專利名稱：：存在常規(guī)低k和/或多孔低k介電材料時(shí)的光刻膠剝除方法存在常M/f氐k和/或多孔4氐k介電材料時(shí)的光刻膠剝除方法
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，集成電路形成于由諸如硅等材料組成的半導(dǎo)體晶片上(簡(jiǎn)稱"晶片")。為了在該晶片上形成集成電路，有必要制備出大量(例如，數(shù)百萬(wàn))的電子器件，例如不同類型的電阻、二極管、電容以及晶體管。這些電子器件的制造過(guò)程包括在晶片精確位置上沉積、去除和注入材料。通常^吏用一種稱為光刻的處理方法，以便于在晶片的精確位置上進(jìn)行材料的沉積、去除和注入。在光刻處理中，光刻月交材沖+首先一皮沉積到晶片上。然后該光刻月交材沖+曝光于由中間4奄才莫(reticle)過(guò)濾的光線。該中間4奄才莫通常為^^璃面一反，其形成有示例特^正幾^T形狀圖案，該幾4可形狀可以阻止光線穿過(guò)中間掩模。當(dāng)穿過(guò)中間掩模后，光線接觸光刻膠材料的表面。該光線改變曝光的光刻力交材料的化學(xué)組成。4吏用正型光刻膠材料，曝光使得曝光的光刻膠材料不溶于顯影液。相反，使用負(fù)型光刻膠材料，曝光4吏得曝光的光刻膠材料可溶于顯影液。當(dāng)曝光后，光刻膠材料的可溶部分被去除，而剩下圖案化的光刻膠層。然后，晶片被處理，以在沒(méi)有被該圖案化的光刻膠層覆蓋的晶片區(qū)域中去除、沉積或注入材^牛。在該晶片處理后，在,皮稱作光刻膠剝除的處理中，該圖案化的光刻膠層從晶片被去除。在光刻膠剝除處理中完全去除光刻膠材料是重要的，這是因?yàn)?，保留在晶片表面上的光刻膠材料可導(dǎo)致集成電路的缺陷。另外，該光刻膠剝除處理應(yīng)當(dāng)謹(jǐn)慎地進(jìn)行，以避免化學(xué)上改變或物理上損壞晶片上的底層材料。
發(fā)明內(nèi)容在一個(gè)實(shí)施例中，公開了一種用于從基片去除光刻膠材料的方法。該方法包括提供具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料的基片的操作，其中該光刻膠材料以及該低k介電材料均具有上覆的聚合物硬掩膜層限定。該方法還提供了用于進(jìn)行第一剝除處理的操作，該剝除處理使用氧等離子體以去除聚合物膜。該方法進(jìn)一步提供了在完成第一剝除處理后進(jìn)行第二剝除處理的才喿作。第二剝除處理〗吏用氨等離子體以去除光刻膠材料。#丸行第一剝除處理和第二剝除處理時(shí)，均不會(huì)不利地?fù)p壞或去除下面的4氐k介電材料，并且不會(huì)磨蝕(faceting)石更4務(wù)月莫(hardmask)(》口果存在的i舌)。在另一個(gè)實(shí)施例中，公開了一種用于從基片去除光刻膠材料的方法。該方法包括提供具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料的基片的操作，該光刻膠材料以及低k介電材料均具有上覆的聚合物膜，該聚合物力莫包4舌碳氟4匕合物成分或氫氟烴(hydrofluorocarbon)成分。另外，該基片可使用或不使用在光刻膠材料以及低k介電材料之間的硬4奄膜層限定。該方法還包括在基片上配置氧氣，并將氧氣轉(zhuǎn)化為活性形式，其中，氧氣的活性形式影響聚合物膜的去除。當(dāng)大體上完全去除聚合物膜后，終止基片上的氧氣配置(dispose)。該方法進(jìn)一步包括在終止基片上的氧氣配置后，在基片上配置氨氣。氨氣被轉(zhuǎn)化為活性形式，其中，氨氣的活性形式影響光刻膠材料從基片的去除，并且不會(huì)導(dǎo)致下面的低k介電材料的實(shí)質(zhì)性損壞或去除，并且不會(huì)磨蝕硬掩膜(如果存在的話)。在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種用于從基片去除光刻膠材料的方法，該基片具有位于光刻膠材料下的低k介電材料，該光刻月交材料以及該低k介電材料均具有上覆有聚合物膜，該聚合物膜包括碳氟化合物成分或氬氟烴成分。在該方法的第一纟喿作中，在剛好去除聚合物膜所必需的持續(xù)時(shí)間內(nèi)將聚合物膜暴露于氧等離子體。聚合物膜去除后，進(jìn)行該方法的第二操作，在第二操作中，在完全去除光刻膠材料所必需的持續(xù)時(shí)間內(nèi)將光刻膠材料暴露于氨等離子體。本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)從以下結(jié)合附圖并通過(guò)本發(fā)明的實(shí)例說(shuō)明的具體的描述而更加明顯。