專利名稱：：用于諸如開關(guān)或斷路器的電保護(hù)裝置的真空管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于諸如切斷開關(guān)，開關(guān)或斷路器的電保護(hù)裝置的真空管，所述真空管包括由兩個(gè)端板封閉的基本上為筒形的殼體；在殼體內(nèi)軸向延伸的兩個(gè)觸點(diǎn)，這些觸點(diǎn)中至少一個(gè)(可移動(dòng)觸點(diǎn))與一操作機(jī)構(gòu)相連接，并且滑動(dòng)安裝在可以使電流流通的觸點(diǎn)閉合位置和一個(gè)觸點(diǎn)分離并承受它們之間電壓的位置之間；以及布置在至少一個(gè)觸點(diǎn)周圍的至少一個(gè)導(dǎo)電屏蔽件。
背景技術(shù)：
：在大多數(shù)通常使用的屏蔽設(shè)計(jì)中，觸點(diǎn)都被具有保護(hù)絕緣部分免受金屬突出部影響以及引導(dǎo)等電位線以防止危險(xiǎn)的介電集中的功能的一個(gè)屏蔽件包圍。該屏蔽件包圍兩個(gè)觸點(diǎn)并位于兩個(gè)觸點(diǎn)的電位中間。這樣，理論上，在真空管的內(nèi)部和外部，電位都在兩個(gè)觸點(diǎn)之間均勻地分布。這樣地選擇在屏蔽件與觸點(diǎn)之間的距離，使得在屏蔽件與觸點(diǎn)之間的相互作用比觸點(diǎn)之間的相互作用要小。這使得與觸點(diǎn)之間存在的電場(chǎng)相比，在觸點(diǎn)和屏蔽件之間的電場(chǎng)被最小化。這防止了在觸點(diǎn)和屏蔽件之間的擊穿風(fēng)險(xiǎn)。觸點(diǎn)和屏蔽件之間的擊穿是極其危險(xiǎn)的，因?yàn)楫?dāng)這樣的擊穿發(fā)生時(shí)，屏蔽件暫時(shí)地達(dá)到觸點(diǎn)的電位(是在屏蔽件上的電位的兩倍)，并且外部電位的分配因?yàn)樵谕獠拷^緣的50%的長(zhǎng)度上分配了100%的電位而不平衡。這樣的情況會(huì)惡化成產(chǎn)生爆炸和火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)的外部擊穿。文獻(xiàn)DE10029763已經(jīng)描述了一種設(shè)計(jì)成能經(jīng)受得住更高電壓的真空管。這些真空管包括多個(gè)陶瓷，屏蔽件纟皮i殳計(jì)為放在兩個(gè)連續(xù)的陶瓷之間的連接處，以介電保護(hù)三個(gè)端點(diǎn)并防止金屬化。在這個(gè)具體實(shí)施例中，屏蔽件以與觸點(diǎn)之間的距離相應(yīng)的一個(gè)最優(yōu)化距離包圍在觸點(diǎn)周圍。這個(gè)類型的真空管的缺點(diǎn)在于它的直徑較大。此外，應(yīng)用的電壓越高，觸點(diǎn)和陶資的長(zhǎng)之間的距離就必須越大。為了避免在觸點(diǎn)和屏蔽件之間的擊穿，不得不增加屏蔽件的直徑。屏蔽件的直徑的增加從開關(guān)裝置單元的成本和電氣操作來說是有害的。實(shí)際上，陶瓷的直徑是與屏蔽件的直徑是成比例的，這增加了額外的成本。而且，如果在真空管的周圍提供了外部的絕緣，外殼的直徑同樣隨著真空管的直徑而增加，這同樣也產(chǎn)生了附加的成本。最后，在運(yùn)用三相開關(guān)中的真空管的例子中，該真空管包括一屏蔽件，對(duì)于在相之間給定距離的相之間的相互作用越大，真空管的直徑就越大，導(dǎo)致不利的電特性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決了這些問題，并提出了一種具有簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)的真空管，由此真空管的尺寸并因此其成本能顯著地降低，并且可改善它們的電特性。