專利名稱：：倒裝片安裝方法、倒裝片安裝裝置及倒裝片安裝體的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及將半導體芯片搭載在電路基板上的倒裝片安裝方法，特別是涉及還可以對應于窄節(jié)距的半導體芯片的、生產(chǎn)性高且連接的可靠性優(yōu)良的倒裝片安裝方法、倒裝片安裝裝置及倒裝片安裝體。
背景技術(shù)：
：近年來，伴隨用于電子設備的半導體集成電路(以下，記為"半導體")芯片的高密度、高集成化，半導體芯片的電極端子的多管腳、窄節(jié)距化迅速發(fā)展。這些半導體芯片安裝到電路基板時，為了減少布線延遲，廣泛采用倒裝片安裝。并且，在倒裝片安裝中，一般是在半導體芯片的電極端子上形成釬料凸塊，將該釬料凸塊和形成在電路基板上的連接端子一起接合。但是，為了將電極端子數(shù)超過5000那樣的下一代半導體芯片安裝在電路基板上，需要形成對應于100um以下的窄節(jié)距的釬料凸塊。但是，以現(xiàn)有的釬料凸塊形成技術(shù)難以與此對應。此外，需要形成對應于電極端子數(shù)的多個釬料凸塊，所以要求降低成本的同時，還要求由搭載每個芯片的生產(chǎn)節(jié)拍的縮短帶來的高的生產(chǎn)性。同樣，半導體芯片為了對應于電極端子數(shù)的增大，電極端子從周邊配置變化為面(area)配置。此外，從高密度化、高集成化的要求出發(fā)，預想半導體工藝從90nm向65nm、45nm發(fā)展。為了與此對應，強烈期望具有低介電常數(shù)的絕緣材料，為了實現(xiàn)這個，圖謀導入多孔性的絕緣材料。但是，為了使用多孔性的絕緣材料，要減少對絕緣材料或各有源電路的損傷，而需要低載荷下的安裝。進而，為了防止由半導體芯片的薄型化導致的處理時的破壞，期望低載荷的安裝。特別是，面配置的情況下，需要在有源電路上構(gòu)成電極，因此要求更低載荷下的安裝方法。因此，要求能應用于今后的半導體工藝的進展帶來的薄型、高密度化的倒裝片安裝方法。過去，作為釬料凸塊的形成技術(shù)開發(fā)出鍍敷法或絲網(wǎng)印刷法等。但是，鍍敷法雖然適合于窄節(jié)距，卻有工序變復雜等生產(chǎn)性的問題。此外，絲網(wǎng)印刷法的生產(chǎn)性優(yōu)良，但是使用掩模這一點不適合窄節(jié)距。在這種狀況中，最近開發(fā)出幾種在半導體芯片的電極端子或電路基板的連接端子上選擇性地形成釬料凸塊的技術(shù)。這些技術(shù)不僅適合形成微細的釬料凸塊，還可以一起形成釬料凸塊，所以生產(chǎn)性優(yōu)良，作為可應用于下一代半導體芯片安裝到電路基板的技術(shù)受注目。其中一種是，將由釬料粉和助熔劑的混合物組成的焊料糊整面涂敷在表面形成有連接端子的電路基板上，通過加熱電路基板，從而使釬料粉熔融，在浸潤性高的連接端子上選擇性地形成釬料凸塊(例如，參照專利文獻l)。此外，有稱為超級焊接法的技術(shù)。該技術(shù)是將以有機酸鉛鹽和金屬錫為主要成分的糊狀組成物(化學反應析出型焊錫)整面涂敷在形成有連接端子的電路基板上，通過加熱電路基板，從而引起Pb和Sn的置換反應，將Pb和Sn的合金選擇性地析出到電路基板的連接端子上(例如，參照專利文獻2)。此外，在過去的倒裝片安裝中，在形成有釬料凸塊的電路基板上搭載半導體芯片之后，為了在電路基板上固定半導體芯片，還需要在半導體芯片和電路基板之間注入稱為下底填充材料的樹脂的工序。因此，存在增加工序數(shù)量或降低合格率的問題。因此，作為同時進行相對置的半導體芯片的電極端子和電路基板的連接端子的電連接、和向電路基板固定半導體芯片的方法，開發(fā)出使用了各向異性導電材料的倒裝片安裝技術(shù)。這是如下的技術(shù)向電路基板和半導體芯片之間供給包含導電粒子的熱硬化性樹脂，對半導體芯片加壓的同時加熱熱硬化性樹脂，從而同時實現(xiàn)半導體芯片和電路基板的電連接和在電路基板上固定半導體芯片(例如，參照專利文獻3)。但是，在如專利文獻1所示的釬料凸塊的形成方法和如專利文獻2所示的超級焊接方法中，單純地在電路基板上涂敷并供給糊狀組成物時，產(chǎn)生局部的厚度和濃度的不均勻，每個電極端子和連接端子的釬料析出量不同，所以不能得到高度均勻的釬料凸塊。并且，這些方法是在表面形成有連接端子的、有凹凸的電路基板上通過涂敷糊狀組成物來供給，所以在成為凸部的連接端子上不能供給充分的釬料量，所以難以得到在倒裝片中安裝所需的期望的釬料凸塊的高度。并且，在專利文獻3所示的方法中，在生產(chǎn)性和可靠性方面有如下所示的應解決的較多的問題。這些問題中，第一是通過經(jīng)由導電粒子的機械性接觸得到各端子之間的電導通，所以難以實現(xiàn)穩(wěn)定的導通狀態(tài)。第二是間隔因在半導體芯片的電極端子和電路基板的連接端子之間存在的導電粒子的量而不固定，電接合變得不穩(wěn)定。第三是為了實現(xiàn)穩(wěn)定的電連接，需要以較高的壓力載荷加壓壓合，存在由此容易產(chǎn)生半導體芯片的破壞的問題。專利文獻1(日本)特開2000—94179號公報專利文獻2:(日本)特開平1一157796號公報專利文獻3:(日本)特開2000—332055號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為了解決上述課題，提供一種能夠?qū)⒕哂卸鄠€電極端子的半導體芯片安裝在電路基板上、且生產(chǎn)性及可靠性高的倒裝片安裝方法、倒裝片安裝裝置及倒裝片安裝體。本發(fā)明的倒裝片安裝方法，與具有多個連接端子的電路基板相對置而配置具有多個電極端子的半導體芯片，將上述電路基板的連接端子和上述半導體芯片的電極端子電連接；其特征在于，包括保持工序，保持上述電路基板和上述半導體芯片；配置工序，將上述電路基板的上述連接端子和上述半導體芯片的電極端子，以接觸狀態(tài)保持并對準位置，或者以規(guī)定間隔保持并對準位置；加熱工序，至少將上述電路基板或上述半導體芯片，加熱到由釬料粉和樹脂構(gòu)成的釬料樹脂組成物熔融的溫度；供給工序，利用毛細管現(xiàn)象，從上述半導體芯片的至少一個端面方向，對保持上述電路基板和上述半導體芯片的上述規(guī)定間隔供給上述釬料樹脂組成物；及硬化工序，使上述釬料樹脂組成物中的上述樹脂硬化;在上述供給工序中，使上述釬料樹脂組成物中的熔融的上述釬料粉在保持了上述電路基板和上述半導體芯片的上述規(guī)定間隔之間移動，使上述釬料粉自聚合及生長，從而電連接上述連接端子和上述電極端子。本發(fā)明的倒裝片安裝裝置，用于將半導體芯片倒裝片安裝在電路基板上，其特征在于，包括保持機構(gòu)，保持上述電路基板和上述半導體芯片；配置機構(gòu)，將上述電路基板的上述連接端子和上述半導體芯片的電極端子，以接觸狀態(tài)保持并對準位置，或者以規(guī)定間隔保持并對準位置；加熱機構(gòu)，至少將上述電路基板或上述半導體芯片，加熱到由釬料粉和樹脂構(gòu)成的釬料樹脂組成物熔融的溫度；供給機構(gòu)，利用毛細管現(xiàn)象，從上述半導體芯片的至少一個端面方向，對保持上述電路基板和上述半導體芯片的上述規(guī)定間隔供給上述釬料樹脂組成物；及硬化機構(gòu)，使上述釬料樹脂組成物中的上述樹脂硬化。