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示例性等離子體蝕刻腔室的示意限定的理想結(jié)構(gòu)的示意圖2B是示出對(duì)應(yīng)于圖2A中的聚合物層、光刻月交層和BARC層一皮去除后的結(jié)構(gòu)的理想結(jié)構(gòu)的示意圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于從基片去除光刻膠材并+的方法的流禾呈圖的示意圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的在進(jìn)行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面的圖像的示意圖4B是示出在進(jìn)行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面的另一個(gè)圖像的示意圖；圖5A和圖5B是示出在如表1中描述的進(jìn)行兩步剝除處理之后，圖4A和圖4B中的^^羊品晶片圖^f象的示意圖；以及圖6A和6B是示出在進(jìn)4亍氬氟酸浸漬后，圖5A和圖5B中的樣品晶片圖像的示意圖。具體實(shí)施例方式在以下描述中，將闡明多個(gè)特別的細(xì)節(jié)，以提供對(duì)本發(fā)明的透徹的理解。但是，明顯地，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，本發(fā)明可熟知的處理操作未具體描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明。先進(jìn)的集成電路通常使用低k介電材料作為相鄰導(dǎo)線間的電絕緣體，即作為中間層介電材料。低k介電材料被定義為具有比Si02的k值小(即小于約3.9的k值)的絕緣材料。為了論述的目的，具有小于約2.5的介電常數(shù)值(即k值)的低k介電材料被認(rèn)為是"多孑L，，低k材料。另夕卜，具有大于或等于約2.5的介電常凄史值(即k值)的低k介電材料被認(rèn)為是"密集"或"常規(guī)"低k材料。使用低k介電材料減少了在增加器件速度時(shí)在相鄰導(dǎo)線之間的不期望的電容耦合(即串?dāng)_)。本文中，通用術(shù)語(yǔ)"低k介電材料"指任何類型的低k介電材料(即多孔型或密集/常規(guī)型)。為了在晶片上形成集成電路結(jié)構(gòu)，通常有必要使低k介電材料經(jīng)受等離子體蝕刻處理。在晶片上的低k介電層的等離子體蝕刻中，通常使用光刻膠掩模層以在低k介電層上形成掩模圖案。該掩模圖案用于在等離子體蝕刻處理過(guò)程中保護(hù)下面的低k材料不凈皮去除。一旦該等離子體蝕刻處理完成，并且對(duì)應(yīng)的4務(wù)模圖案在該低k介電層中形成，則光刻膠材料以及相關(guān)聯(lián)的殘留物需要乂人該晶片去除。另夕卜，應(yīng)當(dāng)理解，一旦等離子體蝕刻處理完成，則保留的低k介電材料的部分將會(huì)被暴露。光刻膠材料從晶片的去除可通過(guò)在晶片上進(jìn)行光刻膠剝除處理而完成。但是，光刻膠剝除處理需要以這樣的方式進(jìn)行，即其不會(huì)不利地影響下面的/暴露的低k介電材料，也不會(huì)導(dǎo)致磨蝕存在于光刻膠材料以及低k介電材料之間的硬掩膜材料。本發(fā)明提供了一種用于將光刻膠材料從基片剝除(即去除)的兩步處理，其中，基片包括位于光刻膠材料之下的低k介電材料。在一個(gè)實(shí)施例中，基片表現(xiàn)為半導(dǎo)體晶片。應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語(yǔ)基片、半導(dǎo)體晶片和晶片在本發(fā)明中為同意用語(yǔ)。除了包括低k介電材料之外，該基片的特征在于其還具有覆蓋光刻膠材料及低k介電材料的聚合物膜或聚合物層。該聚合物膜為在光刻膠剝除處理之前執(zhí)行的晶片制造處理(例如，等離子體蝕刻處理)的副產(chǎn)品。在一個(gè)實(shí)施例中，聚合物膜的特征在于其包括^友氟化合物成分或氫氟烴成分。用于剝除光刻膠材料的兩步處理中的第一步驟使用氧等離子該兩步處理中的第二步驟使用氨等離子體以去除光刻膠材料，而不會(huì)不利地?fù)p壞或去除下面的低k介電材料。應(yīng)當(dāng)理解，第二步驟在第一步驟完成后開始。另外，還應(yīng)當(dāng)理解，該兩步光刻月交剝除處理學(xué)性質(zhì)、溫度、壓力、氣流率、射頻功率、以及持續(xù)時(shí)間。在該兩步光刻月交剝除處理中，上述處理參凄史:帔限定為同時(shí)滿足以下要求-均一地去除該光刻材津+,而不會(huì)不利地?fù)p壞下面的^f氐k介電材料，-以商業(yè)上地竟?fàn)幮运俾嗜コ饪棠z材料，■完全去除光刻膠材料，基本上不留任何殘留物，以及去除光刻膠材料，并且不會(huì)在實(shí)質(zhì)上導(dǎo)致硬掩膜材料(如存在的話)的4壬4可物理?yè)p壞或磨蝕。