專(zhuān)利名稱(chēng)：：靜電應(yīng)對(duì)部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及防止靜電保護(hù)電子設(shè)備的靜電應(yīng)對(duì)部件(staticelectricitycountermeasurecomponents10
背景技術(shù)：
近年來(lái)，便攜電話(huà)等電子設(shè)備的小型化、高性能化快速發(fā)展，與此相伴，電子設(shè)備中使用的電子部件的小型化也快速發(fā)展。但是，另一方面，伴隨該小型化，電子設(shè)備或電子部件的耐電壓特性降低，其結(jié)果，設(shè)備內(nèi)部的電路由于人體與電子設(shè)備的端子接觸時(shí)產(chǎn)生的靜電脈沖而損壞的事15例增多。這是因?yàn)橛捎陟o電脈沖，在一納秒以下的超短時(shí)間內(nèi)，數(shù)百~數(shù)千伏的高電壓施加在設(shè)備內(nèi)部的電路上的緣故。以往，作為對(duì)于此種靜電脈沖的對(duì)策，采用在靜電進(jìn)入線(xiàn)路與地之間設(shè)置應(yīng)對(duì)部件(countermeasurecomponent)的方法。另一方面，近年來(lái)，由于數(shù)據(jù)收發(fā)的高速化，信號(hào)線(xiàn)路的信號(hào)頻率增大，且傳送速度達(dá)到數(shù)百20Mbps以上。與此相伴，所述的靜電應(yīng)對(duì)部件的雜散電容為不使高速傳輸?shù)男盘?hào)的質(zhì)量降低，優(yōu)選盡可能的小。從而，如果達(dá)到數(shù)百M(fèi)bps以上的傳輸速度，則需要lpF這樣的低靜電容量的靜電應(yīng)對(duì)部件。作為此種高速傳輸線(xiàn)路中的靜電應(yīng)對(duì)部件，例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中提出了在相向?qū)χ玫拈g隙電極(opposinggapelectrodes)之間填充過(guò)電壓保護(hù)25材料的形式的靜電應(yīng)對(duì)部件的方案。如專(zhuān)利文獻(xiàn)l的提出的方案，在相向?qū)χ玫拈g隙電極之間填充過(guò)電壓保護(hù)材料的形式的靜電應(yīng)對(duì)部件中，在相向?qū)χ玫拈g隙電極間施加由靜電引起的過(guò)電壓時(shí)，放電電流在散布于在相向?qū)χ玫拈g隙電極之間的絕緣材料亦即過(guò)電壓保護(hù)材料中的在導(dǎo)電粒子之間或在半導(dǎo)體粒子之間流動(dòng)。并30且，通過(guò)將其作為電流分流到地下，由此實(shí)現(xiàn)靜電應(yīng)對(duì)。但是，在此種形式的靜電應(yīng)對(duì)部件中，如果靜電施加電壓變高，則由于在導(dǎo)電粒子之間的放電電流而開(kāi)始產(chǎn)生火花，根據(jù)情況有時(shí)火花也可能越過(guò)過(guò)電壓保護(hù)材料飛出。此處，過(guò)電壓保護(hù)材料使用的樹(shù)脂為硅樹(shù)脂，因此耐電壓以及耐熱性良好，但硬度和耐候性能差。因此，在最外層的保5護(hù)樹(shù)脂層使用環(huán)氧樹(shù)脂或酚醛樹(shù)脂的情況較多。這些樹(shù)脂與硅樹(shù)脂相比，耐電壓以及耐熱性差，因此在放電火花產(chǎn)生并到達(dá)最外層的保護(hù)樹(shù)脂層的情況下，由于樹(shù)脂的碳化等引起絕緣變差的可能性升高。從而，在以往的上述靜電應(yīng)對(duì)部件中，難以防止由于靜電脈沖產(chǎn)生的絕緣劣化。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特表2002-538601號(hào)公報(bào)10