為此，本發(fā)明的目的在于提供一種真空管，這種真空管的特征在于它包括至少兩個(gè)屏蔽件，所述屏蔽件包括一個(gè)插在兩個(gè)觸點(diǎn)之間的被稱為中間電位屏蔽件的屏蔽件和插在所述中間電位屏蔽件和所述觸點(diǎn)中的一個(gè)之間的被稱為局部屏蔽件的至少一個(gè)屏蔽件，這樣地選擇所述中間電位屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離，使得觸點(diǎn)邊緣存在的電場(chǎng)從觸點(diǎn)指向局部屏蔽件(或反之根據(jù)電壓的極性從局部屏蔽件指向觸點(diǎn))。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，所述真空管包括三個(gè)屏蔽件，其包括一個(gè)中間電位屏蔽件以及兩個(gè)分別被稱為第一和第二局部屏蔽件的局部屏蔽件，所述兩個(gè)局部屏蔽件分別插在該中間電位屏蔽件和所述兩個(gè)觸點(diǎn)的各一個(gè)之間。根據(jù)一特定的特征，所述真空管包括三個(gè)屏蔽件，并且該絕緣外殼包括四個(gè)末端對(duì)末端地放置的陶瓷部，而三個(gè)屏蔽件分別被放置在兩個(gè)相連的陶瓷部之間的三個(gè)連接處上。根據(jù)另一個(gè)特征，中間電位屏蔽件形成一真空管外殼的整體部分。根據(jù)另一個(gè)特征，中間電位屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離用在觸點(diǎn)之間的距離的百分比來表達(dá)是在25%和40%之間。有利地，上述距離大致為31%。根據(jù)另一個(gè)特征，局部屏蔽件的高度以0-S/3之間的值超過它或它們所圍繞的觸點(diǎn)的高度，或視情況而定，超過它所圍繞的局部屏蔽件的高度，S表示觸點(diǎn)之間的距離。根據(jù)另一個(gè)特征，局部屏蔽件的高度以大致為S/4的值高于它或它們所圍繞的觸點(diǎn)的高度。有利地，至少一個(gè)屏蔽件是柱形的。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，所述真空管包括至少一個(gè)另外的局部屏蔽件，其分別插在該至少一個(gè)觸點(diǎn)和上面提及的所述局部屏蔽件中的各一個(gè)之間，這樣地選擇在中間電位屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離，使得觸點(diǎn)邊緣的電場(chǎng)被指向直接包圍觸點(diǎn)的局部屏蔽件。根據(jù)另一個(gè)特定的特征，它包括兩個(gè)被分別插在中間電位屏蔽件和兩個(gè)觸點(diǎn)中的各一個(gè)之間的被稱作第一和第二局部屏蔽件的局部屏蔽件，以及另外兩個(gè)分別插在第一和第二局部屏蔽件與兩個(gè)觸點(diǎn)之間的被稱為第三和第四局部屏蔽件的局部屏蔽件。根據(jù)一特定特征，屏蔽件和觸點(diǎn)給出一相對(duì)電容量，這樣在一個(gè)包圍另一個(gè)的兩個(gè)屏蔽件之間的電位差5U基本上與觸點(diǎn)和包圍該觸點(diǎn)的屏蔽件之間的電位差相等。有利地，電位差5U為總電壓的15%和35%之間。優(yōu)選地，這個(gè)電位差5U可大致為總電壓的25%。根據(jù)一特定特征，真空管包括N個(gè)屏蔽件，相對(duì)于U總/(N+1)的比率，這個(gè)電位差5U的變化不會(huì)超過40%,U總是觸點(diǎn)之間的電壓，即，相對(duì)于均勻地分布在觸點(diǎn)之間的電壓。但是，根據(jù)參照附圖僅以示例的目的給出的下述詳細(xì)描述中，本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)和特征將變得更加清晰易見，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的包括有三個(gè)屏蔽件的真空管的軸向橫截面圖，圖2是表示中間電位屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離與觸點(diǎn)之間的距離的比較的圖形表示圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的包括有三個(gè)屏蔽件的真空管的軸向橫截面圖，圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的包括有三個(gè)屏蔽件的真空管的軸向橫截面圖，以及圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的包括有五個(gè)屏蔽件的真空管的軸向橫截面圖。