專利名稱：：具有bpsg膜和sod膜的基板的蝕刻液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及蝕刻液、蝕刻處理物的制造方法和由該方法能夠得到的蝕刻處理物。更詳細(xì)地講涉及以等速度或接近其的蝕刻速率對(duì)無(wú)退火的硼磷玻璃膜(BPSG)等的無(wú)退火摻雜氧化膜和無(wú)退火的SOD膜、TEOS膜、熱氧化膜(THOX)等非摻雜氧化膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻液、蝕刻處理物的制造方法和由該方法能夠得到的蝕刻處理物。
背景技術(shù)：
：在超微細(xì)器件的實(shí)現(xiàn)中，特別是由于必須抑制摻雜劑在晶體管中的擴(kuò)散，ULSI等超微細(xì)器件利用低溫化處理制造。在低溫化處理中，要求無(wú)退火的BPSG膜和熱氧化膜的選擇比、無(wú)退火的SOD膜和熱氧化膜的選擇比都是相同程度，并且約為3以下的蝕刻液。本申請(qǐng)人，在專利文獻(xiàn)1中提出退火的BPSG膜和熱氧化膜的選擇比為1.5以下的蝕刻液。然而，本發(fā)明人等的研究發(fā)現(xiàn)，在專利文獻(xiàn)1中使用的由氟化物鹽、水、乙醇構(gòu)成的蝕刻液中，由于利用低溫化處理制造的無(wú)退火的BPSG膜和熱氧化膜的選擇比或無(wú)退火的SOD膜和熱氧化膜的選擇比中的任一個(gè)或兩個(gè)超過(guò)3，因此作為利用低溫化處理制造的超微細(xì)器件的蝕刻液不合適。特開(kāi)2000-164585號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供以等速度或接近其的速度對(duì)利用低溫化處理制造的超微細(xì)器件的無(wú)退火的BPSG膜和熱氧化膜以及無(wú)退火的SOD膜和熱氧化膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻液、蝕刻方法和蝕刻處理物。本發(fā)明涉及以下的項(xiàng)1項(xiàng)15。項(xiàng)l.一種蝕刻液，其特征在于，含有選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽，和具有雜原子的有機(jī)溶劑，對(duì)熱氧化膜(THOX)、無(wú)退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、無(wú)退火的SOD(旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì))膜的蝕刻速率在23"C均為100A/分鐘以下，并且，無(wú)退火的BPSG膜的蝕刻速率/熱氧化膜的蝕刻速率的比值以及無(wú)退火的SOD膜的蝕刻速率/熱氧化膜的蝕刻速率的比值均為3以下。項(xiàng)2.如項(xiàng)l所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為醚類化合物。項(xiàng)3.如項(xiàng)1所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為通式R、0-(CH2CH2-OVR2或R!-0-(CH(CH3)CH2-0)n-R2(式中，n表示l、2、3或4，R'或r2相同或不同，表示低級(jí)垸基或低級(jí)烷基羰基)所示的化合物。項(xiàng)4.如項(xiàng)l所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為通式R'-0-(CH(CH3)CH2-0)n-R2(式中，n表示2、3或4，Ri和W中的一個(gè)表示低級(jí)垸基或低級(jí)烷基羰基，另一個(gè)表示氫原子)所示的化合物。項(xiàng)5.如項(xiàng)3或4所述的蝕刻液，其特征在于，蝕刻液的上述有機(jī)溶劑的閃燃點(diǎn)為6(TC以上。項(xiàng)6.如項(xiàng)2、3或4所述的蝕刻液，其特征在于，含有0.005mol/kg0.1mol/kg的選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種，和小于5重量%的水。項(xiàng)7.如項(xiàng)16中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為選自四氫呋喃、乙二醇二低級(jí)烷基醚、丙二醇二低級(jí)烷基醚、乙二醇單低級(jí)垸基醚單低級(jí)烷酰基酯、丙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷?；ズ鸵豢s二丙二醇單低級(jí)烷基醚中的至少一種。項(xiàng)8.如項(xiàng)16中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑選自四氫呋喃、乙二醇二低級(jí)烷基醚、丙二醇二低級(jí)烷基醚、乙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷?；?、丙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷酰基酯、一縮二丙二醇單低級(jí)垸基醚和二縮三丙二醇單低級(jí)垸基醚中的至少一種。項(xiàng)9.如項(xiàng)17中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其特征在于，選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽為氨或單低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽。項(xiàng)IO.如項(xiàng)18中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其特征在于，選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽為選自氟化氫銨、單低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽、二低級(jí)垸基胺的二氟化物鹽、三低級(jí)垸基胺的二氟化物鹽、單(低級(jí)烷氧基烷基)胺的二氟化物鹽、二(低級(jí)烷氧基烷基)胺的二氟化物鹽和三(低級(jí)垸氧基垸基)胺的二氟化物鹽中的至少一種。項(xiàng)ll.如項(xiàng)18中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，其特征在于，選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽為選自單低級(jí)垸基胺的二氟化物鹽、三低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽、單(低級(jí)垸氧基烷基)胺的二氟化物鹽和二(低級(jí)烷氧基烷基)胺的二氟化物鹽中的至少一種。項(xiàng)12.—種蝕刻液，其特征在于，含有0.005mol/kg0.1mol/kg的選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種，小于3重量％的水，和二縮三丙二醇單低級(jí)垸基醚。項(xiàng)13.如項(xiàng)12所述的蝕刻液，其特征在于，二縮三丙二醇單低級(jí)烷基醚為二縮三丙二醇單甲基醚。項(xiàng)14.一種蝕刻處理物的制造方法，其特征在于，利用項(xiàng)113中任一項(xiàng)所述的蝕刻液，對(duì)被蝕刻物進(jìn)行蝕刻處理。項(xiàng)15.—種通過(guò)項(xiàng)14所述的方法而得到蝕刻處理物。發(fā)明的效果采用本發(fā)明，由于能夠以等速度或接近其速度對(duì)無(wú)退火的BPSG膜和熱氧化膜、以及無(wú)退火的SOD膜和熱氧化膜進(jìn)行蝕刻，可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行利用低溫化處理制造的半導(dǎo)體器件的蝕刻。圖1(A)(B)表示利用本發(fā)明的蝕刻液處理的器件例子。符號(hào)說(shuō)明1TEOS等的非摻雜熱氧化膜2無(wú)退火的BPSG膜或BSG膜等的摻雜氧化膜23無(wú)退火的SOD膜4接觸孔具體實(shí)施例方式本發(fā)明的蝕刻液完全滿足以下的(i)(iii)的條件(i)對(duì)無(wú)退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、無(wú)退火的SOD(旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì))膜的蝕刻速率在23'C均為100A/分鐘以下；(ii)無(wú)退火的BPSG膜的蝕刻速率/熱氧化膜(THOX)的蝕刻速率的比值為3以下；(iii)無(wú)退火的SOD膜的蝕刻速率/熱氧化膜(THOX)的蝕刻速率的比值為3以下。