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述課題而創(chuàng)出的，本發(fā)明的目的在于提供一種在靜電脈沖施加的時(shí)候，能夠防止位于最外層的保護(hù)樹(shù)脂層的絕緣劣化，由此可提供靜電脈沖耐量(絕緣耐量)大的靜電應(yīng)對(duì)部件。15本發(fā)明的一個(gè)方面涉及靜電應(yīng)對(duì)部件，它具備陶瓷基材；至少兩個(gè)引出電極，相互隔著間隙且相向?qū)χ玫卦O(shè)置在所述陶瓷基材上；過(guò)電壓保護(hù)材料層，設(shè)置成覆蓋各個(gè)所述引出電極的一部分和所述引出電極之間的間隙，且含有金屬粉和硅樹(shù)脂；中間層，設(shè)置在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層上，且含有絕緣體粉和硅樹(shù)脂；以及保護(hù)樹(shù)脂層，設(shè)置在所述中間層上。20本發(fā)明的目的、特征、方式及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)以下的詳細(xì)說(shuō)明和附圖，可更明了。圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)部件的剖面圖。25圖2是用于說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的一工序中的制造過(guò)程階段的產(chǎn)品的外觀立體圖。圖3是用于說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的一工序中的制造過(guò)程階段的產(chǎn)品的外觀立體圖。圖4是用于說(shuō)明在本發(fā)明實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的一工30序中的制造過(guò)程階段的產(chǎn)品的外觀立體圖。圖5是利用本發(fā)明實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法來(lái)得到的靜電應(yīng)對(duì)部件的外觀立體圖。圖6是表示針對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)部件進(jìn)行的靜電試驗(yàn)方法的示意圖。具體實(shí)施方式以下，參照?qǐng)D1~圖5對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖l是本發(fā)明實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)部件的剖面圖，圖2~圖4是用于說(shuō)明在所述靜電應(yīng)對(duì)部件的制造方法的一工序中的制造過(guò)程階段的產(chǎn)品的外觀立體圖，圖5是利io用所述的制造方法來(lái)得到的靜電應(yīng)對(duì)部件的外觀立體圖。如圖1所示，本發(fā)明的實(shí)施方式所述的靜電應(yīng)對(duì)部件具備陶瓷基材1;至少兩個(gè)引出電極2，相互隔著間隙且相向?qū)χ玫卦O(shè)置在所述陶瓷基材l上；過(guò)電壓保護(hù)材料層3，設(shè)置成覆蓋各個(gè)所述引出電極2的一部分和所述引出電極2之間的間隙，且含有金屬粉和硅樹(shù)脂(silicon-basedresin);15中間層4，設(shè)置在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層3上，且含有絕緣體粉和硅樹(shù)脂；以及保護(hù)樹(shù)脂層5，設(shè)置在所述中間層4上。作為陶瓷基材l的材料，為減小在電極間產(chǎn)生的雜散電容，優(yōu)選使用如介電常數(shù)在50以下、更優(yōu)選10以下的低介電常數(shù)的材料。作為此種低介電常數(shù)材料，可舉例如礬土(氧化鋁)等。陶瓷基材，例如將礬土等低20介電常數(shù)材料在900130(TC燒成而可以得到。如圖1所示，在陶瓷基材l上，將至少兩個(gè)引出電極2以規(guī)定的間隔相互隔開(kāi)并相向?qū)χ脕?lái)設(shè)置。作為構(gòu)成引出電極2的金屬，優(yōu)選從Cu、Ag、Au、Cr、Ni、Al及Pd構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬。25例如利用濺射、蒸鍍等方法，如圖2所示的圖案那樣，引出電極2以至少兩個(gè)引出電極2相向?qū)χ玫乇恍纬伞Ｔ撘鲭姌O2的厚度例如為10nm20um。如圖2所示的圖案可從掩模之上通過(guò)進(jìn)行濺射和蒸鍍等來(lái)形成，或也可在形成一個(gè)引出電極后，使用光刻法，通過(guò)蝕刻來(lái)形成。引出電極2的數(shù)量可配合由裝置的電路確定的線(xiàn)路數(shù)適宜地設(shè)定。即30使引出電極2為三個(gè)以上的情況，圖案形成能夠與引出電極2為兩個(gè)的情況同樣地進(jìn)行。