(yōu)選為摻雜劑飛散防止劑或自動(dòng)摻雜防止劑含有硅化物。如此，若摻雜劑飛散防止劑或自動(dòng)摻雜防止劑含有硅化物，即可有效地防止摻雜劑的向外擴(kuò)散或自動(dòng)摻雜，借此可在二段式射極中，極為確實(shí)地形成高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層間的表面濃度差。此外，硅化合物不會(huì)成為雜質(zhì)。此外，優(yōu)選為該第一涂布劑與該第二涂布劑的摻雜劑的含有率、粘度、摻雜劑飛散防止劑與自動(dòng)摻雜防止劑的含量以及摻雜劑的種類之中至少一種相異，和/或該第一涂布劑與該第二涂布劑涂布時(shí)的涂布厚度相異。如此，通過所使用的第一涂布劑與第二涂布劑的摻雜劑的含有率、粘度、摻雜劑飛散防止劑與自動(dòng)摻雜防止劑的含量以及摻雜劑的種類之中至少一種相異、或第一涂布劑與第二涂布劑涂布時(shí)的涂布厚度相異，或者，將這些組合地進(jìn)行，即可極為確實(shí)地形成二段式射極中的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層間的表面濃度差。此外，優(yōu)選為該第一涂布劑的摻雜劑含有率是該第二涂布劑的摻雜劑含有率的四倍以上。如此，若第一涂布劑的摻雜劑含有率是第二涂布劑的摻雜劑含有率的四倍以上，即可極為確實(shí)地形成二段式射極中的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層間的表面濃度差。此外，優(yōu)選為該摻雜劑飛散防止劑中含有的硅化合物是二氧化硅，該自動(dòng)摻雜防止劑中含有的硅化物是硅氧化物前體。像這樣，若慘雜劑飛散防止劑中的硅化合物是二氧化硅，尤其是硅膠，自動(dòng)摻雜防止劑中的硅化物是硅氧化物前體，即可因應(yīng)各種用途有效地控制涂布劑的粘度，且可防止摻雜劑的向外擴(kuò)散或自動(dòng)摻雜。借此，可極為確實(shí)地形成二段式射極中的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層間的表面濃度差。此外，優(yōu)選為將含有硅化合物的第三涂布劑，涂布覆蓋于該第一涂布劑和/或該第二涂布劑上部，之后進(jìn)行該擴(kuò)散熱處理。如此，若將含有硅化合物的第三涂布劑涂布覆蓋第一涂布劑或第二涂布劑上部，之后進(jìn)行該擴(kuò)散熱處理，將更可抑制向外擴(kuò)散與自動(dòng)摻雜。借此，以一次熱處理即可極為確實(shí)地形成二段式射極中的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層間的表面濃度差。此外，優(yōu)選為回蝕由該擴(kuò)散熱處理所形成的擴(kuò)散層表面。如此，若回蝕由擴(kuò)散熱處理所形成的擴(kuò)散層表面，特別會(huì)削掉低濃度擴(kuò)散層的表面電平多的區(qū)域，能提高太陽能電池的性能。此外，優(yōu)選為氧化由該擴(kuò)散熱處理所形成的擴(kuò)散層表面。如此，即使將由擴(kuò)散熱處理所形成的擴(kuò)散層表面進(jìn)行氧化，因后續(xù)玻璃蝕刻工藝削掉表面電平多的區(qū)域，因而能提高太陽能電池的性能。此外，能在該半導(dǎo)體基板的受光面與該受光面的背面的至少其中一方，形成第一擴(kuò)散層與第二擴(kuò)散層。如此，通過在半導(dǎo)體基板的受光面與受光面的背面的至少其中一方，形成第一擴(kuò)散層與第二擴(kuò)散層，將可容易地制造傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的太陽能電池，并可容易地在背面的全部或部分上形成BSF層，且可容易地制造出將正負(fù)電極集中于單面的背面接觸型太陽能電池，該種太陽能電池目前為止目前為止是用煩雜的工藝制作出來。此外，本發(fā)明提供一種太陽能電池，是以上述任一種制造方法制成的太陽能電池，包含形成于該半導(dǎo)體基板的受光面上的第一擴(kuò)散層及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層是與該半導(dǎo)體基板所具有的第一導(dǎo)電類型相反的相反導(dǎo)電類型；該第二擴(kuò)散層的導(dǎo)電率低于該相反導(dǎo)電類型的該第一擴(kuò)散層。如此，只要在半導(dǎo)體基板的受光面上，形成與半導(dǎo)體基板的第一導(dǎo)電類型相反的相反導(dǎo)電類型的第一擴(kuò)散層、以及其導(dǎo)電率低于相反導(dǎo)電類型的第一擴(kuò)散層的第二擴(kuò)散層，即為具有與傳統(tǒng)技術(shù)相同的結(jié)構(gòu)、低成本、制造合格率高、具有二段射極的高性能太陽能電池。此時(shí)，優(yōu)選為更至少包含一擴(kuò)散層，該擴(kuò)散層是形成于該受光面的背面，與該第一導(dǎo)電類型相同的導(dǎo)電類型。如此，若是在該受光面的背面，至少形成與第一導(dǎo)電類型相同的導(dǎo)電類型的擴(kuò)散層，即成為背面全部或部分地形成有BSF層的太陽能電池。此外，本發(fā)明提供一種太陽能電池，是以上述任一種制造方法制成的太陽能電池，包含形成于該半導(dǎo)體基板的受光面背面的第一擴(kuò)散層、第二擴(kuò)散層以及擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層是與該半導(dǎo)體基板所具有的第一導(dǎo)電類型相反的相反導(dǎo)電類型；該第二擴(kuò)散層是其導(dǎo)電率低于該相反導(dǎo)電類型的該第一擴(kuò)散層的相反導(dǎo)電類型；該擴(kuò)散層與該第一導(dǎo)電類型是相同導(dǎo)電類型。像這樣，若在該半導(dǎo)體基板的受光面的背面上，形成與該半導(dǎo)體基板所具有的第一導(dǎo)電類型相反導(dǎo)電類型的第一擴(kuò)散層、導(dǎo)電率低于該相反導(dǎo)電類型的第一擴(kuò)散層的相反導(dǎo)電類型的第二擴(kuò)散層、以及與該第一導(dǎo)電類型是相同導(dǎo)電類型的擴(kuò)散層，則為低成本、制造合格率高、且高性能的背面接觸型太陽能電池。此外，本發(fā)明是一種半導(dǎo)體的制造方法，其特征為至少包含下列步驟在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及含有摻雜劑的第二涂布劑后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成第一擴(kuò)散層以及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層是由該第一涂布劑的涂布所形成；該第二擴(kuò)散層是由該第二涂布劑的涂布所形成且其導(dǎo)電率與第一擴(kuò)散層相異。像這樣，若在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及含有摻雜劑的第二涂布劑之后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成由該第一涂布劑的涂布所形成的第一擴(kuò)散層、以及由該第二涂布劑的涂布所形成且其導(dǎo)電率與第一擴(kuò)散層相異的第二擴(kuò)散層，將可防止摻雜劑的向外擴(kuò)散，能以低成本、高制造合格率地制造出一種半導(dǎo)體裝置，其在表面內(nèi)具有摻雜劑表面濃度相異的擴(kuò)散層。此外，本發(fā)明提供一種涂布劑，是用以涂布在半導(dǎo)體基板上，通過熱擴(kuò)散將摻雜劑摻雜入該半導(dǎo)體基板中的涂布劑，該涂布劑至少包含摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑。像這樣，如涂布劑至少含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑，將其涂布在半導(dǎo)體基板上進(jìn)行摻雜劑的熱擴(kuò)散時(shí)，即可防止摻雜劑的向外擴(kuò)散。此時(shí)，摻雜劑飛散防止劑優(yōu)選是含有硅化物。像這樣，若該摻雜劑飛散防止劑含有硅化合物，將可有效地防止摻雜劑的向外擴(kuò)散，對于硅晶圓不會(huì)成為雜質(zhì)。此外，該硅化合物以二氧化硅為優(yōu)選。像這樣，若硅化合物為二氧化硅，尤其是硅膠，將可有效地控制涂布劑的粘度，能有效地防止摻雜劑的向外擴(kuò)散。此外，該涂布劑優(yōu)選為更包含增粘劑。'像這樣，若涂布劑含有增粘劑，即可有效地控制粘度。增粘劑則包含例如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯垸酮、聚乙烯甲醚、聚乙烯醇縮丁醛、聚醋酸乙烯酯、以及這些的共聚合物、或是纖維素介電體、或是聚丙烯酸酯。此外，該涂布劑優(yōu)選是網(wǎng)版印刷用涂布劑。像這樣，若涂布劑是網(wǎng)版印刷用涂布劑，即可用網(wǎng)版印刷機(jī)容易地涂布，容易地進(jìn)行摻雜劑的熱擴(kuò)散。若根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池的制造方法，目前為止的以形成擴(kuò)散掩模等的煩雜的方式來制造出由高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層所組成的二段式射極的工藝，會(huì)變得非常地簡便，使得制造成本降低。此外，由于在成為高濃度層區(qū)域的第一擴(kuò)散層中，保有充分的表面濃度，因而可容易地形成低歐姆接觸，且利用摻雜劑飛散防止劑可防止摻雜劑的向外擴(kuò)散，確實(shí)地形成二段式射極中的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層的表面濃度差，能一邊維持高水準(zhǔn)的制造合格率一邊制造出高性能的太陽能電池。此外，本發(fā)明的太陽能電池為低成本、制造合格率高、背面接觸型且具有二段式射極的高性能太陽能電池。并且，若根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法，即可以低成本、高制造合格率的方式，制造出一種半導(dǎo)體裝置，在其表面內(nèi)有摻雜劑表面濃度相異的擴(kuò)散層。進(jìn)一步，若是本發(fā)明的涂布劑，將其涂布在半導(dǎo)體基板上而進(jìn)行摻雜劑的熱擴(kuò)散時(shí)，將成為可防止摻雜劑的向外擴(kuò)散的涂布劑。圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方案的太陽能電池的剖面構(gòu)造圖；圖2(a)是表示本發(fā)明的一實(shí)施方案的太陽能電池的制造方法的流程圖；圖2(b)是使用掩模來形成二段式射極的傳統(tǒng)太陽能電池的制造方法的例示流程圖；圖3是說明圖2(a)所示的太陽能電池的制造方法的說明圖；圖4是表示單結(jié)晶太陽能電池的反射防止構(gòu)造(隨機(jī)紋理)的圖；圖5是本發(fā)明的另一實(shí)施方案的太陽能電池的制造方法的說明圖；圖6是表示本發(fā)明的太陽能電池的制造方法的另一實(shí)施方案，關(guān)于擴(kuò)散熱處理工藝時(shí)的擴(kuò)散層形成方法的說明圖；圖7是表示本發(fā)明的太陽能電池的另一實(shí)施方案，是背面接觸型太陽能電池的剖面構(gòu)造圖；圖8(a)是表示從背面接觸型太陽能電池模塊的背面來看所得到的電極與接線狀態(tài)的圖；圖8(b)是表示從背面接觸型太陽能電池模塊的側(cè)面來看所得到的接線狀態(tài)的圖；圖8(c)是表示從一般太陽能電池模塊的側(cè)面來看所得到的接線狀態(tài)的圖；圖9是表示本發(fā)明的太陽能電池的另一實(shí)施方案的剖面構(gòu)造圖10是表示實(shí)施例1與實(shí)施例3中的外部量子效率的圖；以及圖11是表示用以說明本發(fā)明的太陽能電池的制造方法的另一實(shí)施方案的說明圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下1:半導(dǎo)體基板la:受光面lb:背面2:高濃度射極層3:低濃度射極層4:保護(hù)膜兼反射防止膜6:BSF層6:背面電極7:表面梳狀電極8:擴(kuò)散漿料10:局部性BSF層11:背面保護(hù)膜14:高濃度BSF層15:低濃度BSF層16:溝部100:太陽能電池具體實(shí)施方式以下對本發(fā)明的實(shí)施方案作具體說明，然而本發(fā)明并不限定于此。圖1表示根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池的一實(shí)施方案的一例的剖面構(gòu)造。此太陽能電池100中，在半導(dǎo)體基板1的受光面la上，形成第一擴(kuò)散層也就是高濃度射極層2、及第二擴(kuò)散層也就是低濃度射極層3，其中高濃度射極層2的導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板1的第一導(dǎo)電類型相反，低濃度射極層3的導(dǎo)電率低于高濃度射極層2;優(yōu)選為至少在受光面的背面lb上形成擴(kuò)散層也就是BSF層5，BSF層5的導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相同。以下，說明圖l所示的太陽能電池的制造流程。圖2(a)是本發(fā)明第一實(shí)施方案的太陽能電池的制造方法的流程圖。圖2(b)是使用掩模形成二段式射極的傳統(tǒng)太陽能電池的制造方法的一例示流程圖。此外，圖3是說明圖2(a)所示太陽能電池的制造方法的說明圖。首先，準(zhǔn)備第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板1。半導(dǎo)體基板1的特性不特別限定，例如可使用如結(jié)晶面方位(100)、15cm四方形、厚250pm、切片后的電阻系數(shù)為2Q.cm(摻雜劑濃度為7.2X1015cm_3)、摻雜鎵、且第一導(dǎo)電類型為p型的單結(jié)晶硅基板。將其浸入例如重量百分比為40的氫氧化納水溶液中，通過蝕刻除去損傷層?；?可采用CZ法或浮動(dòng)區(qū)熔(FZ)法?；宓碾娮柘禂?shù)例如以0.120Q.cm為優(yōu)選，尤其是0.52.0Q.cm更適于作成高性能的太陽能電池。此外，雖為了除去基板l的損傷而使用氫氧化納水溶液，但也可使用氫氧化鉀等強(qiáng)堿性水溶液。以氟硝酸等酸性水溶液也可達(dá)成同樣的目的。太陽能電池一般在表面上形成凹凸形狀優(yōu)選。其理由是減低可視光域的反射率，必需盡可能在受光面上進(jìn)行二次以上的反射。因此，將蝕刻損傷后的基板，浸入添加異丙醇的例如重量百分比為3的氫氧化納而制成的水溶液中，以濕蝕刻在兩表面形成如圖4所示的隨機(jī)紋理。這些紋理的每一山狀的尺寸約l2(^m。其他代表性表面凹凸構(gòu)造例如有V溝、U溝等。這些可利用切削機(jī)來形成。此外，制作隨機(jī)性凹凸構(gòu)造時(shí)，也可使用酸蝕刻或反應(yīng)性離子蝕刻法等作為替代方法。并且，由于形成于基板兩表面(受光面la、背面lb)的紋理構(gòu)造相當(dāng)細(xì)微，因此未示于圖1中。