對(duì)無(wú)退火的BPSG膜、無(wú)退火的SOD(旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì))膜的蝕刻速率在23。C均為約100A/分鐘以下，優(yōu)選為約80A/分鐘以下，更優(yōu)選為約60A/分鐘以下，再優(yōu)選為約40A/分鐘以下，最優(yōu)選為約25A/分鐘以下。蝕刻速率的下限為5A/分鐘左右，優(yōu)選為10A/分鐘左右。由于蝕刻速率低加工容易進(jìn)行，所以優(yōu)選。無(wú)退火的BPSG膜的蝕刻速率/熱氧化膜(THOX)的蝕刻速率的比值為3以下，優(yōu)選為2.5以下，更優(yōu)選為2以下，再優(yōu)選為1.8以下，特別優(yōu)選為1.6以下。蝕刻速率比的下限約為l，越接近1越好。無(wú)退火的SOD膜的蝕刻速率/熱氧化膜(THOX)的蝕刻速率的比值為3以下，優(yōu)選為2.5以下，更優(yōu)選為2以下，再優(yōu)選為1.8以下，特別優(yōu)選1.6以下。蝕刻速率比的下限約為1，越接近1越好。無(wú)退火的BPSG膜的蝕刻速率和熱氧化膜(THOX)的蝕刻速率比，與無(wú)退火的SOD膜和熱氧化膜(THOX)的蝕刻速率比的差優(yōu)選為1.5以下，更優(yōu)選為1.0以下，再優(yōu)選為0.7以下，特別優(yōu)選為0.4以下，最優(yōu)選為0。兩者的蝕刻速率比越接近，無(wú)退火B(yǎng)PSG膜、無(wú)退火SOD膜、熱氧化膜(THOX)越能夠同程度地被蝕刻，可以抑制包括這些膜的接觸孔洗凈和以后的金屬埋入時(shí)斷線等不良情況。作為利用本發(fā)明的蝕刻液進(jìn)行處理的被蝕刻物可以舉出包括用低溫化處理制造的含有無(wú)退火B(yǎng)PSG膜、無(wú)退火SOD膜、TEOS等非摻雜氧化膜的半導(dǎo)體器件，例如ULSI等超微細(xì)器件。圖l(A)(B)表示利用本發(fā)明的蝕刻液處理的器件的例子。圖l(A)的器件在接觸孔的側(cè)面上具有利用低溫化處理制造的TEOS等非摻雜氧化膜1、無(wú)退火的BPSG膜或BSG膜等摻雜氧化膜2、無(wú)退火的SOD膜3。在洗凈該接觸孔4的底面時(shí)，SOD膜或BPSG膜被蝕刻，被大大削減時(shí)，以后當(dāng)在接觸孔的內(nèi)面埋入W或Al還有Cu等時(shí)，產(chǎn)生斷線等不良情況。另一方面，為了抑制摻雜劑在晶體管中的擴(kuò)散，必須低溫化處理。圖l(B)的器件表示在接觸孔4側(cè)面同時(shí)具有低溫化處理制造的無(wú)退火的BPSG膜或BSG膜等摻雜氧化膜2和無(wú)退火的SOD膜3的情況。當(dāng)在洗凈接觸孔的底面時(shí)，SOD膜或BPSG膜被蝕刻，被大大削減時(shí)，產(chǎn)生接觸孔徑過(guò)大的不良情況。本發(fā)明的蝕刻液作為制造利用低溫化處理制造的這些器件時(shí)例如制造接觸孔、通孔的蝕刻液，洗凈接觸孔、通孔等的洗凈液等可以適合地使用。本說(shuō)明書(shū)中的用語(yǔ)"蝕刻液"包括作為"洗凈液"的實(shí)施形式。在本說(shuō)明書(shū)中，所謂"無(wú)退火"表示用低溫化處理制造，例如，無(wú)退火B(yǎng)PSG膜、無(wú)退火SOD膜、TEOS膜等非摻雜氧化膜都是表示為了制造超微細(xì)器件，用低溫化處理形成的膜。另外，無(wú)退火B(yǎng)PSG膜、或無(wú)退火SOD膜和蝕刻速率選擇比使用與熱氧化膜(THOX)的比，這是因?yàn)橐话惆礋嵫趸?THOX)蝕刻速率基準(zhǔn)決定接觸孔底部的氧化膜除去。低溫化處理沒(méi)有特別的限制，例如可以在約300約500。C或其以下的溫度下實(shí)施。關(guān)于低溫化處理，在"7K^乂7卜工^夕卜口二夕7、乂U—X、115、，小卜，夕y—乂ULSI技術(shù)，大見(jiàn)忠弘著1995年發(fā)行"中有記載。在本說(shuō)明書(shū)中使用的BPSG膜的硼的摻雜量為15重量％，磷的摻雜量為210重量％，硼和磷的合計(jì)的摻雜量為315重量。/。。BPSG膜一般用LPCVD等CVD法制造。本說(shuō)明書(shū)中使用的SOD膜為用涂布法制造的膜，也可以為有機(jī)SOD膜和無(wú)機(jī)SOD膜中的任一種，優(yōu)選例示無(wú)機(jī)SOD膜。SOD膜以二氧化硅為主要成分，也可以摻雜其他元素。本發(fā)明的蝕刻液的蝕刻速率通過(guò)利用蝕刻液在23'C對(duì)無(wú)退火B(yǎng)PSG膜或無(wú)退火SOD膜和熱氧化膜進(jìn)行蝕刻，用蝕刻時(shí)間除各膜的蝕刻處理前的膜厚與蝕刻處理后的膜厚之差進(jìn)行計(jì)算。