專(zhuān)利名稱(chēng)：安置電子元件的方法及電子元件保持器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將電子元件安置于電子元件固持器測(cè)試座之中的設(shè)備與 方法，該電子元件固持器測(cè)試安裝座讓該電子元件保持在露出該電子元件的側(cè) 邊緣的方向中，以^^對(duì)該電子元件進(jìn)^f亍參^t測(cè)試。
背景技術(shù)：
電子元件處理機(jī)收納多個(gè)被制造用于電子電路中的電子元件，讓測(cè)試探針 接取該些電子元件以進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，并且根據(jù)該參數(shù)測(cè)試的結(jié)果來(lái)4兆選分類(lèi)該 些電子元件。適合供電子元件處理機(jī)進(jìn)行處理與測(cè)試的其中一種微型電子元件
范例是低電感陶瓷電容器(low inductance ceramic capacitor, LICC)，其是4鼓小 的矩形「芯片」，尺寸小于一米粒。適合于電子元件處理機(jī)中進(jìn)行處理與測(cè)試 的其它電子元件范例還包含集成無(wú)源元件(IPCs)、電容器芯片、陣列芯片、以 及電阻器。
圖1與2所示的為范例LICC或芯片IO，其包含由下面部份所界定出的主 體 一對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12(左表面與右表面)； 一對(duì)彼此相對(duì)的第二側(cè) 表面14(上表面與下表面)；以及一對(duì)末端表面16(正表面與背表面)。本圖中， 構(gòu)成該表面(舉例來(lái)說(shuō)，第一側(cè)表面、第二側(cè)表面、或末端表面)中任一者的邊 緣的直線(xiàn)區(qū)域均稱(chēng)為「?jìng)?cè)邊緣J。該些彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12中的每一側(cè)表 面具有4皮此相對(duì)的側(cè)邊緣18,其和彼此相對(duì)的第二側(cè)表面14中不同的側(cè)表面 的側(cè)邊緣20—同被共用。彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12彼此分隔第一距離(dl)， 該距離由末端表面16的彼此相對(duì)的第一側(cè)邊緣22來(lái)界定。彼此相對(duì)的第二側(cè) 表面14彼此分隔第二距離(d2)，該距離由末端表面16的彼此相對(duì)的第二側(cè)邊 緣24來(lái)界定。芯片IO還包含角落區(qū)，其中該表面(舉例來(lái)說(shuō)，第一側(cè)表面、 第二側(cè)表面、或末端表面)中任一者的三個(gè)邊緣相接且構(gòu)成一個(gè)角。如熟習(xí)本 技術(shù)的人士所知道的，芯片IO可能于其主體內(nèi)包含多片彼此分隔的金屬板或 者也可能是實(shí)心基板。芯片IO通常具有正方形或矩形剖面。芯片10進(jìn)一步包含第一巻繞電極30,其巻繞于該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表 面12的其中一個(gè)中的每個(gè)彼此相對(duì)的側(cè)邊緣18之上。第一巻繞電極30于彼 此相對(duì)的第二側(cè)表面14上形成第一電接觸區(qū)32。芯片IO進(jìn)一步包含第二巻 繞電極34,其巻繞于該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12的另一個(gè)的每個(gè)彼此相對(duì) 的側(cè)邊緣18之上。第二巻繞電極34于彼此相對(duì)的第二側(cè)表面14上形成第二 電接觸區(qū)36。
第一巻繞電極30與第二巻繞電極34通過(guò)在芯片10上涂敷導(dǎo)電膏 (electrically conductive paste)而構(gòu)成。當(dāng)形成巻繞電才及30與34時(shí)，需要有非常 高的精確性，方能確保不會(huì)有任何導(dǎo)電膏連接第一電接觸區(qū)32與第二電接觸 區(qū)36。彼此相對(duì)的第一巻繞電極30與第二巻繞電極34相互連接會(huì)構(gòu)成導(dǎo)電 橋，當(dāng)出現(xiàn)該導(dǎo)電橋時(shí)，便會(huì)讓所生成的芯片10變成短路。因此，第一電接 觸區(qū)32與第二電接觸區(qū)36僅會(huì)占據(jù)彼此相對(duì)的第二側(cè)表面14中每一個(gè)的最 小部份(舉例來(lái)說(shuō)，約15%)。于彼此相對(duì)的末端表面16的任一個(gè)之上不會(huì)有 任何的導(dǎo)電膏。
適合用于測(cè)試與挑選分類(lèi)大量微型電子元件(如圖1與2中所示的LICC) 的方法與設(shè)備是本技術(shù)中已知的。用于測(cè)試與挑選電子元件的其中一種現(xiàn)有技 術(shù)方法與設(shè)備的范例已于美國(guó)專(zhuān)利案第6,204,464號(hào)(r下文簡(jiǎn)稱(chēng)，464專(zhuān)利J ) 中作過(guò)說(shuō)明，該案為本專(zhuān)利申請(qǐng)案的授讓人所擁有。圖3至7所示的便是，464 專(zhuān)利案中所述的現(xiàn)有技術(shù)電子元件處理機(jī)的實(shí)體器件的整體配置方式。