接著，洗凈基板后，在基板的受光面la上，以網(wǎng)版印刷裝置印刷涂布擴(kuò)散漿料8作為第一涂布劑，此擴(kuò)散漿料8是含有磷酸等摻雜劑以及該摻雜劑的飛散防止劑。此時(shí)，若擴(kuò)散漿料8是供網(wǎng)版印刷用，即可容易地以網(wǎng)版印刷裝置進(jìn)行涂布。此外，如果擴(kuò)散漿料像這樣含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑，則將其涂布在半導(dǎo)體基板上進(jìn)行摻雜劑的熱擴(kuò)散時(shí)，將可防止摻雜劑的向外擴(kuò)散。此時(shí)的印刷可為條紋狀的線形圖樣或是點(diǎn)狀圖樣，例如線形圖樣時(shí)的印刷圖樣可為間距2mm、寬150pm的線形。摻雜劑飛散防止劑包含硅化合物，更優(yōu)選的是硅化合物為二氧化硅，例如若調(diào)配硅膠，這將可有效地控制擴(kuò)散漿料的粘度，從而形成高濃度擴(kuò)散層。亦即，由于粘度高，可將摻雜劑保持于高濃度，確實(shí)地防止向外擴(kuò)散。而且，將印刷擴(kuò)散漿料8后的基板在70(TC烘焙30分鐘，之后，在同一面上，與擴(kuò)散漿料8連接(接觸)地涂布涂布劑9作為第二涂布劑。此涂布劑9含有五氧化二磷等的摻雜劑以及自動(dòng)摻雜防止劑，作為該自動(dòng)摻雜防止劑，優(yōu)選為以垸氧基硅烷等的硅化合物前體為代表的硅化合物。該涂布可通過旋轉(zhuǎn)涂布，在3000rpm、15秒的條件下進(jìn)行，也可通過網(wǎng)版印刷進(jìn)行。之后，將如此作成的樣本基板放入熱處理爐，以880'C保持30分鐘，進(jìn)行擴(kuò)散熱處理再予以取出。借此，能夠同時(shí)形成第一擴(kuò)散層2(也稱為高濃度擴(kuò)散層或高濃度射極層)，以及導(dǎo)電率低于該第一擴(kuò)散層的第二擴(kuò)散層3(也稱為低濃度擴(kuò)散層或低濃度射極層)，而形成PN結(jié)。低濃度射極層也就是擴(kuò)散漿料印刷部以外的部分，亦即僅涂布涂布劑9的部位，其片電阻是80至110Q/口。此外，印刷擴(kuò)散漿料8的部分的掾雜劑表面濃度約2X102Qcm—2左右。上述工藝中，第一涂布劑是以網(wǎng)版印刷涂布的高粘度漿料，含有高濃度的摻雜劑，可涂布較厚的厚度從而形成高濃度擴(kuò)散層。而且，由于此時(shí)調(diào)配有摻雜劑飛散防止劑，因而可有更高的粘度以防止向外擴(kuò)散。另一方面，第二涂布劑是以旋轉(zhuǎn)涂布器涂布的低粘度涂布劑，涂布厚度較薄。借此能形成低濃度擴(kuò)散層。此時(shí)，如調(diào)配自動(dòng)摻雜防止劑，則在表面形成膜層，即可防止自動(dòng)摻雜。其次，使用等離子體蝕刻器進(jìn)行接合分離。為防止等離子體或是自由基侵入受光面la或背面lb，此步驟中，在堆疊多個(gè)片的樣本基板的狀態(tài)下，將基板端面削減約數(shù)納米。接著，以氟酸蝕刻形成于表面的磷玻璃之后，使用具有13.56MHz頻率的直接等離子體CVD裝置，在射極層上沉積例如氮化膜作為表面保護(hù)膜(保護(hù)膜)兼反射防止膜4。該保護(hù)膜兼反射防止膜4，由于也兼作反射防止膜，厚度以70nm至100nm為優(yōu)選。作為替代，其他可作為反射防止膜的有氧化膜、二氧化鈦膜、氧化鋅膜、氧化錫膜等。此外，除了上述形成方法以外，還有遠(yuǎn)端等離子體CVD法、披覆法、真空蒸鍍法等，從經(jīng)濟(jì)性觀點(diǎn)來看，如上所述，以等離子體CDV法來形成氮化膜較適當(dāng)。此外，在總反射率變得最小的條件下，在上述反射防止膜上形成折射率在1至2之間的膜層例如二氟化鎂膜，則反射率更低，所生成的電流密度也變得更高。其次，使用網(wǎng)版印刷裝置等在背面lb上涂布例如鋁組成的漿料，并使其干燥。此外，還使用網(wǎng)版印刷裝置等，以梳狀電極圖樣印刷版，在受光面la上印刷例如寬度80pm的銀電極，并使其干燥。此時(shí)，利用對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)印刷擴(kuò)散漿料，使梳狀電極位于條狀印刷的部位上。對準(zhǔn)方法例如可為由高濃度擴(kuò)散層的顏色直接決定電極位置的方法，或是預(yù)先在基板上作記號再以此為標(biāo)記印刷擴(kuò)散漿料與電極的方法。之后，以預(yù)定的熱工藝進(jìn)行燒結(jié)，形成背面電極6以及表面梳狀電極7。不止可用上述印刷法，也可用真空蒸鍍法、濺鍍法等來形成這些電極。依此，即制成圖1所示的太陽能電池。另一方面，以圖2(b)來說明使用掩模形成二段式射極的傳統(tǒng)太陽能電池制造流程。首先，與本發(fā)明的第一實(shí)施方案相同，準(zhǔn)備例如15cm四方形切片后的摻雜鎵p型單結(jié)晶硅基板等半導(dǎo)體基板，并進(jìn)行蝕刻損傷、隨機(jī)紋理的形成等。洗凈基板后，通過氧化在表面上形成氧化膜以作為擴(kuò)散掩模。為用作擴(kuò)散掩模，該氧化膜的厚度至少為100nm。接著，為了形成間距2mm的線狀高濃度擴(kuò)散層，必需在擴(kuò)散掩模上作出線狀開口。其方法是通過印刷光致抗蝕劑，將不作為開口的部位予以覆蓋，要作為開口的部位則以氟酸蝕刻。本例中是利用切割機(jī)，將氧化膜切成線狀而作出開口。此時(shí)，雖然切削氧化層時(shí)也切削了部分的半導(dǎo)體基板，但由于是在接點(diǎn)附近，所以不影響特性。形成掩模的部分開口之后，進(jìn)行洗凈，并進(jìn)行POCl3氣相擴(kuò)散，使擴(kuò)散部分的片電阻成為例如40Q/口以下，形成高濃度擴(kuò)散層(例如11++層)。接著，進(jìn)行掩模蝕刻，其次，進(jìn)行POCl3氣相擴(kuò)散，使受光面整面擴(kuò)散部分的片電阻成為例如100Q/口，形成低濃度擴(kuò)散層(例如n+層)。以形成二段式射極。下一工藝的接合分離以及其后的工藝，是如圖2(a)所示，與上述第一實(shí)施方案的工藝相同地進(jìn)行的。上述傳統(tǒng)例的具有二段式射極的太陽能電池的制法雖是一種極為正統(tǒng)的方法，但若比較圖2(a)、圖2(b)，工藝步驟壓倒性地少的圖2(a)所公開的本發(fā)明制造方法大幅地減少了制造成本，更為優(yōu)異。因而，通過利用本發(fā)明所公開的制法，在太陽能電池市場中將可以產(chǎn)出競爭力強(qiáng)的制品。此外，上述實(shí)施方案中雖是以半導(dǎo)體裝置之一的太陽能電池為例來詳述的，但本發(fā)明并不限于太陽能電池，只要是在面內(nèi)具有相異表面濃度的擴(kuò)散層的其它半導(dǎo)體裝置均適用本發(fā)明。亦即，以下這種半導(dǎo)體裝置制造方法可防止摻雜劑向外擴(kuò)散，以低成本、高制造合格率地制造出在面內(nèi)具有摻雜劑表面濃度相異的擴(kuò)散層的半導(dǎo)體裝置，該方法包含以下步驟在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及含有摻雜劑的第二涂布劑，之后通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成由該第一涂布劑形成的第一擴(kuò)散層、以及由該第二涂布劑形成的且其導(dǎo)電率與第一擴(kuò)散層相異的第二擴(kuò)散層。其次，進(jìn)一步地說明本發(fā)明的制造方法中高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層的形成方法的細(xì)節(jié)。亦即，為了以涂布擴(kuò)散法在同一面內(nèi)形成兩種濃度的擴(kuò)散層，作為第一涂布劑與第二涂布劑，其摻雜劑的含有率、粘度、摻雜劑飛散防止劑與自動(dòng)摻雜防止劑的含量以及摻雜劑的種類之中，至少有一種以上相異，和/或第一涂布劑與第二涂布劑在涂布時(shí)的涂布厚度相異。