專(zhuān)利名稱(chēng)：使用場(chǎng)屏蔽的象素性能改進(jìn)的制作方法
使用場(chǎng)屏蔽的象素性能改進(jìn)本發(fā)明涉及一種用于有源矩陣顯示器的象素單元，尤其涉及一種使用場(chǎng)屏蔽體(fidd shield)以改進(jìn)性能的薄膜晶體管裝置。電子墨水膠嚢與施加于其上的電壓起反應(yīng)并用于產(chǎn)生圖像。膠嚢 含有白色和黑色墨水(電子墨水)，它們根據(jù)施加到膠嚢或者單元上的 電壓而反應(yīng)并移動(dòng)。為了改變電泳電子墨水顯示器上的圖像內(nèi)容，對(duì) 新的圖像信息的寫(xiě)入應(yīng)進(jìn)行一定量，間(例如，500ms- 1000ms).因?yàn)?有源矩陣的刷新率一般更高，所以這會(huì)造成多個(gè)幀(比如幀率為50Hz， 25到50幀)期間處理相同的圖像內(nèi)容。參照

圖1,示范性地示出了電子墨水膠嚢12的示意圖。電子墨水 從白到黑的處理比如需要在500ms到1000ms的時(shí)間間隔內(nèi)把象素電 容板10a和10b充電至-15 V。在這l爻時(shí)間內(nèi)，白色粒子向頂部(/>共) 電極漂移，同時(shí)黑色粒子向底部(有源矩陣背板)電極漂移。轉(zhuǎn)變至黑 色則需要正的象素電壓。在象素電容為OV時(shí)，電子墨水并不發(fā)生轉(zhuǎn) 變。 .參考圖2,示出了有源矩陣顯示器中的象素22的等效電路20。 行電極24形成用于下一行象素的儲(chǔ)能電容器。有源矩陣顯示器每次 驅(qū)動(dòng)一行。在"^幀時(shí)間內(nèi)，通過(guò)施加把薄膜晶體管(TFT)26從非導(dǎo)電 狀態(tài)(+25V)改變成導(dǎo)電狀態(tài)(-25V)的電壓，而依次選擇所有的行。在 這個(gè)線選擇時(shí)間(line selection time)內(nèi)，所選擇的行的象素電容器28 和30(即TFT漏極端的總電容)被充電至提供在列電極32(+/-15V, OV) 上的電壓。在剩余的幀時(shí)間(即保持時(shí)間)內(nèi)，其它行;故處理(address)。 然后TFT 26處于非導(dǎo)電狀態(tài),、象素電極28和30上的電荷必須^支保 留。在圖像更新之間，對(duì)于行和列電極、象素墊(pixelpad)和公共電極 而言，有源矩陣靜止于OV。TFT26中，CDE是提供顯示效果的電容器30， Cst是儲(chǔ)能電容器 28， Cgd是寄生柵極-漏極電容器(未示出)。電路20中，前一行電極 形成儲(chǔ)能電容器線。根據(jù)本發(fā)明，用于有源矩陣顯示器的象素單元及其制造方法，包 括象素墊和薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管選擇性地對(duì)信號(hào) 進(jìn)行耦合以激活/停用(activate/deactivate)象素墊。場(chǎng)屏蔽體形成于絕緣 層上并通過(guò)絕緣層連接到象素墊/晶體管上，從而使場(chǎng)屏蔽體延伸在象 素電極(比如象素墊)或者晶體管的至少一部分上。場(chǎng)屏蔽體可以延伸 在薄膜晶體管上，并形成第二柵極，以用于提高薄膜晶體管和象素單 元的性能。 、形成用于有源矩陣顯示器的象素的方法包括，在象素棧(pixel stack)上方形成絕緣體，其中象素棧包括薄膜晶體管、象素墊和尋址線 (addressing line)，以及對(duì)形成于絕緣體上方的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化 (pattern),以形成連接到象素墊的場(chǎng)屏蔽體。場(chǎng)屏蔽體通過(guò)絕緣層連接 到象素墊，從而使場(chǎng)屏蔽體在薄膜晶體管的至少一部分上延伸，以形 成第二柵極，其提高了晶體管的性能。其它步驟包括激活象素墊和場(chǎng)屏蔽體，以增加薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的導(dǎo)通電流(on-current)。形成絕緣體的步驟包括根據(jù)薄膜晶體管的性 能標(biāo)準(zhǔn)來(lái)設(shè)置絕緣體的厚度。