如圖3與4中所示，高速電子元件處理機(jī)50包含可旋轉(zhuǎn)的進(jìn)給輪52，該 進(jìn)給輪52被安置于中心軸54之上且會(huì)以逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)。進(jìn)給輪52包含外 緣56,其和中心軸54的軸線(xiàn)(圖中未顯示)同心。進(jìn)給輪52的設(shè)置位置與水平 面形成一角度，較佳的是45。，且進(jìn)給輪52還包含上表面58，該上表面58 能夠收納多個(gè)任意導(dǎo)向的電子元件。
進(jìn)給輪52包含多個(gè)徑向延伸、彼此分隔的^^轂66,該些輪轂66沿著外 緣56彼此分隔均勻的角度。每個(gè)輪轂66的長(zhǎng)度均足以讓二或更多個(gè)芯片10 保持在直線(xiàn)上；且寬度非常窄，使得僅能以沿邊的方式來(lái)收納每個(gè)芯片10, 使得每個(gè)芯片10在沿著輪轂66的長(zhǎng)度移動(dòng)時(shí)靠于其纟皮此相對(duì)的第一側(cè)表面 12或彼此相對(duì)的第二側(cè)表面14的其中一個(gè)之上。在部份實(shí)施例中，進(jìn)給輪52
受到震動(dòng)的作用，而讓設(shè)置在進(jìn)給輪52上的芯片10進(jìn)入輪轂66。
圖5顯示出，當(dāng)輪轂66的長(zhǎng)度接近外緣56時(shí)，輪轂66便會(huì)朝下轉(zhuǎn)折形 成倒角(chamfered corner)或凍牛角(beveled corner)67,并且纟冬止于電子元《牛大小 的孔洞68之中，該電子元件大小的孔洞68沒(méi)有任何護(hù)壁/人外緣56處面朝向 外。每個(gè)電子元件大小的孔洞68被配置成用以于其中收納單一芯片IO且使其 保持于受控制方向中，致使芯片IO的彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12或彼此相對(duì)的 第二側(cè)表面14的其中一個(gè)會(huì)露出。彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12或彼此相對(duì)的第 二側(cè)表面14中哪一個(gè)會(huì)露出是隨機(jī)性的，因?yàn)檩嗇?6或電子元件大小的孔洞 68均不會(huì)讓芯片10的該些彼此相對(duì)的側(cè)表面優(yōu)先露出。真空構(gòu)件70(其會(huì)被 連接至真空腔室72)所產(chǎn)生的壓力差在進(jìn)給輪52的旋轉(zhuǎn)期間讓芯片IO保持在 電子元件大小的孔洞68之中。
如圖3、 6、以及7中所示，旋轉(zhuǎn)載運(yùn)輪74被安置在和進(jìn)給輪52同一平 面上，且與進(jìn)給輪52分隔，而且該載運(yùn)輪74以順時(shí)針?lè)较騺?lái)旋轉(zhuǎn)。載運(yùn)輪 74被配置成和進(jìn)給輪52的外緣56構(gòu)成切線(xiàn)相鄰，而且包含朝外延伸的環(huán)狀 周?chē)o(hù)壁76,該環(huán)狀周?chē)o(hù)壁76大體上會(huì)從載運(yùn)板77處垂直突出。周?chē)o(hù) 壁76包含多個(gè)彼此分隔的測(cè)試座78，該些測(cè)試座78沿著載運(yùn)輪74的周?chē)?此分隔均勾的角度。載運(yùn)輪74的旋轉(zhuǎn)配合進(jìn)給輪52的旋轉(zhuǎn)，以便將芯片10 從進(jìn)給輪52傳輸至載運(yùn)輪74。更明確地說(shuō)，載運(yùn)輪74與進(jìn)給輪52以同步的 圓周速度來(lái)旋轉(zhuǎn)，使得當(dāng)載運(yùn)輪74的周?chē)o(hù)壁76和進(jìn)給輪52的外緣56彼此 切線(xiàn)相鄰時(shí)，每個(gè)測(cè)試座78對(duì)準(zhǔn)一電子元件大小的孔洞68。依此方式，便可 將電子元件大小的孔洞68中的芯片10傳輸至測(cè)試座78。如圖6中所示，第 二真空構(gòu)件82所產(chǎn)生的壓力差從電子元件大小的孔洞68中吸出芯片10使其 進(jìn)入測(cè)試座78之中，而第三真空構(gòu)件84所產(chǎn)生的壓力差則讓芯片IO保持在 測(cè)試座78之中。
如圖7所示，每個(gè)測(cè)試座78的形狀大體上為矩形，其包含底表面88，從 該底表面88處向上延伸兩個(gè)側(cè)護(hù)壁90。當(dāng)將芯片10安置于測(cè)試座78之中時(shí)， 芯片10的該對(duì)末端表面16中其中一個(gè)便會(huì)座落于底表面88之上且受到底表 面88的支撐。彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12或彼此相對(duì)的第二側(cè)表面14中任一 個(gè)均相鄰且大體平行于側(cè)護(hù)壁卯。因?yàn)闇y(cè)試座78并不包含外護(hù)壁，所以，彼
此相對(duì)的第一側(cè)表面12或彼此相對(duì)的第二側(cè)表面14中的另一個(gè)便會(huì)露出。