作為本發(fā)明的氟化物鹽、二氟化物鹽可以舉出金屬鹽、銨鹽、季銨鹽。作為金屬鹽優(yōu)選溶解度高的，可以舉出氟化鉀、氟化鈉、氟化氫鉀、氟化氫鈉等。作為銨鹽可以舉出氟化銨、氟化氫銨(一氫二氟化銨)。作為季銨鹽可以舉出氟化四甲基銨、甲基胺氟酸鹽、氟化2-羥基乙基三甲基銨、氟化四甲基銨(NMe4，F(xiàn))等。作為其他氟化物鹽、二氟化物鹽可以舉出甲基胺、乙基胺、丙基胺、丁基胺、戊基胺等單低級(jí)烷基胺；二甲基胺、二乙基胺等二低級(jí)烷基胺；三甲基胺、三乙基胺等三低級(jí)烷基胺；四低級(jí)烷基銨；單(羥基低級(jí)烷基)三垸基銨；單(羥基低級(jí)烷基)胺；甲氧基乙基胺、甲氧基丙基胺、乙氧基丙基胺等單(低級(jí)烷氧基垸基)胺；二(甲氧基乙基)胺等二(低級(jí)烷氧基烷基)胺；三(低級(jí)烷氧基烷基)胺等氟化物鹽和二氟化物鹽。其中，優(yōu)選單低級(jí)垸基胺、三低級(jí)烷基胺、單(低級(jí)烷氧基垸基)胺、二(低級(jí)垸氧基垸基)胺等二氟化物鹽。本發(fā)明的蝕刻液含有的一氫二氟化甲基銨可以加入一氫二氟化甲基銨的結(jié)晶或水溶液，加入理論量的甲基胺和HF(摩爾濃度比為1:2)，在蝕刻液中可以形成一氫二氟化甲基銨。另外，本發(fā)明的蝕刻液中含有的氟化甲基銨可以加入氟化甲基銨的結(jié)晶或水溶液，加入理論量的甲基胺和HF(摩爾濃度比為1:1)，可以形成氟化甲基銨。甲基胺以外的胺或銨也同樣。作為具有雜原子的有機(jī)溶劑可以舉出醚類化合物，也可以是鏈狀或環(huán)狀中的任一種。作為該醚類化合物的優(yōu)選的具體例子可以列舉以下的化合物四氫呋喃(THF)、四氫吡喃、二噁烷等環(huán)狀醚類；二乙基醚、二異丙基醚等具有直鏈或支鏈的鏈狀醚類；乙二醇二甲基醚等乙二醇二低級(jí)烷基醚；丙二醇二甲基醚等丙二醇二低級(jí)烷基醚；乙二醇單甲基醚乙酸酯等乙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)垸酰基酯；丙二醇單甲基醚乙酸酯等丙二醇單低級(jí)垸基醚單低級(jí)垸酰基酯；一縮二丙二醇單甲基醚等一縮二丙二醇單低級(jí)烷基醚；一縮二乙二醇二甲基醚等一縮二乙二醇二低級(jí)垸基醚；一縮二丙二醇二甲基醚等一縮二丙二醇二低級(jí)垸基醚；一縮二乙二醇單甲基醚乙酸酯等一縮二乙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷?；?；一縮二丙二醇單甲基醚乙酸酯等一縮二丙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷?；ィ欢s三丙二醇單甲基醚等二縮三丙二醇單低級(jí)垸基醚；二縮三乙二醇二甲基醚等二縮三乙二醇二低級(jí)垸基醚；二縮三丙二醇二甲基醚等二縮三丙二醇二低級(jí)烷基醚；二縮三乙二醇單甲基醚乙酸酯等二縮三乙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)垸?；ィ欢s三丙二醇單甲基醚乙酸酯等二縮三丙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷?；?。在具有雜原子的有機(jī)溶劑為鏈狀的醚類化合物的情況下，優(yōu)選通式R'-0-(CH2CH2-0)n-R2或Rt-0-(CH(CH3)CH2-0)n-R2(式中，n表示1、2、3或4;R'或I^相同或不同，表示低級(jí)烷基或低級(jí)垸基羰基)所示的化合物，另夕卜，更優(yōu)選通式W-0-(CH(CH3)CH2-OVR2(式中，n表示2、3或4;R'和RS中的一個(gè)表示低級(jí)烷基或低級(jí)垸基羰基，另一個(gè)表示氫原子)所示的化合物。本發(fā)明的具有雜原子的有機(jī)溶劑的閃燃點(diǎn)優(yōu)選為60。C以上，更優(yōu)選為70。C以上。在本發(fā)明的蝕刻液中，以5重量％以下、優(yōu)選為3重量％以下、更優(yōu)選為1重量％以下的范圍配合表面活性劑、防腐刻等通常使用的成分。在本說(shuō)明書(shū)中，"垸基"包括具有直鏈或支鏈的QCn)垸基和C5C7環(huán)烷基兩種。"低級(jí)烷基"包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、環(huán)戊基、環(huán)己基等具有直鏈或支鏈的QQ烷基和C5C6環(huán)垸基兩種。優(yōu)選的低級(jí)垸基為具有直鏈或支鏈的C,C4垸基，更優(yōu)選為具有直鏈或支鏈的QCV烷基，特別為甲基或乙基。"