對(duì)絕棒體進(jìn)行圖案化的步驟包括對(duì)導(dǎo)電 層進(jìn)行圖案化，從而使得第一象素單元的場(chǎng)屏蔽體在相鄰單元的薄膜 晶體管上延伸，或者在臨近單元的象素墊上延伸。以下將參照下述附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電子墨水顯示器的示意圖；圖2是示意圖，示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的、用于包括電子墨水顯示 器的有源矩陣顯示器的象素單元；圖3是剖視圖，示出了用于有源顯示器象素單元的示范性棧 (stack);圖4是與圖3的棧相對(duì)應(yīng)的象素單元的正視圖；圖5是剖視圖，示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成在圖3所示的棧之 上的場(chǎng)屏蔽體和絕緣體；圖6是與圖5的棧相對(duì)應(yīng)的象素單元正視圖；圖7是示意圖，顯示了用于示出第二柵極的圖6和7中所示的有 源矩陣顯示器的象素單元；圖8是圖7中象素單元的薄膜晶體管的特性曲線的曲線圖；圖9和10示出了兩個(gè)用于形成絕緣層和場(chǎng)屏蔽體的改型實(shí)施例；圖11是根據(jù)一個(gè)變型實(shí)施例的、具有場(chǎng)屏蔽體的象素單元的正 視圖，其中場(chǎng)屏蔽體在相鄰象素單元的晶體管上延伸；以及圖12是示意圖，示出了用于圖11所示的有源矩陣顯示器的象素 單元的示意圖。下文將結(jié)合附圖對(duì)示范性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，通過(guò)描述，本發(fā) 明的這些以及其它目標(biāo)、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見(jiàn)。本發(fā)明提供一種改進(jìn)的象素電路，其包括一個(gè)場(chǎng)屏蔽體，以提高 與象素電路相關(guān)的薄膜晶體管的性能。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的場(chǎng)屏蔽體 的底板，通過(guò)添加附加金屬層(比如第三金屬層)到象素棧來(lái)提高顯示 器的光學(xué)性能。并給予場(chǎng)屏蔽體層附加功能，包括通過(guò)把場(chǎng)屏蔽體層 用作TFT的第二柵極來(lái)改進(jìn)象素TFT的開(kāi)關(guān)性能。在本文中，實(shí)施 例提高了 TFT的導(dǎo)通電流，同時(shí)保持顯示器較高的光學(xué)性能。將依照有機(jī)TFT象素電路來(lái)對(duì)根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例進(jìn)行 描述；但是TFT象素電路可以受益于本發(fā)明的啟示。此外，本發(fā)明包 括用于某些設(shè)備(比如液晶顯示器、電子墨水或者任意其它顯示器或者 設(shè)備)用的任意象素電路。現(xiàn)在參考附圖，其中相似的數(shù)字表示相同的或相似的元件，先來(lái) 參照?qǐng)D3，棧40可以用于有機(jī)TFT象素電路。圖3所示的有源矩陣 電路在例如塑料薄片42(基板)上被處理，結(jié)果是形成了能夠集成到可 彎曲顯示器(flexible display)上的有源矩陣(AM)底板。表1示出了用于 不同的層的可能的材料。優(yōu)選的棧始于高度導(dǎo)電的柵極層44(比如貴金屬或銦錫氧化物)，其后是有機(jī)絕緣層46、第二導(dǎo)電層48以及有機(jī) 半導(dǎo)體層50。優(yōu)選地，通過(guò)旋轉(zhuǎn)覆膜(spin-coating)對(duì)有機(jī)層46和50 進(jìn)行沉積?？梢允褂霉饪谭▽?duì)層進(jìn)行圖案化，或者通過(guò)使用層(比如絕 緣層)本身的光敏性實(shí)現(xiàn)，或者通過(guò)使用光阻(比如對(duì)于多數(shù)半導(dǎo)體或 者導(dǎo)體)實(shí)現(xiàn)。層48形成列電極47和象素墊110，并且層44形成行 電極45。