專利名稱：：有機(jī)電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及通過(guò)注入電子和空穴而在發(fā)光層上發(fā)光的有機(jī)電致發(fā)光(以下稱為EL)元件，尤其是在陰極和陽(yáng)極電極對(duì)之間包括發(fā)光層、提供在發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)的空穴傳輸層和提供在發(fā)光層的陰極側(cè)的電子傳輸層的有機(jī)EL元件。
背景技術(shù)：
：一般而言，使用有機(jī)材料的形成顯示器面板的各有機(jī)EL元件具有如下構(gòu)造其中作為透明電極的陽(yáng)極、包括發(fā)光層的多個(gè)有機(jī)材料層以及由金屬電極形成的陰極在作為顯示面的玻璃基板上順次層疊為薄膜。除發(fā)光層之外，有機(jī)材料層還包括例如空穴注入層和空穴傳輸層的層，其由能夠傳輸空穴的材料制成并提供在發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)，以及例如電子傳輸層和電子注入層的層，其由能夠傳輸電子的材料制成并提供在發(fā)光層的陰極當(dāng)施加電場(chǎng)到具有由包括發(fā)光層、電子傳輸層和空穴傳輸層的堆疊層體形成的有機(jī)材料層的有機(jī)EL元件時(shí)，從陽(yáng)極注入空穴，并且從陰極注入電子。有機(jī)EL元件的這些電子和空穴在發(fā)光層中復(fù)合，形成激子，并且利用激子回到基態(tài)時(shí)所發(fā)出的熒光。有時(shí)為了改善發(fā)光效率并穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)元件，用發(fā)光性色素作為客體材料對(duì)發(fā)光層進(jìn)行摻雜。近來(lái)，除熒光材料之外，還已經(jīng)提出了用于發(fā)光層的磷光材料?；诹孔游锢砘瘜W(xué)的統(tǒng)計(jì)，在有機(jī)EL元件的發(fā)光層中，電子和空穴復(fù)合之后的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子的產(chǎn)生概率被認(rèn)為是1:3。由于這個(gè)原因，基于對(duì)通過(guò)從單線態(tài)直接返回至基態(tài)而發(fā)光的熒光與通過(guò)從三線態(tài)返回至基態(tài)而發(fā)光的磷光的比較，更期望使用磷光以提高發(fā)光效率。使用由于三線態(tài)激子而產(chǎn)生磷光的元件被期望獲得最大為使用由于單線態(tài)而產(chǎn)生熒光的元件的四倍的發(fā)光效率。作為磷光材料，可以列舉重金屬如鉑和銥的絡(luò)合物，并提出由于重元素效應(yīng)，在室溫下發(fā)射磷光是有可能的。這些有機(jī)EL元件被期望作為光源和顯示器，并且目前實(shí)際應(yīng)用正處于開(kāi)始階段。對(duì)這些有機(jī)EL元件已經(jīng)進(jìn)行了各種改進(jìn)以延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)壽命、增加亮度以及降低驅(qū)動(dòng)電壓。例如，下述專利文件l報(bào)道了層疊有陽(yáng)極、包括磷光銥絡(luò)合物材料的發(fā)光層、由有機(jī)化合物形成的電子傳輸層和陰極以延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)壽命的有機(jī)EL元件。專利文件1:日本待審專利公布No.JP-A-2001-313178
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問(wèn)題但是，主要問(wèn)題在于延長(zhǎng)有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)壽命，并且想要更長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)壽命。本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題作出，并且其主要目的在于提供具有更長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)壽命的有才幾EL元件。