低級(jí)烷氧基"為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基等具有直鏈或支鏈的C,C6垸氧基，特別為甲氧基或乙氧基。在本發(fā)明的蝕刻液中，使用0.0050.1mol/kg左右、優(yōu)選為0.0750.05mol/kg左右、更優(yōu)選為0.010.025mol/kg左右的選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽。在本發(fā)明的蝕刻液中，也可以含有水，但其含量小于5重量％，優(yōu)選為3重量％以下，更優(yōu)選為2重量％以下，再優(yōu)選為1重量％以下，特別優(yōu)選為0.5重量％以下。當(dāng)水的量多時(shí)，無(wú)退火的BPSG膜的蝕刻速率/熱氧化膜的蝕刻速率的比值以及無(wú)退火的SOD膜的蝕刻速率/熱氧化膜的蝕刻速率的比值都有變大的傾向。本發(fā)明的優(yōu)選的蝕刻液含有0.010.025mol/kg左右的選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽，3重量％以下的水，其余為具有雜原子的有機(jī)溶劑。在本發(fā)明的蝕刻方法中，蝕刻液的溫度為154(TC左右，時(shí)間為0.2510分鐘左右。作為被蝕刻物可以舉出半導(dǎo)體基板例如硅單晶晶片、鎵一砷晶片等晶片，特別是優(yōu)選為具有無(wú)退火摻雜氧化膜(BSG、BPSG、PSG、AsSG等)和無(wú)退火非摻雜氧化膜(TEOS等)、無(wú)退火SOD膜的被蝕刻物。以下，利用實(shí)施例和比較例，更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。通過(guò)利用于乂>h!i夕7-亇^:/株式會(huì)社于乂夕3000AF—T，測(cè)定蝕刻前后的膜厚來(lái)測(cè)定蝕刻速率。在23t:利用各蝕刻液蝕刻各膜5分鐘，用蝕刻時(shí)間除蝕刻處理前的膜厚和蝕刻處理后的膜厚的差來(lái)計(jì)算蝕刻液的蝕刻速率。實(shí)施例117和比較例112按表1所示的比例，混合二氟化物鹽(CH3NH3'HF2或(CH3)3NHHF2)、水和具有雜原子的有機(jī)溶劑，調(diào)制蝕刻液，對(duì)在硅基板上形成無(wú)退火B(yǎng)PSG(硼磷玻璃)膜、無(wú)退火SOD(旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì))膜、熱氧化膜(THOX)中的任一個(gè)的試驗(yàn)基板，求出蝕刻速率和選擇比。結(jié)果表示在表1和表2中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>按閃燃點(diǎn)的分類(日本)NFPA第一石油類小于21'C類I:小于37.8。C第二石油類2170°C類H:37.860°C第三石油類70小于200。C類HIa:6(J93.3。C第四石油類200~250°C類mb:93.3。C以上權(quán)利要求1.一種蝕刻液，其特征在于，含有選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽，和具有雜原子的有機(jī)溶劑，對(duì)熱氧化膜(THOX)、無(wú)退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、無(wú)退火的SOD(旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì))膜的蝕刻速率在23℃均為100/分鐘以下，并且，無(wú)退火的BPSG膜的蝕刻速率/熱氧化膜的蝕刻速率的比值以及無(wú)退火的SOD膜的蝕刻速率/熱氧化膜的蝕刻速率的比值均為3以下。2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為醚類化合物。3.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為通式R'-0-(CH2CH2-0)n-R2或R'-0-(CH(CH3)CH2-0)n-R2所示的化合物，式中，n表示l、2、3或4，R'或RS相同或不同，表示低級(jí)烷基或低級(jí)垸基羰基。4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為通式R'-0-(CH(CH3)CH2-0)n-R2所示的化合物，式中，n表示2、3或4，W和W中的一個(gè)表示低級(jí)垸基或低級(jí)垸基羰基，另一個(gè)表示氫原子。