專利名稱：用于半導(dǎo)體器件的邊緣末端的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體器件的邊緣末端(edge termination)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
邊緣末端是高電壓器件中的一種特別要求，以避免器件邊緣的電壓 擊穿。當(dāng)峰值場達(dá)到所謂的臨界場約3X105Vcm—'時(shí)發(fā)生擊穿。
在理想的(虛構(gòu)的)無限寬的垂直結(jié)構(gòu)中，擊穿將在稱為1D擊穿 電壓的某個(gè)擊穿電壓處發(fā)生，因?yàn)槠涫÷粤诉吘壧幍?D和/或3D效果。 在實(shí)際器件中，擊穿電壓將比1D擊穿電壓低。
作為示例，考慮圖1的高壓pn二極管，在n-型襯底4中具有p+型 區(qū)域2。當(dāng)施加電壓時(shí)，電力線將聚集于角落區(qū)域8。因?yàn)閳鲈趨^(qū)域8 中較大，當(dāng)電壓上升時(shí)，擊穿將首先發(fā)生在該區(qū)域中。
表面電荷可以改變場分布，提高場聚集，導(dǎo)致在較低的不可復(fù)制電 壓處的擊穿。
圖2示出了用于減小該問題的一種方法，使用在使用時(shí)將釆取中間 電勢的結(jié)周圍的浮置(floating) p-型區(qū)域IO。耗盡層和電力線不再遵 循P型區(qū)域2和n型襯底4之間的結(jié)周圍的曲率，減小了角落區(qū)域8中
的場聚集和電壓擊穿。
另一種方法使用如圖3所示的場板(field plate) 12和絕緣層14， 其中場板12在與p+型區(qū)域2相鄰的n-型襯底的區(qū)域上延伸，通過絕緣 層14與其絕緣。
1995年在美國波士頓由PWS出版社出版的Baliga的教科書"Power Semiconductor Devices"描述了 (該教科書的圖3.27)場環(huán)和場板的 組合，場板從場環(huán)向外延伸以防止器件頂面上的電荷改變表面電勢。
在轉(zhuǎn)讓給Philips的US 6,724,021中描述了一種更復(fù)雜的方案， 使用功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M0SFET)周圍的表面上的電 阻層。與邊緣相距不同距離的多個(gè)電阻路徑將電阻層與下面的襯底連接， 產(chǎn)生電勢分配器，所述電勢分配器使場平滑并且因此減小了對于場輪廓 變化的敏感性。
在轉(zhuǎn)讓給Siemens的US 6， 376， 890中提供了一種不同的邊緣末端， 所述末端包括半導(dǎo)體表面處的多個(gè)浮置區(qū)域、表面上的絕緣層以及在與 浮置區(qū)域相連的絕緣層中絕緣的場板。
邊緣末端在減小的表面場(RESURF)器件中特別重要。在這種器件 中，與具有傳統(tǒng)漂移區(qū)的器件相比，當(dāng)器件處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)將漂移區(qū)耗 盡，以提高器件承受的最大電壓，但是具有類似的電流攜帶能力。例如， 這可以通過使用由交替的p-型層和n-型層組成的漂移區(qū)來實(shí)現(xiàn)，使得結(jié) 的耗盡區(qū)延伸通過漂移區(qū)。
因?yàn)槠骷旧砟軌虻挚垢唠妷?，邊緣末端也必需承受高電壓。?shí)際
上，RESURF器件可以典型地承受是相應(yīng)的非RESURF器件的1D擊穿電壓 幾倍高的電壓，并且這提出了關(guān)于邊緣末端的主要問題。
為了實(shí)現(xiàn)，邊緣末端結(jié)構(gòu)典型地需要至少是所述結(jié)構(gòu)的深度的兩倍 寬，以允許電壓在足夠大的區(qū)域上下降。因此，盡管當(dāng)與傳統(tǒng)器件相比 時(shí)將要求更多數(shù)量的浮置區(qū)域，與圖2中所示類似的浮置區(qū)域方式是合 適的。