解決問(wèn)題的方法權(quán)利要求1中描述的本發(fā)明為有機(jī)EL元件，其在一對(duì)陽(yáng)極和陰極電極之間包括發(fā)光層、提供在發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)的空穴傳輸層、以及提供在發(fā)光層的陰極側(cè)的電子傳輸層，并且該發(fā)光層(膜厚二dM;5nm-3000nm)含有發(fā)光顏料和主體材料，該發(fā)光顏料的第一氧化電位(ED+)低于該主體材料的第一氧化電位(EH+)，并且該發(fā)光顏料的第一還原電位(ED-)低于該主體材料的第一還原電位(EH-),并且該電子傳輸層的膜厚(膜厚二dE;5nm-3000nm)與該空穴傳輸層的膜厚(膜厚二dH;5nm-3000nm)之間的關(guān)系為dH《dE。圖1示出了本示例性實(shí)施方案的有機(jī)EL元件的截面圖。圖2示出了本實(shí)施例的有機(jī)EL元件的截面圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10基板14陽(yáng)極16有機(jī)材料層18陰極100，200有機(jī)EL元件具體實(shí)施例方式本發(fā)明的發(fā)明人考慮如下有機(jī)EL元件，其在一對(duì)陽(yáng)極和陰極電極之間包括發(fā)光層、提供在發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)的空穴傳輸層、提供在發(fā)光層的陰極側(cè)的電子傳輸層，其中該發(fā)光層(膜厚二dM;5nm-3000nm)包括發(fā)光性色素和主體材料，該發(fā)光性色素的第一氧化電位(ED+)低于該主體材料的第一氧化電位(EH+)，并且該發(fā)光性色素的第一還原電位(ED-)低于該主體材料的第一還原電位(EH-)。該發(fā)光性色素的第一氧化電位(ED+)低于該主體材料的第一氧化電位(EH+)，并且該發(fā)光染料的第一還原電位(ED-)低于該主體材料的第一還原電位(EH-)。因此，在發(fā)光層中，主要由主體材料傳輸?shù)目昭ū惶幱陔娭行誀顟B(tài)的發(fā)光性色素平穩(wěn)俘獲，并有效生成陽(yáng)離子狀態(tài)的發(fā)光性色素。發(fā)生向其中供給由主體材料傳輸?shù)碾娮拥臓顩r。也就是說(shuō)，該發(fā)光性色素未變成陰離子狀態(tài)，因?yàn)樵谥行誀顟B(tài)未發(fā)生電還原。并且不要求該主體材料在主體分子的空分子軌道上運(yùn)送電子。因此，可以防止由于發(fā)光性色素的還原而引起的劣化和由于主體材料的氧化或還原而引起的劣化。因此，由于認(rèn)真考慮了空穴傳輸層(HTL)和電子傳輸層(ETL)的膜厚以防止由于該有機(jī)發(fā)光層的氧化或還原而引起的劣化并提高該有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)壽命，結(jié)果發(fā)現(xiàn)該有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)壽命依賴于空穴傳輸層(HTL)和電子傳輸層(ETL)的膜厚而改變。進(jìn)一步考慮了空穴傳輸層(HTL)的膜厚與電子傳輸層(ETL)的膜厚之間的相對(duì)關(guān)系。結(jié)果，關(guān)于上述有機(jī)EL元件，發(fā)現(xiàn)其驅(qū)動(dòng)壽命可以在以下情況下得以延長(zhǎng)電子傳輸層的膜厚(膜厚二dE;5nm-3000nm)與空穴傳輸層的膜厚(膜厚二dH;5nm-3000nm)之間的關(guān)系為dH<dE。在下文中，基于附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方案。此示例性實(shí)施方案僅為實(shí)施的一種方式，并且本發(fā)明不限于此實(shí)施方案。如圖1所示，此示例性實(shí)施方案的有機(jī)EL元件100具有如下構(gòu)造其中至少陽(yáng)極14、有機(jī)材料層16和陰極18層疊在由玻璃等形成的透明基板IO之上。在此有機(jī)材料層16通過(guò)以下構(gòu)造獲得其中層疊了有機(jī)化合物的空穴傳輸層164、有機(jī)化合物的發(fā)光層166以及有機(jī)化合物的電子傳輸層168。有機(jī)材料層16的膜厚優(yōu)選為30nm-1000nm。在此示例性實(shí)施方案的有機(jī)EL元件100中，發(fā)光層166包括主體材料和發(fā)光性色素，其存在如下關(guān)系其中該發(fā)光性色素的第一氧化電位(ED+)低于該主體材料的第一氧化電位(EH+)，并且該發(fā)光性色素的第一還原電位(ED-)低于該主體材料的第一還原電位(EH-),并且電子傳輸層(168)的膜厚(dE)與空穴傳輸層(164)的膜厚(dH)之間的關(guān)系為dH<dE。在此示例性實(shí)施方案中，盡管在有機(jī)材料層16中示范了空穴傳輸層164/發(fā)光層166/電子傳輸層168的構(gòu)造，但不限于此實(shí)施方案。只要有機(jī)材料層16至少包括空穴傳輸層164/發(fā)光層166/電子傳輸層168，它就是可利用的。