此外，如圖11所示，在半導(dǎo)體基板上形成溝部16，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑于整面之后，通過擴(kuò)散熱處理，使形成于半導(dǎo)體基板上的溝部下部的第一擴(kuò)散層、以及形成于溝部下部以外部分且其導(dǎo)電率低于第一擴(kuò)散層的第二擴(kuò)散層同時(shí)形成。像這樣，通過使用濃度、粘度相異的涂布劑的方法、以及改變涂布劑的涂布厚度、形成溝部的方法，即可變更擴(kuò)散濃度。以下，具體進(jìn)行說明。使用含有同種類摻雜劑的涂布劑，以一次擴(kuò)散熱處理，同時(shí)在同一面內(nèi)形成如圖l所示的高濃度與低濃度擴(kuò)散層，必須耗工費(fèi)時(shí)。因?yàn)槿粼谙嗤瑴囟认峦瑫r(shí)對具有相同擴(kuò)散系數(shù)的摻雜劑進(jìn)行熱處理時(shí)，會(huì)產(chǎn)生摻雜劑的向外擴(kuò)散、自動(dòng)摻雜，表面濃度即不會(huì)有濃淡差。相對于此，如前所述，本發(fā)明使用至少含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑，實(shí)現(xiàn)以一次擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成高濃度與低濃度擴(kuò)散層。此外，為了更有效地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法，也可改變涂布于基板表面上的各涂布劑的摻雜劑量。改變涂布劑中的摻雜劑量時(shí)，可單純地直接改變涂布劑中所含的摻雜劑含有率，也可改變涂布層厚度。改變摻雜劑的含有率時(shí)，優(yōu)選為將第一涂布劑的摻雜劑含有率，設(shè)定成第二涂布劑的摻雜劑含有率的4倍以上。若使用高粘度的涂布劑，改變網(wǎng)版制版的網(wǎng)目粗細(xì)度，也可改變涂布厚度。此時(shí)若要調(diào)整粘度，例如改變涂布劑中的乙二醇單甲醚的含量即可。另一方面，形成溝部的方法在結(jié)構(gòu)上改變膜層的厚度。作為大幅地改變涂布厚度的方法，例如改變涂布劑的粘度從而大幅地改變涂布劑粘度的方法，例如為變更涂布劑的含有物。例如，優(yōu)選為在乙二醇單甲醚中添加增粘劑作為涂布劑的結(jié)合劑以增高粘度。增粘劑則優(yōu)選包含例如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯甲醚、聚乙烯醇縮丁醛、聚醋酸乙烯酯、以及這些材料的共聚合物、或纖維素介電體、或聚丙烯酸酯，但不限定于此。此時(shí)，為了控制涂布劑的粘度，并控制摻雜劑的向外擴(kuò)散，更為優(yōu)選的是添加二氧化硅顆粒例如添加硅膠。依此，將可增厚涂布厚度，成為適于形成高濃度擴(kuò)散層的涂布劑。此外，擴(kuò)散熱處理時(shí)，不需要結(jié)合劑，因而在40(TC以上烘烤時(shí)，必須使其散到大氣中。另一方面，為了極端降低粘度，控制摻雜劑中的自動(dòng)摻雜時(shí)，優(yōu)選將摻雜劑混入醇鹽類中，且為了避免壽命抑制因數(shù)的混入，優(yōu)選將摻雜劑混入含有硅氧化物前體的硅素的醇鹽類中。依此，成為適于形成低濃度擴(kuò)散層的涂布劑。此時(shí)，若加熱至約150°C，醇鹽將因水解、部分縮合作用，而產(chǎn)生二氧化硅亦即玻璃，阻止摻雜劑的自動(dòng)摻雜。像這樣的涂布劑無法較厚地形成，且易于滲出，因而不適于作為第一涂布劑。此外，即使改變抑制涂布劑的摻雜劑向外擴(kuò)散以及自動(dòng)摻雜的摻雜劑飛散防止劑、以及自動(dòng)摻雜防止劑的含量，因粘度等的改變，也可在同一面內(nèi)、相同熱處理下產(chǎn)生擴(kuò)散層的濃度差。至此，雖敘述了利用同種類的摻雜劑使其產(chǎn)生濃度差的方法，然而也有其他方法，如利用擴(kuò)散系數(shù)相異的元素作為摻雜劑，即使通過相同溫度的熱處理，也可確實(shí)地產(chǎn)生濃度差。例如，在約9ocrc，磷的擴(kuò)散系數(shù)是高出銻的擴(kuò)散系數(shù)的二位數(shù)。磷與銻其中任一種均是n型摻雜劑，對于p型基板，均為施體，因此，準(zhǔn)備摻雜劑為磷的涂布劑，以及摻雜劑為銻的涂布劑，即可容易地制作二段式射極。上述工藝中，若用含有硅膠等的硅化合物的第三涂布劑，涂布覆蓋在第一涂布劑或第二涂布劑的上部，之后進(jìn)行該擴(kuò)散熱處理，可進(jìn)一步抑制向外擴(kuò)散與自動(dòng)摻雜，借此，可更確實(shí)地形成二段式射極的高濃度擴(kuò)散層與低濃度擴(kuò)散層間的表面濃度差。圖5是本發(fā)明的另一施方案的太陽能電池的制造方法的說明圖。圖5(a)所示處理A中，除圖2(a)的制造流程中的氣相擴(kuò)散熱處理之外，在擴(kuò)散熱處理之后，將其浸入氨與過氧化氫水混合液中，將表層的射極層中認(rèn)為是界面電平密度高的部分，亦即厚度約數(shù)納米的部分，加以蝕刻(回蝕(etchback))。其后的反射防止膜形成工藝以后，則進(jìn)行與圖2(a)相同的處理，如此將進(jìn)一步減少低濃度擴(kuò)散層的表面電平，提高太陽能電池的性能。除了使用氨和過氧化氫水溶液，也可用氟硝酸或弱堿進(jìn)行表層蝕刻，也可得到相同效果。圖5(b)所示的處理B是在圖2(a)工藝中擴(kuò)散熱處理之后進(jìn)行的，不使其降溫，僅流通干氧并在爐內(nèi)保持10分鐘。因此，氧化最表面的界面電平密度高的區(qū)域使得接合分離后，以稀氟酸進(jìn)行的玻璃蝕刻即可容易地進(jìn)行。此時(shí)，其后的反射防止膜形成工藝以后，也進(jìn)行與圖2(a)相同的處理，可進(jìn)一步減少低濃度擴(kuò)散層的表面電平，提高太陽能電池的性能。圖6是表示本發(fā)明的太陽能電池的制造方法的另一實(shí)施方案中、關(guān)于擴(kuò)散熱處理工藝時(shí)的擴(kuò)散層形成方法的說明圖。圖6的實(shí)施方案是在氣相擴(kuò)散源環(huán)境下進(jìn)行擴(kuò)散熱處理。如前所述，例如在擴(kuò)散漿料中添加硅膠等，雖可抑制摻雜劑的向外擴(kuò)散，但實(shí)際上無法百分之百地抑制。結(jié)果，因向外擴(kuò)散的摻雜劑再度擴(kuò)散而在表面內(nèi)產(chǎn)生擴(kuò)散層的濃度分布。這將成為個(gè)別差異，亦即性能變成參差不齊，所以必需極力抑制。因此，若以在某種程度再擴(kuò)散的情況下制作太陽能電池為前提，擴(kuò)散熱處理時(shí)，若將樣本配置于充分充滿摻雜劑的氣相擴(kuò)散源環(huán)境下，即可使擴(kuò)散層的濃度面內(nèi)分布均勻。借此即可制造性能差異少的太陽能電池。圖7是本發(fā)明的太陽能電池的另一實(shí)施方案中，表示背面接觸型太陽能電池的剖面構(gòu)造圖。此背面接觸型太陽能電池101包含形成于半導(dǎo)體基板受光面背面的高濃度射極層2、低濃度射極層3以及局部BSF層10。高濃度射極層2是第一擴(kuò)散層，其導(dǎo)電類型與半導(dǎo)體基板l所具有的第一導(dǎo)電類型相反，可稱為相反導(dǎo)電類型；低濃度射極層3是第二擴(kuò)散層，其導(dǎo)電率低于高濃度射極層2，其具有相反導(dǎo)電類型；局部BSF層IO是擴(kuò)散層，其導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型相同，為相同導(dǎo)電類型。背面接觸型太陽能電池由于在受光面上不具有電極，因此有外觀漂亮的特點(diǎn)。