本發(fā)明的倒裝片安裝體，其特征在于，具有具有多個連接端子的電路基板；具有與上述連接端子對置配置的多個電極端子的半導體芯片；及電連接上述電路基板的連接端子和上述半導體芯片的電極端子的釬料層；并包括至少覆蓋上述釬料層的第一絕緣性樹脂；和覆蓋上述第一絕緣性樹脂、并固定上述電路基板和上述半導體芯片的第二絕緣性樹脂。圖1AC是表示本發(fā)明的倒裝片安裝方法的基本機理的工序截面圖。圖2AE是說明本發(fā)明的實施方式1的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。圖3AB是說明本發(fā)明的實施方式1的釬料樹脂組成物的供給方法的平面圖。圖4AB是說明本發(fā)明的實施方式1的釬料樹脂組成物的供給方法的平面圖。圖5AE是說明本發(fā)明的實施方式2的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。圖6AE是說明本發(fā)明的實施方式3的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。圖7AE是說明本發(fā)明的實施方式3的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。圖8AC是說明本發(fā)明的實施方式3的倒裝片安裝方法的變形例的概略工序截面圖。圖9AE是說明本發(fā)明的實施方式4的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。圖10AB是說明本發(fā)明的實施方式4的倒裝片安裝方法的主要部分主要部分放大截面圖。圖ll是用于本發(fā)明的各實施方式的倒裝片安裝裝置的主要部分結(jié)構(gòu)截面圖。具體實施例方式本發(fā)明的倒裝片安裝方法如下將電路基板的連接端子和半導體芯片的電極端子，以接觸狀態(tài)保持并對準位置，或者以規(guī)定間隔保持并對準位置；從半導體芯片的至少一個端面方向利用毛細管現(xiàn)象供給熔融的釬料樹脂組成物；在使釬料樹脂組成物中的樹脂硬化時，上述供給時，使釬料樹脂組成物中的熔融的釬料粉在保持了電路基板和半導體芯片的規(guī)定間隔之間移動，通過使釬料粉自聚合及生長，從而電連接連接端子和電極端子。在本發(fā)明中，至少從一個方向供給的釬料樹脂組成物的樹脂成分可以從這以外的方向排出。此外，在供給工序中，可以從半導體芯片的至少一個端面方向供給的釬料樹脂組成物，沿著端面移動的同時供給。此外，在保持工序中，電路基板及半導體芯片也可以通過吸引來保持。此外，在保持工序中，可以是保持多個上述半導體芯片。此外，具有半導體芯片搭載在具有多個外部連接端子的內(nèi)插板上并將電路基板的連接端子和外部連接端子電連接的結(jié)構(gòu)。通過這些方法，能夠以低載荷安裝，所以可以使用薄型、面配置等的半導體芯片和低介電常數(shù)的絕緣材料。進而，由于使半導體芯片的電極端子和電路基板的連接端子的間隙保持在最適合的距離，所以通過電極端子和連接端子之間的均勻的接合，難以產(chǎn)生斷線或高電阻接合等，能夠提高合格率。并且，電連接而且以低載荷且同時進行通過樹脂固定電路基板和半導體芯片，所以能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)性及可靠性優(yōu)良的倒裝片安裝體。并且，本發(fā)明的倒裝片安裝方法，與具有多個連接端子的電路基板相對置而配置具有多個電極端子的半導體芯片，將電路基板的連接端子和半導體芯片的電極端子電連接；其特征在于，包括保持工序，保持電路基板和半導體芯片；配置工序，將電路基板的連接端子和半導體芯片的電極端子，以接觸狀態(tài)保持并對準位置，或者以規(guī)定間隔保持并對準位置；第一加熱工序，至少將電路基板或半導體芯片，加熱到由釬料粉和樹脂構(gòu)成的釬料樹脂組成物熔融的溫度；第一供給工序，利用毛細管現(xiàn)象，從半導體芯片的至少一個端面方向，對保持了電路基板和半導體芯片的規(guī)定間隔供給釬料樹脂組成物；及連接工序，使釬料樹脂組成物中的熔融的釬料粉在保持了電路基板和半導體芯片的規(guī)定間隔之間移動，通過使上述釬料粉自聚合及生長而形成釬料層，電連接連接端子和電極端子；排出工序，排出釬料層以外的樹脂組成物；第二加熱工序，至少將電路基板或半導體芯片加熱到釬料層不熔融而第二樹脂熔融的溫度第二供給工序，利用毛細管現(xiàn)象，從半導體芯片的至少一個端面方向，對保持電路基板和半導體芯片的規(guī)定間隔供給第二樹脂；及硬化工序，使第二樹脂硬化。并且，在第一供給工序中，至少從一個方向供給的釬料樹脂組成物可以從這以外的方向排出。并且，在供給第二樹脂的第二供給工序中，可以是包括供給至少覆蓋釬料層的側(cè)面的第一絕緣性樹脂的第一工序；及供給覆蓋第一絕緣性樹脂并填充電路基板和半導體芯片的規(guī)定間隔之間的第二絕緣性樹脂的第二工序；第二樹脂由第一絕緣性樹脂和第二絕緣性樹脂構(gòu)成。并且，可以是第一工序之后還包括暫時硬化第一絕緣性樹脂的工序。并且，可以是第一絕緣性樹脂通過表面張力至少覆蓋在釬料層的側(cè)面。并且，可以是第一絕緣性樹脂由彈性模量低于第二絕緣性樹脂的材料構(gòu)成。并且，可以是釬料樹脂組成物是粘性體。并且，可以是粘性體由樹脂、高沸點溶劑或油構(gòu)成。通過這些方法，進一步減小在釬料層之間殘留釬料粉的可能性，所以能夠?qū)崿F(xiàn)提高絕緣耐壓、防止短路等電特性和對應力等機械特性優(yōu)良的倒裝片安裝體。本發(fā)明的倒裝片安裝裝置，用于將半導體芯片倒裝片安裝在電路基板上，其特征在于，包括保持機構(gòu)，保持電路基板和半導體芯片；配置機構(gòu)，將電路基板的連接端子和半導體芯片的電極端子，以接觸狀態(tài)保持并對準位置，或者以規(guī)定間隔保持并對準位置；加熱機構(gòu)，至少將電路基板或半導體芯片，加熱到由釬料粉和樹脂構(gòu)成的釬料樹脂組成物熔融的溫度；供給機構(gòu)，利用毛細管現(xiàn)象，從半導體芯片的至少一個端面方向，對保持電路基板和半導體芯片的規(guī)定間隔供給釬料樹脂組成物；及硬化機構(gòu)，使釬料樹脂組成物中的樹脂硬化。進而，供給機構(gòu)可以是分配器。并且，保持機構(gòu)可以是吸引機構(gòu)。并且，保持機構(gòu)可以傾斜保持上述電路基板和上述半導體芯片。并且，加熱機構(gòu)還可以具有冷卻機構(gòu)。并且，上述倒裝片安裝裝置還包括檢查半導體芯片和電路基板的電連接的檢査機構(gòu)。通過該裝置，可以制作可靠性優(yōu)良、低成本且生產(chǎn)性優(yōu)良的倒裝片安裝體。本發(fā)明的倒裝片安裝體，其特征在于，具有具有多個連接端子的電路基板；具有與連接端子對置配置的多個電極端子的半導體芯片；及電連接電路基板的連接端子和半導體芯片的電極端子的釬料層；并包括至少覆蓋釬料層的第一絕緣性樹脂；和覆蓋第一絕緣性樹脂并固定電路基板和半導體芯片的第二絕緣性樹脂。