然而，在這些方法中存在以下問題因?yàn)楫?dāng)靠近較低和較高電壓區(qū) 域時(shí)，邊緣末端經(jīng)歷未知環(huán)境條件的組合，表面電荷的可變效果可能在 這些器件中是顯著的。這引入了可能會(huì)影響邊緣末端的可變電勢分布。
為了補(bǔ)償該可變性，需要將邊緣末端結(jié)構(gòu)保守地設(shè)計(jì)為比考慮到可 能的不利條件所需的結(jié)構(gòu)更大。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提出了一種具有邊緣末端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，包括 半導(dǎo)體本體，具有相對的第一和第二主表面； 半導(dǎo)體本體的有源區(qū)域，限定了至少一種半導(dǎo)體部件； 有源區(qū)域外部的邊緣末端區(qū)域，其中所述邊緣末端區(qū)域包括 半導(dǎo)體本體中的多個(gè)浮置場區(qū)域；
浮置場區(qū)域上的第一主表面上的絕緣層；以及
至少一個(gè)場板，在連接點(diǎn)處穿過絕緣層與邊緣末端區(qū)域中的第一主 表面相連，并且從所述連接點(diǎn)向內(nèi)向多個(gè)浮置場區(qū)域上的有源區(qū)域延伸。
通過將場板從連接點(diǎn)在多個(gè)浮置區(qū)域上向內(nèi)延伸，所使用的場板取 與連接點(diǎn)處的電壓類似的電壓，所述電壓與內(nèi)部場區(qū)域或場板下面區(qū)域 的電壓明顯不同。該電壓能夠顯著地減小氧化效果和邊緣末端結(jié)構(gòu)上的 表面電荷。同樣，在幾個(gè)浮置區(qū)域上延伸的多個(gè)場板的使用允許使用更 大的場板來輔助制造。
在實(shí)施例中，浮置場區(qū)域是第一主表面處的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體 區(qū)域。
與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體本體的下部區(qū)域可 以位于浮置場區(qū)域下面，下部區(qū)域可以通過比下部區(qū)域和浮置場區(qū)域更 低摻雜的間隔區(qū)域與浮置場區(qū)域隔離。
低摻雜的間隔區(qū)域可以從邊緣末端區(qū)域延伸到有源區(qū)域中，并且可 以作為有源區(qū)中的漂移區(qū)。按照這種方式在有源區(qū)域和邊緣末端區(qū)域中 使用相同的結(jié)構(gòu)，便于制造。
間隔區(qū)域可以包括與第二導(dǎo)電類型的區(qū)域交替的第一導(dǎo)電類型的 區(qū)域，這兩個(gè)區(qū)域均比浮置場區(qū)域和下部區(qū)域的摻雜低。
間隔區(qū)域可以包括與第二導(dǎo)電類型的橫向延伸區(qū)域垂直交替的第 一導(dǎo)電類型的橫向延伸區(qū)域。
替換地，間隔區(qū)域可以包括與第二導(dǎo)電類型的區(qū)域橫向交替的、從 浮置場區(qū)域向下部區(qū)域垂直延伸的第一導(dǎo)電類型的區(qū)域。
在另一種結(jié)構(gòu)中，間隔區(qū)域包括在橫向和垂直兩個(gè)方向上與第二導(dǎo) 電類型的區(qū)域交替的第一導(dǎo)電類型的多個(gè)區(qū)域。
所述器件可以包括按照相距有源區(qū)增加的距離間隔開的多個(gè)場板， 相鄰場板之間所述或每一個(gè)間隙設(shè)置在浮置場區(qū)域上。這可以增加穩(wěn)定 性。
在特別優(yōu)選的實(shí)施例中，可以將相鄰場板之間的所述或每一個(gè)間隙
設(shè)置在接合區(qū)域上。接合區(qū)域是比其他浮置場區(qū)域更大寬度的浮置場區(qū) 域。
相鄰浮置場區(qū)域之間的間隔可以在相距有源區(qū)更大距離處比更靠 近有源區(qū)處的邊緣區(qū)域中更大。


為了更好的理解本發(fā)明，現(xiàn)在將參考附圖并且只作為示例來描述實(shí) 施例，其中
圖1示出了說明場聚集的現(xiàn)有技術(shù)器件的示意圖2示出了根據(jù)比較示例的方法；