此外，一般要將太陽能電池作成模塊時(shí)如圖8(C)所示，需以厚度100200,的接線13連接相鄰太陽能電池的受光面與背面的電極，因而會(huì)有引發(fā)太陽能電池破裂的缺點(diǎn)。但是，背面接觸型太陽能電池中，只要如圖8(a)、圖8(b)所示般地連接線即可，所以還具有可大幅減少破裂的特征。雖然此太陽能電池構(gòu)造具有如此多的優(yōu)點(diǎn)，但由于必須在同一面內(nèi)形成具有相反導(dǎo)電類型的高濃度擴(kuò)散層，即高濃度p型擴(kuò)散層與高濃度n型擴(kuò)散層，因此工藝非常復(fù)雜。但是，如依以下所說明的方法，則不需要擴(kuò)散掩模，也可在同一面內(nèi)形成三種或三種以上擴(kuò)散層，相對于基板的導(dǎo)電類型，上述擴(kuò)散層具有相同導(dǎo)電類型或相反導(dǎo)電類型?；镜墓に嚥襟E也如前所述，與傳統(tǒng)制法幾乎一樣，可簡單地制作。以下，說明制造太陽能電池的本發(fā)明另一實(shí)施方案的太陽能電池的制造方法。首先，準(zhǔn)備結(jié)晶面方位(100)、15cm四方形、厚200pm、切片后的電阻系數(shù)為0.5Q.cm(摻雜劑濃度為1.01X1016cm—3)、摻雜磷、導(dǎo)電類型為n型的單結(jié)晶硅基板，作為半導(dǎo)體基板1。利用與圖2(a)所示工藝相同的方法，進(jìn)行兩面合計(jì)約30pm的損傷蝕刻，再在表面上形成反射防止構(gòu)造用的紋理。接著，洗凈基板后，利用網(wǎng)版印刷裝置，印刷含有如前所述的摻雜劑飛散防止劑(硅膠)與15g/100ml含量的氧化硼的擴(kuò)散漿料，以制作導(dǎo)電類型與基板1相反的高濃度射極層2。此時(shí)的印刷圖樣為間距2mm、寬200(im的線。進(jìn)一步，印刷含有如前所述的自動(dòng)摻雜防止劑(硅氧化物前體)與4g/100ml含量的氧化硼的擴(kuò)散漿料，以制作導(dǎo)電類型與基板1相反的低濃度射極層3。該印刷圖樣為相同間距2mm、寬1600pm的線，中心與最初的印刷圖樣重疊地印刷。進(jìn)一步，在未印刷上述硼擴(kuò)散漿料的區(qū)域中，印刷與圖2(a)的說明中所用的相同的含有磷酸的擴(kuò)散漿料，以制作與基板1相同導(dǎo)電類型的局部性BSF層IO。此印刷圖樣是間距2mm、寬200pm的線條。印刷后，在700。C烘烤30分鐘，之后，在同一面上，以3000rpm、15秒的條件，旋轉(zhuǎn)涂布例如含有硅膠的涂布劑，以在此狀態(tài)下，將此樣本基板放入熱處理爐中進(jìn)行擴(kuò)散熱處理。此熱處理是在IOO(TC、保持20分鐘的條件20下進(jìn)行的。其次，與圖2(a)相同，利用等離子體蝕刻器進(jìn)行接合分離之后，用氟酸蝕刻形成于表面上的磷與硼玻璃。之后，例如使用直接等離子體CVD裝置，在受光面上沉積厚度85nm的保護(hù)膜兼反射防止層4，保護(hù)膜兼反射防止層4例如為氮化膜等。并利用相同的直接等離子體CVD裝置，在背面上沉積厚度55nm的背面保護(hù)膜11，例如氮化膜等，作為表面保護(hù)。若將背面的氮化膜的厚度沉積至70nm至110nm，則可作為兩面受光電池。其次，利用具有對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的網(wǎng)版印刷裝置，對應(yīng)于硼與磷高濃度擴(kuò)散層，使用銀組成的電極漿料印刷出圖8(a)所示的梳狀電極圖樣。待電極漿料干燥后，以預(yù)定的熱工藝進(jìn)行燒結(jié)，形成背面梳狀電極12，制成背面接觸型太陽能電池101。這樣制成的背面接觸型太陽能電池與傳統(tǒng)方法制成的太陽能電池相比，在構(gòu)造上并沒有改變，性能上也沒有差異。因此，利用本制法制作的太陽能電池，將可享有不需擴(kuò)散掩模、可簡單地制作外觀相當(dāng)美且破損極少的背面接觸型太陽能電池的優(yōu)點(diǎn)。圖9是本發(fā)明的太陽能電池的另一實(shí)施方案的表示太陽能電池的剖面構(gòu)造圖。如圖1所示，一般網(wǎng)版印刷技術(shù)作成的太陽能電池的構(gòu)造是背面整面覆蓋由鋁形成的BSF層5。如縮小該BSF層的面積，并以高品質(zhì)的保護(hù)膜來覆蓋背面其它區(qū)域，則可提高開路電壓，其結(jié)果已知可增大輸出。圖9所示的太陽能電池縮小了BSF層面積，圖9(a)所示的實(shí)施例(以下稱為樣本(A))中，僅在背面梳狀電極12接觸點(diǎn)正下方附近形成導(dǎo)電類型與基板1相同的局部BSF層10。圖9(b)所示的實(shí)施例(以下稱為樣本(B))中，則僅在背面梳狀電極12接觸點(diǎn)下方附近形成導(dǎo)電類型與基板1相同的高濃度BSF層14，并在背面全面形成導(dǎo)電類型與基板1相同的低濃度BSF層15。如前所述，傳統(tǒng)技術(shù)在表面內(nèi)某些部分形成擴(kuò)散層時(shí)必需有擴(kuò)散掩模，然而根據(jù)本發(fā)明的制造方法則可簡單地作成預(yù)定的構(gòu)造而不需要擴(kuò)散掩模。以下，說明制造圖9所示太陽能電池時(shí)，關(guān)于本發(fā)明的太陽能電池的制造方法的實(shí)施方案。首先，準(zhǔn)備結(jié)晶面方位(100)、15cm四方形、厚250^im、切片后的電阻系數(shù)為0.5Q.cm(摻雜劑濃度為3.26X1016cm—3)、摻雜鎵、導(dǎo)電類型為P型的單結(jié)晶硅基板，作為半導(dǎo)體基板1。利用與圖2(a)所示工藝相同的方法，進(jìn)行兩面合計(jì)約30pm的蝕刻，再在表面上形成反射防止構(gòu)造用的紋理。接著，洗凈基板后，以在受光面?zhèn)茸鞒龆问缴錁O為目的，根據(jù)與圖2(a)說明的相同條件，在要制作高濃度擴(kuò)散層的區(qū)域，印刷擴(kuò)散漿料，而將涂布劑涂布在其它區(qū)域。其次，以含有0.1g/ml比例、導(dǎo)電類型與基板1相同的摻雜劑也就是氧化硼與硅膠等的摻雜劑飛散防止劑的漿料，在背面?zhèn)扔∷⒗缇哂?mm的間距、200pm寬度的線圖樣。至此為止的工藝的樣本中，將一半樣本以此狀態(tài)在700'C烘烤30分鐘，接著在以3000rpm進(jìn)行15秒鐘的條件下，在背面上旋轉(zhuǎn)涂布含有烷氧基硅烷的涂布劑，將此設(shè)定為樣本(A)。另一方面，接著在經(jīng)過前述工藝的一半樣本上全面印刷含有氧化硼與二氧化硅等的自動(dòng)摻雜防止劑的漿料，在70(TC烘烤30分鐘，將此設(shè)定為樣本(B)。接著，將上述樣本(A)、(B)放入熱處理爐中，在980'C下保持10分鐘，然后取出。其次，與圖2(a)所示的工藝相同，使用等離子體蝕刻器進(jìn)行接合分離，之后用氟酸蝕刻形成于表面的磷與硼玻璃。之后，使用直接等離子體CVD裝置，在兩面沉積例如厚85nm的保護(hù)膜兼反射防止層4，如氮化膜等。其次，使用具有對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的網(wǎng)版印刷裝置，對應(yīng)于兩面的高濃度擴(kuò)散層，使用銀組成的電極漿料印刷梳狀電極圖樣。待電極漿料干燥后，以預(yù)定的熱工藝進(jìn)行燒結(jié)，制作如圖9所示的太陽能電池。本實(shí)施方案中，將BSF領(lǐng)域限制在整面的接觸點(diǎn)下方附近，因此與圖l所示的太陽能電池相比，開路電壓大幅提升。并且短路電流因背面附近的光吸收減少而增大。此外，因背面使用柵狀電極，所以基板的翹曲減少，亦即易于薄型化。上述實(shí)施方案中，雖可通過調(diào)節(jié)擴(kuò)散漿料中的摻雜劑量而形成樣本(B)的低濃度BSF層，但不添加摻雜劑而減少硅膠的含有量，通過從形成高濃度BSF層的擴(kuò)散漿料向外擴(kuò)散的摻雜劑的再擴(kuò)散，也可形成與樣本(B)相同的構(gòu)造。