并且，第一絕緣性樹脂可以由彈性模量低于第二絕緣性樹脂的材料構(gòu)成。通過該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)連接等的可靠性和機械強度優(yōu)良的倒裝片安裝體。根據(jù)本發(fā)明的倒裝片安裝方法及其安裝裝置，能夠使半導體芯片的電極端子和電路基板的連接端子的接合狀態(tài)均勻，所以連接可靠性優(yōu)良，并能夠?qū)崿F(xiàn)較高的生產(chǎn)效率。并且，不僅對倒裝片、內(nèi)插板的連接有效，對電路基板或布線基板等基板之間的連接也有效。釬料粒子可以選擇任一種來使用。例如，可以舉出下面的表l所示的粒子。作為一例所舉的表l所示的材料，可以單獨使用，也可以適當組合使用。并且，若使用釬料粒子的熔點低于熱硬化性樹脂的硬化溫度的材料，則使樹脂流動并自聚合之后，再加熱樹脂使其硬化，可以進行電連接和利用樹脂進行密封這一點較好。<table><row><column>釬料粒子的組成</column><column>熔點(固相線)(°c)</column></row><row><column>Sn-58Bi</column><column>139</column></row><row><column>Sn-37Pb</column><column>183</column></row><row><column>Sn-9Zn</column><column>199</column></row><row><column>Sn-3.OAg-0.5Cu</column><column>217</column></row><row><column>Sn-3.5Ag</column><column>221</column></row><row><column>Sn-O.7Cu</column><column>228</column></row><row><column>12Sn-2.OAg-10Sb-Pb</column><column>240</column></row><table>釬料粒子優(yōu)選的熔點是100300°C，更好是如表1所示為139240°C。熔點低于IOO'C時有耐久性產(chǎn)生問題的傾向。若熔點超過300°C，則樹脂的選擇變得困難。釬料粒子優(yōu)選的平均粒子直徑是130um的范圍，更好是520um的范圍。平均粒子直徑小于lum時，由于釬料粒子的表面氧化，熔融變得困難，并且，具有過多地將時間花費在形成電連接體的傾向。若平均粒子直徑超過30um時，由于沉降，難以得到電連接體。并且，平均粒子直徑可以用市售的粒度分布儀來測量。例如，可以使用堀場制作所激光衍射粒度測量儀(LA920)、島津制作所激光衍射粒度測量儀(SALD2100)等進行測量。接著，對樹脂進行說明。作為樹脂的代表性的例子，可以使用環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、硅樹脂、.鄰苯二甲酸二烯丙基酯、呋喃樹脂、三聚氰酰胺樹脂等熱硬化性樹脂，聚酯彈性體、含氟樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、芳香族聚酰胺樹脂等熱可塑性樹脂、或光(紫外線)硬化樹脂等，或者使用組合它們的材料。釬料粒子和樹脂的配合比例，按重量比最好是導電粒子樹脂=764:2496的范圍，更好是釬料粒子樹脂二5020:5080。釬料粒子和樹脂最好是均勻混合之后使用。例如，釬料粒子30%重量比、環(huán)氧樹脂70%重量比，利用混合器形成均勻的混合狀態(tài)，在仍保持釬料粒子的分散狀態(tài)的情況下形成糊狀。該糊狀物的優(yōu)選粘度是20100Pa"S(帕斯卡秒)的范圍。并且，在本發(fā)明的優(yōu)選例子中，作為釬料粒子例如可以使用無鉛且融點20025(TC的Sn3Ag0.5Cu釬料合金粒子。并且，樹脂是熱硬化性樹脂的情況下，最好是樹脂的硬化溫度高于釬料的融點。這樣，可以形成電連接體、或者在形成金屬凸塊的工序中硬化樹脂，可以縮短作業(yè)工序。以下，利用圖1A—C說明得到本發(fā)明的構(gòu)想的一例倒裝片安裝方法的基本機理。首先，如圖1A所示，向形成有多個連接端子ll的電路基板10上，供給含有釬料粉12、對流添加劑13及樹脂14的釬料樹脂組成物15。接著，如圖1B所示，夾著供給到電路基板10和半導體芯片20之間的釬料樹脂組成物15，使電路基板10和半導體芯片20抵接。這時，具有多個電極端子21的半導體芯片20配置成與具有多個連接端子11的電路基板10相對置。并且，該狀態(tài)下，加熱電路基板IO，使釬料樹脂組成物15熔融。這里，電路基板10的加熱溫度在高于釬料粉12的熔點的溫度下進行。熔融的釬料粉12在熔解的樹脂14中相互結(jié)合，如圖1C所示，通過在浸潤性高的連接端子11和電極端子21之間自聚合而形成釬料接合體22。并且，通過使樹脂14硬化，將半導體芯片20固定在電路基板10上。該方法的特征在于，在含有釬料粉12的釬料樹脂組成物15中，還含有釬料粉12熔融的溫度下沸騰的對流添加劑13。即，在釬料粉12熔融的溫度下，包含在釬料樹脂組成物15中的對流添加劑13沸騰。并且，通過沸騰的對流添加劑13在樹脂14中對流，從而促進在樹脂14中浮游的熔融的釬料粉12的移動。其結(jié)果，通過均勻生長的熔融釬料粉在浸潤性較高的電路基板10的連接端子11和半導體芯片20的電極端子21之間自聚合，從而在連接端子11和電極端子21之間通過均勻且微小的釬料接合體22電連接。即，上述方法在含有釬料粉的釬料樹脂組成物中還包含對流添加劑，從而謀求附加強制移動熔融的釬料粉的手段。并且，對流添加劑可以是因加熱而沸騰或蒸發(fā)的溶劑，在工序結(jié)束后幾乎不殘留在樹脂中。站在與此相同的技術(shù)觀點，本發(fā)明不使用對流添加劑而使熔融的釬料粉利用毛細管現(xiàn)象供給并移動，從而實現(xiàn)了可靠性較高的新的倒裝片安裝方法及倒裝片安裝裝置。并且，通過本發(fā)明的實施，能夠?qū)崿F(xiàn)高生產(chǎn)性和可靠性優(yōu)良的倒裝片安裝體。以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。并且，為了容易理解，任意放大表示了附圖。(實施方式l)以下，用圖2A—E說明本發(fā)明的實施方式1的倒裝片安裝方法。圖2A—E是說明本發(fā)明的實施方式1的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。首先，如圖2A所示，用拾取工具201對具有多個電極端子207的半導體芯片206進行保持。并且，通過設置在拾取工具201上的、例如由小孔構(gòu)成的吸氣通道203和吸氣管202，利用真空吸附等吸引并保持半導體芯片206。接著，如圖2B所示，例如，在通過吸引等保持在工作臺等保持臺204上的具有多個連接端子211的電路基板213上，配置保持著半導體芯片206的拾取工具201。