例如，可以在電子傳輸層168與陰極18之間形成由石威金屬化合物如LiF制成的電子注入層。進(jìn)一步地，可以在陽(yáng)極14與空穴傳輸層164之間層疊由卟啉化合物例如銅酞菁(CuPc)和三芳基胺化合物制成的空穴注入層并且將其形成為薄膜。而且，空穴注入層可以包括電子受容性物質(zhì)并且其膜厚(dB)優(yōu)選為5應(yīng)-3000nm。關(guān)于電子受容性化合物，優(yōu)選具有氧化性和接受來(lái)自于空穴傳輸化合物如三芳基胺化合物的電子的能力的化合物。具體地，優(yōu)選電子親合勢(shì)不低于4eV,更優(yōu)選電子親合勢(shì)不低于5eV的化合物?？梢粤信e的例子為被有機(jī)基團(tuán)取代的錙鹽例如4-異丙基-4，-曱基二苯基碘條四(五氟苯基)硼酸鹽、氯化鐵(m)(日本待審專利公布JP-A-ll-251067)、高化合價(jià)無(wú)機(jī)化合物例如過(guò)氧化二硫酸銨、氰基化合物例如四氰基乙烯、芳族硼化合物例如三(五氟苯基)硼烷(日本待審專利公布No.JP-A-2003-31365)、富勒烯衍生物、以及碘。在上述化合物中，被有機(jī)基團(tuán)取代的镥鹽和高化合價(jià)無(wú)機(jī)化合物在高的氧化性方面是優(yōu)選的，而被有機(jī)基團(tuán)取代的镥鹽、氰基化合物和芳族硼化合物在濕法涂布的適用性方面是優(yōu)選的，因?yàn)樗鼈兛扇苡诙喾N溶劑。對(duì)于陰極18,可以使用低功函的金屬如鋁、鎂、銦、銀或其合金形成，并具有約10nm-500nm厚度。但是，材料不限于這些并且可以適當(dāng)選擇。對(duì)于陽(yáng)極14,可以使用氧化銦錫(下文稱為ITO)等高功函的導(dǎo)電材料形成并具有約10nm-500nm厚度，或者用金形成并具有約10nm-150nm厚度。但是，材料不限于這些并且可以適當(dāng)選擇。在使用金作為電極材料的情形下，在該薄膜中電極變得半透明。對(duì)于陰極18和陽(yáng)極14，其中的至少之一可以是透明的或半透明的。在陽(yáng)極14(若提供了空穴注入層則為空穴注入層)與發(fā)光層166之間提供空穴傳輸層164,空穴傳輸層164是加速空穴傳輸?shù)膶?，并且具有將空穴適當(dāng)傳輸給發(fā)光層166的功能?？昭▊鬏攲?64的膜厚dH為5nm-3000nm,并且其與電子傳輸層168的膜厚dE的關(guān)系要求設(shè)定為dHKdE。優(yōu)選空穴傳輸層164的膜厚dH和/或電子傳輸層168的膜厚dE為5nm-500nm。進(jìn)一步地，空穴傳輸層164的膜厚dH與發(fā)光層166的膜厚dM之間的關(guān)系優(yōu)選設(shè)定為dH《dM。并且空穴傳輸層164可以由多個(gè)層形成。在這種情況下，空穴傳輸層164的層數(shù)(NH;l-3)與電子傳輸層168的層數(shù)(NE;1-3的整數(shù))之間的關(guān)系優(yōu)選設(shè)定為NH<NE。對(duì)于空穴傳輸層164的材料，優(yōu)選包括三芳基胺化合物的材料。該材料可以以其離子能量位于空穴注入層與發(fā)光層之間的方式適當(dāng)進(jìn)行選擇。例如，可以使用NPB(化學(xué)式1)。發(fā)光層166是對(duì)傳輸?shù)目昭ê蛡鬏數(shù)碾娮舆M(jìn)行復(fù)合的熒光發(fā)射層和/或磷光發(fā)射層。該發(fā)光層具有5nm-3000nm的膜厚dM,并且含有發(fā)光性色素和主體^才津牛。只要該發(fā)光性色素的第一氧化電位(ED+)低于該主體材料的第一氧化電位(EH+)，并且該發(fā)光性色素的第一還原電位(ED-)低于該主體材料的第一還原電位(EH-),就可以對(duì)該發(fā)光性色素和該主體材料適當(dāng)進(jìn)行選擇以便滿足特性。對(duì)于該發(fā)光性色素，優(yōu)選下式(化學(xué)式2)表示的有機(jī)金屬絡(luò)合物，例如可以使用Ir(ppy)"化學(xué)式3)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>在該式中，M表示金屬并且m+n表示該金屬的價(jià)數(shù)。對(duì)于金屬，列舉的是釕、銠、釔、銀、錸、鋨、銥、鉑和金。m為不小于0的整數(shù)，并且n為不小于l的整數(shù)。L表示單價(jià)二齒配體。環(huán)a和環(huán)b表示可以具有取代基團(tuán)的芳烴基團(tuán)。對(duì)于主體材料，優(yōu)選使用。f唑化合物和吡啶化合物中的至少一種化合物?；蛘呖梢允褂?。卡唑化合物和吡啶化合物二者。對(duì)于主體材料，優(yōu)選如下式(化學(xué)式4-6)所示的在同一分子中具有呼唑基團(tuán)和吡啶環(huán)的化合物。(Z表示直接結(jié)合、或能夠使各呼唑環(huán)的氮原子之間共軛的任意連接基團(tuán))。