在引出電極2為三個(gè)以上的情況下，考慮到圖案變得更復(fù)雜，優(yōu)選使用光刻法進(jìn)行圖案形成。相向?qū)χ玫膬蓚€(gè)引出電極2之間的間隔從改善過(guò)電壓保護(hù)材料的過(guò)電壓保護(hù)效果的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選窄的間隔，更優(yōu)選50um以下。而且，為縮5窄兩個(gè)引出電極2間的間隔，期望使用光刻法。過(guò)電壓保護(hù)材料層3含有金屬粉與硅樹(shù)脂，如圖1所示，將它設(shè)置成覆蓋各個(gè)引出電極2的一部分以及引出電極2之間的間隙。存在于相互隔著間隙且相向?qū)χ玫囊鲭姌O2間的過(guò)電壓保護(hù)材料層3，在通常使用時(shí)(額定電壓下)，因?yàn)楹械墓铇?shù)脂具有絕緣性，因此置io于高阻抗?fàn)顟B(tài)。但是，在施加靜電脈沖等高電壓的情況下，在過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的隔著硅樹(shù)脂存在的金屬粉之間產(chǎn)生放電電流，阻抗顯著減少。從而，利用該現(xiàn)象，能夠使靜電脈沖、過(guò)壓(surge)等異常電壓分流至地下。由此，能夠可靠地防止由于靜電脈沖導(dǎo)致的過(guò)電壓保護(hù)材料層3的絕緣劣化。15包含在過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的金屬粉優(yōu)選從Ni、Al、Ag、Pd及Cu構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬的粉末。此外，金屬粉優(yōu)選含有平均粒徑為0.3~10um的球狀粒子，更優(yōu)選實(shí)質(zhì)上僅由所述球狀粒子構(gòu)成的金屬粉。過(guò)電壓保護(hù)材料層中的金屬粉的含有比率優(yōu)選40體積百分比以下。如果超過(guò)40體積百分比，則確保絕緣的粒子邊界部的硅樹(shù)脂成分相對(duì)變20少，當(dāng)施加高電壓時(shí)，易引起粒子間的絕緣破壞。而且，從將施加高電壓情況下產(chǎn)生的金屬粉之間的放電電流分流至地下的觀點(diǎn)來(lái)看，金屬粉的含有比率優(yōu)選10體積百分比以上。包含在過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的硅樹(shù)脂優(yōu)選含有作為主鏈帶有硅氧烷鍵(-Si-O-Si-)，且其上作為側(cè)鏈結(jié)合有機(jī)基的聚硅氧烷。聚硅氧烷的基本25骨架構(gòu)成為如二氧化硅的硅與氧的結(jié)合。因此，與如環(huán)氧樹(shù)脂或酚醛樹(shù)脂的基本骨架為碳與碳的結(jié)合或碳與氧的結(jié)合而構(gòu)成的有機(jī)系樹(shù)脂相比，硅樹(shù)脂能夠發(fā)揮防止絕緣劣化的優(yōu)良的效果。從而，作為過(guò)電壓保護(hù)材料層3的樹(shù)脂，如果使用硅樹(shù)脂，則能夠大幅提高對(duì)于異常電壓的絕緣耐量。作為包含在過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的硅樹(shù)脂，為提高防止絕緣劣化效30果，優(yōu)選側(cè)鏈的有機(jī)成分盡可能的少。從此觀點(diǎn)出發(fā)，作為硅樹(shù)脂，優(yōu)選含有作為側(cè)鏈的有機(jī)基帶有碳數(shù)量最少的甲基的聚硅氧烷(聚甲基硅氧垸、二甲基硅酮等)的硅樹(shù)脂。作為制作過(guò)電壓保護(hù)材料層3的方法，例如有在上述的金屬粉與上述的硅樹(shù)脂的混合物中添加適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑，并利用三根輥碎機(jī)使它們混5練(knead)以及分散，由此首先制作過(guò)電壓保護(hù)材料膏劑。然后，例如使用如圖3所示的網(wǎng)板印刷法，以5~50um的厚度印刷該過(guò)電壓保護(hù)材料膏齊IJ，其后以15(TC干燥515分鐘，由此形成過(guò)電壓保護(hù)材料層3。如此地，過(guò)電壓保護(hù)材料層3以覆蓋相互隔著間隙且相向?qū)χ玫膬蓚€(gè)引出電極2的各自的一部分和所述引出電極2之間的間隙的方式來(lái)形成圖案。