表l示出了可用于帶有聚合電子元件(polymer electronics)的有源 矩陣電路的示范性材料。層__^_基板* 聚碳酸酯，聚萘二甲酸乙二醇酯…柵極線 Au, Al, Cu,銦錫氧化物...絕緣層 光阻材料HPR504, SU8...數(shù)據(jù)線/象素墊金屬Au, Pd， Pt, ZnSn03, Sn02:F， Ag半導(dǎo)體_聚-(噻嗯亞乙烯〗，并五苯...._*基礎(chǔ)材料，可以涂有多個(gè)屏障層棧40可用作提供根據(jù)本發(fā)明諸多特點(diǎn)的基礎(chǔ)。棧40也可使用其 它象素電路來(lái)替換，但是仍受益于本發(fā)明的教導(dǎo)。參照?qǐng)D4，示出了有源矩陣A板的當(dāng)前象素單元布局。第一區(qū)域 55示出了半導(dǎo)體島的位置。第二區(qū)域60表示第一金屬層。第三區(qū)域 65示出了第二金屬層，而連續(xù)的絕緣層并沒(méi)有示出。圖4中的底板設(shè) 計(jì)的象素布局并沒(méi)有包括場(chǎng)屏蔽體。參考圖5,棧100包括用于帶有有機(jī)TFT的一個(gè)象素的場(chǎng)屏蔽體 棧，它用于帶有有機(jī)電子的顯示器。在該實(shí)施例中，示范性地把兩個(gè) 層添加到圖3中的棧40。絕緣層102和導(dǎo)電層104形成于棧40上。 該棧100的一些優(yōu)點(diǎn)包括更高的對(duì)比度、更低的光學(xué)交擾以及更均勻 的象素轉(zhuǎn)換，這由場(chǎng)屏蔽體電極實(shí)現(xiàn)的行和列電極的電場(chǎng)屏蔽體所 致。絕緣體102可包括光阻材料或其它有機(jī)絕緣材料。絕緣體102形 成于構(gòu)成TFT106的一部分的半導(dǎo)體材料50上。半導(dǎo)體材料50可以 包括無(wú)機(jī)或者有機(jī)半導(dǎo)體材料。在一個(gè)實(shí)施例中，材料50包括并五 苯，也可以使用其它材料。配置好絕緣體102之后，導(dǎo)電層104形成 于絕緣體102之上?？蓪?duì)絕緣體102進(jìn)行構(gòu)圖以形成開(kāi)口， /人而允許 通過(guò)連接108而穿過(guò)絕緣體102。通孔108可與導(dǎo)電層(比如使用雙大 馬士革技術(shù)(dual damascene technique))同時(shí)形成，或者與層104分別 形成。導(dǎo)電層104可以包括，比如Au、 Al、 Cu、銦錫氧化物、Pd、 Pt,、 ZnSn03、 Sn02:F、 Ag或者任意其它合適的導(dǎo)體。導(dǎo)電層104連接到形成自層48處(圖3)的象素墊110。導(dǎo)電層104 在象素墊110上形成場(chǎng)屏蔽體112,并進(jìn)一步在象素墊IIO(或其它象 素電極)的至少一部分上延伸，在優(yōu)選的實(shí)施例中，在TFT106的至少 一部分的上方。這樣，場(chǎng)屏蔽體112形成與TFT106的電容性關(guān)系 (capacitive relationship),這可用于改進(jìn)TFT性能，這將在下文中進(jìn)行 闡述。薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管106可"包括處于導(dǎo)電和/或半導(dǎo)電部分之間 的有才幾層間介電層(interlayer dielectric layer)46。參照?qǐng)D6,.示范性地示出了有源矩陣底板的場(chǎng)屏蔽體體的象素電 路。第一區(qū)域120示出了導(dǎo)電層104(場(chǎng)屏蔽體)。第二區(qū)域125示出了 半導(dǎo)體島的位置。第三區(qū)域130表示第一金屬層。第四區(qū)域135示出 了第二金屬層，而連續(xù)絕緣層沒(méi)有示出。理想的象素TFT傳輸較高的導(dǎo)通電流，同時(shí)在象素中占用較小的 面積。問(wèn)題是理想狀態(tài)是很難實(shí)現(xiàn)的，尤其是對(duì)于有機(jī)電子。導(dǎo)通電 流越高，能制造的顯示器越大。TFT面積越小，有源矩陣底板的產(chǎn)量 就越高。