圖8A與8B所示的是被安置于測(cè)試座78之中的芯片IO的俯一見(jiàn)圖。圖8A 中顯示出，芯片10 ^皮安置于測(cè)試座78中之后會(huì)露出彼此相對(duì)的第一側(cè)表面 12。當(dāng)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面12露出之后，第一巻繞電極30與第二巻繞電極 34便會(huì)露出，因此便可利用測(cè)試探針92來(lái)對(duì)第一巻繞電極30與第二巻繞電 極34施行參數(shù)測(cè)試。在美國(guó)專(zhuān)利案第5,673,799號(hào)中便說(shuō)明過(guò)參數(shù)測(cè)試范例， 該些參數(shù)測(cè)試范例包含，但不限于，電氣測(cè)試、影像測(cè)試、檢驗(yàn)測(cè)試、以及視 覺(jué)測(cè)試。測(cè)試通常通過(guò)電氣接觸芯片10的巻繞電極30與34中其中一個(gè)或兩 個(gè)來(lái)進(jìn)行。在進(jìn)行測(cè)試之后，芯片10通常會(huì)從測(cè)試座78中被退出并且依據(jù)芯 片IO的測(cè)試結(jié)果來(lái)挑選該些芯片10。
圖8B中顯示出，芯片10被安置于測(cè)試座78中之后會(huì)露出彼此相對(duì)的第 二側(cè)表面14，用以接觸測(cè)試探針92。就此圖來(lái)說(shuō)，并未露出第一巻繞電極30 與第二巻繞電極34。但是，因?yàn)閮H能對(duì)巻繞電極30與34施行參數(shù)測(cè)試，所 以，便無(wú)法對(duì)圖8B中的芯片IO進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。芯片10會(huì)有50%的機(jī)會(huì)以圖 犯所示的方向被安置在測(cè)試座78之中。因此，圖3至7中所示的現(xiàn)有技術(shù)元 件處理機(jī)僅能對(duì)被送進(jìn)該處理機(jī)中的芯片中的其中一半進(jìn)行測(cè)試。該些現(xiàn)有技 術(shù)元件處理機(jī)的系統(tǒng)效率非常不好，因而會(huì)提高制造成本。
所以，需要一種用于將電子元件安置于電子元件固持器測(cè)試座之中的設(shè)備 與方法，使得該電子元件固持器測(cè)試安裝座會(huì)讓該電子元件保持在會(huì)露出該電 子元件的電極的方向中，以便對(duì)該電子元件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于將電子元件安置于測(cè)試座之中的設(shè)備與方 法，使得該電子元件必定會(huì)被安置且保持在會(huì)露出該電子元件中用于進(jìn)行參數(shù) 測(cè)試的電極的方向中。
本發(fā)明的元件處理機(jī)包含測(cè)試座，該測(cè)試座具有基底表面，從該基底表面 處會(huì)延伸側(cè)部件，該側(cè)部件具有彼此相對(duì)的第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面。該 些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面的分隔距離大體上會(huì)從較窄的凹口端至較寬 的凹口端越來(lái)越大，以^使形成大體上為v形的凹口。另外，該些第一座側(cè)表面 與第二座側(cè)表面會(huì)被隔開(kāi)，用以于該較窄的凹口端處形成開(kāi)口。電子元件會(huì)被
安置于此大體上為V形的測(cè)試座之內(nèi)，致使該電子元件的末端表面中其中一個(gè) 會(huì)接觸到該基底表面，且該電子元件的該些第一側(cè)表面與第二側(cè)表面每一個(gè)之 中的其中 一個(gè)則會(huì)靠于該些第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面中不同的座側(cè)表面
之上。將該電子元件安置于此測(cè)試座之中可確保下面作用(l)該電子元件中 的其中一個(gè)電極會(huì)經(jīng)由該較窄凹口端處的開(kāi)口朝外突出；以及(2)另一個(gè)電極 會(huì)通過(guò)該較寬的凹口端而露出。因此，兩個(gè)電極均可供參數(shù)測(cè)試使用，而且利
術(shù)的元件處理機(jī)的百分率。另外，相較于現(xiàn)有技術(shù)的元件處理機(jī)，本發(fā)明的電 子元件處理機(jī)還能夠于每單位時(shí)間內(nèi)測(cè)試更大量的電子元件，從而便可降低制 造成本。
從下文較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，參考圖式，便可明白本發(fā)明的另外方面 與優(yōu)點(diǎn)。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)低電感陶瓷電容器范例的等角圖； 圖2所示為圖1的低電感陶瓷電容器的分解圖； 圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)電子元件處理機(jī)的立體圖4所示為介于圖3的現(xiàn)有技術(shù)元件處理機(jī)的進(jìn)給輪與載運(yùn)輪之間的傳輸 區(qū)域的立體圖5所示為沿著圖4的進(jìn)給輪中的輪轂移動(dòng)的電子元件的放大圖； 圖6所示為介于圖4中所示的進(jìn)給輪與載運(yùn)輪之間的傳輸區(qū)域的放大部份 剖面圖7所示為圖4中所示的載運(yùn)輪的周?chē)o(hù)壁的放大部份剖面圖8A與8B所示為被安置于圖7中所示的現(xiàn)有技術(shù)測(cè)試座中不同方向中 的兩個(gè)不同電子元件的俯視圖9A所示為取自右上方透視圖的等角圖，圖中顯示的是離開(kāi)輪轂且接近 v形測(cè)試座的電子元件；