10中間層4含有絕緣體粉和硅樹(shù)脂，如圖1所示，設(shè)置在過(guò)電壓保護(hù)材料層3與保護(hù)樹(shù)脂層5之間。中間層4優(yōu)選設(shè)置為覆蓋過(guò)電壓保護(hù)材料層3。利用該中間層4能夠可靠地防止保護(hù)樹(shù)脂層5的絕緣劣化。艮口，由于過(guò)電壓保護(hù)材料層3是對(duì)于靜電等的異常電壓敏感的材料，因此在異常電壓產(chǎn)生的情況下，在過(guò)電壓保護(hù)材料層3中，即使在最遠(yuǎn)離15陶瓷基材l的表面附近，電流也流動(dòng)。另一方面，由于硅樹(shù)脂不能夠得到足夠的硬度以及耐候性的情況多，因此位于最上層的保護(hù)樹(shù)脂層5通常以環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂等形成。因而，在含有如環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂，基本骨架為碳與碳的結(jié)合或碳與氧的結(jié)合而構(gòu)成的有機(jī)系樹(shù)脂的保護(hù)樹(shù)脂層5與此種過(guò)電壓保護(hù)材料層3直接接觸的情況下，當(dāng)過(guò)電壓保護(hù)材料層3的20表面附近電流流動(dòng)時(shí)，則保護(hù)樹(shù)脂層5發(fā)生絕緣劣化。與此相反，在過(guò)電壓保護(hù)材料層3與保護(hù)樹(shù)脂層5之間設(shè)置以硅樹(shù)脂為主成分的中間層4的情況下，能夠大幅防止保護(hù)樹(shù)脂層5的絕緣劣化。即，中間層4對(duì)于靜電等的異常電壓沒(méi)有電傳導(dǎo)性，因此放電火花無(wú)法到達(dá)表面。其結(jié)果，不會(huì)使位于該中間層4之上的由環(huán)氧樹(shù)脂等形成的保護(hù)樹(shù)脂層5發(fā)生絕緣劣25化。作為包含在中間層4中的絕緣體粉，優(yōu)選含有從A1、Si及Mg構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬的氧化物或者含有所述這些金屬的復(fù)合氧化物的絕緣體的粉末。也可混合一種或兩種以上使用它們。作為所述金屬的氧化物，可舉例如Al203、Si02、MgO等。此外，作為所述金屬的復(fù)合氧化30物，可舉例如富鋁紅柱石(3A12032Si02)、塊滑石(MgO'Si02)等。絕緣體粉的平均粒徑優(yōu)選0310um。此外，作為絕緣體粉，優(yōu)選使用具有對(duì)于靜電等的異常電壓沒(méi)有電傳導(dǎo)性的高絕緣性、且在室溫下具有1013Qcm以上的體積固有阻抗率的絕緣體粉。中間層中的絕緣體粉的含有比率優(yōu)選40體積百分比以下。如果超過(guò)540體積百分比，則在絕緣體粉與硅樹(shù)脂的界面處，放電火花易泄漏，其結(jié)果，由靜電脈沖導(dǎo)致的放電火花到達(dá)最外層的保護(hù)樹(shù)脂層5，從而易發(fā)生絕緣劣化。此外，絕緣體粉也具有使網(wǎng)板印刷精度優(yōu)良地進(jìn)行的填充劑的效果。因而，如果得到良好的印刷，絕緣體粉的含有比率更優(yōu)選30體積百分比以下。而且，從精度優(yōu)良地進(jìn)行網(wǎng)板印刷的觀點(diǎn)來(lái)看，絕緣體粉的io含有比率優(yōu)選IO體積百分比以上。作為包含在中間層4中的硅樹(shù)脂，與包含在過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的硅樹(shù)脂同樣，為提高防止絕緣劣化效果，優(yōu)選側(cè)鏈的有機(jī)成分盡可能的少。從該觀點(diǎn)可知，優(yōu)選含有帶有甲基作為側(cè)鏈的有機(jī)基的聚硅氧烷(聚甲基硅氧烷、二甲基硅酮等)的硅樹(shù)脂。15中間層的厚度優(yōu)選5um以上。當(dāng)中間層的厚度不足5lim時(shí)，保護(hù)樹(shù)脂層5的絕緣劣化防止效果受到損害。而且，從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)來(lái)看，中間層的厚度只要實(shí)質(zhì)在50um以下即可。此外，中間層的厚度與上述過(guò)電壓保護(hù)材料層的厚度之和優(yōu)選30nm以上。通過(guò)將兩層的厚度的和調(diào)節(jié)到30um以上，例如，在中間層的厚度20小的情況下，就通過(guò)加大過(guò)電壓保護(hù)材料層的厚度，另外，在過(guò)電壓保護(hù)材料層的厚度小的情況下，就通過(guò)加大中間層的厚度，這樣地把保護(hù)樹(shù)脂層5的絕緣劣化防止效果進(jìn)一步提高。