在詳細(xì)描述該兩步光刻膠剝除處理之前，描述可在其中進(jìn)行該兩步光刻膠剝除處理的腔室是有益的。圖l是示出4艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示例性等離子體蝕刻腔室("腔室")100的示意圖。該月空室100包4舌射頻(RF)馬區(qū)動(dòng)電才及101和凈皮動(dòng)電才及(passiveelectrode)103。RF驅(qū)動(dòng)電極101配置為支持暴露于將要在腔室100內(nèi)產(chǎn)生的等離子體的晶片105。提供了低頻RF發(fā)生器113和高頻RF發(fā)生器115，以通過(guò)導(dǎo)電連接體111分別向RF驅(qū)動(dòng)電極101供應(yīng)^f氐頻以及高頻的RF電流。在一個(gè)實(shí)施例中，產(chǎn)生的低頻RF電流具有2MHz的頻率，而產(chǎn)生的高頻RF電流具有27MHz的頻率。^f旦是，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可^吏用以2MHz和27MHz以外的頻率產(chǎn)生的RF功率實(shí)施。例如，在低密度等離子體腔室中，RF功率可以千赫茲(kHz)的量級(jí)產(chǎn)生。相反地，在高密度等離子體腔室中，RF功率可以千兆赫茲(GHz)的量級(jí)產(chǎn)生。另夕卜，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的兩步光刻月交剝除處理可^吏用多頻率腔室(如參照?qǐng)D1所描述)或者單頻率腔室實(shí)施。對(duì)于圖1,在才喿作中，高頻和j氐頻RF電流通過(guò)腔室100的等離子體區(qū)i或，由RF驅(qū)動(dòng)電才及101傳輸?shù)揭黄?dòng)電才及103，如箭頭117所示。應(yīng)當(dāng)注意，該腔室的等離子體區(qū)域^皮限定在晶片105、晶片105外的RF驅(qū)動(dòng)電才及101、；陂動(dòng)電極103以及限制環(huán)121之間。另外，高頻和4氐頻RF電流通過(guò)等離子體區(qū)域由RF驅(qū)動(dòng)電才及101傳專敘到4妻i也延^f申吾卩107禾口109,^口箭頭119戶斤示。在才喿作中，處理氣體通過(guò)氣體供應(yīng)口(未示出)和氣體排i文口(圖未示)，流經(jīng)穿過(guò)腔室100的等離子體區(qū)域。通過(guò)等離子體區(qū)域傳輸?shù)母哳l和^f氐頻RF電流用于將處理氣體轉(zhuǎn)化為活性形式，該活性形式包括該處理氣體材料組分的離子和自由基(radical)。應(yīng)當(dāng)理解，該處理氣體的活性形式纟皮定義為具有等離子體的特4i。高頻RF電流影響腔室100中的等離子體密度，而低頻RF電流影響腔室100中的電壓，其中，電壓影響等離子體中的離子能量?？梢哉{(diào)整提供給低頻RF發(fā)生器113和高頻RF發(fā)生器115的電力，以增加或減少等離子體內(nèi)的等離子體密度和離子能量。等離子體內(nèi)的離子和自由基與晶片105材^"相互作用，以<吏暴露于該等離子體的晶片105表面的性質(zhì)產(chǎn)生變化。另夕卜，RF馬區(qū)動(dòng)電才及101禾口,皮動(dòng)電才及103之間的/U可關(guān)系影響存在于晶片105的偏置電壓。例如，當(dāng)RF馬區(qū)動(dòng)電才及101的上表面區(qū)域相對(duì)于被動(dòng)電才及103的底表面區(qū)i或減小時(shí)，RF驅(qū)動(dòng)電才及101的偏置電壓^奪增加，反之亦然。因?yàn)榫?05由RF驅(qū)動(dòng)電才及101支撐，因此RF驅(qū)動(dòng)電才及101的偏置電壓的增加會(huì)導(dǎo)致晶片105的偏置電壓的相應(yīng)增加。當(dāng)晶片105的偏置電壓增加時(shí)，與晶片105撞擊時(shí)的離子速率和定向性增加。增加的離子速率和定向性在某些處理中是優(yōu)選的，例如高長(zhǎng)寬比蝕刻。但是，另一些處理，例如溝槽蝕刻使用減小的離子速率和定向性是最優(yōu)的。用于本發(fā)明的兩步光刻月交剝除處理的等離子體處理腔室才是供了處理氣體流動(dòng)率控制、溫度控制、壓力控制、RF功率控制以及處理持續(xù)時(shí)間控制。如參照?qǐng)Dl所描述的，該雙頻率等離子體處理腔室IOO表示一種示例性的腔室，在該腔室中可進(jìn)行本發(fā)明的兩步光刻膠剝除處理?！降┦?