圖9B所示為圖9A的俯^見(jiàn)圖IOA與10B所示為^^皮安置于圖9A與9B中所示的v形測(cè)試座中不同方 向中的兩個(gè)不同電子元件的俯^L圖11所示為被安置于V形測(cè)試座中且同時(shí)通過(guò)上方接觸點(diǎn)與下方接觸點(diǎn)
來(lái)進(jìn)行參數(shù)測(cè)試的電子元件的俯視圖12所示為載運(yùn)帶周?chē)o(hù)壁的俯^L圖，該載運(yùn)帶周?chē)o(hù)壁包含多個(gè)彼此 分隔的v形測(cè)試座，于每個(gè)該些v形測(cè)試座之中均安置同時(shí)通過(guò)上方接觸點(diǎn)與 下方接觸點(diǎn)來(lái)進(jìn)行參數(shù)測(cè)試的電子元件。
圖中
10芯片 12第一側(cè)表面 dl第一距離 14第二側(cè)表面 d2第二 距離 16末端表面 18、 20、 22、 24側(cè)邊緣 30第一巻繞電極 32第 一電接觸區(qū) 34第二巻繞電極 36第二電接觸區(qū) 50高速電子元件處 理機(jī) 52進(jìn)給4侖 54中心軸 56外緣 58上表面 66 4侖轂 67 倒角或斜角 68孔洞 70真空構(gòu)件 72真空腔室 74載運(yùn)4侖 76 周?chē)o(hù)壁 77載運(yùn)^反 78測(cè)試座 82、 84真空構(gòu)件 88底表面 90 側(cè)護(hù)壁 92測(cè)試纟果針 100測(cè)試座 102基底表面 104第一座側(cè)表面 106第二座側(cè)表面 110較窄的凹口端 112較寬的凹口端 114凹口 116開(kāi)口 120上方接觸點(diǎn) 122下方接觸點(diǎn) 126真空產(chǎn)生器件
具體實(shí)施例方式
下文將以L(fǎng)ICC為基礎(chǔ)來(lái)詳細(xì)說(shuō)明用于安置電子元件以進(jìn)行參數(shù)測(cè)試的電 子元件處理機(jī)與方法的較佳實(shí)施例。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知，也可利用本發(fā) 明的電子元件處理機(jī)來(lái)處理與測(cè)試其它的電子元件。適合用于在本發(fā)明的電子 元件處理機(jī)的較佳實(shí)施例中來(lái)進(jìn)行處理與測(cè)試的電子元件范例包含IPCs、電 容器芯片、陣列芯片、以及電阻器。如本文所使用的意義，r元件(component) J 一詞可代表電容器、IPCs、陣列芯片、電阻器、以及任何其它電子或電氣器件， 只要它們的形式可利用本發(fā)明來(lái)進(jìn)行處理即可。
測(cè)試座的較佳實(shí)施例設(shè)定電子元件的方向，使得該電子元件的側(cè)表面?zhèn)冗?緣中至少其中一個(gè)(其會(huì)被巻繞電極蓋住)露出，接觸到用來(lái)進(jìn)行參數(shù)測(cè)試的測(cè) 試探針。因?yàn)槊總€(gè)電子元件的所有側(cè)表面?zhèn)冗吘壘鶗?huì)于其上形成巻繞電極，所 以便可對(duì)該些側(cè)表面?zhèn)冗吘壷腥我粋€(gè)進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。因此，便可對(duì)被放入含有
反地，如圖8A與8B所示的現(xiàn)有技術(shù)測(cè)試座則僅露出每個(gè)電子元件的一個(gè)側(cè)
表面用于測(cè)試。因?yàn)樵撔┧膫€(gè)側(cè)表面中僅有其中兩個(gè)之上會(huì)形成電極，所以，
被安置于測(cè)試座之中的電子元件中僅有50%可進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。結(jié)果，本發(fā)明的 測(cè)試座大幅地提高可被參數(shù)測(cè)試的電子元件的數(shù)量。因此，便大幅地提高該電 子元件處理機(jī)的效率，從而大幅降低制造成本。
如圖9A與9B所示，測(cè)試座100的較佳實(shí)施例包含基底表面102以及彼 此相對(duì)朝上延伸的第一座側(cè)表面104與第二座側(cè)表面106。第一座側(cè)表面104 與第二座側(cè)表面106的分隔距離大體上會(huì)從較窄的凹口端110至較寬的凹口端 112越來(lái)越大，以便形成凹口 114。第一座側(cè)表面104與第二座側(cè)表面106會(huì) 被隔開(kāi)，用以于該較窄的凹口端IIO處形成開(kāi)口 116。開(kāi)口116的寬度足以讓 電子元件10的側(cè)表面?zhèn)冗吘壗?jīng)由開(kāi)口 116突出，但卻不會(huì)讓電子元件10經(jīng)由 開(kāi)口 116而掉落。于其中一示范的較佳實(shí)施例中，開(kāi)口 116取代了可能構(gòu)成凹 口 114的尖端的位置，而凹口 114的第一座側(cè)表面104與第二座側(cè)表面106則 會(huì)(于延伸以形成尖端時(shí))構(gòu)成大約直角。