而且，從處置性和生產(chǎn)率的觀點(diǎn)來(lái)看，中間層的厚度與上述過(guò)電壓保護(hù)材料層的厚度之和只要實(shí)質(zhì)在80um以下即可。25作為制作中間層4的方法，例如有在上述的絕緣體粉和上述的硅樹(shù)脂的混合物中添加適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑，并利用三根輥碎機(jī)使它們混練以及分散，由此首先制作過(guò)中間層用膏劑。然后，例如使用如圖4所示的網(wǎng)板印刷法，以550um的厚度，并覆蓋上述過(guò)電壓保護(hù)材料層3地印刷該中間層用膏劑。此時(shí)，以完全覆蓋位于相向?qū)χ玫膬蓚€(gè)引出電極2之間的上部30的過(guò)電壓保護(hù)材料層3的方式來(lái)印刷中間層4。其后以15(TC干燥5~15分鐘，由此可形成中間層4。保護(hù)樹(shù)脂層5設(shè)置在上述中間層4之上。保護(hù)樹(shù)脂層5優(yōu)選以完全覆蓋過(guò)電壓保護(hù)材料層3及中間層4的方式來(lái)設(shè)置。保護(hù)樹(shù)脂層5為確保足夠的硬度和耐候性，優(yōu)選以如環(huán)氧樹(shù)脂或酚醛樹(shù)脂的基本骨架為碳與碳的5結(jié)合或者碳與氧的結(jié)合而構(gòu)成的有機(jī)系樹(shù)脂來(lái)形成。例如如圖5所示，保護(hù)樹(shù)脂層5以完全覆蓋上述過(guò)電壓保護(hù)材料層3及上述中間層4，且在兩端露出引出電極2的端部的狀態(tài)的方式，使用網(wǎng)板印刷法，以10~100/mi的厚度印刷包括環(huán)氧樹(shù)脂或酚醛樹(shù)脂的保護(hù)樹(shù)脂膏齊IJ，其后以15(TC干燥5~15分鐘。然后，以150200。C硬化15~60分鐘，io由此可形成保護(hù)樹(shù)脂層5。例如如圖5所示，靜電應(yīng)對(duì)部件能夠通過(guò)在陶瓷基材1的兩端部形成與至少兩個(gè)上述的引出電極2電連接的端子電極6來(lái)制造。例如如圖1所示，端子電極6以與引出電極2的端部電連接的方式，通過(guò)涂敷包括Ag等金屬粉和環(huán)氧樹(shù)脂等的硬化用樹(shù)脂的電極膏劑，并使其干燥，從而能夠15形成在陶瓷基材1的兩端部。以上，詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但上述的說(shuō)明對(duì)于所有方面僅為例示，本發(fā)明并不限定于此。未例示的多個(gè)變形也可認(rèn)定為不脫離本發(fā)明的范圍。以下，表示與本發(fā)明相關(guān)的實(shí)施例，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。20實(shí)施例制作各試驗(yàn)例的靜電應(yīng)對(duì)部件，并實(shí)施以下的靜電試驗(yàn)。如圖6所示，靜電試驗(yàn)是將靜電應(yīng)對(duì)部件7的一側(cè)的端子與地8接地，并且，使從另一側(cè)的端子引出的靜電脈沖施加部9與靜電試驗(yàn)槍10接觸，并施加靜電脈沖。靜電試驗(yàn)在IEC61000人體模型試驗(yàn)為基準(zhǔn)的條件下(放25電阻抗330Q，放電容量150pF，施加電壓8kV)實(shí)施。靜電試驗(yàn)后的評(píng)價(jià)是將靜電脈沖施加后的絕緣阻抗值(以DC25V測(cè)定)不足1()SQ的情況判定為破壞而進(jìn)行。(試驗(yàn)例l及對(duì)比例1)針對(duì)改變了中間層4的厚度的靜電應(yīng)對(duì)部件，實(shí)施了與未設(shè)置中間層30的靜電應(yīng)對(duì)部件相比較的試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中，作為過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的金屬粉使用了平均粒徑為1Um的Al，且Al的含有比率設(shè)為40體積百分比。此外，作為中間層4中的絕緣體粉使用了平均粒徑為lPm的Si02和A1203的混合粉，且Si02和A1203的混合粉的含有比率設(shè)為40體積百分比。