此外，在沉積氮化膜等的反射防止膜兼保護(hù)膜之前，如先通過氧化來附著530nm厚的氧化膜，則開路電壓進(jìn)一步提高，發(fā)電效率因而更高。以下，通過本發(fā)明的實(shí)施例與比較例進(jìn)行更具體的說明，但本發(fā)明不限定于此。實(shí)施例l、比較例l實(shí)施例1，根據(jù)圖2(a)的工藝，使用由CZ法制成，結(jié)晶面方位(100)、15cm四方形、厚250pm、切片后的電阻系數(shù)為2Q.cm(摻雜劑濃度為7.2X1015cm—3)、摻雜鎵、第一導(dǎo)電類型為P型的單結(jié)晶硅基板，將其浸入40重量百分比的氫氧化鈉水溶液中，蝕刻除去損傷層。其次，將該基板浸入添加異丙醇至3重量百分比的氫氧化納中而成的水溶液中，以濕蝕刻，在表面上形成隨機(jī)紋理。接著在洗凈基板后，在基板受光面上，以網(wǎng)版印刷機(jī)來印刷涂布含有磷酸與硅膠的擴(kuò)散漿料。此時(shí)的印刷圖樣是間距2mm、寬150pm的線形圖樣。將經(jīng)過印刷的基板在70(TC之下烘焙30分鐘，之后，在同一面上，與擴(kuò)散漿料接觸地涂布含有五氧化二磷與烷氧基硅烷的涂布劑。該涂布是通過旋轉(zhuǎn)涂布，在3000rpm、15秒的條件下進(jìn)行的。之后，將如此作成的樣本基板放入熱處理爐中，以88(TC保持30分鐘，進(jìn)行擴(kuò)散熱處理后再取出。僅涂布了涂布劑的部位(未印刷擴(kuò)散漿料的部分)的片電阻測量結(jié)果為80至110Q/口。以散布電阻(SR)法確認(rèn)擴(kuò)散輪廓，得知印刷成條狀的擴(kuò)散漿料部分的摻雜劑表面濃度為2X102Qcm'2。其次，使用等離子體蝕刻器進(jìn)行接合分離，用氟酸來蝕刻形成于接續(xù)表面上的磷玻璃后，使用具有13.56MHz頻率的直接等離子體CVD裝置，在射極上沉積厚度70nm的氮化膜。其次，使用網(wǎng)版印刷裝置等，在背面上涂布鋁組成的漿料，并使其干燥。此外，也利用網(wǎng)版印刷裝置等，在受光面?zhèn)壬弦允釥铍姌O圖樣印刷版，印刷寬度為80pm的銀電極，并使其干燥。此時(shí)，利用對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，將梳狀電極加印于高濃度射極層上。之后，通過預(yù)定的熱工藝進(jìn)行燒結(jié)，形成背面電極與表面梳狀電極，制成太陽能電池。另一方面，比較例1是采用與實(shí)施例1、2相同的15cm四方形、切片后的慘雜鎵P型單結(jié)晶硅基板，依圖2(b)的工藝，制作太陽能電池。將制作的15cm四方形太陽能電池置于25X:的環(huán)境中，在太陽光模擬器(光強(qiáng)度lkW/m2，光譜AM1.5global)下，測量其電流電壓特性。表1顯示出測量結(jié)果。[表l]開路電壓(V)短路電流密度(mA/cm2)轉(zhuǎn)換效率填充系數(shù)(Fillfactor)實(shí)施例10.63236.518.20.791比較例10.63836.218.20.789如表1所示，實(shí)施例1的太陽能電池與傳統(tǒng)制法制成的比較例1的太陽能電池相比，工藝步驟壓倒性地少，制造成本較低，但性能并無差異。因而，利用本發(fā)明所公開的制法，在太陽能電池市場中將可以產(chǎn)出競爭力強(qiáng)的制品。實(shí)施例2實(shí)施例2通過本發(fā)明的各種二段式射極制作方法來制作太陽能電池。表2中顯示此時(shí)形成的高濃度層、低濃度層的片電阻。表3中合并顯示那些太陽能電池的特性。如表2所示，為了通過涂布擴(kuò)散法在同一面內(nèi)形成兩種濃度擴(kuò)散層，本實(shí)施例利用了涂布劑中所含摻雜劑含有量、涂布厚度、玻璃含量(硅化合物含量)、元素等的變更。尤其是，關(guān)于涂布厚度的變更利用了粘度的變更或利用溝部。以下簡單說明二段式射極的制法。此外，形成紋理、擴(kuò)散后至形成電極的一連串的工藝與實(shí)施例1是相同的。首先，對于樣本A、C、D、E，通過變更表2所示的項(xiàng)目，形成高濃度層與低濃度層。例如，樣本A中，準(zhǔn)備兩種改變摻雜劑含量的涂布劑，例如形成高濃度層時(shí)使用磷酸含量10g/100ml的擴(kuò)散漿料。此外，樣本C中改變涂布劑中的乙二醇單甲醚含量以改變粘度，樣本D中以硅膠和烷氧基硅烷作為所含的硅化合物，樣本E中則是改變玻璃的含量。此外本工藝中，高濃度層為寬200pm、間距2.0mm的線，通過網(wǎng)版印刷而印刷涂布劑。另一方面，低濃度層是通過旋轉(zhuǎn)涂布涂布劑而形成的。此外，對于樣本B、F的高濃度層及低濃度層，均利用網(wǎng)版印刷來印刷涂布劑。此外在樣本B中，在形成高濃度層的涂布劑中添加了聚乙烯醇；在樣本F中，各涂布劑中所含的摻雜劑是擴(kuò)散系數(shù)相異的磷和銻。此時(shí)，高濃度層是寬200pm、間距2.0mm的線條。另一方面，對于樣本G，僅旋轉(zhuǎn)涂布實(shí)施例1中所用的一種涂布劑。這些AG樣本中的半數(shù)是在88(TC實(shí)施30分鐘的熱處理以完成擴(kuò)散的。剩下的半數(shù)樣本則是在進(jìn)行熱處理前，在同一面上，以3000rpm、15秒的條件，涂布含有硅膠的涂布劑，在相同的上述條件下，完成擴(kuò)散熱處理的。表2內(nèi)"覆蓋層"表示該膜層。此外，片電阻的測量是在玻璃蝕刻之后，以四探針法來進(jìn)行的。此外，表3中所示的太陽能電池的各種特性是形成有該"覆蓋層"的太陽能電池的特性。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>如表3所示，在任一例子中，雖有些許差異而會(huì)影響二段式射極構(gòu)造，但是其與轉(zhuǎn)換效率約在1216%的一般網(wǎng)版印刷型太陽能電池相比，不僅工藝步驟壓倒性地少、制造成本低，并可得到轉(zhuǎn)換效率高的太陽能電池。實(shí)施例3依據(jù)圖5所示的處理A、B的工藝制作太陽能電池。除了擴(kuò)散層表面的回蝕、表面氧化以外，其他制造條件均與實(shí)施例l相同。此時(shí)，回蝕是在熱處理后進(jìn)行的，即將基板浸入氨/過氧化氫水溶液中，將表面蝕刻掉數(shù)納米。另一方面，表面氧化是持續(xù)進(jìn)行的熱處理，不進(jìn)行降溫，而只流入干氧，使基板在熱處理爐內(nèi)保持10分鐘。依本實(shí)施例而得的太陽能電池的各種特性顯示于表4中。實(shí)施例1的太陽能電池的各種特性也顯示于表4中作為比較。分光感度特性(外部量子效率)如圖10所示。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>應(yīng)用本實(shí)施例的處理A、B的兩樣本均進(jìn)行熱處理后，與未進(jìn)行射極回蝕、表面氧化的實(shí)施例l相比，短路電流、開路電壓兩方面都有較高的值。但是，由于接觸點(diǎn)部的表面濃度有一定降低，因此填充系數(shù)也減少了。短路電流的增加如圖IO所示，其原因是在射極回蝕與表面氧化后，短波長域的量子效率增加了。如本實(shí)施例所述，通過擴(kuò)散層表層部的改質(zhì)，降低了界面電平密度，進(jìn)而改善了太陽能電池的性能。實(shí)施例4依圖6所示的方法，在POC13氣相擴(kuò)散源環(huán)境下在90(TC進(jìn)行擴(kuò)散熱處理。其它條件是使用與實(shí)施例1相同的擴(kuò)散漿料、涂布劑。依據(jù)上述方法作成的太陽能電池的各種特性的平均值以及顯示參差度的標(biāo)準(zhǔn)偏差顯示于表5中。