圖3示出了根據(jù)另一個(gè)比較示例的方法；
圖4是通過根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第一實(shí)施例的側(cè)剖圖； 圖5是圖4結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體本體的頂視圖； 圖6是使用中的圖4的結(jié)構(gòu)的說明；
圖7是通過根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第二實(shí)施例的側(cè)剖圖； 圖8是通過根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第三實(shí)施例的側(cè)剖圖； 圖9是通過根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第四實(shí)施例的側(cè)剖圖； 圖10是通過根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第五實(shí)施例的側(cè)剖圖；以
及
圖11是通過根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的第六實(shí)施例的側(cè)剖圖。 附圖只是示意性的，并且沒有按比例繪制。在不同的圖中，相同的 部件用相同的參考數(shù)字表示。
具體實(shí)施例方式
參考圖4和圖5，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件20形成于n型 重?fù)诫s的n+襯底22上。外延層28形成于襯底上，包括漂移區(qū)24和重?fù)诫s P-型區(qū)域26。半導(dǎo)體器件的正面限定了第一 (頂部)主表面34，以及背 面限定了與第一主表面相對的第二 (底部)主表面36。襯底22和外延層 28限定了具有下部區(qū)域22 (襯底)的半導(dǎo)體本體22和28，并且外延層28 作為間隔層。
應(yīng)該理解的是在替換實(shí)施例中，可以僅使用半導(dǎo)體本體，可以對其
進(jìn)行摻雜以無需要求使用外延層28就提供間隔。
在有源區(qū)30中，在圖4中只示出其邊緣，將輕摻雜n-型漂移區(qū)24形 成于n型襯底上面，其上是在第一主表面34處的重?fù)诫sp-型區(qū)26。在該實(shí) 施例中，漂移區(qū)簡單地是n-型區(qū)域。
將RESURF結(jié)構(gòu)70設(shè)置在所述器件的有源區(qū)30的漂移區(qū)24中。RESURF 結(jié)構(gòu)70用于當(dāng)器件截止時(shí)來耗盡漂移區(qū)24，這增加了可以通過有源區(qū)支 持的電壓，因此增加對于有效邊緣末端結(jié)構(gòu)的需要。下面討論它們的結(jié) 構(gòu)。
有源區(qū)30可以包括任意的半導(dǎo)體器件，例如二極管、閘流晶體管或 諸如絕緣柵極晶體管之類的晶體管，所述絕緣柵極晶體管可以是水平或 垂直的MOSFET、雙極型器件或這些器件的組合。
在有源區(qū)30的邊緣周圍設(shè)置了邊緣末端區(qū)域32，在圖4和圖5中只示 出其一部分。
邊緣末端區(qū)域32包括下部襯底區(qū)域22，并且其上是結(jié)構(gòu)如下的間隔 區(qū)域38。
將多個(gè)柱子40形成于有源區(qū)30的邊緣周圍的間隔區(qū)域38中，柱子40 限定了它們之間的n-型硅的中間區(qū)域42。應(yīng)該注意的是在實(shí)施例中， RESURF結(jié)構(gòu)70剛好與在邊緣末端區(qū)域32中使用的柱子40相同，這允許它
們使用相同的工藝同時(shí)制造。
如圖5所示，將柱子40在有源區(qū)30周圍間隔開。注意為了清楚起見， 圖5只示出了半導(dǎo)體本體而沒有示出以下參考圖4所述的絕緣層52或絕緣 層上面的場板54。