在配置中，例如通過攝像機等圖像識別裝置進行位置對準，以便半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211相對置。并且，通過將電路基板213收納在設置于保持臺204上的凹部(未圖示)中，還能夠限制電路基板213的位置并進行固定。并且，在使半導體芯片206和電路基板213對準位置的狀態(tài)下，使保持臺204或拾取工具201移動到使半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211為規(guī)定間隔的位置。這時，所謂"規(guī)定間隔"是指以下所述的釬料樹脂組成物能夠利用毛細管現(xiàn)象浸入的同時，電極端子207和連接端子211不接觸、且熔融的釬料粉能夠浸入其間的程度。例如，考慮半導體芯片206的厚度等，調(diào)節(jié)到半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211的距離成為10ixm50um左右。并且，通過外部的加熱器(未圖示)或者組裝在拾取工具201或保持臺204上的加熱器(未圖示)等加熱裝置，例如將半導體芯片206或電路基板213加熱到釬料粉熔融的溫度(150°C250°C)。接著，如圖2C所示，利用分配器等涂敷裝置217，至少從半導體芯片206的一個端面方向，對具有規(guī)定間隔的間隙218，利用毛細管現(xiàn)象供給含有釬料粉214和樹脂215的釬料樹脂組成物216。這時，供給到間隙218中的釬料樹脂組成物216—邊在間隙218中流動，一邊從相反方向(用空心箭頭所示)排出至少樹脂成分。這里，作為釬料粉例如使用Sn—Ag系列的釬料粉。然后，在供給釬料樹脂組成物216及一邊流動一邊排出的過程中，包含在釬料樹脂組成物216中的釬料粉214通過加熱而熔融。并且，熔融的釬料粉214在電路基板213的連接端子211和半導體芯片206的電極端子207之間自聚合及生長，從而形成將連接端子211和電極端子207電連接的釬料層219。g卩，伴隨釬料樹脂組成物216的流動，在其中浮游的熔融的釬料粉214選擇性地自聚合在浸潤性高的連接端子211及電極端子207上，從而最終在連接端子211和電極端子207之間形成釬料層219。并且，考慮到熔融的釬料粉214的結(jié)合及連接端子211和電極端子207上的自聚合，在釬料樹脂組成物216中極為局部且短時間地進行。因此，為了使自聚合在半導體芯片206的整個區(qū)域均勻進行并形成沒有差異的均勻的釬料層219，需要強制移動在釬料樹脂組成物216中浮游的熔融的釬料粉214的裝置。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式l，加熱狀態(tài)下利用毛細管現(xiàn)象供給到間隙218中的釬料樹脂組成物216，在間隙218中流動，樹脂成分被排出到外部。在該過程中，具有與熔融的釬料粉214宛如在供給到間隙218中的釬料樹脂組成物216內(nèi)強制移動相同的作用效果。g口，產(chǎn)生與圖1A—C所示的由對流添加劑促進熔融的釬料粉移動同樣的作用效果。接著，如圖2D所示，隨著釬料樹脂組成物216在間隙218中流動，依次在電極端子207和連接端子211之間形成釬料層219。并且，形成釬料層219之后，供給到間隙218中的樹脂組成物216之中的樹脂215例如是熱塑性樹脂的情況下，通過利用組裝到拾取工具201或保持臺204中的、例如水的循環(huán)或珀爾帖(^小于二)元件等冷卻裝置(未圖示)的強制冷卻或自然冷卻等進行硬化。由此，半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211通過釬料層219電連接的同時，與下底填充件同樣地通過樹脂215固接或固定。并且，如果釬料樹脂組成物216中的樹脂215例如是熱硬化性樹脂，則可以將拾取工具201或保持臺204暫時加熱到樹脂215硬化的溫度以上使其硬化后，進行上述冷卻。這時，當樹脂215硬化收縮時，最好是將間隙218縮小到硬化收縮的程度。由此，可以防止由樹脂215和半導體芯片206的剝離造成的固接強度的下降。并且，如圖2E所示，通過從拾取工具201取下，能夠制作半導體芯片206倒裝片安裝在電路基板213上的倒裝片安裝體200。若說明具體的一例，在圖2B中，將半導體芯片206的電極端子207和玻璃釬維強化環(huán)氧含浸樹脂電路基板213的連接端子211的間隔調(diào)節(jié)成為20um。該狀態(tài)下，利用分配器，如圖2C—D所示那樣從一個方向，對電路基板和半導體芯片表面之間，利用毛細管現(xiàn)象，浸入將雙酚F型環(huán)氧樹脂(-亇,乂工求年乂1/-乂公司制的工匕°3—卜806)70重量部、平均粒子直徑12mum的Sn3Ag0.5Cu粉(熔點217℃)30重量部均勻地混合的釬料樹脂糊料(加熱到250℃)，并向另一方向排出。這時的加熱溫度為250°C。然后冷卻到室溫，觀察截面時，能夠確認圖2E的狀態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的實施方式l，利用毛細管現(xiàn)象供給、通過熔融的釬料粉的自聚合形成的均勻的釬料層，能夠可靠地進行半導體芯片的電極端子和電路基板的連接端子間的連接。并且，通過使填充在電路基板和半導體芯片的間隙中的樹脂硬化，能夠?qū)雽w芯片固定在電路基板上。因此，可以同時進行半導體芯片的電極端子和電路基板的連接端子之間的電連接和半導體芯片向電路基板的固定，所以能夠制作可靠性優(yōu)良、生產(chǎn)性較高的倒裝片安裝體。并且，利用毛細管現(xiàn)象供給釬料樹脂組成物，并使其在間隙之間流動，所以在釬料樹脂組成物中可以不含有對流添加劑。其結(jié)果，可以擴大釬料樹脂組成物的選擇范圍。并且，通過在以規(guī)定間隔保持的半導體芯片的電極端子和電路基板的連接端子之間的釬料樹脂組成物中流動的熔融的釬料粉自聚合而形成釬料層，所以可以減小施加在半導體芯片及電路基板上的載荷。其結(jié)果，對于薄型化的半導體芯片等，也可以防止由安裝時的載荷引起的變形，可以實現(xiàn)可靠性較高的倒裝片安裝體。并且，在本發(fā)明的實施方式l中，作為釬料樹脂組成物優(yōu)選釬料粉熔融的溫度下為液狀或粘度下降的樹脂。例如，作為在釬料粉熔融的溫度下為液狀的熱硬化性樹脂，可以使用環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯撐醚樹脂、苯酚樹脂、含氟樹脂、異氰酸鹽樹脂等。并且，作為熔融的溫度下粘度下降的熱塑性樹脂可以使用所有芳香族聚酯、含氟樹脂、聚苯醚氧化物樹脂、間規(guī)聚苯乙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、芳香族聚酰胺樹脂、聚苯硫醚樹脂等。此外，釬料樹脂組成物的供給不限于圖3A所示的本發(fā)明的實施方式1的方法。例如，如圖3B所示，可以一邊沿半導體芯片206的一個端面方向移動一邊供給。