具體實(shí)施例方式在圖1、圖3、圖4和圖5中，可見真空管A在中壓電路斷路器中被具體設(shè)計(jì)成一體式的，以在故障情況下或在執(zhí)行有意的電路斷開動(dòng)作時(shí)來執(zhí)行對(duì)電路的切斷。這個(gè)真空管A以這樣的方式包括由兩個(gè)端板封閉的筒形殼體E，該殼體中容納兩個(gè)電弧觸點(diǎn)，分別是固定電孤觸點(diǎn)1和可動(dòng)電弧觸點(diǎn)2。此可動(dòng)觸點(diǎn)2通過致動(dòng)桿機(jī)械地連接到一操作裝置(未示出)，所述桿通過它的一端與所述裝置連接，并且通過它的相對(duì)端牢固地固定至可動(dòng)電弧觸點(diǎn)。這個(gè)操作裝置能夠通過在外殼里的兩個(gè)位置之間的平移來移動(dòng)上述桿和可移動(dòng)觸點(diǎn)，所述兩個(gè)位置分別是與裝置的正常操作相應(yīng)的觸點(diǎn)的閉合位置，以及在電路發(fā)生故障之后用來保護(hù)的或當(dāng)執(zhí)行電路的有意斷開動(dòng)作的斷開位置或觸點(diǎn)分離位置。在圖1中，這個(gè)筒形殼體包括一個(gè)陶瓷4，并且真空管包括三個(gè)位于觸點(diǎn)1、2周圍的屏蔽件8、9、10,屏蔽件8，9,IO都安裝在真空管內(nèi)。三個(gè)屏蔽件包括一中間電位屏蔽件9，或包圍兩個(gè)觸點(diǎn)1、2的被稱為50%屏蔽件的屏蔽件，如果觸點(diǎn)1和2分別有100%和0%的電壓，屏蔽件的電位在觸點(diǎn)的兩個(gè)電位中間50°/。處。屏蔽件還包括兩個(gè)被稱為局部屏蔽件8、IO的屏蔽件，在75%處的稱為第一屏蔽件8，在25%處的稱為第二屏蔽件10。根據(jù)本發(fā)明，這些局部屏蔽件8、10插在中間電位屏蔽件9和觸點(diǎn)1、2之間，所述局部屏蔽件8、10可以在它們的部分長(zhǎng)度上與中間電位屏蔽件9重疊。根據(jù)圖3所示的實(shí)施例，這個(gè)筒形殼體E包括四個(gè)端對(duì)端地安裝的陶瓷的筒形部分4，5、6、7被稱為第一、第二、第三、第四部分。中間電位屏蔽件9固定在兩個(gè)中心陶瓷5、6之間，而對(duì)于兩個(gè)局部屏蔽件8、10(分別是第一屏蔽件8，第二屏蔽件10),為屏蔽件8固定在第一陶覺4和第二陶瓷5之間，以及為另一個(gè)屏蔽件10固定在第三和第四陶瓷6、7之間。第一局部屏蔽件8包圍固定觸點(diǎn)1，而第二局部屏蔽件10包圍可動(dòng)觸點(diǎn)2。根據(jù)本發(fā)明，中間電位屏蔽件9與觸點(diǎn)1、2之間的距離使得在觸點(diǎn)周圍的電場(chǎng)指向圍繞所述觸點(diǎn)周圍的周圍屏蔽件8,IO的方向，以便促使在觸點(diǎn)和屏蔽件8，IO之間而不是在觸點(diǎn)之間發(fā)生擊穿。在圖4中，根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的真空管包括三個(gè)屏蔽件11、12、13和四個(gè)陶瓷4、5、6、7,而中間電位屏蔽件12形成真空管外殼的一部分。在圖5中，根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的真空管包括五個(gè)屏蔽件和一個(gè)陶瓷。可以看出，兩個(gè)局部屏蔽件14、15和17、18位于中間電位局部屏蔽件16和每個(gè)觸點(diǎn)l、2之間。屏蔽件14、18局部與屏蔽件15、17相重疊。下面的表格是以觸點(diǎn)距離的函數(shù)表示出中間電位屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離。S是觸點(diǎn)之間的距離。