并且，保護(hù)樹(shù)脂層5使用了環(huán)氧樹(shù)脂。此外，相向?qū)χ玫囊鲭姌O25的間隔設(shè)為25um。表l表示試驗(yàn)結(jié)果。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>io由表l明確可知，在未設(shè)置中間層4的情況下，破壞個(gè)數(shù)為100個(gè)中有10個(gè)，而通過(guò)設(shè)置中間層4，破壞個(gè)數(shù)減少，進(jìn)而通過(guò)增大中間層4的厚度，破壞不發(fā)生。(試驗(yàn)例2及對(duì)比例2)分別改變過(guò)電壓保護(hù)材料層3的厚度與中間層4的厚度，來(lái)制造了靜15電應(yīng)對(duì)部件，并且實(shí)施了與未設(shè)置中間層的靜電應(yīng)對(duì)部件相比較的試驗(yàn)。再說(shuō)，過(guò)電壓保護(hù)材料層3的組成、中間層4的組成、相向?qū)χ玫囊鲭姌O2的間隔采用了與試驗(yàn)例1中使用的靜電應(yīng)對(duì)部件相同的組成以及間隙。表2表示試驗(yàn)的結(jié)果。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由表2明確可知，在過(guò)電壓保護(hù)材料層3的厚度分別設(shè)為lOum、30um、40ym的各情況下，隨著加厚中間層4的厚度，各情況都減少破壞個(gè)數(shù)。由表1及表2的結(jié)果可知，通過(guò)設(shè)置包括硅樹(shù)脂和絕緣體粉的中間層，5靜電脈沖耐量大幅提高，并且，在過(guò)電壓保護(hù)材料層3與中間層4的厚度之和在30um以上的情況下，得到了更良好的結(jié)果。(試驗(yàn)例3)作為過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的金屬粉，對(duì)于改變了Al的含有比率的靜電應(yīng)對(duì)部件進(jìn)行了試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中，作為過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的金10屬粉，使用了平均粒徑為lixm的AI，且該過(guò)電壓保護(hù)材料層3的厚度設(shè)為20Pm。此外，作為中間層4中的絕緣體粉，使用了平均粒徑為l^m的Si02和Al203的混合粉，且&02和Al203的混合粉的含有比率設(shè)為40體積百分比。并且，中間層4的厚度設(shè)為10um，且保護(hù)樹(shù)脂層5使用了環(huán)氧樹(shù)脂。此外，相向?qū)χ玫囊鲭姌O2的間隔設(shè)為25um。15表3表示評(píng)價(jià)了具有不同的Al的含有比率的靜電應(yīng)對(duì)部件的初始特性時(shí)的不良個(gè)數(shù)。再說(shuō)，初始特性是以初始絕緣阻抗劣化來(lái)進(jìn)行了評(píng)價(jià)，初始絕緣阻抗不足108Q的靜電應(yīng)對(duì)部件評(píng)價(jià)為不良。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>從表3明確可知，隨著Al的含有比率的增加，開(kāi)始出現(xiàn)初始不良，然后，隨著Al的含有比率的增加，初始不良個(gè)數(shù)就進(jìn)一步增加。認(rèn)為該傾向是基于與金屬粉的接觸頻度的升高。從而，在含有比率在某個(gè)程度以上，即使提高分散狀態(tài)，也不能夠確保絕緣，存在著這樣的傾向。從表325明確可知，該某個(gè)程度的值是在大于40體積百分比的情況下出現(xiàn)。表4表示具有不同的Al的含有比率的靜電應(yīng)對(duì)部件的靜電試驗(yàn)結(jié)果。再說(shuō)，針對(duì)除去了初始不良的優(yōu)良品實(shí)施了試驗(yàn)。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>從表4明確可知，隨著Al的含有比率的增加，開(kāi)始出現(xiàn)絕緣不良，然后，隨著Al的含有比率的增加，絕緣不良個(gè)數(shù)就進(jìn)一步增加。此處，與表3同樣，從超過(guò)40體積百分比之后的點(diǎn)開(kāi)始出現(xiàn)破壞。