，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的兩步光刻膠處理可以在實(shí)質(zhì)上本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的任何適合于半導(dǎo)體晶片制造的等離子體處理腔室中進(jìn)4亍。圖2A是示出根據(jù)本發(fā)曰i片上的理想結(jié)構(gòu)(feature)200A的示意圖。該結(jié)構(gòu)200A包括覆蓋低k介電材料207的光刻膠材料201。應(yīng)當(dāng)理解，該低k介電材料可以是多孔的或密集/常規(guī)的。在圖2A的示例中，SiC硬掩膜材料205以及底部防反射涂覆(BARC)材料203設(shè)置于光刻膠材料201與低k介電材料207之間。另外，低k介電材料207限定在SiC材料209上。整個(gè)結(jié)構(gòu)200A被限定在Si基片211上。另外，聚合物層213，也被稱為聚合物膜，被限定在光刻膠材料201和低k介電材料207上。該聚合物層213代表先前蝕刻處理的副產(chǎn)品。在一個(gè)實(shí)施例中，聚合物層213一皮限定為包括-友氟化合物成分或氫氟烴成分。為了從該結(jié)構(gòu)200A繼續(xù)半導(dǎo)體制造，有必要去除聚合物層213、光刻月交層201以及BARC層203。圖2B是示出對(duì)應(yīng)于聚合物層213、光刻月交層201和BARC層203凈皮去除后的結(jié)構(gòu)200A的理想結(jié)構(gòu)200B的示意圖。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于從基片去除光刻膠材料201的方法的流程圖的示意圖。應(yīng)當(dāng)理解，才艮據(jù)圖3描述的方法代表了一種上述的用于從基片剝除光刻膠材料的兩步處理的一個(gè)實(shí)施例。該方法包括用于提供具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料的基片的操作301。該光刻膠材料和低k介電材料均具有上覆的聚合物膜。在一個(gè)實(shí)施例中，該聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分。該方法還包"fe用于進(jìn)4亍第一剝除處理的才喿作303，該第一剝除處理使用氧等離子體去除聚合物膜，而不會(huì)不利地?fù)p傷或去除下面的低k介電材料。該第一剝除處理包括在基片上配置氧(02)氣。在一個(gè)實(shí)施例中，氧氣以/人約50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)到約1000sccm范圍內(nèi)的流率配置。本文中，術(shù)語(yǔ)"約"意指特定值±10%內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，氧氣以乂人約100sccm到約500sccm范圍內(nèi)的流率配置。在再一個(gè)實(shí)施例中，氧氣以約200sccm的流率配置。該第一剝除處理還包4舌對(duì)配置在基片上的氧氣施加射頻(RF)功率。在一個(gè)實(shí)施例中，施加于氧氣的RF功率在從約50瓦特(W)到約2000W的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，施加于氧氣的RF功率在從約100W到約1000W的范圍內(nèi)。在再一個(gè)實(shí)施例中，施加于氧氣的RF功率在乂人約200W到約1000W的范圍內(nèi)。該施力口的RF功率用于將氧氣轉(zhuǎn)化為氧等離子體，其中，氧等離子體代表能夠去除聚合物膜的氧的活性形式。該第一剝除處理進(jìn)一步包括在包括基片和氧等離子體的區(qū)域內(nèi)保持壓力。在一個(gè)實(shí)施例中，在第一剝除處理期間，壓力保持在從約5毫托(mT)到約500mT的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，在第一剝除處理期間的壓力保持在從約5mT到約100mT范圍內(nèi)。在再一個(gè)實(shí)施例中，在第一剝除處理期間的壓力〗呆持在,人約5mT到約20mT的范圍內(nèi)。在聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分的實(shí)施例中，來(lái)自氧等離子體與聚合物的反應(yīng)的氟成分可被監(jiān)控，以檢測(cè)第一剝除處理的終點(diǎn)。例如，第一剝除處理的終點(diǎn)將與氧等離子體中氟濃度的穩(wěn)態(tài)同時(shí)發(fā)生。當(dāng)確定已經(jīng)大體上完全去除了聚合物膜后，通過(guò)終止在基片上配置氧氣而結(jié)束第一剝除處理。