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>通過在觸點(diǎn)和中間電位屏蔽件之間安裝一屏蔽件，防止了向中間電位屏蔽件的直接擊穿，因此不再發(fā)生屏蔽件中間的電位加倍。避免了這個(gè)主要的風(fēng)險(xiǎn)，這樣產(chǎn)生從觸點(diǎn)指向離觸點(diǎn)最近的屏蔽件、而不再是在觸點(diǎn)之間的電場(chǎng)成為可能。這增加了在100%電位處的觸點(diǎn)與被插入的屏蔽件之間的擊穿風(fēng)險(xiǎn)，但是在一個(gè)有三個(gè)屏蔽件的真空管在有100%電位處的這個(gè)觸點(diǎn)和有大約75%電位的被插入的屏蔽件之間發(fā)生擊穿的實(shí)例中，被插入的屏蔽件達(dá)到100%電位，而中間電位屏蔽件通過電容耦合而跟隨這一電位變化并且只達(dá)到67%的電位。這樣根據(jù)本發(fā)明，在觸點(diǎn)端點(diǎn)的電場(chǎng)指向(視電壓的極性而定，或者是產(chǎn)生于)其周圍的最近的屏蔽件。對(duì)于一個(gè)具有多于三個(gè)屏蔽件的屏蔽結(jié)構(gòu)，在屏蔽件端點(diǎn)的電場(chǎng)指向(視電壓的極性而定，或者是產(chǎn)生于)其周圍的最近的屏蔽件。還值得注意的是，屏蔽件和觸點(diǎn)在它們之間有一個(gè)電容，使得在兩個(gè)相互包圍的屏蔽件之間的或在觸點(diǎn)和在其周圍的屏蔽件之間的電位差△U幾乎是相同的。這樣，對(duì)于一個(gè)有三個(gè)屏蔽件的真空管，電位差厶U必須在15°/。和35%之間才是可以接受的，并且有利的為接近整個(gè)電壓的25%。這樣，對(duì)于包括N個(gè)屏蔽件的真空管，此5U相對(duì)于比率U總/(N+l)，變化不超過40%，U總是觸點(diǎn)之間的電壓。對(duì)于有三個(gè)或更多屏蔽件的真空管，被插入的局部屏蔽件8、10以在0到S/3之間的一個(gè)值H超過其所包圍的觸點(diǎn)，S是觸點(diǎn)之間的距離，該值有利地為一個(gè)接近S/4的高度。而且，在中間電位屏蔽件9和觸點(diǎn)之間的距離SE-1被包括觸點(diǎn)之間的距離S的25%和40%之間才是可以接受的，并且該距離優(yōu)選地等于31%。下面的表格說明了對(duì)于有三個(gè)屏蔽件、五個(gè)屏蔽件和七個(gè)屏蔽件的結(jié)構(gòu)的這些值。5U:在兩個(gè)相互包圍的屏蔽件之間的或在觸點(diǎn)與圍繞該觸點(diǎn)的屏蔽件之間的電壓差(以總電壓的百分比表示)。H:屏蔽件的超出高度，或者是相對(duì)于觸點(diǎn)而言，或者是對(duì)于兩個(gè)相互圍繞的屏蔽件而言。SE-1:觸點(diǎn)和電位屏蔽件之間的距離。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>盡管這一技術(shù)方案比根據(jù)用于消除擊穿風(fēng)險(xiǎn)的現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案更具有約束力，但是同現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明的情形下顯著地降低了擊穿時(shí)導(dǎo)致的風(fēng)險(xiǎn)。事實(shí)上可以認(rèn)識(shí)到下面兩種根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有一個(gè)單獨(dú)的50%屏蔽件的局限情形。在相對(duì)于觸點(diǎn)的中間電位屏蔽件的最大距離處，觸點(diǎn)邊緣的最大電場(chǎng)不受屏蔽件存在的影響，這個(gè)電場(chǎng)因此有值E1。這個(gè)情況實(shí)際上與沒有設(shè)置50°/0屏蔽件的情況是類似的。電場(chǎng)El是在具有一個(gè)屏蔽件的真空管的兩個(gè)觸點(diǎn)之間可存在的最弱的場(chǎng)。