在圖4的實(shí)施例中，將柱子40和RESURF結(jié)構(gòu)70形成于從第一主表面 34延伸通過浮置區(qū)域46和中間區(qū)域42直至襯底22的溝槽中。如果需要， 所述柱子可以略微延伸至襯底22中。所述柱子40包括中心絕緣區(qū)48和溝 槽側(cè)壁上的薄p-型層50。
將浮置區(qū)域46設(shè)置在第一主表面34處的柱子的頂部處。浮置區(qū)域46 是P-型重?fù)诫s的P+區(qū)域。
在第一主表面34上面是絕緣層52，其上是通過絕緣層52中作為連接 點(diǎn)的各個(gè)接觸孔56與下面的浮置區(qū)域46相連的多個(gè)場板54。
注意，具體地，場板54在多個(gè)浮置區(qū)域46上從接觸孔56向內(nèi)延伸至 有源區(qū)30。
在該實(shí)施例中，中心覆蓋區(qū)域53覆蓋了浮置區(qū)域46的中心，確保在 浮置區(qū)域46的中心處不存在接觸孔56。這樣，接觸孔56處于環(huán)形形式。
注意，這樣的覆蓋區(qū)域并非是必需的。
根據(jù)圖4的結(jié)構(gòu)可以如下制造，其中將省略用于形成有源器件的處 理的描述。
首先，將n-摻雜外延層28形成于n+摻雜襯底22上。外延層28可以是 n-型輕摻雜的，通過覆蓋摻雜或掩模以只在特定區(qū)域(例如，在邊緣末 端區(qū)域中而不在有源區(qū))中提供摻雜。
然后，通過在外延層28頂部處的第一主表面34中進(jìn)行注入來形成重 摻雜p-型區(qū)域26和浮置區(qū)域46。接下來，形成溝槽41，例如通過選擇性 外延生長或通過其中從氣相擴(kuò)散摻雜劑的擴(kuò)散工藝來在側(cè)壁上形成P+型 層50。然后用絕緣體48填充所述溝槽。
在所使用的器件中，n-型摻雜最高至10"cm—3的范圍，而p-型摻雜在 1016至1018，—3附近。p+型層可以更重地?fù)诫s。
形成絕緣層52，方便的是二氧化硅，并且對其進(jìn)行構(gòu)圖以暴露有源 區(qū)30并且形成接觸孔56。然后，可以形成并且構(gòu)圖場板54。
使用中，所述結(jié)構(gòu)可以提供有用的邊緣末端。
考慮將有源區(qū)域30的p+型層26保持為0V并且將n+襯底22保持為 IOOV的情況(如圖6所示)。那么，有源區(qū)域外邊的第一浮置區(qū)域58可以 處于大約20V的電壓。然而，場板與顯著地遠(yuǎn)離有源區(qū)30的浮置區(qū)相連， 并且因此處于更接近襯底22的電勢。在示例中，場板是75V的電勢。
這樣，通過提供從連接點(diǎn)56在幾個(gè)浮置區(qū)域46上向內(nèi)延伸的場板， 使用中的場板的電勢顯著地是正的，比如果場板與相鄰浮置區(qū)相連(比 較US 6， 376， 890)、或如果場板從浮置區(qū)向外延伸(比較Baliga的教科書) 更是正的。實(shí)際上，在其中場板向外延伸的傳統(tǒng)情況下，場板相對于浮 置區(qū)是負(fù)的。
通常，在沒有場板上的電勢的情況下，當(dāng)電壓上升時(shí)，有源區(qū)30和 相鄰浮置區(qū)58之間的穿通(punch through)將出現(xiàn)在沿表面路徑60的表 面上。通過當(dāng)間隔層變?yōu)橥耆谋M時(shí)的空穴流(hole flow)來發(fā)生這兩 個(gè)p-型區(qū)域之間的穿通。因?yàn)榇┩òl(fā)生在與絕緣層52的氧化物相鄰的表 面處，氧化物界面電荷64或任意其他表面電荷對于穿通具有顯著影響， 因此對于發(fā)生穿通的實(shí)際電壓具有顯著影響。
場板上的負(fù)電壓只吸引空穴，因此穿通仍然發(fā)生在表面處。
不局限于理論，本發(fā)明考慮了場板上的較大正電勢將增加發(fā)生穿通 的電壓，并且還引起穿通在除了表面之外的沿路徑62的表面以下發(fā)生。
通過將穿通路徑62與表面分離，包括氧化物半導(dǎo)體界面電荷的表面 電荷的影響變得顯著減少，因此穿通電壓變得更不依賴于不能很好控制 的制造和操作特征。