認(rèn)為這是在Al含有比率高的情況下，由于己確保絕緣的粒子邊界部的樹(shù)脂成分相對(duì)變10少，因此當(dāng)施加高電壓時(shí)，則容易產(chǎn)生粒子之間的絕緣破壞。還有，在Al的粒徑為0.3~10ym的范圍內(nèi)的情況下，即使使Al的含有比率變化，也得到了表示與表4相同的傾向的結(jié)果。(試驗(yàn)例4)作為中間層4中的絕緣體粉，使用了Si02和/或Al203,并且對(duì)其含有15比率變化后的情況的靜電應(yīng)對(duì)部件進(jìn)行了試驗(yàn)。在該試驗(yàn)中，作為過(guò)電壓保護(hù)材料層3中的金屬粉，使用了平均粒徑為lnm的Al，且該A1的含有比率設(shè)為40體積百分比，而且該過(guò)電壓保護(hù)材料層3的厚度設(shè)為m。此外，作為中間層4中的絕緣體粉，使用了平均粒徑為ltim的Si02和/或Al203或者它們的混合粉。并且，中間層4的厚度設(shè)為10Pm，且保20護(hù)樹(shù)脂層5使用了環(huán)氧樹(shù)脂。此外，相向?qū)χ玫囊鲭姌O2的間隔設(shè)為25Pm。表5表示其結(jié)果。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>從表5明確可知，如果絕緣體粉的含有比率超過(guò)40體積百分比，則開(kāi)始出現(xiàn)由靜電脈沖導(dǎo)致的絕緣劣化。這理由認(rèn)為如下當(dāng)靜電脈沖施加時(shí)，利用中間層4來(lái)防止由靜電導(dǎo)致的放電火花產(chǎn)生直至最外層的保護(hù)樹(shù)5脂層5范圍內(nèi)；但是，如果中間層4中的絕緣體粉過(guò)多，則在絕緣體粉與樹(shù)脂的界面處，放電火花易泄漏，從而由靜電產(chǎn)生的放電火花就到達(dá)最外層的保護(hù)樹(shù)脂層5，由此產(chǎn)生絕緣劣化。如以上說(shuō)明，本發(fā)明的一個(gè)方面涉及靜電應(yīng)對(duì)部件，它具備陶瓷基材；至少兩個(gè)引出電極，相互隔著間隙且相向?qū)χ玫卦O(shè)置在所述陶瓷基材10上；過(guò)電壓保護(hù)材料層，設(shè)置成覆蓋各個(gè)所述引出電極的一部分和所述引出電極之間的間隙，且含有金屬粉和硅樹(shù)脂；中間層，設(shè)置在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層上，且含有絕緣體粉和硅樹(shù)脂；以及保護(hù)樹(shù)脂層，設(shè)置在所述中間層上。根據(jù)所述構(gòu)成，在過(guò)電壓保護(hù)材料層與作為最外層的保護(hù)樹(shù)脂層之間設(shè)置了含有絕緣體粉與硅樹(shù)脂的中間層，因此能夠防止在靜電脈沖15施加時(shí)產(chǎn)生的位于最外層的保護(hù)樹(shù)脂層的絕緣劣化，由此，可提供具有優(yōu)良的靜電脈沖耐量的靜電應(yīng)對(duì)部件。其中，優(yōu)選的是，所述絕緣體粉包含從A1、Si及Mg構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬的氧化物；或者所述這些金屬的復(fù)合氧化物。根據(jù)所述構(gòu)成，因?yàn)橹虚g層含有高絕緣性的絕緣體粉，所以能夠可靠地防止靜電脈20沖施加時(shí)產(chǎn)生的保護(hù)樹(shù)脂層的絕緣劣化。另外優(yōu)選的是，所述絕緣體粉在所述中間層中的含有比率為40體積百分比以下。根據(jù)所述構(gòu)成，可進(jìn)一步降低由靜電脈沖導(dǎo)致的絕緣劣化。另外優(yōu)選的是，所述硅樹(shù)脂含有側(cè)鏈的有機(jī)基為甲基的聚硅氧垸。根據(jù)所述構(gòu)成，上述聚硅氧烷，作為主鏈具有硅氧垸鍵，作為側(cè)鏈具有有機(jī)25成分少的甲基，因此能夠發(fā)揮防止絕緣劣化優(yōu)良的效果。另外優(yōu)選的是，所述中間層的厚度為5um以上，且所述中間層的厚度與所述過(guò)電壓保護(hù)材料層的厚度之和為30Um以上。根據(jù)所述構(gòu)成，可進(jìn)一步可靠地防止靜電脈沖導(dǎo)致的絕緣劣化。另外優(yōu)選的是，所述金屬粉包含從Ni、Al、Ag、Pd及Cu構(gòu)成的組30中選擇的至少一種。根據(jù)所述構(gòu)成，在施加靜電脈沖的情況下，在過(guò)電壓保護(hù)材料層中的金屬粉之間產(chǎn)生放電電流，使阻抗減少，從而能夠使異常電壓分流到地下，由此能夠可靠地防止由靜電脈沖導(dǎo)致的過(guò)電壓保護(hù)材料層的絕緣劣化。