該方法進(jìn)一步包括用于進(jìn)行第二剝除處理的4喿作305,該第二剝除處理使用氨等離子體以去除光刻膠材料，而不會(huì)不利地?fù)p壞或去除下面的低k介電材料。應(yīng)當(dāng)理解，該第二剝除處理在第一剝除處理完成后開始。該第二剝除處理包4舌在基片上配置氨(NH3)氣。在一個(gè)實(shí)施例中，氨氣以/人約50sccm到約2000sccm范圍內(nèi)的流率配置。在另一個(gè)實(shí)施例中，氨氣以/人約100sccm到約1000sccm范圍內(nèi)的;^率配置。在再一個(gè)實(shí)施例中，氨氣以乂人約200sccm到約800sccm范圍內(nèi)的;充率配置。該第二剝除處理還包4舌對(duì)配置在基片上的氨氣施加RF功率。在一個(gè)實(shí)施例中，施加于氨氣的RF功率在/人約50W到約2000W的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，施力口于氨氣的RF功率在,人約100W到約IOOOW的范圍內(nèi)。在再一個(gè)實(shí)施例中，施加于氨氣的RF功率在/人約200W到約1000W的范圍內(nèi)。該施力o的RF功率用于將氨氣轉(zhuǎn)化為氨等離子體，其中，氨等離子體代表能夠去除光刻膠材料的氨組分的活性形式。該第二剝除處理進(jìn)一步包括在包括基片和氨等離子體的區(qū)域內(nèi)保持壓力。在第二剝除處理中保持的壓力取決于低k介電材料的介電常數(shù)。如果該低k介電材料具有小于約2.5的介電常數(shù)值(即多孔低k介電材泮+)，4艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在第二剝除處理中的壓力保持在從約5mT到約500mT的范圍內(nèi)。在低k介電材料的介電常數(shù)小于約2.5的另一個(gè)實(shí)施例中，在第二剝除處理中，壓力保持在從約5mT到約100mT的范圍內(nèi)。在低k介電材料的介電常數(shù)小于約2.5的再一個(gè)實(shí)施例中，在第二剝除處理中，壓力保持在從約5mT到約20mT的范圍內(nèi)。但是，如果低k介電材料具有大于或等于約2.5的介電常數(shù)值(即密集/常規(guī)低k介電材料)，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在第二剝除處理中，壓力保持在從約5mT到約1000mT的范圍內(nèi)。在低k介電材料的介電常數(shù)值大于或等于約2.5的另一個(gè)實(shí)施例中，在第二剝除處理中，壓力保持在從約100mT到約500mT的范圍內(nèi)。在低k介電材料的介電常數(shù)值大于或等于約2.5的再一個(gè)實(shí)施例中，在第二剝除處理中，壓力l呆l寺在約200mT。另外，才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在操作303的第一剝除處理和纟喿作305的第二剝除處理期間，其上設(shè)置有晶片的支撐件的溫度保持在從約-40攝氏度(°C)到約6(TC的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，其上設(shè)置有晶片的支持件的溫度保持在從約0°C到約4(TC的范圍內(nèi)。在再一個(gè)實(shí)施例中，其上設(shè)置有晶片的支持件的溫度保持在約20°C。在一個(gè)實(shí)施例中，該方法包4舌在第二剝除處理完成后進(jìn)4亍過(guò)剝除(overstrip)處理。該過(guò)剝除處J里以與第二剝除處理相同的方式進(jìn)行。應(yīng)當(dāng)理解，第二剝除處理的完成可以使用終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)(例如等離子體光譜分析)確定。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，第二剝除處理的終點(diǎn)可通過(guò)觀察約420納米波長(zhǎng)的CN發(fā)射譜線而確定。在才艮據(jù)終點(diǎn)一全測(cè)確定完成第二剝除處理后，進(jìn)行過(guò)剝除處理，其持續(xù)時(shí)間為第二剝除處理持續(xù)至其終點(diǎn)的持續(xù)時(shí)間的約10%到第二剝除處理持續(xù)至其終點(diǎn)的持續(xù)時(shí)間的約200%的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，進(jìn)行過(guò)剝除處理的持續(xù)時(shí)間為第二剝除處理持續(xù)至其終點(diǎn)的持續(xù)時(shí)間的約50%到第二剝除處理持續(xù)至其終點(diǎn)的持續(xù)時(shí)間的約100%的范圍內(nèi)。