可利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所共同知道的方法來(lái)將電子元件10放置于測(cè)試座 100之中，舉例來(lái)說(shuō)，該些方法包含抽吸法(suction process)、真空法(vacuum process)、 以及吹氣法(air-blowing process)。 r 4偉進(jìn)(propulsion) J —詞則涵蓋前 述所有方法。圖9A與9B所示的便是真空產(chǎn)生器件126，該器件會(huì)產(chǎn)生壓力 差，用以讓電子元件10移入測(cè)試座100之中。
圖10A的電子元件10在#1安置于測(cè)試座100中之后， -使得芯片10的該 些電子元件末端表面16中其中一個(gè)接觸測(cè)試座100的基底表面102。進(jìn)一步 言之，電子元件10的第一側(cè)表面12靠于第一座側(cè)表面104之上，而第二側(cè)表 面14則靠于第二座側(cè)表面106之上。第一巻繞電極30會(huì)露出且略為朝外突出 于4^窄凹口端110處的開(kāi)口 116,而第二巻繞電極34則會(huì)通過(guò)較寬的凹口端 112露出。因此，第一巻繞電極30與第二巻繞電極34均可供參數(shù)測(cè)試使用。
圖10B的電子元件10凈皮安置于測(cè)試座100中，^吏得電子元件10的末端 表面16中其中一個(gè)接觸測(cè)試座100的基底表面102。進(jìn)一步言之，電子元件 10的第二側(cè)表面14靠于測(cè)試座100的第一座側(cè)表面104之上，而電子元件10 的第一側(cè)表面12則靠于測(cè)試座100的第二座側(cè)表面106之上。第二巻繞電極 34會(huì)露出且略為朝外突出于較窄凹口端110處的開(kāi)口 116,而第一巻繞電極
30則會(huì)通過(guò)較寬的凹口端112露出。因此，第一巻繞電極30與第二巻繞電極 34均可供參數(shù)測(cè)試使用。
圖11所示的是^皮安置于測(cè)試座IOO之中的圖10B的電子元件10。第一巻 繞電極30與第二巻繞電極34中每一個(gè)可同時(shí)利用測(cè)試探針92來(lái)進(jìn)4亍參數(shù)測(cè) 試，舉例來(lái)說(shuō)，如圖中所示的上方接觸點(diǎn)120與下方接觸點(diǎn)122?；蛘?，也可 僅測(cè)試第一巻繞電極30與第二巻繞電極34中其中一個(gè)。圖12所示的便是形 成于載運(yùn)輪74的周?chē)o(hù)壁76中的多個(gè)測(cè)試座100。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員《更會(huì)明白，可對(duì)上述實(shí)施例的細(xì)節(jié)施行眾多變化而不會(huì) 脫離本發(fā)明的基本原理。所以，本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由權(quán)利要求所界定。
權(quán)利要求
1.一種用于將電子元件安置于電子元件固持器的測(cè)試座之中的方法，用以讓該電子元件會(huì)被安置且保持在露出該電子元件的側(cè)邊緣的方向中，以便進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，其特征在于，該方法包括提供電子元件，該電子元件包含主體，該主體具有一對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面、一對(duì)彼此相對(duì)的第二側(cè)表面、以及一對(duì)末端表面，該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面中每一個(gè)均具有彼此相對(duì)的側(cè)邊緣，其由該對(duì)彼此相對(duì)的第二側(cè)表面中不同的第二側(cè)表面的側(cè)邊緣共享，該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面彼此分隔第一距離，該第一距離由該對(duì)末端表面的彼此相對(duì)的第一側(cè)邊緣來(lái)界定，而該對(duì)彼此相對(duì)的第二側(cè)表面彼此分隔第二距離，該第二距離由該對(duì)末端表面的彼此相對(duì)的第二側(cè)邊緣來(lái)界定，該電子元件進(jìn)一步包含第一卷繞電極，其卷繞于該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面中其中一個(gè)的彼此相對(duì)的側(cè)邊緣之上，以便于該些第二側(cè)表面上形成第一電接觸區(qū)，而且還包含第二卷繞電極，其卷繞于該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面中另一個(gè)的彼此相對(duì)的側(cè)邊緣之上，以