在普通的半導(dǎo)體器件中，不得不非常保守地設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件以允許 最差情況場景。通過使用本發(fā)明的方法，穿通電壓對于表面電荷的依賴 性變得較小，并且這允許使用比其他情況下更積極的小設(shè)計(jì)。
表面以下發(fā)生的穿通也可以增加設(shè)計(jì)的熱可靠性。
本發(fā)明另外的益處是場板的實(shí)際偏置與現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)相比更不重 要。這意味著場板的布局不是嚴(yán)格的，使得它們易于制造。
與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比要求更少量的場板和接觸，并且這允許更小的邊緣 末端區(qū)域。
該實(shí)施例允許減少額外開銷，即邊緣末端結(jié)構(gòu)所占用的附加面積。 當(dāng)光刻限制不允許形成相同尺寸的間隙和接觸時(shí)，本實(shí)施例的方法 是特別有用的。
圖7示出了具有一些更進(jìn)一步的改進(jìn)的本發(fā)明另外的實(shí)施例。 如圖7中所示，將多個(gè)場板結(jié)構(gòu)54從有源區(qū)30向外設(shè)置，每一個(gè)場
板在多個(gè)浮置區(qū)域46上延伸。間隙72間隔場板54。
然而，如圖7所示，該器件與圖4器件不同之處在于在相鄰場板之
間的間隙72下面，浮置區(qū)域采取不同的結(jié)構(gòu)，在相鄰柱子40之間具有接
合區(qū)域74。該接合區(qū)域74是橫越兩個(gè)相鄰柱子40之間間隙的較大的浮置 區(qū)域46。接合區(qū)域74減小了相鄰場板之間的間隙72下面的相鄰柱子之間 的電壓。因?yàn)檫@些間隙72較少受到場板的保護(hù)，太早的穿通或甚至破壞 性的擊穿可能另外在這些區(qū)域發(fā)生，這種可能性在該實(shí)施例中將減小。 這進(jìn)一步增加了圖4結(jié)構(gòu)上的可靠性。
圖7還示出了另外的改進(jìn)。相鄰浮置區(qū)域46之間的間隔57在外部浮 置區(qū)域46之間比內(nèi)部浮置區(qū)域46之間更大，其中外部浮置區(qū)域在比內(nèi)部 非浮置區(qū)域更遠(yuǎn)離有源區(qū)30的邊緣區(qū)域32中。
盡管圖7只示出了兩個(gè)不同的間隔，優(yōu)選實(shí)施例具有在從有源區(qū)30 通過邊緣區(qū)域32向外移動(dòng)的浮置區(qū)域46之間的逐漸增加的間隔。
另外的變化在圖8中示出，圖8示出了與圖4和圖7不同的RESURF結(jié)構(gòu) 70和柱子40。在圖8的結(jié)構(gòu)中，每一個(gè)柱子40和RESURF結(jié)構(gòu)70具有用p-型區(qū)域80填充溝槽40、 70的溝槽41的形式。
同樣，在兩個(gè)有源區(qū)30中均使用相同結(jié)構(gòu)以形成RESURF結(jié)構(gòu)70和邊 緣末端區(qū)域32以形成柱子40。
圖9示出了另外的替換實(shí)施例，其中將RESURF結(jié)構(gòu)形成為多個(gè)水平 p-型層90和n-型層92。沒有柱子40。將浮置區(qū)域46如前所述設(shè)置在有源 區(qū)30周圍。
注意在該結(jié)構(gòu)中，仍然使用接合區(qū)域74，但是所述接合區(qū)域74不再 接合相鄰柱子，而是只具有與浮置區(qū)域46相同但是寬度更大的結(jié)構(gòu)。
這種類型的分層RESURF結(jié)構(gòu)可以通過使用多步外延和注入步驟來 實(shí)現(xiàn)。
圖10示出了另外的組合。外部場板54 (也就是說遠(yuǎn)離有源區(qū)30的場 板)指向內(nèi)部，即從接觸孔56在多個(gè)浮置區(qū)域46上向有源區(qū)30延伸。 但是，最內(nèi)部的場板96在其內(nèi)側(cè)末端(即最接近有源區(qū)30的一端)