并且，如圖4A所示，可以一邊沿半導體芯片206的2個方向的端面移動一邊供給，或者如圖4B所示，可以從半導體芯片206的3個方向的端面供給釬料樹脂組成物216。由此，能夠使釬料樹脂組成物216向間隙的供給變得均勻，并且，降低由氣泡等造成的在半導體芯片和電路基板的間隙形成沒有釬料樹脂組成物的區(qū)域的可能性。并且，通過圖4及圖5所示的供給方法，將多個半導體芯片206同時倒裝片安裝在電路基板213上時，可以大幅度削減倒裝片安裝體的制造時間和制造成本等，所以其效果較大。并且，根據(jù)本發(fā)明的實施方式l，作為半導體芯片不限于由硅構(gòu)成的半導體芯片，例如可以應用于硅一鍺或鎵一砷構(gòu)成的半導體芯片等化合物半導體的倒裝片安裝。即，在由薄型的硅構(gòu)成的半導體芯片或機械強度較弱的化合物構(gòu)成的半導體芯片中，能夠以較小的載荷倒裝片安裝半導體芯片，所以能夠?qū)崿F(xiàn)可靠性高的倒裝片安裝體。并且，如圖2B所示，示出在使半導體芯片206和電路基板213對準位置的狀態(tài)下，將半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211形成為規(guī)定間隔的例子，但是，也可以在使半導體芯片206和電路基板213對準位置的狀態(tài)下，使半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211接觸。半導體芯片206上的電極大致平坦，相對于此，電路基板213的連接端子相對于基板表面形成為凸狀，即使不留出規(guī)定間隔，半導體芯片206和電路基板213也產(chǎn)生與電路基板連接端子的厚度部分相當?shù)拈g隙。通過該間隙，可以在半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211的周邊自聚合。并且，在本發(fā)明的實施方式l中，用水平地配置拾取工具和保持臺的圖進行了說明，但是不限于此。例如，可以傾斜配置成利用毛細管現(xiàn)象供給釬料樹脂組成物的端面方向較高。由此，利用毛細管現(xiàn)象供給的同時，利用釬料樹脂組成物的自重沿著傾斜落下，從而提高供給速度。其結(jié)果，提高釬料樹脂組成物的間隙內(nèi)的流動性，可以在短時間內(nèi)進行倒裝片安裝。并且，在排出釬料樹脂組成物的樹脂成分的情況下，也可以在短時間內(nèi)排出。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)性優(yōu)良的倒裝片安裝。(實施方式2)以下，利用圖5A-E說明本發(fā)明的實施方式2的倒裝片安裝方法。圖5A—E是說明本發(fā)明的實施方式2的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。本發(fā)明的實施方式2和實施方式1的不同點在于，在半導體芯片搭載于內(nèi)插板上的狀態(tài)下倒裝片安裝在電路基板上。在圖5A—E中，對與圖2A-E相同的構(gòu)成要素附加相同的符號進行說明。首先，如圖5A所示，用拾取工具201保持至少搭載于內(nèi)插板301上的半導體芯片206。這里，半導體芯片206通過倒裝片安裝法或引線接合法等安裝在內(nèi)插板301上。并且，半導體芯片206的多個電極端子(未圖示)分別與形成在內(nèi)插板301的表面的多個外部連接端子電連接。并且，內(nèi)插板301通過設置在拾取工具201上的、例如經(jīng)由小孔構(gòu)成的吸氣通道203和吸氣管202被真空吸附并保持。接著，如圖5B所示，例如在通過吸引等保持于工作臺等保持臺204上的、具有多個連接端子211的電路基板213上，配置對搭載有半導體芯片206的內(nèi)插板301進行保持的拾取工具201。在配置中，例如通過攝像機等圖像識別裝置等進行位置對準，以使得內(nèi)插板301的外部連接端子302和電路基板213的連接端子211相對置。并且，通過將電路基板213收納在設置于保持臺204上的凹部(未圖示)中，限制電路基板213的位置并進行固定。然后，在將內(nèi)插板301和電路基板213對準位置的狀態(tài)下，將保持臺204或拾取工具201移動到內(nèi)插板301的外部連接端子302和電路基板213的連接端子211為規(guī)定間隔的位置。這時，所謂"規(guī)定間隔"是指以下所述的釬料樹脂組成物利用毛細管現(xiàn)象浸入的同時，外部連接端子302和連接端子211不接觸、且熔融的釬料粉能浸入其中的程度。例如為30um300um左右。進而，隔著半導體芯片206，利用外部的加熱器(未圖示)或組裝在拾取工具201或保持臺204上的加熱器(未圖示)等加熱裝置，例如加熱到釬料粉熔融的溫度(150°C250°C)。接著，如圖5C所示，利用分配器等涂敷裝置217，至少從內(nèi)插板301的一個端面方向，對具有規(guī)定間隔的間隙218，利用毛細管現(xiàn)象供給含有釬料粉214和樹脂215的釬料樹脂組成物216。這時，供給到間隙218中的釬料樹脂組成物216，在間隙218中流動，并且，至少樹脂成分從與供給的方向相反的方向(用空心箭頭表示)排出。這里，作為釬料粉例如使用Sn-Ag系的釬料粉。并且，在供給釬料樹脂組成物216及一邊流動一邊排出樹脂成分的過程中，包含在釬料樹脂組成物216中的釬料粉214通過加熱而熔融。并且，熔融的釬料粉214在電路基板213的連接端子211和內(nèi)插板301的外部連接端子302之間自聚合及生長，從而形成將連接端子211和外部連接端子302電連接的釬料層219。g卩，伴隨釬料樹脂組成物216的流動，在其中浮游的熔融的釬料粉214選擇性地自聚合在浸潤性高的連接端子211和外部連接端子302上，從而最終在連接端子211和外部連接端子302之間形成釬料層219。接著，如圖5D所示，隨著釬料樹脂組成物216在間隙218中流動，依次在外部連接端子302和連接端子211之間形成釬料層219。并且，形成釬料層219之后，通過例如組裝在拾取工具201或保持臺204中的、例如水循環(huán)或珀爾帖元件等冷卻裝置(未圖示)進行的強制冷卻或自然冷卻等，使供給到間隙218中的釬料樹脂組成物216中的、例如由熱塑性樹脂構(gòu)成的樹脂215硬化。由此，內(nèi)插板301的外部連接端子302和電路基板213的連接端子211通過釬料層219電連接的同時，與下底填充材料同樣地通過樹脂215固接或固定。并且，如果釬料樹脂組成物216中的樹脂215例如是熱硬化性樹脂，則可以將拾取工具201或保持臺204暫時加熱到樹脂215硬化的溫度以上、使其硬化。這時，在樹脂215硬化收縮的情況下，使間隙218縮小到硬化收縮的程度。由此，能夠防止由樹脂215和半導體芯片206的由剝離造成的固接強度的下降。并且，如圖5E所示，通過從拾取工具201上取下，能夠制作搭載了半導體芯片206的內(nèi)插板301倒裝片安裝在電路基板213上的倒裝片安裝體300。根據(jù)本發(fā)明的實施方式2，得到與實施方式1同樣的效果。(實施方式3)以下，利用圖6A-E和圖7A—E，說明本發(fā)明的實施方式3的倒裝片安裝方法。