便于該些第二側(cè)表面上形成第二電接觸區(qū)；提供測(cè)試座，其包含基底表面，從該基底表面處會(huì)延伸側(cè)部件，該側(cè)部件具有彼此相對(duì)的第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面，該些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面的分隔距離大體上會(huì)從較窄的凹口端至較寬的凹口端越來(lái)越大，以便形成凹口，而且該些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面會(huì)被隔開(kāi)，用以于該較窄的凹口端處形成開(kāi)口；以及將電子元件安置于該測(cè)試座之中，致使該電子元件的末端表面中其中一個(gè)接觸到該基底表面，且該電子元件的該些第一側(cè)表面與第二側(cè)表面每一個(gè)之中的其中一個(gè)則會(huì)靠于該些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面中不同的座側(cè)表面之上，致使被該些第一卷繞電極與第二卷繞電極中其中一個(gè)蓋住的其中一個(gè)側(cè)邊緣經(jīng)由該開(kāi)口朝外突出，而被該些第一卷繞電極與第二卷繞電極中另一個(gè)蓋住且遠(yuǎn)離該些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面的的其中一個(gè)側(cè)邊緣則會(huì)經(jīng)由該較寬的凹口端露出。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括 對(duì)經(jīng)由該測(cè)試座的該專(zhuān)交窄凹口端中的開(kāi)口朝外伸出的該電子元件的側(cè)邊 緣實(shí)施參數(shù)測(cè)試。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)下面其中一種方法來(lái)將該電子元件安置于該測(cè)試座之中抽吸法或吹氣法。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該測(cè)試座的該些彼此相對(duì) 的第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面會(huì)以互成直角的角度來(lái)設(shè)置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該參數(shù)測(cè)試選自基本上由 下面所組成的群組之中電氣測(cè)試、影像測(cè)試、4全驗(yàn)測(cè)試、以及一見(jiàn)覺(jué)測(cè)試。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該電子元件是下面其中一 個(gè)芯片電容器以及集成無(wú)源元件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)朝外突出于該測(cè)試座的 該較窄凹口端與該較寬凹口端的電子元件側(cè)邊緣中的每一個(gè)來(lái)實(shí)施參數(shù)測(cè)試。
8. —種電子元件處理機(jī)，其能夠收納多個(gè)任意導(dǎo)向的電子元件，將該些 電子元件安置于多數(shù)個(gè)測(cè)試座之中，以便讓該些經(jīng)過(guò)安置的電子元件具有受控 制的方向，并且實(shí)施該電子元件的參數(shù)測(cè)試，其特征在于，該電子元件處理機(jī) 包括每個(gè)該些電子元件，其包含主體，該主體具有 一對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表 面、 一對(duì)彼此相對(duì)的第二側(cè)表面、以及一對(duì)末端表面，該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè) 表面中每一個(gè)均具有^皮此相對(duì)的側(cè)邊緣，其會(huì)由該對(duì)彼此相對(duì)的第二側(cè)表面中 不同的第二側(cè)表面的側(cè)邊緣共享，該對(duì)彼此相對(duì)的第 一側(cè)表面彼此分隔第 一距 離，該第一距離由該對(duì)末端表面的彼此相對(duì)的第一側(cè)邊緣來(lái)界定，而該對(duì)彼此 相對(duì)的第二側(cè)表面彼此分隔第二距離，該第二距離由該對(duì)末端表面的彼此相對(duì) 的第二側(cè)邊緣來(lái)界定；第一巻繞電極，其巻繞于該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面中其中一個(gè)的彼此相 對(duì)的側(cè)邊緣之上，以便于該些第二側(cè)表面上形成第一電接觸區(qū)，以及第二巻繞 電極，其巻繞于該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面中另一個(gè)的彼此相對(duì)的側(cè)邊緣之 上，以便于該些第二側(cè)表面上形成第二電接觸區(qū)；進(jìn)給輪，其可于第一方向中旋轉(zhuǎn)，安置于中心軸之上，且包含外緣，該外 