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)把層104用作TFT1(^的"第二柵極"(參見(jiàn)圖 7)，導(dǎo)電層104提供了用于顯示器的場(chǎng)屏蔽體，它提供了增加TFT106 的導(dǎo)通電流而同時(shí)并沒(méi)有增加其面積的機(jī)會(huì)。對(duì)于形成于層104中的 第二柵極的不同的值，圖8中示范性地示出了其傳輸特性。參考圖7，示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、用于場(chǎng)屏蔽體象素的等效有源矩陣象素電路200。示出了單個(gè)象素202，它可以是構(gòu)成有源矩 陣顯示器的多個(gè)象素的一部分。行電極224構(gòu)成下一行的象素用的儲(chǔ) 能電容器。有源矩陣顯示器被一次一行(arow-at-a-time)地驅(qū)動(dòng)。在一 幀時(shí)間期間，通過(guò)施加把薄膜晶體管(TFT)226從非導(dǎo)電狀態(tài)轉(zhuǎn)化成導(dǎo) 電狀態(tài)的電壓，而依;l選擇所有的行。在這個(gè)線選擇時(shí)間內(nèi)，電容器 228和230以及所選行的TFT226的柵極和漏極之間的電容(即TFT漏 極端的總電容)被充電至特定電壓，該電壓提供于列電極232上(例如 +/-15V, 0V)。在剩余的幀時(shí)間內(nèi)(即保持時(shí)間)，對(duì)其它行進(jìn)行處理。然后， TFT226處于非導(dǎo)電狀態(tài)，并且象素電容228和230上的電荷仍保留。 在圖像更新之間，對(duì)于行電極和列電極、象素墊以及公共電極而言， 有源矩陣靜止于0V。CDE是提供顯示效果的電容器230, Cst是儲(chǔ)能電容器228， Cgd是 TFT226內(nèi)的寄生柵極-漏極電容器。在電路200中，前一行電極構(gòu) 成儲(chǔ)能電容器線。象素墊110構(gòu)成TFT226的第二柵極215。參考圖8，示范性地示出.了場(chǎng)屏蔽體的有機(jī)TFT的傳輸特性，對(duì) 于象素電極(即第三金屬層104)電壓(Vp)以20V的步幅從+ 100V到-IOOV變化而言，其遷移率為0.01cot2/Vs。流過(guò)晶體管的漏電流Io相對(duì) 于柵極電壓(Vcj)而繪制出。插值圖、300示出了作為象素電極電壓(Vp) 的函數(shù)的所提取的閾值電壓(vt),其中TFT的溝道長(zhǎng)度是5微米，寬 度是1000微米，供給電壓為VD = -IV。與充電到正電壓相比，當(dāng)象素被充電到負(fù)電壓時(shí)，若沒(méi)有場(chǎng)屏蔽 體，則TFT的導(dǎo)通電流更低。這是由于當(dāng)充電至負(fù)電壓時(shí)，源極-柵 極電壓較低。因此，充電至負(fù)電壓的象素是象素TFT尺寸的決定性因 素之一。若有場(chǎng)屏蔽體，由于第二柵極215上的負(fù)電壓(圖7)，在充電至 負(fù)電壓期間，導(dǎo)通電流就會(huì)增加。,.在充電至正電壓期間，導(dǎo)通電流將會(huì)更低。這導(dǎo)致更對(duì)稱(chēng)的充電特性和使用更小的象素TFT的可能性。 還可以采用多個(gè)變型實(shí)施例，它們?cè)陲@示器中使用第二柵極215 的不同配置。參照?qǐng)D9，對(duì)絕緣體102進(jìn)行圖案化，或者進(jìn)行改變，以在TFT106 上方或象素單元的其它區(qū)域上方提供不同的厚度。這通過(guò)在半導(dǎo)體50 和場(chǎng)屏蔽體113之間選擇一個(gè)合適的絕緣體厚度而調(diào)整第二柵極 215(圖7)。優(yōu)選地，場(chǎng)屏蔽體絕緣體102可以盡可能地厚以相應(yīng)地避 免場(chǎng)屏蔽體113與層44、 48中的行和列電極之間的電氣交擾。另一 方面，當(dāng)絕緣體102較薄時(shí)，導(dǎo)電層104能增加TFT的導(dǎo)通電流，因 為它的作用如同第二柵極。參照?qǐng)D10,可以采用兩個(gè)不同的絕緣層150和152以用于絕緣體 102?？梢允褂脤?50以提供場(chǎng)屏蔽體113和半導(dǎo)體50之間電介質(zhì)層 的適當(dāng)厚度?？