而非離有源區(qū)最遠(yuǎn)的外邊緣處被連接。
盡管圖10只示出了按照這種方式連接的最內(nèi)側(cè)的場板96，這不是必
需的，也可以讓多個(gè)內(nèi)側(cè)場板這樣相連，讓接觸孔位于場板的內(nèi)側(cè)末端 (或甚至其他地方)，并且遠(yuǎn)離有源區(qū)30地延伸，其中只有外部場板54
在其外邊緣處與接觸孔相連。
在圖ll中示出了另外的修改，將圖4、 7、 8和10的柱子用垂直和橫 向間隔的多個(gè)p-摻雜區(qū)域98來代替，作為有源區(qū)30中的RESURF區(qū)。 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明不局限于上述實(shí)施例。 具體地，p-型和n-型摻雜層可以互換。
不必將浮置區(qū)域46設(shè)置為邊緣末端結(jié)構(gòu)中的分離柱子或區(qū)域，而是 可以將其設(shè)置為有源區(qū)周圍的環(huán)，或者所要求的任意其他形式。
可以在有源區(qū)中使用其他形式的有源器件，包括具有溝槽柵極的結(jié) 構(gòu)、復(fù)雜RESURF結(jié)構(gòu)、或者實(shí)際上這些結(jié)構(gòu)的任意組合。有源區(qū)可以包 括場效應(yīng)和/或雙極型器件。
可以將多種絕緣材料用于絕緣層52和絕緣區(qū)域48，包括二氧化硅、 氮化硅、旋涂玻璃或任意其他絕緣材料。同樣，場板可以由金屬、諸如 金屬硅化物之類的金屬合金化合物、自對準(zhǔn)金屬硅化物、多晶硅或提供 有效導(dǎo)體的其他材料組成。
可以使用多種制造方法，包括通過刻蝕溝槽并且填充溝槽形成間隔 區(qū)域38的交替部分，通過多層外延生長和注入、或者任意其他方法。
所使用的半導(dǎo)體沒有限制，并且可以使用硅和任意半導(dǎo)體材料。
另外，盡管在大多數(shù)實(shí)施例中將RESURF結(jié)構(gòu)(在存在的情況下)設(shè) 置在浮置場區(qū)下面，對于這種情況沒有絕對的要求，優(yōu)選地，可以對 RESURF結(jié)構(gòu)獨(dú)立地進(jìn)行構(gòu)圖。
盡管已經(jīng)參考RESURF結(jié)構(gòu)描述了實(shí)施例，還可以將本發(fā)明應(yīng)用于沒 有柱子、片或區(qū)域的非RESURF結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種具有邊緣末端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體本體(22，28)，具有相對的第一(34)和第二(36)主表面；半導(dǎo)體本體的有源區(qū)域(30)，限定了至少一種半導(dǎo)體部件；有源區(qū)域(30)外部的邊緣末端區(qū)域(32)，其中所述邊緣末端區(qū)域(32)包括多個(gè)橫向間隔的浮置場區(qū)域(46)；第一主表面(34)上的絕緣層(52)；以及至少一個(gè)場板(54)，在連接點(diǎn)(56)處穿過絕緣層(52)與邊緣末端區(qū)域(32)中的第一主表面(34)相連，并且從所述連接點(diǎn)(56)在多個(gè)浮置場區(qū)域(46)上向內(nèi)向有源區(qū)域(30)延伸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中.-浮置場區(qū)域(46)是第一主表面(34)處的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體 區(qū)域；半導(dǎo)體本體的與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的下部區(qū)域 (22)位于浮置場區(qū)域(46)下面，下部區(qū)域(22)通過比下部區(qū)域(22) 和浮置場區(qū)域(46)更低摻雜的間隔區(qū)域(38)與浮置場區(qū)域(46)隔 咼。