若參考括弧內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)差，與實(shí)施例l相比，可知本實(shí)施例的制法減少了標(biāo)準(zhǔn)偏差。亦即，本實(shí)施例的制法改善了性能參差度。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表內(nèi)括號()中表示的是標(biāo)準(zhǔn)偏差。實(shí)施例5制作如圖7所示的背面接觸型太陽能電池。具體地說，準(zhǔn)備結(jié)晶面方位(100)、15cm四方形、厚200pm、切片后的電阻系數(shù)為0.5Q.cm(摻雜劑濃度為1.01X1016cm—3)、摻雜磷、導(dǎo)電類型為n型的單結(jié)晶硅基板，利用與圖2(a)所示工藝相同的方法，進(jìn)行兩面合計(jì)約30pm的損傷蝕刻，再在表面上形成反射防止構(gòu)造的紋理。接著，洗凈基板后，利用網(wǎng)版印刷裝置，印刷含有硅膠與含量為15g/100ml的氧化硼的擴(kuò)散漿料，以制作高濃度射極層。此時(shí)的印刷圖樣為間距2mm、寬200pm的線。進(jìn)一步地，印刷含有烷氧基硅垸與含量為4g/100ml的氧化硼的擴(kuò)散漿料，以制作低濃度射極層。該印刷圖樣為相同間距2mm、寬1600pm的線，中心與最初的印刷圖樣重疊地印刷。再進(jìn)一步地，在未印刷上述硼擴(kuò)散漿料的區(qū)域中，印刷與圖2(a)的說明中所用的相同的含有磷酸的擴(kuò)散漿料，以制作局部性BSF層。此印刷圖樣是間距2mm、寬200拜的線條。印刷后，在700。C烘烤30分鐘，之后在同一面上，以3000rpm、15秒的條件，旋轉(zhuǎn)涂布含有硅膠的涂布劑，以此狀態(tài)將此樣本基板放入熱處理爐中。此熱處理是在100(TC、保持20分鐘的條件下進(jìn)行的。其次，與圖2(a)相同地，利用等離子體蝕刻器進(jìn)行接合分離之后，用氟酸蝕刻形成于表面上的磷與硼玻璃。之后，使用直接等離子體CVD裝置，在受光面上沉積厚度85nm的氮化膜。此外，在背面上，利用相同的直接等離子體CVD裝置，沉積厚度55nm的氮化膜。其次，利用具有對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的網(wǎng)版印刷裝置，對應(yīng)于硼與磷高濃度擴(kuò)散層，使用銀組成的電極漿料印刷圖8(a)所示的梳狀電極圖樣。待電極漿料干燥后，以預(yù)定的熱工藝進(jìn)行燒結(jié)，形成背面梳狀電極，制成背面接觸型太陽能電池。將制作的15cm四方形太陽能電池置于25匸的環(huán)境中，在太陽光模擬器(光強(qiáng)度lkW/m2，光譜AM1.5)下，測量其電流電壓特性。表6顯示出實(shí)施例5與實(shí)施例1的太陽能電池的各種特性。其結(jié)果，實(shí)施例5的背面接觸型太陽能電池中，與實(shí)施例1的具有一般構(gòu)造的太陽能電池相比，雖然短路電流減少，但開路電壓、填充系數(shù)增加，得到約略相同的轉(zhuǎn)換效果。[表6]<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>實(shí)施例6制作如圖9(a)、圖9(b)所示的太陽能電池。具體地說，準(zhǔn)備結(jié)晶面方位(100)、15cm四方形、厚25(Him、切片后的電阻系數(shù)為0.5Q.cm(摻雜劑濃度為3.26X1016cm—3)、摻雜鎵、導(dǎo)電類型為p型的單結(jié)晶硅基板，利用與圖2(a)所示工藝相同的方法，進(jìn)行兩面合計(jì)約30^im的損傷蝕刻，再利用與圖2(a)相同的方法，在表面上形成反射防止構(gòu)造的紋理。接著在洗凈基板后，在與實(shí)施例1、2相同的條件下，在高濃度擴(kuò)散層的區(qū)域印刷擴(kuò)散漿料。在其它區(qū)域涂布涂布劑，借此在受光面?zhèn)壬献鞒龆问缴錁O。其次在背面?zhèn)壬?，?.1g/ml的比例，以例如2mm的間距、200pm寬度的線圖樣，印刷含有氧化硼與硅膠的漿料。至此為止的工藝的樣本中，將一半樣本以此狀態(tài)70(TC烘烤30分鐘，接著在背面上以3000rpm進(jìn)行15秒鐘的條件下，旋轉(zhuǎn)涂布含有垸氧基硅垸的涂布劑(樣本A)。另一方面，將剩下的一半樣本全面印刷含有氧化硼與二氧化硅的漿料，在70(TC烘烤30分鐘(樣本B)。接著，將這些樣本放入熱處理爐中，在98(TC保持10分鐘，然后取出。其次，如圖2(a)所示，使用等離子體蝕刻器進(jìn)行接合分離之后，再用氟酸蝕刻形成于表面的磷與硼玻璃。之后，使用直接等離子體CVD裝置，在兩表面上沉積厚度85nm的氮化膜。其次，使用具有對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的網(wǎng)版印刷裝置，對應(yīng)于兩表面的高濃度擴(kuò)散層，使用銀組成的電極漿料印刷梳狀電極圖樣。待電極漿料干燥后，以預(yù)定的熱工藝進(jìn)行燒結(jié)，制作如圖9(a)、圖9(b)所示的太陽能電池。將制作的15cm四方形太陽能電池，置于25'C的環(huán)境中，太陽光模擬器(光強(qiáng)度lkW/m2，光譜AM1.5)下，測量其電流電壓特性。表7顯示出實(shí)施例6與實(shí)施例1的太陽能電池各種特性。[表7]開路電壓(V)短路電流密度(mA/cm2)轉(zhuǎn)換效率(%)填充系數(shù)實(shí)施例6樣本(A)0.64437.318.90.786實(shí)施例6樣本(B)0.64137.819.20.793實(shí)施例10.63236.518.20.791在本實(shí)施例中，將高濃度的BSF層限制在整面的接觸點(diǎn)下方附近，因此與實(shí)施例l的結(jié)果相比，開路電壓大幅提高。此外，短路電流因背面附近的光吸收減少而增大。此外，因背面使用柵狀電極，基板的翹曲減少，亦即易于薄型化。此外，本發(fā)明并非由上述實(shí)施方案來限定，上述實(shí)施方案僅為例示，凡是具有和本發(fā)明權(quán)利要求范圍所記載的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)相同、可達(dá)到同樣的作用效果的方案，均包含在本發(fā)明的技術(shù)思想中。權(quán)利要求1.一種太陽能電池的制造方法，為在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成PN結(jié)而制造出太陽能電池的方法，其特征為至少包含下列步驟在該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及至少與該第一涂布劑連接且含有摻雜劑的第二涂布劑后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成第一擴(kuò)散層以及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層是通過涂布該第一涂布劑形成的；該第二擴(kuò)散層是通過涂布該第二涂布劑形成的，且該第二擴(kuò)散層的導(dǎo)電率低于該第一擴(kuò)散層的導(dǎo)電率。2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中該第二涂布劑含有自動(dòng)摻雜防止劑。3.