Q表示連接到G上的直接結(jié)合。B表示具有n個(gè)N原子作為雜原子的六元環(huán)的芳香族雜環(huán)。n表示1-3的整凄t。G在環(huán)B的N原子的鄰位或?qū)ξ慌cC原子結(jié)合。在與Q鍵合(linkage)的情況下，G表示直接結(jié)合或與Q連接的任意連接基團(tuán)。在未與Q鍵合的情況下，G表示芳香烴基團(tuán)。m為3-5的整數(shù)。存在于分子中的多個(gè)G可以相同或不同。環(huán)B可以具有除G以外的取代基。)[化學(xué)式5]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(Z1和ZZ表示直接結(jié)合或任意連接基團(tuán)。Z1、Z和環(huán)A可以具有取代基。Zi與Z"可以相同或不同。Q表示與G直接結(jié)合。B為具有n個(gè)N原子作為雜原子的六元環(huán)的芳香族雜環(huán)。G在環(huán)B的N原子的鄰位或?qū)ξ慌cC原子結(jié)合。在與Q鍵合的情況下，G表示與Q直接結(jié)合或任意連接基團(tuán)。在未與Q鍵合的情況下，G表示芳香烴基團(tuán)。m為3-5的整數(shù)。存在于分子中的多個(gè)G可以相同或不同。環(huán)B可以具有除G以外的取代基。)[化學(xué)式6]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(Z'和ZZ表示直接結(jié)合或任意連接基團(tuán)。Z'與ZZ可以相同或不同。環(huán)B'和環(huán)BZ為吡p定環(huán)。Z1、Z2、環(huán)81和環(huán)82可以具有取代基。)具體地，列舉下述化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>[化學(xué)式8]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>[化學(xué)式9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>[化學(xué)式10]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>[化學(xué)式ll]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>電子傳輸層168提供在陰極18(若提供了電子注入層則為電子注入層)與發(fā)光層166之間，它是加速電子傳輸?shù)膶?，具有將電子適當(dāng)傳輸至發(fā)光層166的作用。電子傳輸層168的膜厚dE為5nm-3000nm，并且其與空穴傳輸層164的膜厚dH的關(guān)系要求設(shè)定為dH《dE。進(jìn)一步地，電子傳輸層168不限于單層并且可以由多層形成。在多層的情況下，與發(fā)光層166相鄰的電子傳輸層形成為第一電子傳輸層，并且第一電子傳輸層由具有比電子傳輸層的其它組分更高的第一氧化電位的寬帶隙的電子傳輸材料制成，以便促進(jìn)將發(fā)光層中產(chǎn)生的激子限制在發(fā)光層中以提高效率。電子傳輸層的總數(shù)(NE;1-3)與空穴傳輸層的總數(shù)(NH;l-3)之間的關(guān)系優(yōu)選設(shè)定為NH《NE。在空穴傳輸層和/或電子傳輸層由多層形成的情況下，膜厚是指多層的總膜厚。對(duì)于電子傳輸層168的材料，優(yōu)選包括有機(jī)鋁絡(luò)合物的材料。例如，可以使用Alq3(化學(xué)式13)、BAlq(化學(xué)式14),但材料不限于這些。[化學(xué)式13]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>發(fā)光性色素的第一氧化電位(ED+)、主體材料的第一氧化電位(EH+)、發(fā)光性色素的第一還原電位(ED-)、主體材料的第一還原電位(EH-)、電子傳輸層的材料的氧化還原電位可以通過(guò)電化學(xué)測(cè)量獲得。下面解釋電化學(xué)測(cè)量方法。將約0.1-2mM待測(cè)量的對(duì)象物質(zhì)溶解在含有約0.1mol/L的高氯酸四丁基銨、六氟磷酸四丁基銨等作為支持電解質(zhì)的有機(jī)溶劑中，并且將待測(cè)量對(duì)象物質(zhì)在工作電極下進(jìn)行氧化還原，該工作電極使用玻璃碳電極作為工作電極、鉑電極作為電極對(duì)，以及銀電極作為參比電極。待測(cè)量的對(duì)象物質(zhì)的氧化還原電位通過(guò)比較這些電位與參比物質(zhì)例如二茂鐵的氧化還原電位進(jìn)行計(jì)算。列舉循環(huán)伏安法作為電化學(xué)測(cè)量方法。