如果屏蔽件朝兩個(gè)觸點(diǎn)移得更近，電場(chǎng)就受到向另外一個(gè)的移動(dòng)的影響而開始增加。在這種向另外一個(gè)的移動(dòng)開始時(shí)，觸點(diǎn)面邊緣的電場(chǎng)仍指向另一個(gè)觸點(diǎn)。假設(shè)SE為觸點(diǎn)和50%屏蔽件之間的距離，那么可以建立一個(gè)被稱為轉(zhuǎn)換距離的距離，即SE轉(zhuǎn)換，該距離標(biāo)志著在電場(chǎng)方向的轉(zhuǎn)換，即，當(dāng)SE>SE(轉(zhuǎn)換)時(shí)電場(chǎng)指向另一觸點(diǎn)的方向而當(dāng)SE<SE(轉(zhuǎn)換)肘電場(chǎng)指向50%屏蔽件的方向。這樣，最小距離等于SE(轉(zhuǎn)換)，以防止屏蔽件的相互作用。在屏蔽件相對(duì)于觸點(diǎn)的最小距離處，在該處電場(chǎng)仍指向觸點(diǎn)而還未指向屏蔽件，觸點(diǎn)邊緣的電場(chǎng)達(dá)到值E2，值E2高于前面所提到的值E1。這樣根據(jù)本發(fā)明，這種在觸點(diǎn)和被插入的屏蔽件之間增加的擊穿風(fēng)險(xiǎn)將被接受，但是不超出一般所接受的電場(chǎng)值E1和E2，電場(chǎng)因此保持在E1和E2之間。圖2以兩個(gè)觸點(diǎn)之間距離的函數(shù)表示了觸點(diǎn)和中心屏蔽件之間的距離。曲線a表示觸點(diǎn)和屏蔽件之間的距離，在現(xiàn)有技術(shù)中特別是在專利DE10029763中所推薦的。曲線b表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的能防止在觸點(diǎn)和屏蔽件之間發(fā)生相互作用的最小距離。曲線c表示觸點(diǎn)和屏蔽件之間的距離，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)有三個(gè)屏蔽件的結(jié)構(gòu)，其給出了一個(gè)與曲線a實(shí)例中相同的觸點(diǎn)邊緣的電場(chǎng)，并且曲線d表示觸點(diǎn)和屏蔽件之間的距離，其給出了一個(gè)與曲線b實(shí)例中相同的觸點(diǎn)邊緣的電場(chǎng)。由圖2可見，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，中間電位屏蔽件與觸點(diǎn)之間的距離位于曲線a和b之間，而^4居本發(fā)明，這一距離位于曲線c和d之間。可見在對(duì)于一有三個(gè)屏蔽件的真空管，在屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離上能有50%到70。/。的增益。如表格中所示，圖4和圖5所表示的根據(jù)本發(fā)明的包括有五個(gè)或七個(gè)屏蔽件的真空管能獲得一個(gè)附加的增益。對(duì)于一個(gè)有五個(gè)屏蔽件的真空管，屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離實(shí)際上在o.iws和o.2:^s之間，s是觸點(diǎn)之間的距離。根據(jù)本發(fā)明的包括有七個(gè)屏蔽件的真空管可以獲得一個(gè)甚至更大的增益，對(duì)于它來說屏蔽件和觸點(diǎn)之間的距離在0.14*S和0.16*S之間。因此，借助于本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單且顯著減少了徑向直徑的真空管。通過使用減少了直徑的陶瓷和減少了直徑的外殼，可以使真空管的成本，以及電路斷路器或機(jī)殼的成本降低。這還使得在鎧裝設(shè)備單元中的各相之間的電氣相互作用能夠減少。當(dāng)運(yùn)行電壓發(fā)生波動(dòng)時(shí)能獲得更好的特性。本發(fā)明顯然不局限于僅以舉例目的給出的實(shí)施例。