—種太陽能電池的制造方法，為在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成PN結(jié)而制造出太陽能電池的方法，其特征為至少包含下列步驟先在該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成溝部，在整面上涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑之后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成第一擴(kuò)散層以及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層形成于該半導(dǎo)體基板上的該溝部下部；該第二擴(kuò)散層形成于該溝部下部以外的部分，且該第二擴(kuò)散層導(dǎo)電率低于第一擴(kuò)散層的導(dǎo)電率。4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中該擴(kuò)散熱處理是在氣相擴(kuò)散源環(huán)境下進(jìn)行的。5.如權(quán)利要求l-4中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中該揍雜劑飛散防止劑或自動(dòng)摻雜防止劑含有硅化物。6.如權(quán)利要求1、2、4、5中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中該第一涂布劑與該第二涂布劑的摻雜劑的含有率、粘度、摻雜劑飛散防止劑與自動(dòng)摻雜防止劑的含量以及摻雜劑的種類之中至少一種相異，和/或該第一涂布劑與該第二涂布劑涂布時(shí)的涂布厚度相異。7.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池的制造方法，其中該第一涂布劑的摻雜劑含有率是該第二涂布劑的摻雜劑含有率的四倍以上。8.如權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中該摻雜劑飛散防止劑中含有的硅化合物是二氧化硅，該自動(dòng)摻雜防止劑中含有的硅化物是硅氧化物前體。9.如權(quán)利要求l-8中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中還包含:將含有硅化合物的第三涂布劑，涂布覆蓋于該第一涂布劑和/或該第二涂布劑上部，之后進(jìn)行該擴(kuò)散熱處理的步驟。10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中還包含下列步驟回蝕由該擴(kuò)散熱處理所形成的擴(kuò)散層表面。11.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中還包含下列步驟氧化由該擴(kuò)散熱處理所形成的擴(kuò)散層表面。12.如權(quán)利要求l-ll中任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制造方法，其中在該半導(dǎo)體基板的受光面與該受光面的背面的至少其中一方，形成第一擴(kuò)散層與第二擴(kuò)散層。13.—種太陽能電池，是以權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的制造方法制成的，包含形成于該半導(dǎo)體基板的受光面上的第一擴(kuò)散層及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層具有與該半導(dǎo)體基板所具有的第一導(dǎo)電類型相反的相反導(dǎo)電類型；該第二擴(kuò)散層的導(dǎo)電率低于該相反導(dǎo)電類型的該第一擴(kuò)散層。14.一種太陽能電池，是針對權(quán)利要求13所述的太陽能電池，還至少包含擴(kuò)散層，該擴(kuò)散層形成于該受光面的背面，導(dǎo)電類型與該第一導(dǎo)電類型相同。15.—種太陽能電池，是以權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的制造方法制成的，包含形成于該半導(dǎo)體基板的受光面背面的第一擴(kuò)散層、第二擴(kuò)散層以及擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層具有與該半導(dǎo)體基板所具有的第一導(dǎo)電類型相反的相反導(dǎo)電類型；該第二擴(kuò)散層具有相反導(dǎo)電類型，且該第二擴(kuò)散層的導(dǎo)電率低于該相反導(dǎo)電類型的該第一擴(kuò)散層；該擴(kuò)散層與該第一導(dǎo)電類型是相同導(dǎo)電類型。16.—種半導(dǎo)體的制造方法，其特征為至少包含下述步驟在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及含有摻雜劑的第二涂布劑后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成第一擴(kuò)散層以及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層是由涂布該第一涂布劑形成的；該第二擴(kuò)散層是由涂布該第二涂布劑形成的，且該第二擴(kuò)散層的導(dǎo)電率與該第一擴(kuò)散層相異。17.一種涂布劑，用以涂布在半導(dǎo)體基板上，通過熱擴(kuò)散將慘雜劑摻雜入該半導(dǎo)體基板中的涂布劑，該涂布劑至少包含摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑。18.如權(quán)利要求17所述的涂布劑，其中該摻雜劑飛散防止劑含有硅化合19.如權(quán)利要求18所述的涂布劑，其中該硅化合物是二氧化硅。20.如權(quán)利要求17-19中任一項(xiàng)所述的涂布劑，其中該涂布劑還包含增粘劑。21.如權(quán)利要求17-20中任一項(xiàng)所述的涂布劑，其中該涂布劑是網(wǎng)版印刷用涂布劑。全文摘要本發(fā)明涉及太陽能電池的制造方法和太陽能電池及半導(dǎo)體裝置的制造方法，該太陽能電池的制造方法是在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上形成PN結(jié)以制造出太陽能電池的方法，其特征為至少包含下列步驟在該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板上，涂布含有摻雜劑與摻雜劑飛散防止劑的第一涂布劑、以及至少與該第一涂布劑連接且含有摻雜劑的第二涂布劑后，通過擴(kuò)散熱處理，同時(shí)形成第一擴(kuò)散層以及第二擴(kuò)散層；該第一擴(kuò)散層由涂布該第一涂布劑形成；該第二擴(kuò)散層由涂布該第二涂布劑形成且其導(dǎo)電率低于該第一擴(kuò)散層。借此可一邊得到歐姆接觸一邊通過抑制受光面的電極以外部分的表面再結(jié)合以及射極內(nèi)的再結(jié)合，從而能提供太陽能電池的制造方法及其太陽能電池以及半導(dǎo)體裝置的制造方法，可用簡便容易的方法便宜地制造出提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。文檔編號H01L31/04GK101167191SQ200680013998公開日2008年4月23日申請日期2006年4月11日優(yōu)先權(quán)日2005年4月26日發(fā)明者大塚寬之,大西力,齋順重德,植栗豊敬,渡部武紀(jì),生島聰之,石川直揮,赤塚武,高橋正俊申請人:信越半導(dǎo)體股份有限公司;直江津電子工業(yè)株式會(huì)社;信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社