在再一個(gè)實(shí)施例中，進(jìn)行過(guò)剝除處理的持續(xù)時(shí)間對(duì)應(yīng)于第二剝除處理4寺續(xù)至其終點(diǎn)的持續(xù)時(shí)間的約50%。由上述方法^是供的光刻力交材;扦剝除率耳又決于上述的剝除處理參數(shù)。在不同的實(shí)施例中，可期望從本發(fā)明的兩步剝除處理中獲得大于約5000A每分鐘(A/分)的光刻膠材料剝除率。另外，本發(fā)明的兩步剝除處理^爭(zhēng)越晶片^是供了均一的剝除率。例如，可期望本發(fā)明的兩步剝除處理在^爭(zhēng)越300毫米的晶片上4是供小于5%的剝除率的三標(biāo)準(zhǔn)偏差均一性。圖4A是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的在進(jìn)行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面圖像的示意圖。該樣品晶片表面由數(shù)個(gè)結(jié)構(gòu)限定，每個(gè)結(jié)構(gòu)均具有覆蓋低k介電材料層207的光刻膠材料層201，其中SiC硬掩膜層限定于光刻膠材料和低k介電材料之間。聚合物膜213設(shè)置在光刻膠材料201、SiC硬掩膜和低k介電材料207上。圖4B是示出在進(jìn)行兩步剝除處理之前的樣品晶片表面另一個(gè)圖^f象的示意圖。光刻月交材料層201、SiC石更掩月莫、^f氐k介電材料207和上覆的聚合物膜213均出現(xiàn)于圖4B的圖像中。表1描述了用于在圖4A-4B的樣品晶片上執(zhí)行兩步剝除處理的剝除處理參數(shù)值。表1用于樣品晶片的剝除處理湊^t值<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>圖5A和5B是示出在進(jìn)行了如表1所述的兩步剝除處理之后，圖4A和圖4B中才羊品晶片圖l象的示意圖。^口圖5A-5B所示，應(yīng)該理解，本發(fā)明的兩步剝除處理大體上不留有殘留物。圖6A和6B是顯示出在進(jìn)行氫氟酸(HF)浸漬后，圖5A和圖5B中樣品晶片圖4象的示意圖。HF浸漬用于去除由剝除處理改變的剩余材料。如圖6A-6B所示，應(yīng)該理解，本發(fā)明的兩步剝除處理基本上不產(chǎn)生4氐k材料損壞。另外，本發(fā)明的兩步剝除處理防止了一種以角部磨蝕(comerfaceting)為特征的形體破壞。因此，本發(fā)明提供的用于從材料的損傷，并提供了高剝除率以及跨越晶片的優(yōu)良的均一性，并且不磨蝕;更纟務(wù)膜材料。盡管已經(jīng)根據(jù)數(shù)個(gè)實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)該理解，通過(guò)閱讀前述說(shuō)明和研究附圖，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可實(shí)現(xiàn)多種改變、添附、置換及其等同方式。因此，本發(fā)明包括所有落入本發(fā)明主旨和范圍內(nèi)的改變、添附、置換及其等同方式。權(quán)利要求1.一種用于從基片去除光刻膠材料的方法，包括提供基片，所述基片具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料，其中，所述光刻膠材料和所述低k介電材料均具有上覆的聚合物膜；使用氧等離子體執(zhí)行第一剝除處理，以在沒(méi)有不利地?fù)p壞或去除所述下面的低k介電材料的情況下去除所述聚合物膜；以及使用氨等離子體執(zhí)行第二剝除處理，以在沒(méi)有不利地?fù)p壞或去除所述下面的低k介電材料的情況下去除所述光刻膠材料，其中，在所述第一剝除處理完成后執(zhí)行所述第二剝除處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分，其中，由所述聚合物膜與所述氧等離子體反應(yīng)產(chǎn)生的氟成分一皮監(jiān)控，以檢測(cè)所述第一剝除處理的終點(diǎn)，所述第一剝除處理的終點(diǎn)與所述氧等離子體中氟濃度的穩(wěn)態(tài)同時(shí)發(fā)生。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，進(jìn)一步包4舌檢測(cè)所述第二剝除處理的終點(diǎn)；在所述第二剝除處理的終點(diǎn)后，執(zhí)行過(guò)剝除處理，所述過(guò)剝除處理具有在乂人延續(xù)至所述終點(diǎn)的所述第二剝除處理的持續(xù)時(shí)間的約10%到延續(xù)至所述終點(diǎn)的所述第二剝除處理的持續(xù)時(shí)間的約200%范圍內(nèi)的持續(xù)時(shí)間，其中，以與所述第二剝除處理相同的方式執(zhí)行所述過(guò)剝除處理。