本發(fā)明因此覆蓋了包括奇數(shù)個(gè)屏蔽件的真空管的任何一個(gè)實(shí)施例，處于與觸點(diǎn)電位最接近的電位的屏蔽件以這樣的方式放置，以隱藏中間電位屏蔽件或其它的局部屏蔽件的一定長(zhǎng)度，在包括多于三個(gè)屏蔽件的真空管的情況中，相對(duì)于這個(gè)觸點(diǎn)，在觸點(diǎn)邊緣的電場(chǎng)指向(根據(jù)電壓的極性，或產(chǎn)生于)圍繞它的最接近的屏蔽件，并且局部屏蔽件(除了中間電位屏蔽件)端部的電場(chǎng)指向(根據(jù)電壓的極性，或產(chǎn)生于)圍繞它的最接近的局部屏蔽件。相反，本發(fā)明包括了所述裝置的所有技術(shù)等同物，并且在這些技術(shù)等同物的組合是根據(jù)本發(fā)明的精神進(jìn)行的情況下，也包括這些組合。權(quán)利要求1.一種用于諸如斷路開關(guān)、開關(guān)或斷路器的電保護(hù)裝置的真空管，所述真空管包括由兩個(gè)端板封閉的大致為筒形的外殼，在該外殼中沿軸向延伸的兩個(gè)觸點(diǎn)，這些觸點(diǎn)中的至少一個(gè)，即可動(dòng)觸點(diǎn)，被連接至操作機(jī)構(gòu)并且滑動(dòng)地安裝在一個(gè)可使電流接通的觸點(diǎn)閉合位置和一個(gè)所述觸點(diǎn)在該處分離并承受它們之間的電壓的位置之間，以及圍繞該至少一個(gè)觸點(diǎn)設(shè)置的至少一個(gè)導(dǎo)電屏蔽件，其特征在于，該真空管包括至少兩個(gè)屏蔽件(8至18)，所述屏蔽件包括插入在所述兩個(gè)觸點(diǎn)(1、2)之間的被稱為中間電位屏蔽件(9、12、16)的屏蔽件，以及插入在所述中間電位屏蔽件(9、12、16)和所述觸點(diǎn)(1、2)中的一個(gè)之間的被稱為局部屏蔽件(8、10、11、13、14、18)的至少一個(gè)屏蔽件，所述屏蔽件固定在外殼的某個(gè)點(diǎn)上，不與所述觸點(diǎn)的一個(gè)或另一個(gè)電連接，選擇所述中間電位屏蔽件(9、12、16)和所述觸點(diǎn)(1、2)之間的距離，使得所述觸點(diǎn)(1、2)的邊緣處的電場(chǎng)從所述觸點(diǎn)(1、2)指向所述局部屏蔽件，或相反地根據(jù)電壓的極性從所述局部屏蔽件指向所述觸點(diǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空管，其特征在于，該真空管包括三個(gè)屏蔽件，所述屏蔽件包括一個(gè)中間電位屏蔽件(9、12)和兩個(gè)分別被稱為第一局部屏蔽件(8、11)和第二局部屏蔽件(10、13)的局部屏蔽件，所述兩個(gè)局部屏蔽件分別插在所述中間電位屏蔽件(9、12)和所述兩個(gè)觸點(diǎn)(1、2)的各一個(gè)之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空管，其特征在于，該真空管包括三個(gè)屏蔽件(8、9、10)或(11、12、13),并且絕緣的外殼包括四個(gè)端部對(duì)端部地放置的陶瓷部(4、5、6、7)，并且所述三個(gè)屏蔽件分別放置在兩兩相連的陶瓷部之間的三個(gè)連4妾處上。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，所述中間電位屏蔽件(9)形成所述真空管外殼的一體部分。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，在所述中間電位屏蔽件(9、12、16)和所述觸點(diǎn)(1、2)之間的距離SE1在所述觸點(diǎn)之間的距離的25%和40%之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空管，其特征在于，所迷距離大致為31%。7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，所述局部屏蔽件(8、10、U、13)的高度以一個(gè)在0和S/3之間的值H超出其所圍繞的觸點(diǎn)(1、2)或其所圍繞的局部屏蔽件的高度，其中，S是所述觸點(diǎn)(1、2)之間的距離。