另外優(yōu)選的是，所述金屬粉在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層中的含有比率為540體積百分比以下。根據(jù)所述構(gòu)成，可進(jìn)一步可靠地降低由靜電脈沖導(dǎo)致的絕緣劣化。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的靜電應(yīng)對(duì)部件具備陶瓷基材；至少兩個(gè)引出電極，相互隔著間隙且相向?qū)χ玫卦O(shè)置在所述陶瓷基材上；過(guò)電壓保護(hù)材料層，設(shè)置成10覆蓋各個(gè)所述引出電極的一部分和所述引出電極之間的間隙，且含有金屬粉和硅樹(shù)脂；中間層，設(shè)置在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層上，且含有絕緣體粉和硅樹(shù)脂；以及保護(hù)樹(shù)脂層，設(shè)置在所述中間層上。通過(guò)設(shè)置所述中間層，能夠防止靜電脈沖施加時(shí)產(chǎn)生的位于最外層的保護(hù)樹(shù)脂層的絕緣劣化，由此可以提供靜電脈沖耐量大的靜電應(yīng)對(duì)部件。權(quán)利要求1.一種靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于具備陶瓷基材；至少兩個(gè)引出電極，相互隔著間隙且相向?qū)χ玫卦O(shè)置在所述陶瓷基材上；過(guò)電壓保護(hù)材料層，設(shè)置成覆蓋各個(gè)所述引出電極的一部分和所述引出電極之間的間隙，且含有金屬粉和硅樹(shù)脂；中間層，設(shè)置在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層上，且含有絕緣體粉和硅樹(shù)脂；以及保護(hù)樹(shù)脂層，設(shè)置在所述中間層上。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述絕緣體粉包含從A1、Si及Mg構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬15的氧化物；或者所述這些金屬的復(fù)合氧化物。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述絕緣體粉在所述中間層中的含有比率為40體積百分比以下。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述硅樹(shù)脂含有側(cè)鏈的有機(jī)基為甲基的聚硅氧烷。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述中間層的厚度為5Pm以上，且所述中間層的厚度與所述過(guò)電壓保護(hù)材料層的厚度之和為30"m以上。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述金屬粉包含從Ni、Al、Ag、Pd及Cu構(gòu)成的組中選擇的至少一25種。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的靜電應(yīng)對(duì)部件，其特征在于，所述金屬粉在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層中的含有比率為40體積百分比以下。全文摘要本發(fā)明提供一種靜電應(yīng)對(duì)部件，其具備陶瓷基材；至少兩個(gè)引出電極，相互隔著間隙且相向?qū)χ玫卦O(shè)置在所述陶瓷基材上；過(guò)電壓保護(hù)材料層，設(shè)置成覆蓋各個(gè)所述引出電極的一部分和所述引出電極之間的間隙，且含有金屬粉和硅樹(shù)脂；中間層，設(shè)置在所述過(guò)電壓保護(hù)材料層上，且含有絕緣體粉和硅樹(shù)脂；以及保護(hù)樹(shù)脂層，設(shè)置在所述中間層上。文檔編號(hào)H01C7/12GK101258562SQ20068003270公開(kāi)日2008年9月3日申請(qǐng)日期2006年9月6日優(yōu)先權(quán)日2005年9月13日發(fā)明者德永英晃,野添研治申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社