緣和該中心軸同心，該進(jìn)給輪包含可收納該些電子元件的上表面以及多個(gè)徑向 延伸、彼此分隔的輪轂，該些輪轂終止于形成于該進(jìn)給輪的該外緣旁邊的電子 元件大小的孔洞處，每一個(gè)電子元件大小的孔洞均-故配置成用以于其內(nèi)部收納 且固持具有受控制方向的單一電子元件；載運(yùn)輪，其可于第二方向中旋轉(zhuǎn)且被定位在和該進(jìn)給輪同一平面上，且與 該進(jìn)給輪分隔，該載運(yùn)輪包含載運(yùn)板，從該載運(yùn)板處會(huì)朝外延伸環(huán)狀周?chē)o(hù)壁， 該環(huán)狀周?chē)o(hù)壁會(huì)凈皮配置成用以和該進(jìn)給輪的外纟彖構(gòu)成切線(xiàn)相鄰而且會(huì)以和 該進(jìn)給輪的外緣同步的圓周速度來(lái)旋轉(zhuǎn)；該周?chē)o(hù)壁包含多個(gè)^:此分隔的測(cè)試座，該些測(cè)試座中每一個(gè)均能夠?qū)?zhǔn)該進(jìn)給4侖中該些電子元件大小的孔洞中的其中 一個(gè)且該些測(cè)試座中每一個(gè)均 包含基底表面，從該基底表面處延伸側(cè)部件，該側(cè)部件具有彼此相對(duì)的第一座 側(cè)表面與第二座側(cè)表面，該些第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面的分隔距離大體上 會(huì)從較窄的凹口端至較寬的凹口端越來(lái)越大，以便形成凹口，而且該些第一座 側(cè)表面與第二座側(cè)表面會(huì)被隔開(kāi)，用以于該較窄的凹口端處形成開(kāi)口 ；推進(jìn)系統(tǒng)，其能夠以徑向的方式將該電子元件從該電子元件大小的孔洞處 移入該測(cè)試座之中，使得該電子元件的末端表面中其中一個(gè)接觸到該基底表 面，且該電子元件的該些第一側(cè)表面與第二側(cè)表面每一個(gè)之中的其中一個(gè)則會(huì) 靠于該些第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面中不同的座側(cè)表面之上，致使被該些第 一巻繞電極與第二巻繞電極中其中一個(gè)蓋住的其中一個(gè)側(cè)邊緣會(huì)經(jīng)由該開(kāi)口 朝外突出，而被該些第一巻繞電極與第二巻繞電極中另一個(gè)蓋住且遠(yuǎn)離該些第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面的的其中一個(gè)側(cè)邊緣則會(huì)經(jīng)由該較寬的凹口端朝 外突出；以及測(cè)試器件，其被定位用以對(duì)經(jīng)由該測(cè)試座的該較窄凹口端中的開(kāi)口朝外突 出的該電子元件的側(cè)邊緣實(shí)施參數(shù)測(cè)試。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，進(jìn)一步包含第一 測(cè)試器件與第二測(cè)試器件，用以對(duì)朝外突出于該測(cè)試座的該較窄凹口端與該較 寬凹口端的該電子元件的每一側(cè)邊緣實(shí)施參數(shù)測(cè)試，以便對(duì)該電子元件施行雙 面的參lt測(cè)試。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該電子元件是下 面其中一個(gè)芯片電容器以及集成無(wú)源電子元件。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該測(cè)試座的該些彼此相對(duì)的第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面以互成直角的角度來(lái)設(shè)置。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該推進(jìn)系統(tǒng)通過(guò) 以下其中一種方法來(lái)運(yùn)作抽吸法或吹氣法。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該些輪穀會(huì)沿著 該進(jìn)給輪的外緣彼此分隔均勻的角度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該些測(cè)試座會(huì)沿 著該載運(yùn)輪的周?chē)o(hù)壁彼此分隔均勻的角度。
15. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，進(jìn)一步包含退出 元件，用以從該測(cè)試座中退出該電子元件。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該參數(shù)測(cè)試選自 基本上由以下所組成的群組之中電氣測(cè)試、影像測(cè)試、才全-瞼測(cè)試、以及視覺(jué) 測(cè)試。