梢栽趯?50上形成層152并對(duì)其進(jìn)行圖案化，這為其 它區(qū)域的絕緣體提供了不同的厚度。層150和152可包括相同的材料 或者不同的材料。對(duì)層150和152進(jìn)行圖案化以形成通孔或其它結(jié)構(gòu)。 為了避免在更高的導(dǎo)通電流和電氣交擾之間進(jìn)行折衷，可以在象素的 其它部分內(nèi)施加TFT106區(qū)域中較薄第二絕緣層150和較厚絕緣層 152。這能夠最大化地增加導(dǎo)通電流，同時(shí)最小化電氣交護(hù)C。可以用很多方式來(lái)制造棧。 一種可能是省略剔除用于對(duì)半導(dǎo)體50 進(jìn)行圖案化的保護(hù)層(resist)(層15.0)，其后是對(duì)TFT106區(qū)域內(nèi)的第二 絕緣層152進(jìn)行圖案化。保護(hù)層150大約1微米厚，絕緣層152可以 更厚一些(比如5微米)。其它厚度也可以預(yù)期的。參考圖11,示出了用于帶有有機(jī)TFT的象素的場(chǎng)屏蔽體棧，其 中第二柵極215由下一行中象素墊110和/或TFT226之間的場(chǎng)屏蔽體 112的重疊而構(gòu)成。通過(guò)使用第二柵極215， 4是供了導(dǎo)通電流的增大 (boost)。第二柵極215連接到相鄰象素單元內(nèi)的下一個(gè)象素墊110，。圖12 中示范性地示出了等效電路圖。參考圖12，它差圖11的場(chǎng)屏蔽體象素結(jié)構(gòu)實(shí)施例的有源矩陣象素示意圖。相鄰行的象素電極110，通過(guò)連接231而連接到TFT226的 笫二柵極215。為了闡述圖11和12所示的結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，給出了以下例子。比如， 在+15V和-15￥之間驅(qū)動(dòng)象素墊110。當(dāng)刷新象素時(shí)，柵極電極(0)(比 如行線224)被設(shè)置為從+ 25V到-25V。柵極電極(G)是下一行象素的 儲(chǔ)能電容器。因此，在刷新周期期間，設(shè)置下一行象素使其象素電壓 處于-65V和-35V之間。通過(guò)把該象素的第二柵極215連接到下一行 象素的象素墊，該較大的負(fù)電壓在刷新期間就^皮施加到TFT226上。 這導(dǎo)致這段時(shí)間內(nèi)3-5倍因子高的導(dǎo)通電流，如圖8所示。刷新周 期之后，柵極(G)被重置為+25V。然后，下一行中的象素墊IIO被重 置為+ 15V和-15V之內(nèi)的正常象素電壓。這保證象素的漏電流在兩 個(gè)刷新周期之間的時(shí)間內(nèi)仍保持足夠低。場(chǎng)屏蔽體可在相鄰象素單元的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的至少一部分 上延伸，以與相鄰象素單元的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成電容性關(guān)系，從 而提高該晶體管的性能。類(lèi)似的，場(chǎng)屏蔽體可在相鄰象素單元的象素 墊的至少一部分上延伸，以與相鄰象素單元的象素墊形成電容性關(guān) 系，從而提高那個(gè)象素墊的性能。本文描述的諸實(shí)施例可以與其它實(shí)施例結(jié)合，比如，如所闡述的， 當(dāng)?shù)诙艠O連接到到下一行的象素墊時(shí)，可調(diào)整場(chǎng)屏蔽體和TFT(比如 第二柵極)之間的間隙。其它的組合也是可以預(yù)期的。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括，TFT面積可以更小，同時(shí)保持光學(xué)顯示性能 最優(yōu)。這增加顯示器的產(chǎn)量(yield),并能夠通過(guò)利用有機(jī)TFT的現(xiàn)有 性能來(lái)制造更大的顯示器。應(yīng)用領(lǐng)域包括所有的有源矩陣顯示器。這 些顯示器包括場(chǎng)屏蔽體式設(shè)計(jì)。本發(fā)明也可以應(yīng)用到有機(jī)電子外的其 它技術(shù)，比如可使用非晶硅或多晶硅。上文已經(jīng)闡述了使用場(chǎng)屏蔽體來(lái)改進(jìn)象素性能的優(yōu)選實(shí)施例(只 是用于示范性描述而并非限制性的)，需要注意的是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)上文的啟示可以對(duì)其做出各種改變或者改型。因此可以理解,定的實(shí)施例的精神和保護(hù)范圍內(nèi)。因此，描述了細(xì)節(jié)，尤其是專(zhuān)利法 所要求的特征，所尋表保護(hù)的且由專(zhuān)利證書(shū)所保護(hù)的由權(quán)利要求書(shū)闡明。