作為實(shí)例，通過(guò)上述方法測(cè)量的Ir(ppy)3、化學(xué)式4-9的化合物、Alq3和BAlq的氧化還原電位列于表1。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>實(shí)施例具體地，制備多個(gè)有機(jī)EL元件的樣品并且評(píng)價(jià)工作壽命。在這些樣品中，將以下材料順次蒸鍍?cè)谖挥诟骰逯系腎TO(膜厚110nm)陽(yáng)極之上以產(chǎn)生下述構(gòu)造的有機(jī)EL元件200。通過(guò)將銅酞菁(CuPc)用于空穴注入層162(各20nm的膜厚)、將NPB用于空穴傳輸層164、將添加了6%的化學(xué)式3所表示的Ir(ppy)3作為發(fā)光性色素的主體材料化學(xué)式7的化合物用于發(fā)光層166并將Alq3用于電子傳輸層168,如圖2所示層疊各有機(jī)層。此時(shí)，空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層的各膜厚各不相同，如表2所示。元件樣品1為本發(fā)明的實(shí)施例，元件樣品2則為比較例。在各電子傳輸層上進(jìn)一步蒸鍍lnm膜厚的LiF作為電子注入層，在其上進(jìn)一步層疊100nm膜厚的鋁(A1)作為陰極以制造該有機(jī)EL元件。以2.5mA/cr^的電流密度連續(xù)驅(qū)動(dòng)上述元件樣品，并且測(cè)量從測(cè)量開(kāi)始時(shí)至亮度減小20%時(shí)所用的時(shí)間。從測(cè)量開(kāi)始時(shí)至元件樣品2(比較例)的亮度減小20%時(shí)所用的時(shí)間用1表示，并且測(cè)量結(jié)果與形成有機(jī)材料層的空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層的膜厚一起示于表2。[表2]表2.元件樣品的膜厚構(gòu)造以及連續(xù)驅(qū)動(dòng)測(cè)試結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表2顯示，在實(shí)施例的元件樣品1中驅(qū)動(dòng)壽命得以提高。在其它實(shí)施例中，使用化學(xué)式8的化合物代替化學(xué)式7的化合物作為發(fā)光層的主體材料，并且除了表3所設(shè)定的膜厚之外，制備與上述實(shí)施例相似的元件樣品3、4、5、6和7。元件樣品3、4和5為本發(fā)明的實(shí)施例，元件才羊品6和7為比4交例。以2.5mA/cn^的電流密度連續(xù)驅(qū)動(dòng)上述元件樣品，并且測(cè)量從測(cè)量開(kāi)始時(shí)至亮度減小20%時(shí)所用的時(shí)間。從測(cè)量開(kāi)始時(shí)至元件樣品6(比較例)的亮度減小20%時(shí)所用的時(shí)間用l表示，并且測(cè)量結(jié)果與形成有機(jī)材料層的空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層的膜厚一起示于表3。表3.元件樣品的膜厚構(gòu)造以及連續(xù)驅(qū)動(dòng)測(cè)試結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表4顯示，與比較例的元件樣品7相比，實(shí)施例的元件樣品8的驅(qū)動(dòng)壽命得以提高。進(jìn)一步地，在其它實(shí)施例中，使用添加了17重量％的作為電子受容性物質(zhì)且由化學(xué)式16所表示的芳族硼化合物鹽的、化學(xué)式15表示的含有芳族二胺的聚醚(重均分子量為26900)代替銅酞菁作為電子注入層(膜厚為30nm)。并且NPB用于空穴傳輸層，將添加了6重量％的作為發(fā)光性色素的Ir(ppy)3的主體材料化學(xué)式9的化合物用于發(fā)光層，并且將Alq3用于電子傳輸層以制備其膜厚設(shè)定為如表4所示的元件樣品9和10。元件樣品9為本發(fā)明的實(shí)施例，并且元件樣品10為比較例。通過(guò)在ITO陽(yáng)極上旋涂涂布溶液形成空穴注入層，在該涂布溶液中，2重量％的含有芳族二胺的聚醚以及0.4重量％的電子受容性物質(zhì)溶解在苯甲酸乙酯中。以7mA/cn^的電流密度連續(xù)驅(qū)動(dòng)上述元件樣品，并且測(cè)量從測(cè)量開(kāi)始時(shí)至亮度減小20%時(shí)所用的時(shí)間。從測(cè)量開(kāi)始時(shí)至元件樣品10(比較例)的亮度減小20%時(shí)所用的時(shí)間用1表示，并且測(cè)量結(jié)果與形成有機(jī)材料層的空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層的膜厚一起示于表5。