17. —種電子元件處理機(jī)，其能夠收納電子元件且對(duì)該電子元件實(shí)施參數(shù) 測(cè)試，該電子元件包含主體，該主體具有 一對(duì)4皮此相對(duì)的第一側(cè)表面、 一對(duì) 彼此相對(duì)的第二側(cè)表面、以及一對(duì)末端表面，該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面中每 一個(gè)均具有彼此相對(duì)的側(cè)邊緣，其會(huì)由該對(duì)彼此相對(duì)的第二側(cè)表面中不同的第 二側(cè)表面的側(cè)邊緣共享，該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè)表面彼此分隔第一距離，該第 一距離由該對(duì)末端表面的彼此相對(duì)的第一側(cè)邊緣來(lái)界定，而該對(duì)彼此相對(duì)的第 二側(cè)表面彼此分隔第二距離，該第二距離由該對(duì)末端表面的彼此相對(duì)的第二側(cè) 邊緣來(lái)界定，該電子元件進(jìn)一步包含第一巻繞電極，其巻繞于該對(duì)彼此相對(duì)的 第一側(cè)表面中其中一個(gè)的彼此相對(duì)的側(cè)邊緣之上，以便于該些第二側(cè)表面上形 成第一電接觸區(qū)，而且還包含第二巻繞電極，其巻繞于該對(duì)彼此相對(duì)的第一側(cè) 表面中另一個(gè)的彼此相對(duì)的側(cè)邊緣之上，以便于該些第二側(cè)表面上形成第二電 接觸區(qū)，其特征在于，包括測(cè)試座，其包含基底表面，從該基底表面處延伸側(cè)部件，該側(cè)部件具有彼 此相對(duì)的第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面，該些第 一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面的 分隔距離大體上會(huì)從較窄的凹口端至較寬的凹口端越來(lái)越大，以便形成凹口 ， 而且該些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面會(huì)被隔開(kāi)，用以于該較窄的凹口端處形成開(kāi)口；以及該測(cè)試座的大小與形狀會(huì)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，用以于其內(nèi)部固持該電子元件，使得 該電子元件的該些末端表面中其中一個(gè)接觸到該基底表面，且該電子元件的該 些第一側(cè)表面與第二側(cè)表面每一個(gè)之中的其中一個(gè)則會(huì)靠于該些第一座側(cè)表 面與第二座側(cè)表面中不同的座側(cè)表面之上，致使被該些第一巻繞電極與第二巻繞電極中其中 一個(gè)蓋住的其中 一個(gè)側(cè)邊緣會(huì)經(jīng)由該開(kāi)口朝外突出，而被該些第 一巻繞電極與第二巻繞電極中另 一個(gè)蓋住且遠(yuǎn)離該些第 一座側(cè)表面與第二座 側(cè)表面的的其中 一個(gè)側(cè)邊緣則會(huì)經(jīng)由該較寬的凹口端朝外突出。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該電子元件是 下面其中一個(gè)芯片電容器以及集成無(wú)源電子元件。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述電子元件處理機(jī)，其特征在于，該測(cè)試座的該 些彼此相對(duì)的第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面以互成直角的角度來(lái)設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種元件處理機(jī)，其包含經(jīng)過(guò)改良的測(cè)試座(100)，該測(cè)試座的形狀可確保被安置于該測(cè)試座中的電子元件(10)位于正確的方向中以便進(jìn)行參數(shù)測(cè)試。該測(cè)試座具有基底表面(102)以及彼此相對(duì)的第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面(104、106)，該些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面的分隔距離大體上從較窄的凹口端(110)至較寬的凹口端(112)越來(lái)越大。于該較窄的凹口端處有開(kāi)口(116)。電子元件被安置于此測(cè)試座之內(nèi)，致使該電子元件的該些第一側(cè)表面與第二側(cè)表面(12、14)靠于該些第一座側(cè)表面與第二座側(cè)表面之上。位于該較窄的凹口端處的開(kāi)口露出側(cè)表面?zhèn)冗吘?，其上形成卷繞電極(34)；而且位于該較寬的凹口端處的開(kāi)口露出第二側(cè)表面?zhèn)冗吘?，其上形成第二卷繞電極(30)。
文檔編號(hào)H01L21/67GK101180720SQ200680017653
公開(kāi)日2008年5月14日 申請(qǐng)日期2006年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月23日
發(fā)明者杰佛瑞·L.·費(fèi)屈, 蓋洛·F.·柏伊 申請(qǐng)人:伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司