圖6A-E和圖7A—E是說明本發(fā)明的實施方式3的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖。并且，在圖6A-E和圖7A—E中，對于與圖2A—E相同的構(gòu)成要素附加相同的符號進行說明。首先，如圖6A所示，用拾取工具201保持具有多個電極端子207的半導體芯片206。并且，通過設置于拾取工具201上的、例如由小孔構(gòu)成的吸氣通道203和吸氣管202，真空吸附并保持半導體芯片206。接著，如圖6B所示，例如在通過吸引等保持于工作臺等保持臺204上的、具有多個連接端子211的電路基板213上，配置保持了半導體芯片206的拾取工具201。在配置中，例如通過攝像機等圖像識別裝置進行位置對準，以使得半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211相對置。并且，通過將電路基板213收納在設置于保持臺204上的凹部(未圖示)中，從而限制電路基板213的位置并進行固定。然后，在將半導體芯片206和電路基板213對準位置的狀態(tài)下，將保持臺204或拾取工具201移動到半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211為規(guī)定間隔的位置。這時，所謂"規(guī)定間隔"是指以下所述的釬料樹脂組成物能夠利用毛細管現(xiàn)象浸入的同時，電極端子207和連接端子211不接觸、且熔融的釬料粉能浸入其中的程度。例如為30nm300ixm左右。進而，利用外部的加熱器(未圖示)或組裝在拾取工具201或保持臺204上的加熱器(未圖示)等加熱裝置，例如將半導體芯片206和電路基板213加熱到釬料粉熔融的溫度(150℃250℃)。接著，如圖6C所示，利用分配器等涂敷裝置217，至少從半導體芯片206的一個端面方向，對具有規(guī)定間隔的間隙218，利用毛細管現(xiàn)象供給含有釬料粉214和第一樹脂401的釬料樹脂組成物402。這時，供給到間隙218中的釬料樹脂組成物402，在間隙218中流動，并且，樹脂成分從與供給的方向相反的方向(用空心箭頭表示)排出。這里，作為釬料粉例如使用Sn-Ag系的釬料粉。并且，在供給釬料樹脂組成物402及一邊流動一邊排出樹脂成分的過程中，包含在釬料樹脂組成物402中的釬料粉214通過加熱而熔融。并且，熔融的釬料粉214在電路基板213的連接端子211和半導體芯片206的電極端子207之間自聚合及生長，從而形成將連接端子211和電極端子207電連接的釬料層219。g卩，在釬料樹脂組成物402中浮游的熔融的釬料粉214選擇性地自聚合在浸潤性高的連接端子211或電極端子207上，從而最終在連接端子211和電極端子207之間形成釬料層219。接著，如圖6D所示，隨著釬料樹脂組成物402在間隙218中流動，依次在電極端子207和連接端子211之間形成釬料層219。并且，如圖6E所示，在整個半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211之間形成均勻且沒有差異的釬料層219。這時，間隙218在第一樹脂401未硬化的狀態(tài)下被填充。400是得到的倒裝片安裝體。以上的工序與實施方式l相同，以后的工序不同。接著，如圖7A所示，排出填充在間隙218中的第一樹脂401。這里，第一樹脂401的排出例如通過從噴嘴403注入惰性氣體或空氣等，利用注入的空氣的擠壓來執(zhí)行。并且，注入氣體等的同時，也可以通過減壓的吸氣管404吸引排出第一樹脂401。這些可以同時進行。并且，在排出第一樹脂401時，為了在通過氣體的擠壓或減壓引起的吸引中不破壞釬料層219的形狀，最好是將拾取工具201和保持臺204的溫度設定為釬料層219的硬化溫度以下、且第一樹脂401的熔融溫度以上，使釬料層219固化。由此，如圖7B所示，成為半導體芯片206和電路基板213僅由釬料層219結(jié)合的狀態(tài)。接著，如圖7C所示，從間隙218排出第一樹脂401之后，利用分配器等涂敷裝置217至少從半導體芯片206的一個端面方向，對具有規(guī)定間隔的間隙218，利用毛細管現(xiàn)象供給第二樹脂405。由此，如圖7D所示，半導體芯片206和電路基板213的間隙再次由第二樹脂405填充。并且，通過使第二樹脂405硬化，將半導體芯片206固接在電路基板213上。這里，例如如果第二樹脂405是熱硬化性樹脂，則將拾取工具201或保持臺204加熱到第二樹脂405硬化的溫度以上來進行第二樹脂405的硬化。接著，如圖7E所示，通過從拾取工具201及保持臺204取下，完成半導體芯片206倒裝片安裝在電路基板213上的倒裝片安裝體400。根據(jù)本發(fā)明的實施方式3的方法，通過改變在連接電路基板213的連接端子211的半導體芯片206的電極端子207的釬料層219的形成過程中使用的第二樹脂405的材料，從而能夠制作可靠性更高的倒裝片安裝體400。即，在形成釬料層219的連接工序中，作為第一樹脂401可以使用具有適合于確保熔融的釬料粉214的流動性的粘度的樹脂。并且，在將半導體芯片206固接在電路基板213的硬化工序中，作為第二樹脂405可以使用具有下底填充材料的作用的同時緩和熱膨脹差的、例如添加了無機添加劑等樹脂。并且，分別獨立地以最佳的組合選擇這些樹脂，從而更可靠地執(zhí)行半導體芯片206與電路基板213的電連接及機械固接。并且，第一樹脂401不需要具有硬化性，所以不限于實施方式l例示的熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂等樹脂材料，可以使用具有適當粘度的粘性體。此外，作為粘性體的材料可以使用在釬料粉熔融的溫度下不沸騰的高沸點溶劑或油等。例如，作為高沸點溶劑可以使用丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯等，作為油可以使用硅油等。這些粘性體的粘度不特別限制，但是，作為熔融的釬料粉容易移動且可以利用毛細管現(xiàn)象向半導體芯片206和電路基板213之間的間隙供給的粘度，最好是10Pas以下的粘度。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式3，在形成了釬料層219時，即使熔融的釬料粉214未自聚合而少量殘留在第一樹脂401中，在形成了釬料層219后，殘留了釬料粉214的第一樹脂401從間隙218排出，所以能夠回避釬料層219之間的泄漏、絕緣耐壓的下降等發(fā)生。以下，利用圖8A-C說明本發(fā)明的實施方式3的倒裝片安裝方法的應用例。并且，到實施方式3中說明的圖6A—E的各工序為止相同，與圖7A—E所示的工序不同。g卩，用圖8A—C的工序代替了圖7A—E的工序。圖8A—C是說明本發(fā)明的實施方式3的倒裝片安裝方法的變形例的概略工序截面圖。首先，如圖8A所示，在間隙218中填充釬料樹脂組成物402、形成釬料層219之后，利用分配器等涂敷裝置217，至少從半導體芯片206的一個端面方向，對具有規(guī)定間隙的間隙218，利用毛細管現(xiàn)象供給第二樹脂405。