權(quán)利要求
1.一種用于有源矩陣顯示器的象素單元，包括象素墊(110)；薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(106)，選擇性地耦合信號(hào)以激活/停用所述象素墊；場(chǎng)屏蔽體(112)，形成于絕緣層(102)上，并通過(guò)所述絕緣層連接到所述晶體管，從而使所述場(chǎng)屏蔽體在所述象素單元(110)的電極的至少一部分上或所述晶體管(106)的至少一部分上延伸。
2. 如權(quán)利要求1所述的象素單元，其特征在于，所述薄膜場(chǎng)效應(yīng) 晶體管(106)包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的象素單元，其特征在于，所述薄膜場(chǎng)效應(yīng) 晶體管(106)包括有機(jī)層間介電層。
4. 如權(quán)利要求1所述的象素單元，其特征在于，所述薄膜場(chǎng)效應(yīng) 晶體管(106)根據(jù)行電極(45)上的信號(hào)而選擇性地把列電極(47)連接到 所述象素墊(IIO)。 ，，
5. 如權(quán)利要求1所述的象素單、元，其特征在于，所述場(chǎng)屏蔽體(112) 在所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一部分上延伸，以與所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體 管形成電容性關(guān)系，從而提高所述晶體管的性能。
6. 如權(quán)利要求1所述的象素單元，其特征在于，所述場(chǎng)屏蔽體(112) 在相鄰象素單元的所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(106)的一部分上延伸，以與 所述相鄰象素單元的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成電容性關(guān)系，從而提高那 個(gè)晶體管的性能。
7. 如權(quán)利要求1所述的象素單元，其特征在于，所述場(chǎng)屏蔽體(112) 在相鄰象素單元的所述象素墊(11Q)的一部分上延伸，以與所述相鄰象 素單元的象素墊形成電容性關(guān)系，從而提高那個(gè)象素墊的性能。
8. —種用于有源矩陣顯示器的象素單元，包括 象素墊(110);薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(106),選擇性地耦合信號(hào)，以激活/停用所述 象素墊；場(chǎng)屏蔽體(112)，形成于絕緣層(102)之上，并通過(guò)所述絕緣層而連 接到所述晶體管，從而使得所述場(chǎng)屏蔽體在所述晶體管(106)的至少一 部分上延伸，以形成能夠提高所述晶體管性能的第二柵極(215)。
9. 如權(quán)利要求8所述的象素單元，其特征在于，所述薄膜場(chǎng)效應(yīng) 晶體管(106)包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。
10. 如權(quán)利要求8所述的象素單元，其特征在于，所述薄膜場(chǎng)效 應(yīng)晶體管(l 06)包括有機(jī)層間介電層。
11. 如權(quán)利要求8所述的象素單元，其特征在于，所述薄膜場(chǎng)效 應(yīng)晶體管(106)根據(jù)行電極(45)上的信號(hào)而選擇性地把列電極(47)連接 到所述象素墊。