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第一剝除處理包4舌以/人約50沖示準(zhǔn)立方厘米每分4中(sccm)到約1000sccm范圍內(nèi)的流率在所述基片上配置氧氣，以及對(duì)所述氧氣施加/人約50瓦特(W)到約2000W的范圍內(nèi)的射頻(RF)功率，以將所述氧氣轉(zhuǎn)化為所述氧等離子體。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，在所述光刻膠材津牛和所述低k介電材^f之間限定有硬掩膜材料。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，在不磨蝕所述硬掩膜材料的情況下執(zhí)行所述第一和第二剝除處理中的每一個(gè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第二剝除處理包括以從約50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)到約2000sccm范圍內(nèi)的流率在所述基片上配置氨氣，以及對(duì)所述氨氣施加從約50瓦特(W)到約2000W范圍內(nèi)的射頻(RF)功率，以將所述氨氣轉(zhuǎn)化為所述氨等離子體。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第一剝除處理包括在包括所述基片和所述氧等離子體的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5毫托(mT)到約500mT的范圍內(nèi)。39.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，所述第二剝除處理包括當(dāng)所述^f氐k介電材料具有小于2.5的介電常數(shù)值時(shí)，在包括所述基片和所述氧等離子體的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5毫托(mT)到約500mT的范圍內(nèi)，其中，所述第二剝除處理包括當(dāng)所述4氐k介電材并+具有大于或等于2.5的介電常數(shù)值時(shí)，在包括所述基片和所述氧等離子體的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5mT到約1000mT的范圍內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，進(jìn)一步包4舌將支撐所述基片的卡盤的溫度保持在從約_40攝氏度rc)到約6crc的范圍內(nèi)。11.一種用于從基片去除光刻膠材料的方法，包括提供基片，所述基片具有覆蓋低k介電材料的光刻膠材料，其中，所述光刻膠材料和所述低k介電材料均具有上覆的聚合物膜，所述聚合物膜包括碳氟化合物成分或氫氟烴成分；在所述基片上配置氧氣；將所述氧氣轉(zhuǎn)化為活性形式，其中，所述氧的活性形式影響所述聚合物膜的去除；當(dāng)大體上完全去除所述聚合物膜后，終止所述基片上所述氧氣的配置；在終止所述基片上的所述氧氣的配置后，在所述基片上配置氨氣；以及將所述氨氣轉(zhuǎn)化為活性形式，其中，所述氨的活性形式影響所述光刻膠材料從所述基片的去除，而不會(huì)導(dǎo)致所述下面的低k介電材料的實(shí)質(zhì)性損壞或去除。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，進(jìn)一步包括在所述基片上配置所述氧氣期間，監(jiān)控所述基片附近呈現(xiàn)的氟濃度，所述聚合物膜的大體完全去除與所述氟濃度的穩(wěn)態(tài)同時(shí)發(fā)生。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，以,人約50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分4中(sccm)到約1000sccm范圍內(nèi)的流率在所述基片上配置所述氧氣。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，以/人約50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分^中(sccm)到約2000sccm范圍內(nèi)的流率在所述基片上配置所述氨氣。