這時，殘留在釬料樹脂組成物402中的釬料粉214和第一樹脂401通過第二樹脂405的供給而排出。然后，如圖8B所示，半導體芯片206和電路基板213的間隙218再次由第二樹脂405填充。并且，通過使第二樹脂405硬化，將半導體芯片206固接在電路基板213上。這里，例如當?shù)诙渲?05是熱硬化性樹脂時，可以通過將拾取工具201或保持臺204加熱到第二樹脂405硬化的溫度的以上來進行第二樹脂405的硬化。接著，如圖8C所示，通過從拾取工具201及保持臺204上取下，來完成半導體芯片206倒裝片安裝在電路基板213上的倒裝片安裝體500。通過該方法，得到與實施方式3同樣的效果，并且簡化工序，所以能夠進一步提高生產(chǎn)性。(實施方式4)以下，利用圖9A-E和圖IOA—E，說明本發(fā)明的實施方式4的倒裝片安裝方法及倒裝片安裝體。并且，實施方式4與實施方式3中說明的到圖7B為止的工序相同，其以后的工序不同。本發(fā)明的實施方式4進一步提高了實施方式3的倒裝片安裝體的釬料層間的絕緣耐壓等電特性，以下詳細地進行說明。圖9A-E是說明本發(fā)明的實施方式4的倒裝片安裝方法的概略工序截面圖，圖10A-B是放大表示圖9A—E的主要工序的主要部分放大截面圖。首先，圖9A與實施方式3的圖7B同樣，是表示將含有熔融的釬料粉和第一樹脂的釬料樹脂組成物供給到間隙218中形成釬料層219之后，從間隙218排出樹脂的狀態(tài)的圖。接著，如圖9B所示，從間隙排出釬料層219以外的樹脂后，利用分配器等涂敷裝置217，至少從半導體芯片206的一個端面方向，對具有規(guī)定間隔的間隙，利用毛細管現(xiàn)象供給第一絕緣性樹脂501。這里，作為第一絕緣性樹脂501例如可以使用環(huán)氧樹脂和撓性環(huán)氧樹脂的混合物等的低彈性模量的熱硬化性樹脂。并且，第一絕緣性樹脂501以低彈性模量為特征，所以最好不含有一般在用作下底填充材料的樹脂中含有的無機添加劑等。并且，供給到間隙中的第一絕緣性樹脂501不需要一定完全填充間隙，當?shù)谝唤^緣性樹脂501在間隙內(nèi)流動排出時，最好是以至少與釬料層219的側(cè)面接觸的方式供給。接著，如圖9C所示，進而排出填充在間隙218中的第一絕緣性樹脂。這里，如實施方式3的圖7A所示，例如通過從噴嘴注入惰性氣體或空氣等，利用注入的空氣的擠壓來執(zhí)行第一絕緣性樹脂的排出。由此，如圖10A所示，成為在釬料層219的側(cè)面覆蓋了第一絕緣性樹脂501的狀態(tài)。這被認為是第一絕緣性樹脂501因表面張力而覆蓋在釬料層219的側(cè)面。并且，釬料層219的側(cè)面以外的半導體芯片206或電路基板213的表面，可以由第一絕緣性樹脂501覆蓋。接著，如圖9D所示，利用分配器等涂敷裝置217至少從半導體芯片206的一個端面方向，對具有規(guī)定間隔的間隙，利用毛細管現(xiàn)象供給第二絕緣性樹脂502。這里，第二絕緣性樹脂502作為下底填充材料可以使用固接半導體芯片206和電路基板213的、例如能夠使用含有無機添加劑的絕緣耐壓高的樹脂等。這時，如圖IOB所示，第二絕緣性樹脂502填充在間隙218中，以便覆蓋第一絕緣性樹脂501。g口，實施方式3的第二樹脂由第一絕緣性樹脂501和第二絕緣性樹脂502構(gòu)成。并且，在供給第二絕緣性樹脂502時，在供給了第一絕緣性樹脂501之后，最好是暫時硬化第一絕緣性樹脂501，以便覆蓋釬料層219的側(cè)面的第一絕緣性樹脂501不會熔融而脫落。暫時硬化例如可以通過加熱拾取工具201或保持臺204來進行。并且，如圖9E所示，半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211由釬料層219電連接，釬料層219由第一絕緣性樹脂501覆蓋。并且，通過用第二絕緣性樹脂502固接半導體芯片206和電路基板213而制作倒裝片安裝體600。一般，下底填充材料通過添加無機添加劑，來匹配半導體芯片206和電路基板213的熱膨脹系數(shù)并增大彈性模量、硬化收縮，從而確保半導體芯片206的電極端子207和電路基板213的連接端子211的連接性。但是，若為了具有較高的彈性模量和較高的收縮性，例如施加溫度循環(huán)等，則應力集中在半導體芯片206的電極端子207及電路基板213的連接端子211上，由剝離等造成可靠性下降。根據(jù)本發(fā)明的實施方式4，釬料層隔著低彈性模量的第一絕緣性樹脂被第二絕緣性樹脂(相當于下底填充材料)覆蓋，所以可以利用第一絕緣性樹脂來緩和由第二絕緣性樹脂產(chǎn)生的應力。由此，防止釬料層間的絕緣耐壓的下降，并且能夠緩和由溫度循環(huán)等發(fā)生的應力，所以能夠?qū)崿F(xiàn)電特性和可靠性優(yōu)良的倒裝片安裝體。并且，利用各實施方式說明了本發(fā)明，但是，這樣的記述不是限定事項，可以進行各種變形，并且，可以相互應用各實施方式。并且，在本發(fā)明的實施方式中，用Sn-Ag系的焊錫說明了釬料粉，但不限于此。例如也可以是Sn-Zn系、Sn-Bi系等無Pb焊錫。并且，用圖11說明用于本發(fā)明的各實施方式的倒裝片安裝裝置。圖11是用于本發(fā)明的各實施方式的倒裝片安裝裝置的主要部分結(jié)構(gòu)截面圖。如圖11所示，倒裝片安裝裝置的主要構(gòu)成要素有保持半導體芯片的拾取工具201和保持電路基板的保持臺204。并且，拾取工具201和保持臺204具有用于保持半導體芯片或電路基板的吸引用的吸氣管202、用于加熱的加熱器等加熱裝置700。并且，加熱裝置可以設置在外部。并且，具有供給釬料樹脂組成物的分配器等涂敷裝置217。此外，雖未圖示，為了半導體芯片和電路基板的位置對準，具有攝像機等圖像識別裝置、及根據(jù)其信息能夠三維地對準拾取工具201和保持臺204的位置來配置的移動裝置。并且，各裝置的詳細的說明己在實施方式中說明，所以省略。此外，在上述倒裝片安裝裝置中，也可以搭載具有與電路基板連接來檢查電特性的探針等檢查裝置。由此，能夠一邊監(jiān)視半導體芯片和電路基板的基于釬料層的連接狀態(tài)，一邊檢查倒裝片安裝。其結(jié)果，能夠制作合格率高、可靠性優(yōu)良的倒裝片安裝體。工業(yè)可利用性根據(jù)本發(fā)明，不僅可以應用于窄節(jié)距化發(fā)展的下一代半導體芯片的倒裝片安裝，并且能用于期望生產(chǎn)性和可靠性優(yōu)良的倒裝片安裝的領域。權(quán)利要求1.一種倒裝片安裝方法，與具有多個連接端子的電路基板相對置而配置具有多個電極端子的半導體芯片，將上述電路基板的連接端子和上述半導體芯片的電極端子電連接，其特征在于，保持上述電路基板和上述半導體芯片；將上述電路基板的上述連接端子和上述半導體芯片的電極端子，以接觸狀態(tài)保持并對準位置，或者以規(guī)定間隔保持并對準位置；至少將上述電路基板或上述半導體芯片，加熱到由釬料粉和樹脂構(gòu)成的釬料樹脂組成物熔融的溫度；從上述半導體芯片的至少一個端面方向，對保持上述電路基板和上述半導體芯片的上述規(guī)定間隔，利用毛細管現(xiàn)象供給上述釬料樹脂組成物；在使上述釬料樹脂組成物中的上述樹脂硬化時，在上述釬料樹脂組成物的供給工序中，使上述釬料樹脂組成物中的熔融的上述釬料粉在保持上述電路基板和上述半導體芯片的上述規(guī)定間隔之間移動，使上述釬料粉自聚合及生長，從而電連接上述連接端子和上述電極端子。