12. 如權(quán)利要求8所述的象素單元，其特征在于，所述絕緣層(102) 在所述場(chǎng)屏蔽體與所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間以及在所述場(chǎng)屏蔽體 與所述象素單元的其它區(qū)域之間具有不同的厚度。
13. 如權(quán)利要求8所述的象素單元，其特征在于，所述絕緣層(102) 在所述場(chǎng)屏蔽體與所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管之間的厚度小于在所述場(chǎng) 屏蔽體與所述象素單元的其它區(qū)域之間的厚度。
14. 如權(quán)利要求8所述的象素單元，其特征在于，由所述場(chǎng)屏蔽 體(l 12)形成的所述第二柵極(215)增加了所述薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo) 通電流。
15. —種用于形成有源矩陣顯示器的象素的方法，包括以下步驟 在象素棧(40)上形成絕緣體(102)，所述象素棧包括薄膜晶體管(106)、象素墊(110)和尋址線(45， 47);以及對(duì)在所述絕緣體上形成的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化，以形成連接到所述 象素墊的場(chǎng)屏蔽體(112),所述場(chǎng)屏蔽體通過(guò)所述絕緣層連^l妄到所述象 素墊，從而使所述場(chǎng)屏蔽體在所述薄膜晶體管的至少一部分上延伸， 以形成能夠提高所述晶體管性能的第二柵極(215)。
16. 如權(quán)利要求1.5所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括如下的 步驟激活所述象素墊(110)和場(chǎng)屏蔽體(112)，以增加所述薄膜場(chǎng)效應(yīng) 晶體管的導(dǎo)通電流。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，形成絕緣體的所述 步驟包括根據(jù)所述薄膜晶體管的性能標(biāo)準(zhǔn)來(lái)設(shè)定所述絕緣體(102)的 厚度。
18. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行 圖案化的所述步驟包括對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化，以使得第一象素單 元的所述場(chǎng)屏蔽體(112)在相鄰單元的薄膜晶體管上延伸。
19. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行 圖案化的所述步驟包括對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化，從而使得第一象素 單元的所述場(chǎng)屏蔽體(l 12)在相鄰單元的象素墊上延伸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于有源矩陣顯示器的象素單元(100)及其制造方法，該象素單元(100)包括象素墊(110)和薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(106)，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(106)選擇性地對(duì)信號(hào)進(jìn)行耦合以激活/停用該象素墊。場(chǎng)屏蔽體(112)形成于絕緣層(102)上并通過(guò)該絕緣層連接到該象素墊，從而使場(chǎng)屏蔽體延伸到該象素墊的至少一部分的上方。場(chǎng)屏蔽體可以延伸到薄膜晶體管上方并形成第二柵極(215)，以用于提高象素單元和薄膜晶體管的性能。
文檔編號(hào)H01L27/32GK101288171SQ200680031116
公開(kāi)日2008年10月15日 申請(qǐng)日期2006年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者G·H·格林克, H·E·A·休特馬 申請(qǐng)人:聚合物視象有限公司