表5顯示，與比較例的元件樣品9相比，實(shí)施例的元件樣品10的驅(qū)動(dòng)壽命得以提高。表<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>權(quán)利要求1.有機(jī)電致發(fā)光元件，其在一對(duì)陽(yáng)極和陰極電極之間包括發(fā)光層；提供在該發(fā)光層的陽(yáng)極側(cè)的空穴傳輸層；以及提供在該發(fā)光層的陰極側(cè)的電子傳輸層，其中該發(fā)光層(膜厚＝dM；5nm-3000nm)含有發(fā)光性色素和主體材料，該發(fā)光性色素的第一氧化電位(ED+)低于該主體材料的第一氧化電位(EH+)，并且該發(fā)光性色素的第一還原電位(ED-)低于該主體材料的第一還原電位(EH-)，以及該電子傳輸層的膜厚(膜厚＝dE；5nm-3000nm)與該空穴傳輸層的膜厚(膜厚＝dH；5nm-3000nm)之間的關(guān)系為dH≤dE。2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中在該陽(yáng)極和該空穴傳輸層之間提供空穴注入層。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該空穴注入層包括電子受容性物質(zhì)，并且其膜厚(dB)為5nm-3000nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該空穴傳輸層的膜厚(dH)與該發(fā)光層的膜厚(dM)之間的關(guān)系為dH<dM。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該電子傳輸層的層數(shù)(NE;1-3的整數(shù))與該空穴傳輸層的層數(shù)(NH;1-3的整數(shù))之間的關(guān)系為NH<NE。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該空穴傳輸層的層數(shù)(NH)、該發(fā)光層的層數(shù)(NM)以及該電子傳輸層的層數(shù)(NE)之間的關(guān)系為NH=NM=NE=1。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中形成該空穴傳輸層的層中的至少一層含有三芳基胺化合物。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中形成該電子傳輸層的層中的至少一層含有有機(jī)鋁絡(luò)合物。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該發(fā)光層含有有機(jī)重金屬絡(luò)合物。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該發(fā)光層含有呻唑化合物。11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該發(fā)光層含有吡啶化合物。12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該發(fā)光層不含三芳基胺化合物。13.根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中該電子傳輸層的膜厚與該空穴傳輸層的膜厚之間的關(guān)系為dH〈dE。全文摘要公開(kāi)了具有更長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件。具體公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件(100)，該有機(jī)電致發(fā)光器件(100)在電極對(duì)即陰極(18)和陽(yáng)極(12)之間包括有機(jī)材料層(16)，該有機(jī)材料層(16)由空穴傳輸層(164)、發(fā)光層(166)和電子傳輸層(167)組成。該發(fā)光層(166)(具有5-3000nm的膜厚(dM))含有發(fā)光染料和主體材料。該發(fā)光染料的第一氧化電位(ED+)低于該主體材料的第一氧化電位(EH+)，同時(shí)該發(fā)光染料的第一還原電位(ED-)低于該主體材料的第一還原電位(EH-)。電子傳輸層(167)的膜厚(dE5-3000nm)和空穴傳輸層(164)的膜厚(dH5-3000nm)滿足以下關(guān)系dH≤dE。文檔編號(hào)H01L51/50GK101185176SQ200680018350公開(kāi)日2008年5月21日申請(qǐng)日期2006年5月23日優(yōu)先權(quán)日2005年5月24日發(fā)明者佐藤秀樹(shù),川見(jiàn)伸,矢部昌義,辻大志申請(qǐng)人:日本先鋒公司;三菱化學(xué)株式會(huì)社