2.如權(quán)利要求l所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，在上述供給工序中，至少從一個方向供給的上述釬料樹脂組成物的樹脂成分從這以外的方向排出。3.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，在上述供給工序中，從上述半導體芯片的至少一個端面方向供給的上述釬料樹脂組成物，沿著上述端面移動的同時供給。4.如權(quán)利要求l所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，在上述保持工序中，上述電路基板及上述半導體芯片通過吸引來保5.如權(quán)利要求l所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，在上述保持工序中，保持多個上述半導體芯片。6.如權(quán)利要求l所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，上述半導體芯片搭載在具有多個外部連接端子的內(nèi)插板上，將上述電路基板的上述連接端子和上述外部連接端子電連接。7.如權(quán)利要求1至7中的任一項所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，在通過上述釬料樹脂組成物電連接上述連接端子和上述電極端子之后，進而排出上述釬料層以外的樹脂成分，至少將上述電路基板或上述半導體芯片加熱到上述釬料層不熔融而第二樹脂熔融的溫度；從上述半導體芯片的至少一個端面方向，對保持上述電路基板和上述半導體芯片的上述規(guī)定間隔，利用毛細管現(xiàn)象供給上述第二樹脂；使上述第二樹脂硬化。8.如權(quán)利要求7所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，上述釬料樹脂組成物的樹脂成分從這以外的方向排出。9.如權(quán)利要求8所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，在供給上述第二樹脂時，包括供給至少覆蓋上述釬料層的側(cè)面的第一絕緣性樹脂的第一工序；及供給覆蓋上述第一絕緣性樹脂、并對上述電路基板和上述半導體芯片的規(guī)定間隔之間進行填充的第二絕緣性樹脂的第二工序；上述第二樹脂由上述第一絕緣性樹脂和上述第二絕緣性樹脂構(gòu)成。10.如權(quán)利要求9所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，上述第一工序之后還包括暫時硬化上述第一絕緣性樹脂的工序。11.如權(quán)利要求9所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，上述第一絕緣性樹脂通過表面張力至少覆蓋在上述釬料層的側(cè)面。12.如權(quán)利要求9所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，上述第一絕緣性樹脂由彈性模量低于上述第二絕緣性樹脂的材料構(gòu)成。13.如權(quán)利要求l所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，上述釬料樹脂組成物是粘性體。14.如權(quán)利要求13所述的倒裝片安裝方法，其特征在于，上述粘性體由樹脂、高沸點溶劑或油構(gòu)成。15.—種倒裝片安裝裝置，用于將半導體芯片倒裝片安裝在電路基板上，其特征在于，包括保持機構(gòu)，保持上述電路基板和上述半導體芯片；配置機構(gòu)，將上述電路基板的上述連接端子和上述半導體芯片的電極端子，以接觸狀態(tài)保持并對準位置，或者以規(guī)定間隔保持并對準位置;加熱機構(gòu)，至少將上述電路基板或上述半導體芯片，加熱到由釬料粉和樹脂構(gòu)成的釬料樹脂組成物熔融的溫度-，供給機構(gòu)，從上述半導體芯片的至少一個端面方向，對保持上述電路基板和上述半導體芯片的上述規(guī)定間隔，利用毛細管現(xiàn)象供給上述釬料樹脂組成物；硬化機構(gòu)，使上述釬料樹脂組成物中的上述樹脂硬化。16.如權(quán)利要求15所述的倒裝片安裝裝置，其特征在于，上述供給機構(gòu)是分配器。17.如權(quán)利要求15所述的倒裝片安裝裝置，其特征在于，上述保持機構(gòu)是吸引機構(gòu)。18.如權(quán)利要求15所述的倒裝片安裝裝置，其特征在于，上述保持機構(gòu)傾斜保持上述電路基板和上述半導體芯片。19.如權(quán)利要求15所述的倒裝片安裝裝置，其特征在于，上述加熱機構(gòu)還具有冷卻機構(gòu)。20.如權(quán)利要求15所述的倒裝片安裝裝置，其特征在于，還包括檢查上述半導體芯片和上述電路基板的電連接的檢查機構(gòu)。21.—種倒裝片安裝體，其特征在于，具有-具有多個連接端子的電路基板；具有與上述連接端子對置配置的多個電極端子的半導體芯片；及將上述電路基板的上述連接端子和上述半導體芯片的上述電極端子電連接的釬料層；并包括至少覆蓋上述釬料層的的第一絕緣性樹脂；及覆蓋上述第一絕緣性樹脂、并固定上述電路基板和上述半導體芯片的第二絕緣性樹脂。22.如權(quán)利要求21所述的倒裝片安裝體，其特征在于，上述第一絕緣性樹脂由彈性模量低于上述第二絕緣性樹脂的材料構(gòu)成。23.如權(quán)利要求21所述的倒裝片安裝體，其特征在于，上述釬料層是使釬料粉自聚合及生長而形成的。全文摘要本發(fā)明涉及倒裝片安裝方法，保持電路基板(213)和半導體芯片(206)，按規(guī)定間隔保持并對準位置，加熱到由釬料粉(214)和樹脂(215)構(gòu)成的釬料樹脂組成物(216)熔融的溫度，利用毛細管現(xiàn)象供給釬料樹脂組成物(216)使樹脂(215)硬化時，使釬料樹脂組成物(216)中的熔融的釬料粉(214)在保持電路基板(213)和半導體芯片(206)的規(guī)定間隔之間移動，通過自聚合及生長而電連接連接端子(211)和電極端子(207)。由此，能夠?qū)⑾乱淮雽w芯片安裝在電路基板上，提供生產(chǎn)性及可靠性高的倒裝片安裝方法、其安裝體及其安裝裝置。文檔編號H01L21/60GK101176200SQ20068001704公開日2008年5月7日申請日期2006年3月30日優(yōu)先權(quán)日2005年5月17日發(fā)明者一柳貴志,中谷誠一,北江孝史,山下嘉久,辛島靖治申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社