5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，蝕刻液的所述有機(jī)溶劑的閃燃點(diǎn)為6(TC以上。6.如權(quán)利要求2所述的蝕刻液，其特征在于，含有0.005mol/kg0，lmol/kg的選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種，和小于5重量％的水。7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為選自四氫呋喃、乙二醇二低級(jí)垸基醚、丙二醇二低級(jí)烷基醚、乙二醇單低級(jí)垸基醚單低級(jí)垸酰基酯、丙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷酰基酯和一縮二丙二醇單低級(jí)烷基醚中的至少一種。8.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，具有雜原子的有機(jī)溶劑為選自四氫呋喃、乙二醇二低級(jí)垸基醚、丙二醇二低級(jí)烷基醚、乙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)垸酰基酯、丙二醇單低級(jí)烷基醚單低級(jí)烷?；?、一縮二丙二醇單低級(jí)烷基醚和二縮三丙二醇單低級(jí)烷基醚中的至少一種。9.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽為氨或單低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽。10.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，選自氟化物鹽和二氟化物鹽中至少一種鹽為選自氟化氫銨、單低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽、二低級(jí)垸基胺的二氟化物鹽、三低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽、單(低級(jí)烷氧基烷基)胺的二氟化物鹽、二(低級(jí)垸氧基烷基)胺的二氟化物鹽和三(低級(jí)烷氧基烷基)胺的二氟化物鹽中的至少一種。11.如權(quán)利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽為選自單低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽、三低級(jí)烷基胺的二氟化物鹽、單(低級(jí)烷氧基垸基)胺的二氟化物鹽和二(低級(jí)烷氧基烷基)胺的二氟化物鹽中的至少一種。12.—種蝕刻液，其特征在于，含有0.005mol/kg0.1mol/kg的選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種，小于3重量％的水，和二縮三丙二醇單低級(jí)烷基醚。13.如權(quán)利要求12所述的蝕刻液，其特征在于，二縮三丙二醇單低級(jí)烷基醚為二縮三丙二醇單甲基醚。14.一種蝕刻處理物的制造方法，其特征在于，利用權(quán)利要求1或12所述的蝕刻液，對(duì)被蝕刻物進(jìn)行蝕刻處理。15.—種通過(guò)權(quán)利要求14所述的方法而得到的蝕刻處理物。全文摘要本發(fā)明提供利用等速度或接近其的速度對(duì)由低溫化處理制造的超微細(xì)器件的無(wú)退火的BPSG膜和熱氧化膜以及無(wú)退火的SOD膜和熱氧化膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻液、蝕刻方法和蝕刻處理物。具體地提供一種蝕刻液，其含有選自氟化物鹽和二氟化物鹽中的至少一種鹽，和具有雜原子的有機(jī)溶劑，對(duì)熱氧化膜(THOX)、無(wú)退火的BPSG(硼磷玻璃)膜、無(wú)退火的SOD(旋轉(zhuǎn)涂布介電質(zhì))膜的蝕刻速率在23℃均為100/分鐘以下，并且，無(wú)退火的BPSG膜的蝕刻速率/熱氧化膜氧化膜的蝕刻速率的比值以及無(wú)退火的SOD膜的蝕刻速率/熱氧化膜的蝕刻速率的比值均為3以下。文檔編號(hào)H01L21/306GK101180712SQ20068001791公開(kāi)日2008年5月14日申請(qǐng)日期2006年5月24日優(yōu)先權(quán)日2005年5月25日發(fā)明者板野充司,渡邊大祐申請(qǐng)人:大金工業(yè)株式會(huì)社