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，通過(guò)向所述氧氣和所述氨氣中的各種氣體施加從約50瓦特(W)到約2000W范圍內(nèi)的射頻(RF)功率，將所述氧氣和所述氨氣中的每種轉(zhuǎn)化為活性形式。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，進(jìn)一步包4舌在所述基片上配置所述氧氣期間，在包括所述基片的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5毫托(mT)到約500mT范圍內(nèi)；當(dāng)所述低k介電材料具有小于2.5的介電常數(shù)值時(shí)，在所述基片上配置所述氨氣期間，在包括所述基片的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5mT到約500mT的范圍內(nèi)；當(dāng)所述^[氐k介電材辟牛具有大于或等于2.5的介電常凄t值時(shí)，在所述基片上配置所述氨氣期間，在包括所述基片的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5mT到約1000mT的范圍內(nèi)。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于從基片去除光刻膠材料的方法，其中，在所述光刻月交材料和所述低k介電材料之間限定有石更掩膜材料，所述氧和氨的活性形式分別影響所述聚合物膜和光刻膠材料從所述基片的去除，而不會(huì)磨蝕所述硬掩膜材料。18.—種用于從基片去除光刻膠材料的方法，所述基片具有位于所述光刻膠材料之下的低k介電材料，其中，所述光刻膠材料和所述低k介電材料均具有上覆的聚合物膜，所述聚合物膜包括,灰氟化合物或氫氟烴成分，所述方法包4舌在剛好去除所述聚合物膜所必需的持續(xù)時(shí)間內(nèi)將所述聚合物膜暴露于氧等離子體；以及在去除所述聚合物膜后，在完全去除所述光刻膠材料所必需的持續(xù)時(shí)間內(nèi)將所述光刻膠材料暴露于氨等離子體。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將所述聚合物膜暴露于所述氧等離子體包括以,人約50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)到約1000sccm范圍內(nèi)的流率在所述基片上配置氧氣，對(duì)所述氧氣施加乂人約50瓦特(W)到約2000W的范圍內(nèi)的射頻(RF)功率，以產(chǎn)生所述氧等離子體，以及在包括所述基片和氧等離子體的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5毫托(mT)到約500mT的范圍內(nèi)。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，將所述聚合物膜暴露于所述氨等離子體包括以乂人約50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分4中(sccm)到約2000sccm范圍內(nèi)的流率在所述基片上配置氨氣，對(duì)所述氨氣施加從約50瓦特(W)到約2000W的范圍內(nèi)的RF功率，以產(chǎn)生所述氨等離子體，如果所述低k介電材料具有小于2.5的介電常數(shù)值，則在包括所述基片和氨等離子體的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在從約5毫托(mT)到約500mT的范圍內(nèi)，以及如果所述^氐k介電材料具有大于或等于2.5的介電常數(shù)值，則在包括所述基片和氨等離子體的區(qū)域內(nèi)，將壓力保持在/人約5mT到約1000mT的范圍內(nèi)。全文摘要公開了一種用于從基片剝除光刻膠材料的兩步處理方法，其中基片包括位于光刻膠材料之下的低k介電材料以及覆蓋在光刻膠材料和低k介電材料上的聚合物膜。兩步處理的第一步驟使用氧等離子體以去除聚合物膜。兩步處理的第二步驟使用氨等離子體以去除光刻膠材料，其中第二步驟在第一步驟完成后開始。兩步光刻膠剝除處理中的每個(gè)步驟分別由特定的處理參數(shù)值限定，這些處理參數(shù)包括化學(xué)成分、溫度、壓力、氣流率、射頻功率、以及頻率和持續(xù)時(shí)間。文檔編號(hào)H01L21/02GK101171673SQ200680015723公開日2008年4月30日申請(qǐng)日期2006年5月8日優(yōu)先權(quán)日2005年5月10日發(fā)明者R·薩亞迪,海倫·朱申請(qǐng)人:朗姆研究公司