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空管，其特征在于，所述局部屏蔽件(8、10、11、13)的高度以一個(gè)大致等于S/4的值H超過了其所圍繞的觸點(diǎn)(1、2)的高度。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，所述至少一個(gè)屏蔽件的形狀是筒形的。10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，該真空管包括分別插入在至少一個(gè)所述觸點(diǎn)和所述局部屏蔽件(15、17)中的各一個(gè)之間的至少另一個(gè)局部屏蔽件(14、18),選擇在所述中間電位屏蔽件(16)和所述觸點(diǎn)(1、2)之間的距離，使得所述觸點(diǎn)(1、2)的邊緣上的電場(chǎng)指向直接圍繞所述觸點(diǎn)(1、2)的所述局部屏蔽件(14、18)。11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，該真空管包括分別插入在所述中間電位屏蔽件(16)和所述兩個(gè)觸點(diǎn)(1、2)中的各一個(gè)之間的被稱為第一局部屏蔽件(15)和第二局部屏蔽件(17)的兩個(gè)局部屏蔽件，以及分別插入在所述第一局部屏蔽件(15)和所述第二局部屏蔽件(17)與兩個(gè)觸點(diǎn)(1、2)之間的被稱為第三局部屏蔽件(14)和第四局部屏蔽件(18)的另外兩個(gè)局部屏蔽件。12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，所述屏蔽件和所迷觸點(diǎn)(1、2)存在一相對(duì)的電容量，使得在兩個(gè)相互包圍的屏蔽件之間的電位差5U與觸點(diǎn)和圍繞該觸點(diǎn)的屏蔽件之間的電位差大致相同。13.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，所述屏蔽件和所述觸點(diǎn)(1、2)存在一相對(duì)的電容量，使得在兩個(gè)相互包圍的屏蔽件之間的電位差5U就與觸點(diǎn)和圍繞該觸點(diǎn)的屏蔽件之間的電位差大致相同，這個(gè)電位差5U在總電壓的15%和35%之間。14.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的真空管，其特征在于，所述屏蔽件和所述觸點(diǎn)(1、2)存在一相對(duì)的電容量，使得在兩個(gè)相互包圍的屏蔽件之間的電位差5U與觸點(diǎn)和圍繞該觸點(diǎn)的屏蔽件之間的電位差大致相同，這個(gè)電位差5U大致為總電壓的25%。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的真空管，其包括N個(gè)屏蔽件，其特征在于，相對(duì)于比率U總/(N+l)，這個(gè)電位差5U的變化不超過40。/。，其中，U總是所述觸點(diǎn)之間的電壓。全文摘要本發(fā)明涉及一種諸如開關(guān)或斷路器的電氣保護(hù)裝置的真空管。本發(fā)明的真空管包括至少三個(gè)屏蔽件(8、9、10)，所述屏蔽件包括安裝在兩個(gè)觸點(diǎn)(1、2)之間的中間電位屏蔽件(9)，以及設(shè)在所述中間電位屏蔽件(9)和所述觸點(diǎn)(1、2)中的一個(gè)之間的局部屏蔽件(8、10)，這樣地選擇中間電位屏蔽件(9)和觸點(diǎn)(1、2)之間的距離，使得在所述觸點(diǎn)邊緣處的電場(chǎng)從觸點(diǎn)(1、2)指向其周圍的局部屏蔽件(8、10)(或反之根據(jù)電壓的極性從局部屏蔽件指向觸點(diǎn))。文檔編號(hào)H01H33/66GK101208763SQ200680022914公開日2008年6月25日申請(qǐng)日期2006年6月6日優(yōu)先權(quán)日2005年6月28日發(fā)明者伯納德·伊瓦斯,奧利維爾·卡多勒蒂,漢斯·謝勒肯斯,瑟奇·奧利夫申請(qǐng)人:施耐德電器工業(yè)公司