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中低摻雜的間隔區(qū)域(24， 38)從邊緣末端區(qū)域(32)延伸到有源區(qū)域(30)中，并且作為有源區(qū) 域中的漂移區(qū)域(24)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域(24， 38)包括與第二導(dǎo)電類型的區(qū)域(42; 92)交替的第一導(dǎo)電類型的區(qū)域(40; 90)，第一和第二導(dǎo)電類型的交替區(qū)域(40， 42; 90， 92)均比浮 置場區(qū)域(46)和下部區(qū)域(22)的摻雜低。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域(24， 38) 包括柱子(40)，所述柱子(40)包括垂直地延伸穿過間隔區(qū)域(24， 38)至下部區(qū)域(22)的第一導(dǎo)電類型的區(qū)域(50， 80)，限定了柱子(40) 之間的第二導(dǎo)電類型的區(qū)域(42)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中在邊緣末端區(qū)域中， 將柱子(40)設(shè)置在浮置場區(qū)域(46)下面。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域(24， 38) 包括與第二導(dǎo)電類型的橫向延伸區(qū)域(92)垂直地交替的第一導(dǎo)電類型 的橫向延伸區(qū)域(90)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域包括在橫向 和垂直兩個(gè)方向上與第二導(dǎo)電類型的區(qū)域(42).交替的第一導(dǎo)電類型的 多個(gè)區(qū)域(98)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中將浮置 場區(qū)域(46)設(shè)置為邊緣末端區(qū)域(32)中的第一主表面處的排列為二 維陣列的區(qū)域。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中將浮置場區(qū)域(46) 設(shè)置為邊緣末端區(qū)域(32)中的第一主表面處的排列為六邊形陣列的區(qū) 域。
11. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，包括與有源區(qū)域 (30)間隔開的多個(gè)場板(54)，限定了相鄰場板之間的至少一個(gè)間隙 (72)，其中將相鄰場板之間的所述或每一個(gè)間隙(72)設(shè)置在接合區(qū)域 (74)上，所述接合區(qū)域(74)是比其他浮置場區(qū)域(46)更大寬度的 浮置場區(qū)域(46; 74)。
12. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其中相鄰浮置場區(qū) 域(46)之間的間隔在相距有源區(qū)域(30)更大距離處比更靠近有源區(qū)(30)處的邊緣區(qū)域(32)中更大。
全文摘要
半導(dǎo)體器件具有有源區(qū)(30)和包括多個(gè)浮置場區(qū)域(46)的邊緣末端區(qū)域(32)。場板(54)在邊緣末端區(qū)域(32)中從接觸孔(56)在浮置場區(qū)域(46)上向內(nèi)向有源區(qū)(30)延伸?？梢栽O(shè)置柱子(40)。
文檔編號H01L29/861GK101180739SQ200680018019
公開日2008年5月14日 申請日期2006年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月24日
發(fā)明者羅布·范達(dá)倫, 馬爾騰·J·斯韋恩伯格 申請人:Nxp股份有限公司